JPS6258554B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6258554B2 JPS6258554B2 JP56011822A JP1182281A JPS6258554B2 JP S6258554 B2 JPS6258554 B2 JP S6258554B2 JP 56011822 A JP56011822 A JP 56011822A JP 1182281 A JP1182281 A JP 1182281A JP S6258554 B2 JPS6258554 B2 JP S6258554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxide superconductor
- superconductor
- josephson
- superconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジヨセフソン素子の製法に関する。
ジヨセフソン素子として従来、第１図に示す如
き、絶縁基板１上に形成されたストライプ状の超
伝導体層２と、その超伝導体層２の表面に形成さ
れたトンネル電流を通し得るに十分な薄い厚さを
有する絶縁層３と、絶縁基板１上に超伝導体層２
の延長方向と交叉する方向に延長し且超伝導体層
２の延長途上部上に絶縁層３を介して延長せるス
トライプ状の超伝導体層４とを有し、超伝導体層
２及び４を夫々電極５及び６とし、絶縁層３の超
伝導体層２及び４にて挾まれた領域７に於てジヨ
セフソン接合８を形成している構成のものが所謂
交叉形トンネル接合型ジヨセフソン素子として提
案されている。
き、絶縁基板１上に形成されたストライプ状の超
伝導体層２と、その超伝導体層２の表面に形成さ
れたトンネル電流を通し得るに十分な薄い厚さを
有する絶縁層３と、絶縁基板１上に超伝導体層２
の延長方向と交叉する方向に延長し且超伝導体層
２の延長途上部上に絶縁層３を介して延長せるス
トライプ状の超伝導体層４とを有し、超伝導体層
２及び４を夫々電極５及び６とし、絶縁層３の超
伝導体層２及び４にて挾まれた領域７に於てジヨ
セフソン接合８を形成している構成のものが所謂
交叉形トンネル接合型ジヨセフソン素子として提
案されている。
又従来、第２図に示す如き、絶縁基板１上に形
成されたストライプ状の超伝導体層２と、その超
伝導体層２の表面にその全域に亘つて形成された
トンネル電流を通し得るに十分な薄い厚さを有す
る絶縁層３と、絶縁基板１上に超伝導体層２の延
長線に沿つて延長し且超伝導体層２の遊端部上に
絶縁層３を介して延長せるストライプ状の超伝導
体層４とを有し、超伝導体層２及び４を夫々電極
５及び６とし、絶縁層３の超伝導体層２及び４に
て挾まれた領域７に於てジヨセフソン接合８を形
成している構成のものが所謂直線形トンネル接合
型ジヨセフソン素子として提案されている。
成されたストライプ状の超伝導体層２と、その超
伝導体層２の表面にその全域に亘つて形成された
トンネル電流を通し得るに十分な薄い厚さを有す
る絶縁層３と、絶縁基板１上に超伝導体層２の延
長線に沿つて延長し且超伝導体層２の遊端部上に
絶縁層３を介して延長せるストライプ状の超伝導
体層４とを有し、超伝導体層２及び４を夫々電極
５及び６とし、絶縁層３の超伝導体層２及び４に
て挾まれた領域７に於てジヨセフソン接合８を形
成している構成のものが所謂直線形トンネル接合
型ジヨセフソン素子として提案されている。
所で上述せる第１図及び第２図に示す従来のジ
ヨセフソン素子の場合、その何れもが、電極５及
び６間の電圧Ｖと電極５及び６にジヨセフソン接
合８を通つて流れる電流I1との関係でみて第３図
に示す如きヒステリシス特性を呈し、又ジヨセフ
ソン接合８に外部より与える磁界を得る為の制御
電流I2と上述せる電流I1との関係でみて第４図に
示す如き特性を呈する（但し第３図及び第４図に
於てＩcは臨界電流、第３図に於て２Δは超伝導
体層２及び４が同じ超伝導体でなるものとした場
合に於けるその超伝導体のギヤツプエネルギΔの
２倍に相当する電圧）ものであるが、第１図及び
第２図に示す従来のジヨセフソン素子の場合、超
伝導体層２上に絶縁層３を介して超伝導体層４が
延長せる積層構成を有し、而して超伝導体層２及
び４と絶縁層３との間に熱膨張係数の差を有する
ことにより、室温と極低温との間の温度サイクル
で超伝導体層２及び４と絶縁層３とが特にジヨセ
フソン接合８の位置に於て熱歪が生じて疲労し、
この為ジヨセフソン素子の特性が長期の使用によ
り劣化するという欠点を有していた。
ヨセフソン素子の場合、その何れもが、電極５及
び６間の電圧Ｖと電極５及び６にジヨセフソン接
合８を通つて流れる電流I1との関係でみて第３図
に示す如きヒステリシス特性を呈し、又ジヨセフ
ソン接合８に外部より与える磁界を得る為の制御
電流I2と上述せる電流I1との関係でみて第４図に
示す如き特性を呈する（但し第３図及び第４図に
於てＩcは臨界電流、第３図に於て２Δは超伝導
体層２及び４が同じ超伝導体でなるものとした場
合に於けるその超伝導体のギヤツプエネルギΔの
２倍に相当する電圧）ものであるが、第１図及び
第２図に示す従来のジヨセフソン素子の場合、超
伝導体層２上に絶縁層３を介して超伝導体層４が
延長せる積層構成を有し、而して超伝導体層２及
び４と絶縁層３との間に熱膨張係数の差を有する
ことにより、室温と極低温との間の温度サイクル
で超伝導体層２及び４と絶縁層３とが特にジヨセ
フソン接合８の位置に於て熱歪が生じて疲労し、
この為ジヨセフソン素子の特性が長期の使用によ
り劣化するという欠点を有していた。
又第１図及び第２図に示す従来のジヨセフソン
素子の製法は、絶縁基板１上に超伝導体層２を形
成し、次に絶縁層３を形成し、然る后超伝導体層
４を形成するというものであり、多くの工程を要
し、従つてジヨセフソン素子を簡易に製造し得な
いという欠点を有していた。
素子の製法は、絶縁基板１上に超伝導体層２を形
成し、次に絶縁層３を形成し、然る后超伝導体層
４を形成するというものであり、多くの工程を要
し、従つてジヨセフソン素子を簡易に製造し得な
いという欠点を有していた。
更に第１図及び第２図に示す従来のジヨセフソ
ン素子は、超伝導体層２及び４の外絶縁層３を形
成するを要するという欠点を有していたと共に、
その絶縁層３をそれにトンネル電流が通り得るに
十分な10〜40Åの如き極めて薄い厚さに高精度に
形成することが必要であることにより、その絶縁
層３を形成するに困難を伴い、この為ジヨセフソ
ン素子を簡易に製造し得ないという欠点を有して
いた。
ン素子は、超伝導体層２及び４の外絶縁層３を形
成するを要するという欠点を有していたと共に、
その絶縁層３をそれにトンネル電流が通り得るに
十分な10〜40Åの如き極めて薄い厚さに高精度に
形成することが必要であることにより、その絶縁
層３を形成するに困難を伴い、この為ジヨセフソ
ン素子を簡易に製造し得ないという欠点を有して
いた。
尚更に第１図及び第２図に示す従来のジヨセフ
ソン素子の製法は、上述せる如く絶縁層３を極め
て薄い厚さに高精度に形成するに困難を伴い、一
方第３図に示す如き電圧Ｖ−電流I1特性及び第４
図に示す如き電流I2−I1特性に於ける臨界電流Ｉc
が絶縁層３の厚さに大きく依存することにより、
ジヨセフソン素子を所期の優れた特性を有するも
のとして得るに困難を伴うものであつた等の欠点
を有していた。
ソン素子の製法は、上述せる如く絶縁層３を極め
て薄い厚さに高精度に形成するに困難を伴い、一
方第３図に示す如き電圧Ｖ−電流I1特性及び第４
図に示す如き電流I2−I1特性に於ける臨界電流Ｉc
が絶縁層３の厚さに大きく依存することにより、
ジヨセフソン素子を所期の優れた特性を有するも
のとして得るに困難を伴うものであつた等の欠点
を有していた。
依つて本発明は上述せる欠点のないジヨセフソ
ン素子を、上述せる欠点なしに得ることの出来る
新規なジヨセフソン素子の製法を提案せんとする
もので、以下詳述する所より明らかとなるであろ
う。
ン素子を、上述せる欠点なしに得ることの出来る
新規なジヨセフソン素子の製法を提案せんとする
もので、以下詳述する所より明らかとなるであろ
う。
第５図は本発明によるジヨセフソン素子の製法
の実施例を示し、第５図Ａに示す如き例えばサフ
アイア基板でなる絶縁基板３１を予め用意し、而
してその絶縁基板３１上に、第５図Ｂに示す如
く、BaPb0.75Bi0.25O3でなる酸化物層３２を、例
えば絶縁基板３１を例えば250℃の温度に加熱
し、ターゲツトとしてBaPb0.75Bi0.25O3でなる組
成のセラミツク板を用い、雰囲気を例えばAr及
びO2を各50％の割合で含み２×10-2Torrのガス
圧を有するものとし、スパツタ電圧を例えば
1.8kVとせるスパツタリング処理により、例えば
5000Åの厚さに形成し、次にその酸化物層３２に
対するアニール処理を、温度例えば500℃、時間
例えば12時間で、酸化物層３２を形成せる絶縁基
板３１を例えばPbO粉末を入れた容器内に配して
なし、斯くて第５図Ｃに示す如く、酸化物層３２
の超伝導体層化せるBaPb0.75Bi0.25O3でなる酸化
物超伝導体層３３を形成する。
の実施例を示し、第５図Ａに示す如き例えばサフ
アイア基板でなる絶縁基板３１を予め用意し、而
してその絶縁基板３１上に、第５図Ｂに示す如
く、BaPb0.75Bi0.25O3でなる酸化物層３２を、例
えば絶縁基板３１を例えば250℃の温度に加熱
し、ターゲツトとしてBaPb0.75Bi0.25O3でなる組
成のセラミツク板を用い、雰囲気を例えばAr及
びO2を各50％の割合で含み２×10-2Torrのガス
圧を有するものとし、スパツタ電圧を例えば
1.8kVとせるスパツタリング処理により、例えば
5000Åの厚さに形成し、次にその酸化物層３２に
対するアニール処理を、温度例えば500℃、時間
例えば12時間で、酸化物層３２を形成せる絶縁基
板３１を例えばPbO粉末を入れた容器内に配して
なし、斯くて第５図Ｃに示す如く、酸化物層３２
の超伝導体層化せるBaPb0.75Bi0.25O3でなる酸化
物超伝導体層３３を形成する。
次に酸化物超伝導体層３３上に、第５図Ｄに示
す如く、例えば１辺の長さを５μｍとせる正方形
の酸化物超伝導体層３３を外部に臨ませる窓３４
を有するＡ2O3，SiO2等でなる例えば約1000Å
の厚さの絶縁層３５を、例えばスパツタリング法
によつて絶縁層（絶縁層３５に窓３４が形成され
ていないとした場合のその絶縁層３５と同じ）を
形成し、その絶縁層にリングラフイ法によつてそ
の絶縁層に酸化物超伝導体層３３を外部に臨ませ
る窓３４と同じ窓を穿設することにより、形成す
る。
す如く、例えば１辺の長さを５μｍとせる正方形
の酸化物超伝導体層３３を外部に臨ませる窓３４
を有するＡ2O3，SiO2等でなる例えば約1000Å
の厚さの絶縁層３５を、例えばスパツタリング法
によつて絶縁層（絶縁層３５に窓３４が形成され
ていないとした場合のその絶縁層３５と同じ）を
形成し、その絶縁層にリングラフイ法によつてそ
の絶縁層に酸化物超伝導体層３３を外部に臨ませ
る窓３４と同じ窓を穿設することにより、形成す
る。
次に酸化物超伝導体層３３に対する絶縁層３５
をマスクとせるスパツタリングエツチング処理を
なし、第５図Ｅに示す如く酸化物超伝導体層３３
の窓３４に臨む表面側に高抵抗層３６を形成す
る。この場合のスパツタリングエツチング処理
は、雰囲気として例えばAr及びO2を各50％の割
合で含み例えば６×10-2Torrのガス圧を有する
ものとし、スパツタ電圧及び電力を夫々例えば
400V及び10Wとせる、例えば50Å／分のスパツ
タリングエツチング速度を有するスパツタリング
エツチング処理とし得、斯くすれば酸化物超伝導
体層３３の表面側の組成が、その酸化物超伝導体
層３３の場合に比しPbの割合の少ないものとな
り、この為その表面側がスパツタリングエツチン
グの深さに関係なく高精度で高抵抗を有するもの
となり、依つて高抵抗層３６が形成されるもので
ある。
をマスクとせるスパツタリングエツチング処理を
なし、第５図Ｅに示す如く酸化物超伝導体層３３
の窓３４に臨む表面側に高抵抗層３６を形成す
る。この場合のスパツタリングエツチング処理
は、雰囲気として例えばAr及びO2を各50％の割
合で含み例えば６×10-2Torrのガス圧を有する
ものとし、スパツタ電圧及び電力を夫々例えば
400V及び10Wとせる、例えば50Å／分のスパツ
タリングエツチング速度を有するスパツタリング
エツチング処理とし得、斯くすれば酸化物超伝導
体層３３の表面側の組成が、その酸化物超伝導体
層３３の場合に比しPbの割合の少ないものとな
り、この為その表面側がスパツタリングエツチン
グの深さに関係なく高精度で高抵抗を有するもの
となり、依つて高抵抗層３６が形成されるもので
ある。
次に、第５図Ｆに示す如く、絶縁層３５上に延
長し且窓３４を通じて高抵抗層３６に連結延長せ
る例えば酸化物超伝導体層３３と同様の組成でな
る酸化物超伝導体層３７を、酸化物超伝導体層３
３を得た場合と同様のスパツタリング処理、アニ
ール処理により形成する。
長し且窓３４を通じて高抵抗層３６に連結延長せ
る例えば酸化物超伝導体層３３と同様の組成でな
る酸化物超伝導体層３７を、酸化物超伝導体層３
３を得た場合と同様のスパツタリング処理、アニ
ール処理により形成する。
次に酸化物超伝導体層３７上に第５図Ｇに示す
如くＡ2O3，SiO2等でなる絶縁層３８を例えば
蒸着、スパツタリングによつて形成し、然る后絶
縁層３８上に第５図Ｈに示す如く上方よりみて高
抵抗層３６を横切る態様を以つて、制御用超伝導
体層３９を例えばリソグラフイ法により形成し、
斯くて目的とせるジヨセフソン素子を得る。
如くＡ2O3，SiO2等でなる絶縁層３８を例えば
蒸着、スパツタリングによつて形成し、然る后絶
縁層３８上に第５図Ｈに示す如く上方よりみて高
抵抗層３６を横切る態様を以つて、制御用超伝導
体層３９を例えばリソグラフイ法により形成し、
斯くて目的とせるジヨセフソン素子を得る。
以上が本発明によるジヨセフソン素子の製法の
一例であるが、斯る製法によつて得られた第５図
Ｈに示すジヨセフソン素子は、その絶縁基板３
１；酸化物超伝導体層３３及び３７；及び高抵抗
層３６が、第１図及び第２図にて上述せる従来の
絶縁基板１；超伝導体層２及び４；及び絶縁層３
の領域７に夫々対応し、従つて酸化物超伝導体層
３３及び３７を夫々電極５及び６とし、高抵抗層
３６に於てジヨセフソン接合８を形成し、而して
電極５及び６間の電圧V′と電極５及び６にジヨ
セフソン接合８を通つて流れる電流I′1との関係
でみて図示せざるも第３図にて上述せると同様の
ヒステリシス特性を呈し、又ジヨセフソン接合８
に外部より磁を与えるものとした場合のその磁界
を得る為の制御電流I′2と上述せる電流I′1との関
係でみて図示せざるも第４図にて上述せると同様
の特性を呈すること明らかである。
一例であるが、斯る製法によつて得られた第５図
Ｈに示すジヨセフソン素子は、その絶縁基板３
１；酸化物超伝導体層３３及び３７；及び高抵抗
層３６が、第１図及び第２図にて上述せる従来の
絶縁基板１；超伝導体層２及び４；及び絶縁層３
の領域７に夫々対応し、従つて酸化物超伝導体層
３３及び３７を夫々電極５及び６とし、高抵抗層
３６に於てジヨセフソン接合８を形成し、而して
電極５及び６間の電圧V′と電極５及び６にジヨ
セフソン接合８を通つて流れる電流I′1との関係
でみて図示せざるも第３図にて上述せると同様の
ヒステリシス特性を呈し、又ジヨセフソン接合８
に外部より磁を与えるものとした場合のその磁界
を得る為の制御電流I′2と上述せる電流I′1との関
係でみて図示せざるも第４図にて上述せると同様
の特性を呈すること明らかである。
この為本発明の製法によつて得られる第４図Ｈ
に示すジヨセフソン素子は、これを第１図及び第
２図にて上述せる従来のジヨセフソン素子と同様
に使用し得るものである。即ち第４図Ｈに示す如
く酸化物超伝導体層３７上に絶縁層３８が形成さ
れ、その絶縁層３８上に高抵抗層３６に対向して
延長せる制御用超伝導体層３９が形成されている
ものとした場合、その制御用超伝導体層３９に例
えば２値表示で「１」及び「０」の値をとる制御
電流を流せば、高抵抗層３６に従つてジヨセフソ
ン接合８に２値表示で「１」及び「０」の値をと
る磁界が与えられるので、スイツチング素子とし
て使用し得るものである。
に示すジヨセフソン素子は、これを第１図及び第
２図にて上述せる従来のジヨセフソン素子と同様
に使用し得るものである。即ち第４図Ｈに示す如
く酸化物超伝導体層３７上に絶縁層３８が形成さ
れ、その絶縁層３８上に高抵抗層３６に対向して
延長せる制御用超伝導体層３９が形成されている
ものとした場合、その制御用超伝導体層３９に例
えば２値表示で「１」及び「０」の値をとる制御
電流を流せば、高抵抗層３６に従つてジヨセフソ
ン接合８に２値表示で「１」及び「０」の値をと
る磁界が与えられるので、スイツチング素子とし
て使用し得るものである。
然し乍ら本発明の製法によつて得られる第５図
Ｈに示すジヨセフソン素子は、それが絶縁基板３
１上に形成された酸化物超伝導体層３３と、その
酸化物超伝導体層３３に対するスパツタリングエ
ツチング処理により酸化物超伝導体層３３の表面
側に形成された高抵抗層３６と、その高抵抗層３
６上に延長せる酸化物超伝導体層３７とを有して
なる構成であるので、室温と極低温との間の温度
サイクルで、酸化物超伝導体層３３及び３７と高
抵抗層３６とが特にジヨセフソン接合８の位置に
於て、第１図及び第２図にて上述せる従来のジヨ
セフソン素子のジヨセフソン接合８の位置に於け
るが如く熱歪が生じて疲労が生じたりすることが
なく、この為超伝導体層の特性が長期の使用によ
つても劣化することがないという特徴を有するも
のである。
Ｈに示すジヨセフソン素子は、それが絶縁基板３
１上に形成された酸化物超伝導体層３３と、その
酸化物超伝導体層３３に対するスパツタリングエ
ツチング処理により酸化物超伝導体層３３の表面
側に形成された高抵抗層３６と、その高抵抗層３
６上に延長せる酸化物超伝導体層３７とを有して
なる構成であるので、室温と極低温との間の温度
サイクルで、酸化物超伝導体層３３及び３７と高
抵抗層３６とが特にジヨセフソン接合８の位置に
於て、第１図及び第２図にて上述せる従来のジヨ
セフソン素子のジヨセフソン接合８の位置に於け
るが如く熱歪が生じて疲労が生じたりすることが
なく、この為超伝導体層の特性が長期の使用によ
つても劣化することがないという特徴を有するも
のである。
一方第５図Ａ〜Ｈにて上述せる本発明による製
法は絶縁基板３１上に酸化物超伝導体層３３を形
成し、その酸化物超伝導体層３３に対するスパツ
タリングエツチング処理によりその酸化物超伝導
体層３３の表面側に高抵抗層３６を形成し、その
高抵抗層３６上に延長せる酸化物超伝導体層３７
を形成することにより目的とせるジヨセフソン素
子を得るというものである。
法は絶縁基板３１上に酸化物超伝導体層３３を形
成し、その酸化物超伝導体層３３に対するスパツ
タリングエツチング処理によりその酸化物超伝導
体層３３の表面側に高抵抗層３６を形成し、その
高抵抗層３６上に延長せる酸化物超伝導体層３７
を形成することにより目的とせるジヨセフソン素
子を得るというものである。
依つて第５図Ａ〜Ｈにて上述せる本発明による
製法によれば、上述せる優れた特徴を有するジヨ
セフソン素子を、簡易に得ることが出来るもので
ある。
製法によれば、上述せる優れた特徴を有するジヨ
セフソン素子を、簡易に得ることが出来るもので
ある。
又第５図Ａ〜Ｈにて上述せる本発明による製法
によれば、高抵抗層３６を酸化物超伝導体層３３
に対するスパツタリングエツチング処理により第
５図Ｅにて上述せる機構で形成するものであるの
で、その高抵抗層３６を高精度に高い一定抵抗値
を有するものとして容易に得ることが出来、従つ
てジヨセフソン素子を所期の優れた特性を有する
ものとして容易に製造し得るものである。
によれば、高抵抗層３６を酸化物超伝導体層３３
に対するスパツタリングエツチング処理により第
５図Ｅにて上述せる機構で形成するものであるの
で、その高抵抗層３６を高精度に高い一定抵抗値
を有するものとして容易に得ることが出来、従つ
てジヨセフソン素子を所期の優れた特性を有する
ものとして容易に製造し得るものである。
更に第５図Ａ〜Ｈにて上述せる本発明による製
法によれば、高抵抗層３６を、酸化物超伝導体層
３３に対する窓３４を有する絶縁層３５をマスク
とせるスパツタリングエツチング処理により形成
するものであり従つて高抵抗層３６が絶縁層３５
の窓３４のパターンを以つて形成されるものであ
るが、その絶縁層３５の窓３４はこれを高精度に
容易に形成し得るので、ジヨセフソン素子を所期
の優れた特性を有するものとして容易に形成し得
るものである等の大なる特徴を有するものであ
る。
法によれば、高抵抗層３６を、酸化物超伝導体層
３３に対する窓３４を有する絶縁層３５をマスク
とせるスパツタリングエツチング処理により形成
するものであり従つて高抵抗層３６が絶縁層３５
の窓３４のパターンを以つて形成されるものであ
るが、その絶縁層３５の窓３４はこれを高精度に
容易に形成し得るので、ジヨセフソン素子を所期
の優れた特性を有するものとして容易に形成し得
るものである等の大なる特徴を有するものであ
る。
尚上述に於ては酸化物超伝導体層３３及び３７
を共にBaPb0.75Bi0.25O3層でなるものとして形成
する場合につき述べたが、一般に酸化物超伝導体
層３３をBaPb1-xBixO3層（但し0.05≦ｘ≦0.3）
層でなるものとして、又酸化物超伝導体層３７を
BaPb1-yBiyO3（但し0.03≦ｙ≦0.3）層でなるも
のとして形成することも出来、その他本発明によ
る精神を脱することなしに種々の変型変更をなし
得るであろう。
を共にBaPb0.75Bi0.25O3層でなるものとして形成
する場合につき述べたが、一般に酸化物超伝導体
層３３をBaPb1-xBixO3層（但し0.05≦ｘ≦0.3）
層でなるものとして、又酸化物超伝導体層３７を
BaPb1-yBiyO3（但し0.03≦ｙ≦0.3）層でなるも
のとして形成することも出来、その他本発明によ
る精神を脱することなしに種々の変型変更をなし
得るであろう。
第１図及び第２図は夫々従来のジヨセフソン素
子を示す略線的斜視図、第３図及び第４図は夫々
それ等の電圧Ｖ−電流I1特性及び電流I2−電流I1
特性を示す曲線図、第５図Ａ〜Ｈは本発明による
ジヨセフソン素子の製法の実施例を示す順次の工
程に於ける略線的断面図である。 図中、５及び６は電極、８はジヨセフソン接
合、３１は絶縁基板、３３及び３７は酸化物超伝
導体層、３４は窓、３５及び３８は絶縁層、３６
は高抵抗層、３９は制御用超伝導体層を夫々示
す。
子を示す略線的斜視図、第３図及び第４図は夫々
それ等の電圧Ｖ−電流I1特性及び電流I2−電流I1
特性を示す曲線図、第５図Ａ〜Ｈは本発明による
ジヨセフソン素子の製法の実施例を示す順次の工
程に於ける略線的断面図である。 図中、５及び６は電極、８はジヨセフソン接
合、３１は絶縁基板、３３及び３７は酸化物超伝
導体層、３４は窓、３５及び３８は絶縁層、３６
は高抵抗層、３９は制御用超伝導体層を夫々示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上にBaPb1-xBixO3（但し0.05≦ｘ≦
0.3）でなる第１の酸化物超伝導体層を形成する
工程と、 上記第１の酸化物超伝導体層に対する上記絶縁
基板側とは反対側の表面よりのスパツタリングエ
ツチング処理により上記第１の酸化物超伝導体層
の表面側に高抵抗層を形成する工程と、 上記高抵抗層上に延長せるBaPb1-yBiyO3（但
し0.05≦ｙ≦0.3）でなる第２の酸化物超伝導体
層を形成する工程とを含む事を特徴とするジヨセ
フソン素子の製法。 ２ 絶縁基板上にBaPb1-xBixO3（但し0.05≦ｘ≦
0.3）でなる第１の酸化物超伝導体層を形成する
工程と、 上記第１の酸化物超伝導体層上に当該第１の酸
化物超伝導体層を外部に臨ませる窓を有する絶縁
層を形成する工程と、 上記第１の酸化物超伝導体層に対する上記絶縁
層をマスクとせるスパツタリングエツチング処理
により上記第１の酸化物超伝導体層の上記窓に臨
む表面側に高抵抗層を形成する工程と、 上記絶縁層上に延長し且上記窓を通じて上記高
抵抗層に連結延長せるBaPb1-yBiyO3（但し0.05≦
ｙ≦0.3）でなる第２の酸化物超伝導体層を形成
する工程とを含む事を特徴とするジヨセフソン素
子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56011822A JPS57126185A (en) | 1981-01-28 | 1981-01-28 | Manufacture of josephson element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56011822A JPS57126185A (en) | 1981-01-28 | 1981-01-28 | Manufacture of josephson element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57126185A JPS57126185A (en) | 1982-08-05 |
| JPS6258554B2 true JPS6258554B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=11788465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56011822A Granted JPS57126185A (en) | 1981-01-28 | 1981-01-28 | Manufacture of josephson element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57126185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425641U (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-28 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430279A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconducting device and manufacture thereof |
| JPH01199453A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 | Fujitsu Ltd | 超伝導体素子の製造方法 |
| JP2976427B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1999-11-10 | 松下電器産業株式会社 | ジョセフソン素子の製造方法 |
-
1981
- 1981-01-28 JP JP56011822A patent/JPS57126185A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425641U (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57126185A (en) | 1982-08-05 |
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