JPS6258551A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
- Publication number
- JPS6258551A JPS6258551A JP19765485A JP19765485A JPS6258551A JP S6258551 A JPS6258551 A JP S6258551A JP 19765485 A JP19765485 A JP 19765485A JP 19765485 A JP19765485 A JP 19765485A JP S6258551 A JPS6258551 A JP S6258551A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focusing
- section
- electron beam
- electrode
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、撮像管に適用して超高解像度特性が邊
得られる塙極続管に関する。
従来、［磁集束・静電偏向方式の撮像管が知られている
。この電子光学系は原理的には偏向収差が小さく解像度
の均一性に優れている。（例えば特開昭６０−１００３
４３号公報を参照のこと）しかしながら、この電子光学
系では原理的な結像倍率が１になるため、超高解像度を
目的と［７て結像倍率を縮小化することは困瞠である。
。この電子光学系は原理的には偏向収差が小さく解像度
の均一性に優れている。（例えば特開昭６０−１００３
４３号公報を参照のこと）しかしながら、この電子光学
系では原理的な結像倍率が１になるため、超高解像度を
目的と［７て結像倍率を縮小化することは困瞠である。
一方、電子ビームを２度結像させることにより結像倍率
を縮小化し高解像度を達成した例がテレビジｗ ７学会
誌ｖｏ１．３７．Ｎｏ、９（１９８３）に掲載されてい
る。しかしながら、この従来技術では、電磁集束・電磁
偏向方式の電子光学系を基本としているために結像倍率
は０．４程度Ｅこ留まり、又、偏向収差の増大も抑える
ことができないという問題がある。
を縮小化し高解像度を達成した例がテレビジｗ ７学会
誌ｖｏ１．３７．Ｎｏ、９（１９８３）に掲載されてい
る。しかしながら、この従来技術では、電磁集束・電磁
偏向方式の電子光学系を基本としているために結像倍率
は０．４程度Ｅこ留まり、又、偏向収差の増大も抑える
ことができないという問題がある。
本発明の目的は、結像倍率を大幅疹こ縮小し、超高解像
度で偏向収差のきわめて小さな陰極線管を提供すること
にある。
度で偏向収差のきわめて小さな陰極線管を提供すること
にある。
本発明は、上記目的を達成するため、電磁集束・静電偏
向方式に静電集束部を付加し、２ループ電子ビームによ
り結像倍率を縮小し同時に偏向収差も小さく抑えた電子
光学系を実現したものである。
向方式に静電集束部を付加し、２ループ電子ビームによ
り結像倍率を縮小し同時に偏向収差も小さく抑えた電子
光学系を実現したものである。
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例を説明す
る。本実施例は高解像度撮像管に適用した例である。
る。本実施例は高解像度撮像管に適用した例である。
第１図において、１は真空外管、２及び３は電子ビーム
発生部を構成する陰極、加速電極、４は光導電膜ターゲ
ット、５は外管の内壁面に形成された静電偏向電極、６
は偏向を受けた電子ビーム１０を光導電膜ターゲット、
４にほぼ垂直に入射させるコリメーシ目ンレンズを形成
するメツシー電極、７は電磁集束レンズを形成するソレ
ノイドコイル、８（８１，８２）は静電集束レンズを形
犠 成する円備電極詳、９はフェイスプレート、１０は電子
ビームを示す。３１は加速電極３蛋こ設けられたビーム
制限開孔である。１１は電子ビーム１０の第１結像点を
示す。本実施例では電子ビーム発生部に２極形電子銃を
使用しており、加速電極には１０〜数１０Ｖの正電圧が
印加される。偏向電極５は水平・垂直方向の偏向電界を
発生するための４個のジグザグパターン電極であり、数
１００ｖの直流電圧に偏向電圧が畳重される。
発生部を構成する陰極、加速電極、４は光導電膜ターゲ
ット、５は外管の内壁面に形成された静電偏向電極、６
は偏向を受けた電子ビーム１０を光導電膜ターゲット、
４にほぼ垂直に入射させるコリメーシ目ンレンズを形成
するメツシー電極、７は電磁集束レンズを形成するソレ
ノイドコイル、８（８１，８２）は静電集束レンズを形
犠 成する円備電極詳、９はフェイスプレート、１０は電子
ビームを示す。３１は加速電極３蛋こ設けられたビーム
制限開孔である。１１は電子ビーム１０の第１結像点を
示す。本実施例では電子ビーム発生部に２極形電子銃を
使用しており、加速電極には１０〜数１０Ｖの正電圧が
印加される。偏向電極５は水平・垂直方向の偏向電界を
発生するための４個のジグザグパターン電極であり、数
１００ｖの直流電圧に偏向電圧が畳重される。
メツシー電極６Ｉこは３００〜１００ ｏｖ糧度の高電
圧が印加される。ビーム制限開孔３１から出射した電子
ビーム１０は、静電集束レンズ部８の出口近傍で一度結
像し第１結像点１１を作る。この結像点はソレノイドコ
イル７の形成する電磁集束レンズによりターゲット４上
に再結像される。
圧が印加される。ビーム制限開孔３１から出射した電子
ビーム１０は、静電集束レンズ部８の出口近傍で一度結
像し第１結像点１１を作る。この結像点はソレノイドコ
イル７の形成する電磁集束レンズによりターゲット４上
に再結像される。
第２図に本実施例を詳細に示す。静電集束部８は２個の
円筒電極８１．８２で構成され、円筒電極８１．８２の
内径は７．２ ｍｍ 、各電極長はＢ１が１２ｍｍ、８
２が６ｍｍであり、第１の円筒電極８１の長さは内径の
約２倍ｆこ、第２の円筒電極８２の長さは内径の約１倍
に、設定される。又、電極８１には１００〜２０００Ｖ
の高電圧が、電極８２ｆこは数１０〜Ｏｖの低電圧が印
加される。
円筒電極８１．８２で構成され、円筒電極８１．８２の
内径は７．２ ｍｍ 、各電極長はＢ１が１２ｍｍ、８
２が６ｍｍであり、第１の円筒電極８１の長さは内径の
約２倍ｆこ、第２の円筒電極８２の長さは内径の約１倍
に、設定される。又、電極８１には１００〜２０００Ｖ
の高電圧が、電極８２ｆこは数１０〜Ｏｖの低電圧が印
加される。
又、偏向電極５の直径は１６ｍｍ、ピッチ４．５ｍｍの
カーブドアローパターンが１６ピツチ形成されており、
パターン電極には９０’のツイストが加えられている。
カーブドアローパターンが１６ピツチ形成されており、
パターン電極には９０’のツイストが加えられている。
ビーム制限開孔３１からメツシュ電極６での長さは７６
ｍｍ 、ソレノイドコイル７の長さは５７ｍｍで中心
がビーム制限開孔から４５ｍｍの位置ｆこ設置される。
ｍｍ 、ソレノイドコイル７の長さは５７ｍｍで中心
がビーム制限開孔から４５ｍｍの位置ｆこ設置される。
第２図には軸上の磁界強度Ｂと電位■の分布を示しであ
る。加速電極３は２０ｖ９円筒電極８１゜８２は各々５
００Ｖ、ＯＶ、偏向電極５の直流電圧は５５０Ｖ１メツ
シユ電極６は１００ＯＶの場合である。１１はこの場合
での電子ビームの第１結像点を示すが、電位Ｖが増加す
る位置に第１結像点が存在することが分る。
る。加速電極３は２０ｖ９円筒電極８１゜８２は各々５
００Ｖ、ＯＶ、偏向電極５の直流電圧は５５０Ｖ１メツ
シユ電極６は１００ＯＶの場合である。１１はこの場合
での電子ビームの第１結像点を示すが、電位Ｖが増加す
る位置に第１結像点が存在することが分る。
第３図、第４図には、静電集束部の第１円筒電極８１の
電圧ｖ８１を変えた時のビーム特性を示す。
電圧ｖ８１を変えた時のビーム特性を示す。
第２円筒電極８２はＯｖに固定している。第３図におい
て、結像倍率Ｍはｖ８１に比例して縮小されｖ８１が２
００Ｖでは約０．２となっている。静電集束部を持たな
い従来の単一ループ方式での結像倍率は０．４４５であ
り、本実施例では従来例の約１／２程度の縮小倍率が得
られ、極めて細いビームスポットが得られる。
て、結像倍率Ｍはｖ８１に比例して縮小されｖ８１が２
００Ｖでは約０．２となっている。静電集束部を持たな
い従来の単一ループ方式での結像倍率は０．４４５であ
り、本実施例では従来例の約１／２程度の縮小倍率が得
られ、極めて細いビームスポットが得られる。
従来の電子光学系（ビームの集束・偏向系）では結像倍
率の縮小と偏向特性（偏向時のスポット径や図形歪）は
相反関係にあり、本実施例のような極めて小さな倍率を
持つ系では偏向特性は非実用的な値に悪化してしまう。
率の縮小と偏向特性（偏向時のスポット径や図形歪）は
相反関係にあり、本実施例のような極めて小さな倍率を
持つ系では偏向特性は非実用的な値に悪化してしまう。
これに対し、本実施例の偏向特性は良好であり、第３図
ｆこ示す偏向ビームスポット径ｒはｖ８１が１００ｖで
従来例とほぼ同等の１７μｍであり、ｖ８１が ３００
ｖ以上では１０μｍ以下の極めて小さな値になっている
。
ｆこ示す偏向ビームスポット径ｒはｖ８１が１００ｖで
従来例とほぼ同等の１７μｍであり、ｖ８１が ３００
ｖ以上では１０μｍ以下の極めて小さな値になっている
。
又、第４図に示すようｆこ、図形歪特性ｙは従来例が０
．８％であるの１０対し、本実施例ではｖ８１に ７関
係なく約０．１％でありほとんど歪フリーの良好な特性
を示している。
．８％であるの１０対し、本実施例ではｖ８１に ７関
係なく約０．１％でありほとんど歪フリーの良好な特性
を示している。
第４図には電子ビームの第１結像点位置Ｘを示しである
。これは第２図（こおいて点１１の位置を円筒電極８２
の出口側先端から測ったものであり、１．５〜３．５ｍ
ｍの位置（こ第１結像点が来ており、軸上電位が増加す
る（加速電界）領域に第１結像点が形成されていること
がわかる。
。これは第２図（こおいて点１１の位置を円筒電極８２
の出口側先端から測ったものであり、１．５〜３．５ｍ
ｍの位置（こ第１結像点が来ており、軸上電位が増加す
る（加速電界）領域に第１結像点が形成されていること
がわかる。
第５図には本発明の他の実施例を示す。他の実施例「こ
おいては、静電集束部８の構造が異なり、他の部分は第
１図に示した実施例と同一のため省略する。第５図（イ
）は第２円筒電極の出口側の径を小さくしたものであり
、例えば内径を３ ｍ ｍとしりｏ ｍｌ Ｆ［［極８
１（７）電ＥＥＶ、１ヲ３００〜１０００Ｖ、第２電極
８３をＯｖとすると、結像倍率Ｍは０．１６〜０．２１
．偏向ビームスポット径ｒは１５〜１２ ｔｔｍ 、図
形歪ｙは０．１３〜０．１１％と良好な特性が得られる
。
おいては、静電集束部８の構造が異なり、他の部分は第
１図に示した実施例と同一のため省略する。第５図（イ
）は第２円筒電極の出口側の径を小さくしたものであり
、例えば内径を３ ｍ ｍとしりｏ ｍｌ Ｆ［［極８
１（７）電ＥＥＶ、１ヲ３００〜１０００Ｖ、第２電極
８３をＯｖとすると、結像倍率Ｍは０．１６〜０．２１
．偏向ビームスポット径ｒは１５〜１２ ｔｔｍ 、図
形歪ｙは０．１３〜０．１１％と良好な特性が得られる
。
第５図（ロ）は第２円筒電極の入口側の径を小さくした
ものであり、例えば内径を３ｍｍとした。第１ Ｆ［［
極８１ （７）！圧Ｖ８１ヲ３ｏ ｏ 〜ｔ ｏ ｏ
。
ものであり、例えば内径を３ｍｍとした。第１ Ｆ［［
極８１ （７）！圧Ｖ８１ヲ３ｏ ｏ 〜ｔ ｏ ｏ
。
Ｖ 、 ｍ ２ を極８４をＯｖとすると、結像倍率Ｍ
は０．２２〜０．２５．偏向ビームスポット径ｒは１４
〜８μｍ２図形歪ｙは０．１２〜０．１０％と良好な特
性が得られる。
は０．２２〜０．２５．偏向ビームスポット径ｒは１４
〜８μｍ２図形歪ｙは０．１２〜０．１０％と良好な特
性が得られる。
第５図（ハ）は真空外管１の内壁面に静電集束部８を形
成した例である。８５が第１円筒電極、８６が第２円筒
電極である。
成した例である。８５が第１円筒電極、８６が第２円筒
電極である。
第５図に）は真空外管１の内壁面に第２円筒電極８７を
形成した例である。
形成した例である。
尚、本発明の実施例では電子ビーム発生部として陰極２
と加速電極３とで構成される２極形電子銃を使用したが
、陰極、制御電極及び加速電極で構成される３極形電子
銃を利用しても良い。また、上述実施例は、本発明を撮
像管に適用した例であるが、本発明はこれに限らず、蓄
積管、スキャンコンバータ等の陰極線管に同様に適用す
ることができる。
と加速電極３とで構成される２極形電子銃を使用したが
、陰極、制御電極及び加速電極で構成される３極形電子
銃を利用しても良い。また、上述実施例は、本発明を撮
像管に適用した例であるが、本発明はこれに限らず、蓄
積管、スキャンコンバータ等の陰極線管に同様に適用す
ることができる。
以上述べたように本発明によれば良好な偏向ビーム特性
を維持しつつ極めて小さな値に結像倍率を縮小すること
ができる超高解像度な陰極線管を実現できる。
を維持しつつ極めて小さな値に結像倍率を縮小すること
ができる超高解像度な陰極線管を実現できる。
第１図は本発明の詳細な説明するための断面図、第２図
〜第４図は第１図の実施例の特性を示す図、第５図は本
発明の他の実施例を示す図である。 符号の説明 １・・・真空外管、２・・・陰極、３・・・加速電極、
ト・・光導電膜ターゲット、５・・・偏向電極、６・・
・メツシー電極、７・・・ンレノイドコイル、８・・・
静電集束部、９・・・フェイスプレー）、１０・・・電
子ビーム、１１・・・電子ビームの第１結像点 代理人 弁理士 小 川 勝 男 −悶曾 童ｇ′ソー（峡−究Ｌ℃ 英青蓼卸Σ 第４図 Ｖｒｔ （Ｖ） 第５国 （イ）
Ｃつ）Ｃ）ツ ム［ （ニ）
〜第４図は第１図の実施例の特性を示す図、第５図は本
発明の他の実施例を示す図である。 符号の説明 １・・・真空外管、２・・・陰極、３・・・加速電極、
ト・・光導電膜ターゲット、５・・・偏向電極、６・・
・メツシー電極、７・・・ンレノイドコイル、８・・・
静電集束部、９・・・フェイスプレー）、１０・・・電
子ビーム、１１・・・電子ビームの第１結像点 代理人 弁理士 小 川 勝 男 −悶曾 童ｇ′ソー（峡−究Ｌ℃ 英青蓼卸Σ 第４図 Ｖｒｔ （Ｖ） 第５国 （イ）
Ｃつ）Ｃ）ツ ム［ （ニ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも電子を放出する陰極と開口を有する電流
制御格子とから成る電子ビーム発生部と静電集束部と、
電磁集束・静電偏向部とターゲットを具備し、上記電子
ビーム発生部で形成される物点を上記静電集束部で結像
させ、更にこの第１結像点を上記電磁集束・静電偏向部
で上記ターゲット上に再結像させ走査させることを特徴
とする陰極線管。 ２、上記静電集束部は少なくとも２つの円筒状電極で構
成され、上記電磁集束・静電偏向部は、真空外管の外部
に設けた電磁コイルと真空外管の内壁面に形成したジグ
ザグパターン電極群とで構成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の陰極線管。 ３、上記第１結像点は上記静電集束部の出口近傍で、管
軸上の磁界強度分布および直流電位分布が管軸の上記タ
ーゲット方向に増大する領域内に形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19765485A JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19765485A JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258551A true JPS6258551A (ja) | 1987-03-14 |
| JPH0580779B2 JPH0580779B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16378092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19765485A Granted JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258551A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105764U (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 撮像管装置 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP19765485A patent/JPS6258551A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105764U (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 撮像管装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580779B2 (ja) | 1993-11-10 |
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