JPS625660U - - Google Patents

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JPS625660U
JPS625660U JP9775285U JP9775285U JPS625660U JP S625660 U JPS625660 U JP S625660U JP 9775285 U JP9775285 U JP 9775285U JP 9775285 U JP9775285 U JP 9775285U JP S625660 U JPS625660 U JP S625660U
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JP
Japan
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gate electrode
effect transistor
field
channel part
main surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP9775285U
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Publication date
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案FETの一実施例の上面図、第
2図は第1図の―′断面図、第3図は第1図
の―′断面図、第4図は他の実施例の上面図
、第5図A乃至C及び第6図A乃至Cは従来のF
ETの説明図、第7図は従来のFETのゲート電
極のパターン図である。 1……ソース電極、2……ドレイン電極、3…
…ゲート電極、3a……チヤネル部、3b……ゲ
ートパツド部、3c……ゲートパツド引出し部、
3d……副引出し部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (100)面を主表面とし、ゲート電極を配す
    るチヤネル部がリセス構造である電界効果型トラ
    ンジスタにおいて、ゲート電極は<011>、<
    011>方向に形成され、該ゲート電極からの引
    出し部は<011>方向を含む<001>方向か
    ら<010>方向又は<01>方向を含む<00
    1>方向から<010>方向の範囲の方向に形成
    されている事を特徴とする電界効果型トランジス
    タ。
JP9775285U 1985-06-27 1985-06-27 Pending JPS625660U (ja)

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JP9775285U JPS625660U (ja) 1985-06-27 1985-06-27

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JP9775285U JPS625660U (ja) 1985-06-27 1985-06-27

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JPS625660U true JPS625660U (ja) 1987-01-14

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ID=30965030

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JP9775285U Pending JPS625660U (ja) 1985-06-27 1985-06-27

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