JPS6247149U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6247149U JPS6247149U JP13879085U JP13879085U JPS6247149U JP S6247149 U JPS6247149 U JP S6247149U JP 13879085 U JP13879085 U JP 13879085U JP 13879085 U JP13879085 U JP 13879085U JP S6247149 U JPS6247149 U JP S6247149U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- field effect
- effect transistor
- gaas field
- gate electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の概略構成図、第２
図Ａ乃至Ｆは製造工程図、第３図Ａ，Ｂは従来の
ＦＥＴの概略構成図である。 ４……リセス部、５ａ……ゲート電極。
図Ａ乃至Ｆは製造工程図、第３図Ａ，Ｂは従来の
ＦＥＴの概略構成図である。 ４……リセス部、５ａ……ゲート電極。
Claims (1)
- ゲート電極がチヤネル領域に設けられたリセス
部の中に形成されているＧａＡｓ電界効果型トラ
ンジスタにおいて、前記リセス部の構造はその幅
が深さ方向にいくに従い徐々に広がり、途中から
徐々に狭まつている事を特徴とするＧａＡｓ電界
効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13879085U JPS6247149U (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13879085U JPS6247149U (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247149U true JPS6247149U (ja) | 1987-03-23 |
Family
ID=31044087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13879085U Pending JPS6247149U (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247149U (ja) |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP13879085U patent/JPS6247149U/ja active Pending