JPS6255942A - ボンデイング方法 - Google Patents
ボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS6255942A JPS6255942A JP60196222A JP19622285A JPS6255942A JP S6255942 A JPS6255942 A JP S6255942A JP 60196222 A JP60196222 A JP 60196222A JP 19622285 A JP19622285 A JP 19622285A JP S6255942 A JPS6255942 A JP S6255942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- metal wire
- lead frame
- thin metal
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣ，その他生導体を金属細線で、接合溶
接を行なうボンディング方法に関するものである。
接を行なうボンディング方法に関するものである。
第２図は、従来行なわれてい１こ、ボンテインゲ動作を
各モーションごとに分け１こ動作図である７図において
、（１）は半環体テ、・・プ、（２）は半導体チ・・フ
（１）と金属細線で配線されるリードフレーム、（３）
はキャピラリ、（４）は開閉か自由にコントロールでき
るクランパー、（５）は金属細線、（６）は金属細線（
５）を電気スパークにより溶融せしめて作られＴこ金属
ポール、（７）は金属細線（５）との間に高′蹴圧を印
加し、スパークを行なうＴこめのトーチ電極である、次
にＩｂ 作についで説明する。第２図の（１）ｌこおい
て、最初にキャピラリ（３）の先端には、金属ポール（
６）が作られているとして説明を行なう、まず、キャピ
ラリ（３）が下降を行ない、半導体チ・ツブ（１）（以
下チ・リブと称す）に着地する。次（こ第２図（２）で
は、金属ポール（６）とチ、ツブ（１）のＡｌ１４極（
バー、 ｌ−）との向で金属接合が行なわれる。第２図
（３）では、キャピラリ（３）が上昇を行なうと同時に
、リードフレーム（２）の方に移動し再び下降を行なっ
て第２図（４）のようにリードフレーム（２）に着地し
て、金属細線（５）とリードフレーム（２）の間で金属
接合が行なわれる。次に第２図（５）のように、キャピ
ラリ（３）が上昇して、一定の高さに上昇しｆこ所で、
今まで開いてい１こクランパ（４）が閉じ、金属細線（
５）をはさみ込む。
各モーションごとに分け１こ動作図である７図において
、（１）は半環体テ、・・プ、（２）は半導体チ・・フ
（１）と金属細線で配線されるリードフレーム、（３）
はキャピラリ、（４）は開閉か自由にコントロールでき
るクランパー、（５）は金属細線、（６）は金属細線（
５）を電気スパークにより溶融せしめて作られＴこ金属
ポール、（７）は金属細線（５）との間に高′蹴圧を印
加し、スパークを行なうＴこめのトーチ電極である、次
にＩｂ 作についで説明する。第２図の（１）ｌこおい
て、最初にキャピラリ（３）の先端には、金属ポール（
６）が作られているとして説明を行なう、まず、キャピ
ラリ（３）が下降を行ない、半導体チ・ツブ（１）（以
下チ・リブと称す）に着地する。次（こ第２図（２）で
は、金属ポール（６）とチ、ツブ（１）のＡｌ１４極（
バー、 ｌ−）との向で金属接合が行なわれる。第２図
（３）では、キャピラリ（３）が上昇を行なうと同時に
、リードフレーム（２）の方に移動し再び下降を行なっ
て第２図（４）のようにリードフレーム（２）に着地し
て、金属細線（５）とリードフレーム（２）の間で金属
接合が行なわれる。次に第２図（５）のように、キャピ
ラリ（３）が上昇して、一定の高さに上昇しｆこ所で、
今まで開いてい１こクランパ（４）が閉じ、金属細線（
５）をはさみ込む。
その後、キャピラリ（３）とクランパ（４）は同速度で
上昇を行なうことにより、リード側で接合が行なわｊ’
Ｌ ｒこ所で、金属細線（５）は引きちぎられ、次ｆζ
第２図（６）のようにキャピラリ（３）の下Ｃζしっぽ
のようにｆコれ下がりＴ二金属細線（５）（以下テール
と称する）の下（こ位置才ろようにトーチ電極（７）を
振り込ませ、金属細線（５）との間に高電圧を印加し、
テールとトーヲー電極（７）との間に、スパークを行な
わせることにより、第２図（７）のように、金属細線（
５）の先端にボールを作る。
上昇を行なうことにより、リード側で接合が行なわｊ’
Ｌ ｒこ所で、金属細線（５）は引きちぎられ、次ｆζ
第２図（６）のようにキャピラリ（３）の下Ｃζしっぽ
のようにｆコれ下がりＴ二金属細線（５）（以下テール
と称する）の下（こ位置才ろようにトーチ電極（７）を
振り込ませ、金属細線（５）との間に高電圧を印加し、
テールとトーヲー電極（７）との間に、スパークを行な
わせることにより、第２図（７）のように、金属細線（
５）の先端にボールを作る。
以上でボンティングの１動作が終了する。
上記のような従来のホンディング方法では、金属細線（
５）でチ、ツブ（１）とリードフレーム（２）に金属接
合を行なう時（こ、チー・プ（１）とリードフレーム（
２）との間の金属細線（５）（以下ループと称す）がキ
ャピラリ（３）との摩擦などにまり引張っＴこ状態とな
り。
５）でチ、ツブ（１）とリードフレーム（２）に金属接
合を行なう時（こ、チー・プ（１）とリードフレーム（
２）との間の金属細線（５）（以下ループと称す）がキ
ャピラリ（３）との摩擦などにまり引張っＴこ状態とな
り。
チ・・・ブ（１）、 ＩＪ−ドフレーム（２）との金
属接合部が短絡しγこりループが切断するなどの問題点
かあっｒ、＝。
属接合部が短絡しγこりループが切断するなどの問題点
かあっｒ、＝。
この発明は、かかる問題点を解決するＴこめになされた
もので、ループが引張られることなく、まｒ二金属接合
部が短絡しＴコリループが切断することのないボンディ
ング方法を得ることを目的とする、〔問題点を解決する
１こめの手段〕 この発明に係るボンディング方法は、金属細線の一端部
か半導体チ、・・プに接合された後、金属細線を保持し
キャピラリ内を金属細線が流通しながら上昇し、後この
キャピラリがリードフレームの方向へ平行移動をし、リ
ードフレームの金属細線所定接合部位１直上を通り越し
た後、キャピラリが下降しこのキャピラリによって保持
されている金属細線がリードフレームの表面にＴこるみ
を有して接触し、後、キャピラリが再びリードフレーム
の金属細線所定接合部位置上まで戻り後、キャビラ１ｊ
によって金属細線が上記リードフレームの所定接合部位
置に接合さｊγこものである。
もので、ループが引張られることなく、まｒ二金属接合
部が短絡しＴコリループが切断することのないボンディ
ング方法を得ることを目的とする、〔問題点を解決する
１こめの手段〕 この発明に係るボンディング方法は、金属細線の一端部
か半導体チ、・・プに接合された後、金属細線を保持し
キャピラリ内を金属細線が流通しながら上昇し、後この
キャピラリがリードフレームの方向へ平行移動をし、リ
ードフレームの金属細線所定接合部位１直上を通り越し
た後、キャピラリが下降しこのキャピラリによって保持
されている金属細線がリードフレームの表面にＴこるみ
を有して接触し、後、キャピラリが再びリードフレーム
の金属細線所定接合部位置上まで戻り後、キャビラ１ｊ
によって金属細線が上記リードフレームの所定接合部位
置に接合さｊγこものである。
この発明においては金属細線をキャピラリによってリー
ドフレームの金属細線所定接合部位置上をうす戦し１こ
後、再び所定接合部位置上まで戻り、リードフレームζ
こ接合されることにより半導体チ、ツブとリードフレー
ムとの間のテールが突っ張ることを防止する、 〔発明の実施例〕 第】図はこの発明の一実施例を示す動作図であり、（１
）〜（７）は上記従来のものと全く同一のものである８
図中、符号向はリードフレーム（２）における金属細線
（５）の所定接合部位置となる金属接合をする位置を示
している。
ドフレームの金属細線所定接合部位置上をうす戦し１こ
後、再び所定接合部位置上まで戻り、リードフレームζ
こ接合されることにより半導体チ、ツブとリードフレー
ムとの間のテールが突っ張ることを防止する、 〔発明の実施例〕 第】図はこの発明の一実施例を示す動作図であり、（１
）〜（７）は上記従来のものと全く同一のものである８
図中、符号向はリードフレーム（２）における金属細線
（５）の所定接合部位置となる金属接合をする位置を示
している。
次に動作について説明する。第１図の（１）において、
最初にキ勘ピラリ（３）の先端には、金属ボール（６）
が作られているとして説明を行なう。まず、キャピラリ
（３）が下降を行ない、チー、プ（１）にＭ地する。
最初にキ勘ピラリ（３）の先端には、金属ボール（６）
が作られているとして説明を行なう。まず、キャピラリ
（３）が下降を行ない、チー、プ（１）にＭ地する。
次に第１図（２）では、金属ボール（６）とチ・リブ（
１）のＡＪ電極（パ・、ト）との間で金属接合が行なわ
れる。
１）のＡＪ電極（パ・、ト）との間で金属接合が行なわ
れる。
第１図（３）では、キャピラリ（３）が上昇を行なうと
同時に、リードフレーム（２）側に移動している。次い
で、第１図（４）のようにリードフレーム（２）と金属
細線（５）の金属接合位置（図中へで示すンを通り越し
、第１図（５）で示すように再びキャピラリ（３）が下
降し、リードフレーム（２）に金属細線（５）が接する
。次いで、第１図（５）で矢印方向にキャピラリ（３）
が移動する。
同時に、リードフレーム（２）側に移動している。次い
で、第１図（４）のようにリードフレーム（２）と金属
細線（５）の金属接合位置（図中へで示すンを通り越し
、第１図（５）で示すように再びキャピラリ（３）が下
降し、リードフレーム（２）に金属細線（５）が接する
。次いで、第１図（５）で矢印方向にキャピラリ（３）
が移動する。
次いで第１図（６）でキャビラ゛ノ（３）がリードフレ
ーム（２）の金属接合部ｔｉ＆（図中Ａで示す）に位置
し１、第１図（５）で引張られている金Ｋ Ｉｆ５ ｉ
（５）がキャピラリ（３）の図中矢印方向への移動に
よって、第１図（６）のように金属細線（５）がらち上
り、安定し１こループを形成する。次いで、第１図（７
）のようにリードフレーム（２）にキャピラリ（３）が
着地して、金属細線（５）とリードフレーム（２）との
間で金属接合が行なわれる、そして以後の動作は従来の
動作（第２図（５）以降）の動作を行なうこととなる、 なお、上記実施例ではチ、・・ブ（１）がリードフレー
ム（２）より高いチ・・・ブ（１）を用いｆこ場合を例
にとって説明しｒこが、チ・・ブ（１）がリードフレー
ム（２）より低い場合であってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
ーム（２）の金属接合部ｔｉ＆（図中Ａで示す）に位置
し１、第１図（５）で引張られている金Ｋ Ｉｆ５ ｉ
（５）がキャピラリ（３）の図中矢印方向への移動に
よって、第１図（６）のように金属細線（５）がらち上
り、安定し１こループを形成する。次いで、第１図（７
）のようにリードフレーム（２）にキャピラリ（３）が
着地して、金属細線（５）とリードフレーム（２）との
間で金属接合が行なわれる、そして以後の動作は従来の
動作（第２図（５）以降）の動作を行なうこととなる、 なお、上記実施例ではチ、・・ブ（１）がリードフレー
ム（２）より高いチ・・・ブ（１）を用いｆこ場合を例
にとって説明しｒこが、チ・・ブ（１）がリードフレー
ム（２）より低い場合であってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
この発明は以上説明しＴコとおり、全屈細線の一端部が
半導体テ・・ブｌこ接合さｔｊｆＪ後、キャピラリによ
ってこの金屑細線を保持しキャピラリＦへを流通させな
がらリードフレートの金ｊ−紬線の所定接合部位置上を
通り越し２こ後、再びＩＪ ｊ−ｉフし・−ムの金属
細線の所定接合部位置上上ひ戻り、佼キャピラリによっ
て金屑ａ線をリードフレームの所定接合部位置ζこ接合
されているので、ループ！・・引張りｆこ状態となるこ
となく、よって半導体チ・プ。
半導体テ・・ブｌこ接合さｔｊｆＪ後、キャピラリによ
ってこの金屑細線を保持しキャピラリＦへを流通させな
がらリードフレートの金ｊ−紬線の所定接合部位置上を
通り越し２こ後、再びＩＪ ｊ−ｉフし・−ムの金属
細線の所定接合部位置上上ひ戻り、佼キャピラリによっ
て金屑ａ線をリードフレームの所定接合部位置ζこ接合
されているので、ループ！・・引張りｆこ状態となるこ
となく、よって半導体チ・プ。
リードフレームとの金属接合６Ｂの短絡、ループの切断
などを防止できる効果がある、
などを防止できる効果がある、
第１図はこの発明の一采施例を示すボンティング方法の
動作図、第２因は従来のボンティング方法の動作図であ
るー 図において、（１）は半導体チ・・・プ、（２）はリー
ドフレーム、（３）はキャピラリ、（５）は金属細線で
ある、なお、各図中同一符号は同一ま１こは相当部分を
示す。
動作図、第２因は従来のボンティング方法の動作図であ
るー 図において、（１）は半導体チ・・・プ、（２）はリー
ドフレーム、（３）はキャピラリ、（５）は金属細線で
ある、なお、各図中同一符号は同一ま１こは相当部分を
示す。
Claims (1)
- 半導体チップとリードフレームとを金属細線によつて
接合配線するボンディング方法において、金属細線の一
端部が半導体チップに接合された後、キャピラリによつ
てこの金属細線が保持され、かつキャピラリ内を金属細
線が流通しながらキャピラリが上昇し後、このキャピラ
リがリードフレームの方向へ平行移動し、リードフレー
ムの金属細線所定接合部位置上を通り越した後、キャピ
ラリが下降しこのキャピラリによつて保持されている金
属細線がリードフレームの表面にたるみを有して接触し
後、キャピラリが再びリードフレームの金属細線所定接
合部位置上まで戻り後、キャピラリによつて金属細線が
上記リードフレームの所定接合部位置に接合されてなる
ことを特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196222A JPS6255942A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | ボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196222A JPS6255942A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | ボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255942A true JPS6255942A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16354229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196222A Pending JPS6255942A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | ボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013143447A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196222A patent/JPS6255942A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013143447A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2617351B2 (ja) | ワイヤ接続不良検出方法 | |
| US3934108A (en) | Lead bonding method and apparatus | |
| KR890000585B1 (ko) | 도선 접착법 | |
| JPS6255942A (ja) | ボンデイング方法 | |
| JPS62152143A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPS62136835A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2601755B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤの接合方法 | |
| JPS6153737A (ja) | 電子装置の組立法及び組立装置 | |
| JPH05326601A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS62136831A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
| JPS5944836A (ja) | ワイヤ−ボンデイング方法 | |
| JP3457196B2 (ja) | ボールボンディング方法 | |
| JPH0684993A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6043012B2 (ja) | 半導体組立装置 | |
| JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS62104126A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPS61102054A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2978852B2 (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング接続方法 | |
| JPS61133637A (ja) | 接続電極の形成方法 | |
| JPH0590320A (ja) | ボール式ワイヤーボンデイング方法 | |
| JPH0226041A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP3026303B2 (ja) | 半導体パッケージのワイヤボンディング方法及びそのワイヤボンディング装置 | |
| JPS5988842A (ja) | ワイヤの接続不良検出方法 | |
| JPS5943537A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS61190953A (ja) | ワイヤボンダ |