JPS62519A - 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS62519A JPS62519A JP13791385A JP13791385A JPS62519A JP S62519 A JPS62519 A JP S62519A JP 13791385 A JP13791385 A JP 13791385A JP 13791385 A JP13791385 A JP 13791385A JP S62519 A JPS62519 A JP S62519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- sealing
- semiconductor device
- epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた
樹脂封止型半導体装置に関し、Ｉ＃にレーザーマーキン
グ特性の優れた高信頼性の難燃性封止用エポキシ樹脂組
成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する
。
樹脂封止型半導体装置に関し、Ｉ＃にレーザーマーキン
グ特性の優れた高信頼性の難燃性封止用エポキシ樹脂組
成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する
。
エポキシ樹脂組成物は、 ＩＣ，ＬＳ１．トランジス
タ等の半導体素子や電子回路およびその他の部品を封止
する用途に大量に用いられている。
タ等の半導体素子や電子回路およびその他の部品を封止
する用途に大量に用いられている。
従来、封止用エポキシ樹脂組成物への實−キングは、マ
ーキングインクを印字、焼付けする方法によって実施さ
れてきた。しかし、最近では生産性向上のためにレーザ
ーマーキング方式が実施されることが多くなった。この
方法は封止用エポキシ樹脂組成物の表面にレーザー光を
短時間照射しそのエネルギーによってマーキングを行う
方式である。しかし従来の封止用エポキシ樹脂組成物は
、レーザーマーキング特性を充分満足するものではなか
った。
ーキングインクを印字、焼付けする方法によって実施さ
れてきた。しかし、最近では生産性向上のためにレーザ
ーマーキング方式が実施されることが多くなった。この
方法は封止用エポキシ樹脂組成物の表面にレーザー光を
短時間照射しそのエネルギーによってマーキングを行う
方式である。しかし従来の封止用エポキシ樹脂組成物は
、レーザーマーキング特性を充分満足するものではなか
った。
また、特に半導体装置の封正に使用されるエポキシ樹脂
組成物には、半導体装置の高性能化に伴い、高い信頼性
が要求されるが、その中でも耐熱サイクル特性、耐湿性
の改良が強く求められている。
組成物には、半導体装置の高性能化に伴い、高い信頼性
が要求されるが、その中でも耐熱サイクル特性、耐湿性
の改良が強く求められている。
ここでいう耐熱サイクル特性について説明すると、封止
用エポキシｍ脂組成物は環境の温度変化によって内部に
封止し部品に損傷を与えることがあってはならない。そ
の損傷の与えにくさを耐熱サイクル特性として評価する
。
用エポキシｍ脂組成物は環境の温度変化によって内部に
封止し部品に損傷を与えることがあってはならない。そ
の損傷の与えにくさを耐熱サイクル特性として評価する
。
たとえば第１図中の１は半導体素子であり、こ半導体素
子ｌはペッド２にダイボンディングされている。前記半
導体素子１の電極部（バット部）に複数のボンディング
ワイヤ３が接続され、これらのワイヤの他端はリードピ
ン４Ｖｃ接続されている。そして前記半導体素子ｌ、ベ
ッド２．ワイヤ３及びリードピン４の一部は封止用樹脂
組成物を硬化した樹脂封止体５で封止されている。その
ため、こ夛れら封止されている部品は樹脂封止体５によ
る機械的ストレスを受ける。特に樹脂封止型半導体装置
を高温と低温に繰り返し曝すとストレスによる歪が増大
し、ボンディングワイヤ３が切断しやすい欠点があった
。
子ｌはペッド２にダイボンディングされている。前記半
導体素子１の電極部（バット部）に複数のボンディング
ワイヤ３が接続され、これらのワイヤの他端はリードピ
ン４Ｖｃ接続されている。そして前記半導体素子ｌ、ベ
ッド２．ワイヤ３及びリードピン４の一部は封止用樹脂
組成物を硬化した樹脂封止体５で封止されている。その
ため、こ夛れら封止されている部品は樹脂封止体５によ
る機械的ストレスを受ける。特に樹脂封止型半導体装置
を高温と低温に繰り返し曝すとストレスによる歪が増大
し、ボンディングワイヤ３が切断しやすい欠点があった
。
耐湿性については、従来の樹脂封止型半導体装置は高温
高温環境下において、封止樹脂を浸透した水分により、
半導体デバイスのアルミニウム配線が腐食されやすい欠
点があった。
高温環境下において、封止樹脂を浸透した水分により、
半導体デバイスのアルミニウム配線が腐食されやすい欠
点があった。
本発明はレーザーマーキング特性の浸れた高信頼性の難
燃性封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的とする。
燃性封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために研究を重ねた結果、従来着色
剤として用いられていたカーボンブラックや染料、およ
び難燃剤として用いられていた三酸化ニアンチモンに問
題があることを解明し、以下に示す封止用エポキシ樹脂
組成物およびそれを用いた樹脂封止を半導体装置が従来
のものにくらべ浸れた特性を有することを見出した。
剤として用いられていたカーボンブラックや染料、およ
び難燃剤として用いられていた三酸化ニアンチモンに問
題があることを解明し、以下に示す封止用エポキシ樹脂
組成物およびそれを用いた樹脂封止を半導体装置が従来
のものにくらべ浸れた特性を有することを見出した。
すなわち本発明は
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤 （ｃ）金属錯塩染料並に （ｄ）四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチモンおよ
び五酸化二アンチモンからなる群より選ばれる少くとも
１種を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物
であり、また該封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止した樹脂封止聾半導体装置である。
有する硬化剤 （ｃ）金属錯塩染料並に （ｄ）四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチモンおよ
び五酸化二アンチモンからなる群より選ばれる少くとも
１種を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物
であり、また該封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止した樹脂封止聾半導体装置である。
上記エポキシ樹脂は通常知られているものであり、特に
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジル
エーテル壓エポキシ樹脂、グリシジルエーテル槃エポキ
シ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ
樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキシ
基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。しかし
てこれらエポキシ樹脂は１糧もしくは２種以上の混合系
で用いてもよい。更に好ましいエポキシ樹脂は、エポキ
シ当量１７０〜３００のノボラック聾エポキシ樹脂であ
って、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェ
ノールノボラック凰エポキシ樹脂などである。これらエ
ポキシ樹脂は、塩素イオンの含有量が１０ ｐｐｍ以下
、加水分解性塩素の含有量が０．１重量％以下のものが
望ましい。その理由はｉ ｏ ｐｐｍを越える塩素イオ
ンあるいは０．１重量％を越える加水分解性塩素が含ま
れると、封止された半導体素子のアルミニウム電極が腐
蝕されやすくなるためである。
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジル
エーテル壓エポキシ樹脂、グリシジルエーテル槃エポキ
シ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ
樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキシ
基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。しかし
てこれらエポキシ樹脂は１糧もしくは２種以上の混合系
で用いてもよい。更に好ましいエポキシ樹脂は、エポキ
シ当量１７０〜３００のノボラック聾エポキシ樹脂であ
って、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェ
ノールノボラック凰エポキシ樹脂などである。これらエ
ポキシ樹脂は、塩素イオンの含有量が１０ ｐｐｍ以下
、加水分解性塩素の含有量が０．１重量％以下のものが
望ましい。その理由はｉ ｏ ｐｐｍを越える塩素イオ
ンあるいは０．１重量％を越える加水分解性塩素が含ま
れると、封止された半導体素子のアルミニウム電極が腐
蝕されやすくなるためである。
本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポ
リオキシスチレン、フェノールアラルキル樹脂、および
多価フェノール化合物でありて、具体的に例示すると、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂
、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニフ
ェノールノボラック樹脂などのノボラック屋フェノール
樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリバラオキシスチ
レンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノールＡ等お
よびこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの
中でもノボラック型フェノール樹脂フェノールアラルキ
ル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。また
これらの硬イく剤は１糧もしくは２種以上の混合系で使
用する乙とができる。
ール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポ
リオキシスチレン、フェノールアラルキル樹脂、および
多価フェノール化合物でありて、具体的に例示すると、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂
、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニフ
ェノールノボラック樹脂などのノボラック屋フェノール
樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリバラオキシスチ
レンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノールＡ等お
よびこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの
中でもノボラック型フェノール樹脂フェノールアラルキ
ル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。また
これらの硬イく剤は１糧もしくは２種以上の混合系で使
用する乙とができる。
エポキシ樹脂と上記硬化剤の配合比については、硬化剤
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が０．５
〜１．５の範囲内にあるように配合することが望ましい
。その理由は上記範囲外では反応が充分におこりにくく
なり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が０．５
〜１．５の範囲内にあるように配合することが望ましい
。その理由は上記範囲外では反応が充分におこりにくく
なり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
本発明で用いられる金属錯塩染料は、分子内錯塩の形で
金属を含んでいる染料である。具体例としては酸性染料
系と直接染料系のものが代表的なものである。酸性染料
系としてはたとえば金属としておもにクロムを含む０，
０′−ジオキシアゾ染料があり、染料分子とクロム原子
との結合比により１：１タイプ２：１タイプなどがある
。この形の染料は含金属染料とも呼ばれている。直接染
料系としてはｏ、ｏ’−ジオキシアゾ形、Ｏ−オキシ＋
０７−カルボキシアゾ形の直接アゾ染料の銅錯塩など
がある。
金属を含んでいる染料である。具体例としては酸性染料
系と直接染料系のものが代表的なものである。酸性染料
系としてはたとえば金属としておもにクロムを含む０，
０′−ジオキシアゾ染料があり、染料分子とクロム原子
との結合比により１：１タイプ２：１タイプなどがある
。この形の染料は含金属染料とも呼ばれている。直接染
料系としてはｏ、ｏ’−ジオキシアゾ形、Ｏ−オキシ＋
０７−カルボキシアゾ形の直接アゾ染料の銅錯塩など
がある。
上記例以外にも各種金属錯塩染料があり、たとえば金属
を含むフタロシアニン染料も含まれる。
を含むフタロシアニン染料も含まれる。
金属錯塩染料はエポキシ樹脂組成物の０．０１〜１０重
量％の範囲内で添加配合することが好まし。
量％の範囲内で添加配合することが好まし。
０．０１重量％未満では添加の効果が認められず。
１０重量％を越えると樹脂組成物の特性が劣化しやすく
なるためでおる。
なるためでおる。
本発明において、封止用エポキシ樹脂組成物に難燃性を
付与するために四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチ
モンおよび五酸化二アンチモン（含水物を含む）からな
る群より選ばれる少くとも１種が用いられる。（以下酸
化アンチモンと称する。）これらの酸化アンチモンは含
有量が封止用エポキシ樹脂組成物の０．１〜１０重量％
の範囲内にあるように添加配合することが好ましい。そ
の理゛由は０．１重量−未満では添加の効果が認めにく
く、また、１０重量％を超えると樹脂組成物の信頼性が
劣化しやすくなるためである。
付与するために四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチ
モンおよび五酸化二アンチモン（含水物を含む）からな
る群より選ばれる少くとも１種が用いられる。（以下酸
化アンチモンと称する。）これらの酸化アンチモンは含
有量が封止用エポキシ樹脂組成物の０．１〜１０重量％
の範囲内にあるように添加配合することが好ましい。そ
の理゛由は０．１重量−未満では添加の効果が認めにく
く、また、１０重量％を超えると樹脂組成物の信頼性が
劣化しやすくなるためである。
上記酸化アンチモンはシランカップリング剤その他の表
面処理剤で表面を処理することにより、特性を向上きせ
ることかできる。処理方法は通常知られている方法を用
いることができる。たとえば水中で表表処理を行い、水
分除去後加熱する方法、ミキサー中で酸化アンチモンと
処理剤を混合処理し、その後加熱する方法等々である。
面処理剤で表面を処理することにより、特性を向上きせ
ることかできる。処理方法は通常知られている方法を用
いることができる。たとえば水中で表表処理を行い、水
分除去後加熱する方法、ミキサー中で酸化アンチモンと
処理剤を混合処理し、その後加熱する方法等々である。
また表面処理は酸化アンチモン単独でなく無機質充てん
剤等他の材料とともに行ってもよい。
剤等他の材料とともに行ってもよい。
封止用エポキシ樹脂組成物の難燃化効果を高めるために
、ハロゲン化合物を上記酸化アンチモンと併用すること
が好ましい。ハロゲン化合物としては臭素化エポキシ樹
脂、臭素化硬化剤およびヘキサブロムベンゼン等の臭素
化合物等が用いられる。
、ハロゲン化合物を上記酸化アンチモンと併用すること
が好ましい。ハロゲン化合物としては臭素化エポキシ樹
脂、臭素化硬化剤およびヘキサブロムベンゼン等の臭素
化合物等が用いられる。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には硬化促進剤を配
合することが好ましい。硬化促進剤は、硬化時間の短縮
と、硬化物の特性向上のために有用である０本発明にお
いて一般に知られている硬化促進剤を用いることができ
るが、高信頼性の封止用エポキシ樹脂および樹脂封止型
半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化合物を用
いることが望ましい。
合することが好ましい。硬化促進剤は、硬化時間の短縮
と、硬化物の特性向上のために有用である０本発明にお
いて一般に知られている硬化促進剤を用いることができ
るが、高信頼性の封止用エポキシ樹脂および樹脂封止型
半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化合物を用
いることが望ましい。
有機ホスフィン化合物としては、式：
においてＲ１−Ｒ３がすべて有機基である第３ホスフィ
ン化合物ｓ Ｒ３のみ水素である第２ホスフィン化合物
ｓ Ｒ２，Ｒ３がともに水素である第１もスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン。
ン化合物ｓ Ｒ３のみ水素である第２ホスフィン化合物
ｓ Ｒ２，Ｒ３がともに水素である第１もスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン。
フェニルホスフィン、オクチルホスフィンナトテある。
またＲ１が有機ホスフィンを含む有機基であってもよい
。たとえば１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどである。
。たとえば１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどである。
これらの中でもアリールホスフィン化合物が好まＬ＜、
％にトリフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）
メタンなどが最も好ましい。
％にトリフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）
メタンなどが最も好ましい。
またこれらの有機ホスフィン化合物は１種もしくは２種
以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフ
ィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬
化剤）の０．０’ １〜２０重量−の範囲内でよいが特
に好ましい特性は０．０１〜５重量％の範囲内で得られ
る。
以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフ
ィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬
化剤）の０．０’ １〜２０重量−の範囲内でよいが特
に好ましい特性は０．０１〜５重量％の範囲内で得られ
る。
また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には無機質充て
ん剤を配合することが好ましい。
ん剤を配合することが好ましい。
無機質充てん剤としては、溶融シリカ（結晶性シリカを
溶融したもの）、結晶性シリカ、ガラス繊維、タルク、
アルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バ
リウム、マグネシア等一般に知られているものを用いる
ことができるが、これらの中でも高純度である点と低熱
膨張性である点で溶融シリカや結晶性シリカが最も好ま
しい。
溶融したもの）、結晶性シリカ、ガラス繊維、タルク、
アルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バ
リウム、マグネシア等一般に知られているものを用いる
ことができるが、これらの中でも高純度である点と低熱
膨張性である点で溶融シリカや結晶性シリカが最も好ま
しい。
無機質充てん剤の配合量は、種類によって異なるが、樹
脂成分（エポキシ樹脂を硬化剤）のおよそ２〜６倍程度
が良い。
脂成分（エポキシ樹脂を硬化剤）のおよそ２〜６倍程度
が良い。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差支えない。上述した封止
用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の
一般的な方法は、所定の組成比に選んだ原料組成分を例
えばミキサーによって充分混合後、ざらに熱ロールによ
る溶融混合処理、またはニーダ−などによる混合処理を
加えることにより容易にエポキシ樹脂成形材料を得るこ
とができる。
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差支えない。上述した封止
用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の
一般的な方法は、所定の組成比に選んだ原料組成分を例
えばミキサーによって充分混合後、ざらに熱ロールによ
る溶融混合処理、またはニーダ−などによる混合処理を
加えることにより容易にエポキシ樹脂成形材料を得るこ
とができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することによシ容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジエクシ
菅ン成形、圧縮成形、注型などによる封止も可能である
。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
１５０℃以上に加熱することが特に望ましい。
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することによシ容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジエクシ
菅ン成形、圧縮成形、注型などによる封止も可能である
。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
１５０℃以上に加熱することが特に望ましい。
実施例１〜８
エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック凰エポキシ
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子ｔ８
００のフェノールノボ２ツク樹脂硬化剤、黒色の金属錯
塩染料ｃｏ、ｏ’−ジオキシアゾ染料のクロム錯塩）、
黒色の金属を含まないアゾ染料、カーボンブラック、四
酸化二アンチモン、シランカップリング剤で表面処理を
した四酸化二アンチモン、十三酸化穴アンチモン、五酸
化二アンチモン、三酸化ニアンチモン、トリフェニルホ
スフィン硬化促進剤、ＤＢＵ（１，８−ジアザ−ビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７）硬化促進剤、溶融シ
リカ粉末、カルナバワックス、シランカップリング剤（
ｒ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン）を第１
表、第２表に示す組成Ｃｉ量置部に選び、比較例を含め
１９種の組成物を調製した。各組成物をミキサーにより
混合し、加熱ロールＶＣより混練してトランスファ成形
用の樹脂組成物を得た。
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子ｔ８
００のフェノールノボ２ツク樹脂硬化剤、黒色の金属錯
塩染料ｃｏ、ｏ’−ジオキシアゾ染料のクロム錯塩）、
黒色の金属を含まないアゾ染料、カーボンブラック、四
酸化二アンチモン、シランカップリング剤で表面処理を
した四酸化二アンチモン、十三酸化穴アンチモン、五酸
化二アンチモン、三酸化ニアンチモン、トリフェニルホ
スフィン硬化促進剤、ＤＢＵ（１，８−ジアザ−ビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７）硬化促進剤、溶融シ
リカ粉末、カルナバワックス、シランカップリング剤（
ｒ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン）を第１
表、第２表に示す組成Ｃｉ量置部に選び、比較例を含め
１９種の組成物を調製した。各組成物をミキサーにより
混合し、加熱ロールＶＣより混練してトランスファ成形
用の樹脂組成物を得た。
上記組成物を用いて１７０℃で２分間トランスファ成形
することによりＭＯ８型集積回路を樹脂封止した。得ら
れた樹脂封止型半１−装置に１８０’Ｑで４時間のアフ
タキエアを実施した。
することによりＭＯ８型集積回路を樹脂封止した。得ら
れた樹脂封止型半１−装置に１８０’Ｑで４時間のアフ
タキエアを実施した。
以下余白
マーキング試験
上記樹脂封止型半導体装置について、炭酸ガスレー、ｆ
−ヲ用いてレーザーマーキンクラ行い、マーキング特
性を評価した。その結果を第３表に示した。評価はマー
キングした部分としない部分（すなわち地の部分）のコ
ントラストで表わした。
−ヲ用いてレーザーマーキンクラ行い、マーキング特
性を評価した。その結果を第３表に示した。評価はマー
キングした部分としない部分（すなわち地の部分）のコ
ントラストで表わした。
コントラストが良好であるとマーキングは鮮明で読みや
すく、コントラストが悪いとマーキングは不鮮明で読み
にくい。
すく、コントラストが悪いとマーキングは不鮮明で読み
にくい。
以下余白
第 ３ 表
信頼性試験（熱サイクル試験）
＋２００°Ｃと一６５°Ｃの２つの恒温槽を用意し、上
記樹脂封止型半導体装置各１００個を＋２００ ’Ｏの
恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出して再
び常温中［５分間放置した。
記樹脂封止型半導体装置各１００個を＋２００ ’Ｏの
恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出して再
び常温中［５分間放置した。
以上の操作を１サイクルとし、連続的に熱サイクル試験
を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイク
ルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスターを
用いて測定し、不良の発生を調べた。その結果を第４表
に示した。
を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイク
ルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスターを
用いて測定し、不良の発生を調べた。その結果を第４表
に示した。
以下余白
第 ４ 表
信頼性試験（耐湿性試験）
耐湿性を評価するために、１２１°０．２気圧の水蒸気
、中で（至）脂封止凰半導体装置にＩＯＶのバイアス電
圧を印加して、半導体装置のアルミニウム配線の腐食に
よる断線不良を調べる試験（バイアス−ＰＣＴ ）を行
い、その結果を第５表に示した。試験個数は各１００個
である。
、中で（至）脂封止凰半導体装置にＩＯＶのバイアス電
圧を印加して、半導体装置のアルミニウム配線の腐食に
よる断線不良を調べる試験（バイアス−ＰＣＴ ）を行
い、その結果を第５表に示した。試験個数は各１００個
である。
以下余白
第 ５ 表
難燃性試験
次に本発明の封止用エポキシ樹脂組成物の難燃性を評価
した。実施例１〜８ともにＵＬ規格の９４Ｖ−０相当の
難燃性であった。
した。実施例１〜８ともにＵＬ規格の９４Ｖ−０相当の
難燃性であった。
以上詳述したように、本発明によってレーザーマーキン
グ特性の優れた高信頼性の難燃性封止用エポキシ樹脂組
成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提供す
ることができ、その工業的価値は犬である。
グ特性の優れた高信頼性の難燃性封止用エポキシ樹脂組
成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提供す
ることができ、その工業的価値は犬である。
第１図は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
ｌ・・・半導体素子 ２・・・ベッド３・・・ボン
ディングワイヤ ４・・・リードビン５・・・樹脂封止
体 第１図
ディングワイヤ ４・・・リードビン５・・・樹脂封止
体 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤 （ｃ）金属錯塩染料並に （ｄ）四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチモン及び
五酸化二アンチモンからなる群より選ばれる少くとも１
種を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物 ２、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１項
記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ３、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ４、該エポキシ樹脂組成物中の酸化アンチモンの含有量
が０．１〜１０重量％の範囲内にある特許請求の範囲第
１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ５、該エポキシ樹脂組成物が、ハロゲン化合物を含む特
許請求の範囲第１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ６、該エポキシ樹脂組成物が、有機ホスフィン化合物を
含む特許請求の範囲第１様記載の封止用エポキシ樹脂組
成物 ７、該エポキシ樹脂組成物が、溶融シリカおよび／また
は結晶性シリカを含む特許請求の範囲第１項記載の封止
用エポキシ樹脂組成物 ８、半導体素子と該半導体素子を封止する樹脂封止体と
を具備した樹脂封止型半導体装置において、該樹脂封止
体が （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤 （ｃ）金属錯塩染料並に （ｄ）四酸化二アンチモン、十三酸化六アンチモン及び
五酸化二アンチモンからなる群より選ばれる少くとも１
種を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置 ９、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第８項
記載の樹脂封止型半導体装置 １０、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である
特許請求の範囲第８項記載の樹脂封止型半導体装置 １１、該エポキシ樹脂組成物中の酸化アンチモンの含有
量が０．１〜１０重量％の範囲内にある特許請求の範囲
第８項記載の樹脂封止型半導体装置 １２、該エポキシ樹脂組成物が、ハロゲン化合物を含む
特許請求の範囲第８項記載の樹脂封止型半導体装置 １３、該エポキシ樹脂組成物が、有機ホスフィン化合物
を含む特許請求の範囲第８項記載の樹脂封止型半導体装
置 １４、該エポキシ樹脂組成物が、溶融シリカおよび／ま
たは結晶性シリカを含む特許請求の範囲第８項記載の樹
脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13791385A JPS62519A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13791385A JPS62519A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62519A true JPS62519A (ja) | 1987-01-06 |
Family
ID=15209607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13791385A Pending JPS62519A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169846A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用樹脂組成物 |
| GB2232157A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-05 | Toshiba Silicone | Glycidoxy group-containing organosilicon compounds useful as comonomer modifier for resins |
| CN109401668A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-01 | 湖南柯盛新材料有限公司 | 一种金属络合物的用途、环氧胶粘剂及其制备方法 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13791385A patent/JPS62519A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169846A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用樹脂組成物 |
| GB2232157A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-05 | Toshiba Silicone | Glycidoxy group-containing organosilicon compounds useful as comonomer modifier for resins |
| GB2232157B (en) * | 1989-03-29 | 1992-02-12 | Toshiba Silicone | Glycidoxy group-containing organosilicon compounds |
| CN109401668A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-01 | 湖南柯盛新材料有限公司 | 一种金属络合物的用途、环氧胶粘剂及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4719502A (en) | Epoxy resin composition, and resin-sealed semiconductor device in which this composition is used | |
| US4710796A (en) | Resin encapsulation type semiconductor device by use of epoxy resin composition | |
| JPS58166747A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62519A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60202118A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS582322A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH044328B2 (ja) | ||
| JPH0379370B2 (ja) | ||
| JPS61221220A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH021724A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6042418A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JPS5999748A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS63179920A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2534330B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08295724A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2703057B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0656970A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPS62207319A (ja) | 難燃性エポキシ樹脂組成物の製造方法 | |
| JPS6178823A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH09216937A (ja) | エポキシ樹脂組成物および電子部品封止装置 | |
| JPS6181425A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0280424A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10182939A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0218413A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6259627A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |