JPS62507B2 - - Google Patents

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JPS62507B2
JPS62507B2 JP52105551A JP10555177A JPS62507B2 JP S62507 B2 JPS62507 B2 JP S62507B2 JP 52105551 A JP52105551 A JP 52105551A JP 10555177 A JP10555177 A JP 10555177A JP S62507 B2 JPS62507 B2 JP S62507B2
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JP
Japan
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scanning
electrode
pulse
electrodes
voltage
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Application number
JP52105551A
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English (en)
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JPS5437691A (en
Inventor
Kichi Hatsuta
Matsuhiko Hirano
Sumio Kita
Shinobu Shiotani
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10555177A priority Critical patent/JPS5437691A/ja
Publication of JPS5437691A publication Critical patent/JPS5437691A/ja
Publication of JPS62507B2 publication Critical patent/JPS62507B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 <梗概> 本発明は本出願人が既に出願した三層構造の薄
膜EL表示装置の駆動方法を改良するものであ
る。
特に本発明はマトリツクス形に配置した電極を
持つ薄膜EL表示装置において非表示点に加えら
れるリフレツシユパルスによつて非表示点が分極
電圧のために絶縁破壊されるのを防止する駆動回
路に関する。
<先行技術> 本発明の基礎となる先行技術、即ち本件出願人
によつて出願された発明について簡単にまとめて
説明する。
先ず、薄膜EL表示装置について説明すると、
第1図に示すように、透明な基板、例えばガラス
基板1にIn2O3等の透明電極2を縞状に平行に配
置する。そしてこの上にY2O3のような誘電物質
層3を、更にこの上にMnを0.1〜5重量%ドープ
したZnS等の蛍光層4を、その上に更に上記と同
じ材料よりなる誘電物質層5を被着して3層の薄
膜構造を形成する。上記3層は蒸着法やスパツタ
リング等の薄膜生成技術を用い、500〜10000Åの
層厚に形成する。前記誘電物質層5の上に透明電
極2と直交する方向にアルミニウム電極6を縞状
に配置し、マトリツクス電極を形成する。かかる
構造の薄膜EL表示装置は一方の電極群2の1個
と、他方の電極群6の1個を選択して適当な交流
電圧を印加すると、上記両電極が交差して挾まれ
た微小面積のみが発光する。この発光した面積部
分が画面の一絵素に相当する。上記薄膜EL表示
装置は2と6が直交する方向に縞状に配置されて
いるため、マトリツクス形表示パネルが構成され
る。
このような構造の薄膜EL表示装置は輝度、寿
命や安定性の点で、従来の分散型EL素子に比べ
て非常に優れた特性を持ち、ブラウン管やその他
の表示装置に代るものとして実用化が期待されて
いる。
この表示装置の駆動方式を本件と同じ発明者等
が昭和51年5月31日に特願昭51−64950号「薄膜
EL表示装置の駆動方式」及び昭和51年9月3日
に特願昭51−106517号「薄膜EL表示装置の駆動
装置」として出願している。
ここで少し上記先願発明について説明する。
第2図は第1図に示した電極2と6のみを透視
して示し、表示装置の長辺方向に並べた電極群2
をデータ電極X1,X2,…………,Xnとし、短辺
方向に並べた電極群6を走査電極Y1,Y2,……
……Ymとして使用する。
走査電極Y1,Y2,…………,Ymには第3図に
SY1,SY2,SY3,…………SYmで示すように発
光のスレツシユホールド以上の走査パルスSYを
順次加える。この走査パルスは走査電極群Y1
Y2,…………Ymの順番に順次位相が推移するパ
ルスである。走査パルスが加えられていない期間
中、その走査電極に接続されたスイツチング手段
はオフにされ、走査電極はオープン状態、即ち浮
いた状態にされる。オープン状態を点線で表わ
す。
一方、データ電極X1,X2,…………Xnは表示
文字記号、模様に応じて選択されたデータ電極の
みが各データ電極に接続されたスイツチング手段
を通して0電位に接続される。選択されなかつた
データ電極はスイツチング手段がオフにされ、オ
ープン状態に保たれる。オープン状態は点線で表
わす。
以上のようにして走査電極に夫々走査パルス
SYが順次印加されるとともにデータ電極がデー
タ信号に応じてアースされて線順次方式による全
画面の走査が1回終了した後(第1フレーム後)
リフレツシユパルスRFが全ての走査電極とデー
タ電極によつて表示装置の全面に加えられる。リ
フレツシユパルスRFは薄膜EL表示装置の発光点
に生じる分極の偏りを防止して次の走査時発光を
有効ならしめると同時に、このパルスRFでその
フレーム期間中に選択された絵素だけを再び発光
させ、トータルの発光輝度を向上させる。リフレ
ツシユパルスRFは薄膜EL表示装置にフレーム期
間中に加えられるパルスとは逆極性でほぼ同電位
のパルスを加えるものであり、この例ではデータ
電極X1,X2,…………,Xnより正極性パルスを
加え走査電極Y1,Y2,…………Ymを0電位して
加える。リフレツシユパルスの電位は上記分極電
位と逆方向に重畳されたとき発光のスレツシユホ
ールドを越える電圧であり同方向に重畳されたと
きスレツシユホールドを越えない電圧である。但
し分極電圧は同方向パルスの印加により漸次増加
する。
上述の駆動は第4図に示す走査電極側の駆動回
路と第5図に示すデータ側の駆動回路で実行され
る。
第4図において、端子Vは走査電極Y1,Y2
…………Ymにそれぞれ接続されたスイツチング
トランジスタTR1,TR2,…………TRmを介し
て走査パルスSY1,SY2,…………SYmを加える
ための正の直流電源電圧である。この直流電源電
圧は発光のスレツシユホールド以上の電圧であ
る。上記トランジスタTR1,TR2,…………
TRmの制御はその各前段に接続されたトランジ
スタTr1,Tr2,…………Trmがする。トランジ
スタTr1,Tr2,…………Trmはベースに走査制
御パルスy1,y2,…………ymが加えられ、パル
スy1,y2,…………ymの順番にトランジスタ
TR1,TR2,…………,TRmがオンして走査パ
ルスSY1,SY2,…………SYmを薄膜EL表示装置
の走査電極へ供給する。
信号rfはリフレツシユパルスRFの印加時にト
ランジスタTrに加えられ、トランジスタTrをオ
ンにしてダイオードD1を介して全ての走査電極
Y1,Y2,…………,Ymを0電位にする。
第5図において、データ信号X1,X2,………
…,Xnはデータ電極X1,X2,…………,Xnにそ
れぞれ接続されたスイツチングトランジスタ
Tx1,Tx2,…………,Txnに加えられる。デー
タ信号により選択されたトランジスタTx1
Tx2,…………Txnがオンしてデータ電極をアー
スすることにより、選択絵素点のみに前記走査電
極Y1,Y2,…………,Ymからの走査パルス
SY1,SY2,…………,SYmが印加され発光す
る。
トランジスタTrx,TRXはリフレツシユ信号rf
が加えられるときオンして、リフレツシユパルス
RFを加えるため直流電圧Vを全データ電極に供
給する役目を果す。
ところで第2図に示した走査電極数m本、デー
タ電極数n本を持つ薄膜EL表示装置は、蛍光層
4の両側に誘電物質層3,5が設けられ、その外
側の両面に電極2と6が形成されるから、各絵素
点はそれぞれ容量成分として表わすことができ、
電極の電極抵抗を無視すると、その等価的電気回
路は第6図のようになる。このパネルにおいて、
今走査電極Y1が選択され、データ電極i本(1
<i<n)が選択されたとする。即ち走査電極
Y1とデータ電極間に電圧Vが印加され、選択さ
れていない走査電極、データ電極がオープン状態
であるので、第6図の等価回路は第7図の如くな
る。更に各容量値を同一とし、その1絵素当りの
静電容量の大きさをCとすると、第7図の等価回
路は第8図のように変形することができる。第8
図中、 C1=(n−i)×C、 C2=(m−1)×(n−i)×C、 C3=(m−1)i×C、 C4=i×C、 図中Vdは容量C1とC2の接続点電位、Vsは容量
C2とC3の接続点電位である。この場合の走査電
極が選択され、データ電極が選択されなかつた絵
素(半選択絵素)におけるデータ電極の電位Vd
は Vd=nV/(m−1)i+n となり、電位Vdは選択されるデータ電極数i本
が増えるに従い、0電位に近づく。即ち走査電極
上の半選択絵素の両電極間の電圧は選択されるデ
ータ電極数iが増えるにつれ、発光電圧Vに近く
なり、発光し始めることになる。
このようにして半選択点も発光を始めると、選
択点との発光輝度の差(コントラスト)が低下し
表示品質が低下する。
上記の問題を解決するためには走査時に選択さ
れていない全走査電極上に走査パルスの1/2の振
幅のパルスを印加することによつて半選択点には
走査時に1/2V(Vは発光閾値電圧)以上の電圧
が印加されないようにして、半選択補償すること
ができる。
第9図は上記半選択補償する走査電極側の駆動
回路を示す。
この回路において、トランジスタA,Bはリフ
レツシユパルス印加期間を除き、走査期間中得ら
れる信号Sによつてオンされ、線Rに電圧V0
供給する。電圧V0はV0<2Vth(但しVthは薄膜
ELの発光開始電圧)である。またトランジスタ
C,Dは走査パルスSY1,SY2,…………,SYm
に同期してハイレベルとローレベルに変化する信
号rによつてオンし、ダイオードD2を通して全
走査電極Y1,Y2,…………,YmにV/2の電圧を印 加するスイツチング素子である。この電圧は全走
査電極の半選択補償をする。その他の構成は第4
図と同じであるから同一符号を付して説明を省略
する。
また、データ電極側の駆動回路は第5図と同じ
であるから改めて説明しない。例えば絵素a11
(X1,Y1)(走査電極Y1、データ電極X1により挾
まれる絵素点)を発光させる場合、走査電極Y1
に電圧V0の走査パルスSY1が印加されている期間
中、データ電極X1を0電位する。
また絵素a21(X2Y1)(走査電極Y1、データ電
極X2で挾まれる絵素点)を発光させない場合、
走査電極Y1に走査パルスSY1が印加されている期
間中、データ電極X2をオープン状態にする。即
ちデータ電極X2に接続されるスイツチングトラ
ンジスタTx2をオフにする。この走査電極Y1に走
査パルスSY1が印加されている時、他の走査電極
Y2,…………,Ymには電圧V/2の半選択補償パル スCY2…………CYmがトランジスタDを通して
加えられる。
次の走査電極Y2でも同様に走査電極Y2に走査
パルスSY2が加えられる時、他の走査電極Y1
Y3,…………Ymには電圧V/2の半選択補償パルス CY1,CY3,…………CYmが加えられ、そして走
査電極Y2に含まれる選択絵素点のデータ電極は
0電位にされ、非選択絵素点のデータ電極はオー
プン状態にされる。
以後順次走査電極に走査パルスが加えられ線順
次方式による走査を行なう。1フレームの走査終
了後、リフレツシユパルスRFが全ての電極間に
加えられる。
以上のパルスのタイムチヤートを第10図に示
す。
上記のように走査電極とデータ電極を駆動する
ことにより、表示文字、記号或いは模様が薄膜
EL表示装置の発光によつて表示される。
また第8図において走査パルスがある走査電極
に印加されている期間、容量C2とC3の接続点電
位Vsを補償電圧V/2に固定することになるので、 走査電極上の半選択絵素(走査パルスが印加され
ている走査電極とオープン状態になつているデー
タ電極とで挾まれる絵素であつて、第7図のC1i
+1,C1i+2等)間には第8図の容量C1とC2により
電圧V/2が分割され、走査パルスが印加されてい る期間 V2=V/2・m−1/mの電圧がかかる。また一方
デー タ電極上の半選択絵素(半選択補償パルスが印加
されている走査電極と0電位になつているデータ
電極により挾まれる絵素で、第7図のC21,C23
の絵素)間には走査パルスが印加されている期間
中、V/2の電圧がかかる。電圧V/2は発光開始
電圧 以下であり、この電圧では発光しない。
更に半選択補償電圧V/2が印加されている走査 電極とオープン状態になつているデータ電極とで
挾まれる非選択絵素(第7図のC2i+1,C2i+2等)
間には第8図の容量C1とC2により電圧V/2が分割 され走査パルスが印加されている期間、v1
/2・1/mの電圧がかかるが、これも発光開始電
圧以 下であり発光しない。
なお、以上の実施例の説明中、半選択補償パル
スの電圧はV/2に設定しているが、要するに第8 図に示す電圧Vd,Vsが次の関係をもつ電圧に固
定すればよい。
Vs<Vth、V0−Vs<Vth このように第9図の回路によれば選択絵素点に
は走査パルスを印加して発光を生じさせ、非選択
及び半選択絵素点には補償パルスを印加して発光
を防止するから、選択絵素点が多数になつた場合
でも半選択及び非選択絵素点が誤発光を防止し、
従つてコントラストが向上する。また第9図にお
いて点線で囲んだ回路を追加するだけでよく、装
置をあまり複雑にしないですむ。
ところで、また薄膜ELパネルは、EL層の両側
を絶縁層でおおい、その上に電極を設けた構造で
あるため、EL層を発光させるために、比較的高
電圧(現在のところ250V前後)の交流電界又
は、両極性パルスを印加する必要がある。
この時該パネルの両電極に直接高電圧をかけて
スイツチングさせる駆動方式を採用すると、極め
て高耐圧のスイツチング素子が必要となり、また
スイツチング回路も複雑となる欠点を有していて
あまり適切ではない。これを解決するよう各電極
に必要な印加電圧をできるだけ低くするように考
慮することが必要である。
以下にこれを詳細に説明する。
第11図はかかる表示パネルの概略構成を示す
図である。11は上記薄膜ELパネルであり、薄
膜EL層を挾持する絶縁層上にそれぞれ平行電極
群X1,X2,…………Xn(X電極)及びY1,Y2
…………Ym(Y電極)が設けてある。
まず第11図に於いて、各Y電極には、走査情
報がY方向スイツチング回路12及びY方向駆動
回路13を介して入力し、各X電極には表示情報
がX方向スイツチング回路14及びX方向駆動回
路15を介して入力するものとする。
第12図はY方向駆動回路13の出力を示すタ
イムチヤートであり、また第13図にX方向駆動
回路15の出力のタイムチヤートを示している。
この第12、第13図より明らかなように本実
施例では線順次の走査を実行しており、従つて各
Y電極Y1,Y2,…………,Ymへは、駆動電圧V0
の1/2の振幅を有する走査パルスが順次加えられ
ている。一方各X電極X1,X2,…………,Xnに
は表示情報に対応して、1/2V0の振幅を有する駆
動パルスが印加される。
第14図、第15図はY方向駆動回路及びX方
向駆動回路を示す図であり、また両回路に於ける
スイツチへの入力波形は、第16図、第17図に
示してある。
まず第14図に示すY方向駆動回路に於いて、
各ダイオードD1,D1…………は一端をスイツチ
Sy2及び各スイツチy1,y2,y3,…………ymを介
し電源V0/2に接続されており、他端をスイツ
チSy1を介し接地され、またスイツチSy4を介し
電源−V0/2に接続されている。また他方の各
ダイオードD2,D2…………は、各スイツチy1
y2,…………,ymを介しさらに共通にスイツチ
Sy2を介して電源V0/2に接続され、他端をスイ
ツチSy3を介して接地されている。各電極Y1
Y2,…………Ymへの出力は、図示するように両
ダイオードD1,D2の接続点から導出される。今
図示する回路で、スイツチSy2→スイツチyi(i
=0〜m)→ダイオードD1→スイツチSy1の径路
に依る回路は、スイツチyiからの入力信号に従つ
た1/2V0の単方向走査パルスsy1〜symをつくるた
めのものである。(接地)→スイツチSy3→ダイ
オードD2→電極Yiの回路は、対向電極(この場
合はX方向電極)のパルスの影響を除くために設
けられた回路である。また各ダイオードD1,D1
…………の共通接続点→スイツチSy4→電極(−
/2)の回路は、一定周期毎に(−1/2V0)のパル ス(第12図に示すリフレツシユパルスRF)を
Y方向電極Y1,Y2,Y3,…………Ymに共通に印
加するための回路である。
即ち第14図に示す回路で、スイツチy1〜ym
への入力信号y1〜ymとして第16図に示す如く
パルス期間t0,t2…………t2nに於いて走査信号
を入力し、さらに入力信号y1〜ymの休止期間
(期間t1,t3…………t2n-1)にスイツチSy1を駆
動して信号Sy1を導入すると、各電極Y1,Y2
Y3,…………Ymには第12図に示す如き(1/2
V0)の走査パルスsy1,sy2,…………symが出力
する。また1走査期間終了の時点(期間tr)でス
イツチSy3,Sy4を駆動して第16図に示す如き
入力信号Sy3,Sy4を導入すると、各電極Y1
Y2,…………Ymに共通に上記リフレツシユパル
スRFが得られる。
スイツチSy2は、各スイツチyi(i=0〜m)
の耐圧を1/2V0に保証し、しかも電極Ymへのゲ
ート機能を持たせるためのもので、第16図に示
す如く走査信号y1〜ymに同期してON−OFFを繰
り返してもよく、また走査期間中(t0〜t2n
間)ON状態に保ち、スイツチSy4がONになる期
間だけOFFにする様にしてもよい。
第15図のX方向駆動回路に於いて、ダイオー
ドD3,D3…………はその一端をそれぞれスイツ
チx1,x2,…………,xmを介し共通に接続さ
れ、さらにスイツチSx2を介して電源(−V/2)に 接続されている。また他端は共通に接続され、ス
イツチSx4を介して電源V/2に接続されるとともに スイツチSx1を介して接地されている。さらに各
ダイオードD3の上記一端はダイオードD4,D4
…………を介しスイツチSx3の一端に共通接続さ
れている。スイツチSx3の他端は今接地されてい
るものとする。
この回路で表示情報に応じたスイツチング情報
x1,x2,…………,xnは、例えば第17図に示す
タイミングでスイツチx1,x2,…………xnに入力
する。また各電極X1,X2,…………Xnへの出力
は上記ダイオードD3,D4の接続点から導出され
る。(接地)→スイツチSx1→ダイオードD3→ス
イツチxj(j=0〜n)→スイツチSx2→電源
(−V/2)の径路は、第13図に示した(−V
2)の 単方向パルスd(表示パルス)を入力情報に従つ
て発生させるためのものである。一方(接地)→
スイツチSx3←ダイオードD4←電極Xj(j=0〜
n)の径路で対向電極(この場合はY方向電極)
のパルスの影響を除いている。スイツチSx2は上
記スイツチSy2と同じく各スイツチxj(j=0〜
n)の耐圧を(1/2V0)に保証するもので、信号
Sx2に示す如く、信号xjに同期してON−OFFを
繰り返す様にしても、あるいはt0〜t2nの期間は
ONで、tr期間のみOFFとなるように制御しても
よい。スイツチSx3,Sx4は第13図に示すリフ
レツシユパルスRFを得るためのもので、第17
図に示すような信号Sx3,Sx4にて駆動すると、
期間trに於いて全X方向電極共通に振幅(V/2)の パルスRFが印加される。
ここで第14図及び第15図に示した各スイツ
チへの入力信号を、第16図及び第17図を参照
しながらまとめると次の様になる。
〔X方向スイツチング回路〕
(xj):表示データ情報 (Sx1)={(0)+(1)+………+()} (Sx2)=(1)又は(Sx4) (Sx3)=期間trのみON (Sx4)=期間trのみOFF 〔Y方向スイツチング回路〕 (Sy1)=期間t1,t3…………t2n+1のみON (Sy2)=(1)または(Sy3) (Sy3)=期間trのみOFF (Sy4)=期間trのみON 第18図は上記各入力信号yi,Sy1,…………
を得るための回路を例示するもので、今簡単にこ
の回路の構成及び動作を説明する。
図面で、NA1,NA2,NA3はそれぞれナン
ドゲートを示し、又M1,M2,M3及びM4は
単安定マルチバイブレータ、F1,F2はTフリ
ツプフロツプ、I1,I2はインバータをそれぞ
れ示すものとする。またSRはmビツトのシフト
レジスタである。この回路でシフトレジスタSR
の入力端子にはフリツプフロツプF1のQ出力
と、入力端子Oよりの基本パルスが入力されてお
り、従つてシフトレジスタSRの各段の出力とし
て第18図に示す信号y1,y2,…………ymが得
られる。また信号Sy1,Sy2は図示する如くナン
ドゲートNA2のインバート出力として、またナ
ンドゲートNA2の出力として得られる。
また単安定マルチバイブレータM3は長周期の
パルスを発生するもの、単安定マルチバイブレー
タM4は短周期のパルスを発生するものを用いて
おり、両者はシフトレジスタSRの最終段の情報
を検出して動作を開始し、ナンドゲートNA3の
開閉を制御する。このナンドゲートNA3の出力
として信号Sy3が、インバート出力として信号
Sy4がそれぞれ得られる。尚この時各信号Sy1
Sy2は、短周期の単安定マルチバイブレータM3
の出力で決まる期間のみ、シフトレジスタSRの
最終出力ymのタイミングから遅延されて出力す
る。
第17図に示す信号Sx1,Sx2,Sx3及びSx4
は、図示するように各信号Sy1,Sy2…………と
同様にして得られる。
以上に説明したようなタイミングに依り、X方
向駆動回路及びY方向駆動回路を制御すれば、任
意の情報の表示が線順次走査にて行え、しかも1
フレーム中で入力情報に対応して発光したドツト
は、期間trにて発生するリフレツシユパルスRF
に依り再度発光し、パネル全体の表示輝度をあげ
る。尚上記実施例では1フレーム走査毎にリフレ
ツシユパルスRFを印加して表示点の再発光を行
なつているが、これは任意の周期で行つてもよい
事は勿論である。また第14、第15図に示した
駆動回路に於いて、各スイツチは第19図イ,ロ
に例示するトランジスタスイツチング回路を用い
て容易に構成できる。
叙上の様に、EL層を挾んで対向する電極に、
それぞれ該ELパネルを発光駆動させるための駆
動電圧V0の1/2を印加し、走査して情報を表示さ
せるものであり、従つて電極毎に必要なスイツチ
ング素子の耐圧は1/2V0でよく、駆動回路を大幅
に簡略化できる。
尚、この方式がドツトマトリツクスタイプのパ
ネル表示に適している事は自明であるが、セグメ
ントタイプ等の表示についても利用できる事は勿
論である。
<本発明の課題> 上記第11図乃至第19図の駆動方式の場合、
走査パルス、駆動パルスを発生させるために、各
電極ごとにN型及びP型の両チヤンネルの高耐圧
トランジスタが必要であり、又両チヤンネルであ
るためIC化も困難であり、ドライバーをコンパ
クトにしにくい。またこの駆動方式の場合例えば
非発光セルには第20図b(Y2,x1)のようにリ
フレツシユ時にはスレツシユホールド電圧以上の
リフレツシユパルスが印加され、走査時にはスレ
ツシユホールド電圧以下の逆極性のパルスが印加
される。またリフレツシユパルス印加により分極
が生じこの分極による分極電荷は薄膜ELの構造
上電圧印加後も保持され、逆極性のスレツシユホ
ールド電圧印加により打ち消され逆極性の分極が
生じる。よつて非発光セルにはリフレツシユ時に
分極が生じ、この分極による分極電荷は走査時に
打ち消されることなくリフレツシユパルスが印加
されるごとに増加する。分極によりZnS層(発光
層)の電界強度は低くなり、その低下分だけ絶縁
層の電界強度が高くなる。発光セルは走査時とリ
フレツシユ時で分極が反転し、絶縁層の電界強度
は一定量以上にならないので絶縁破壊に至らない
が非発光セルは先に述べたようにリフレツシユパ
ルス印加ごとに分極量が増加し、それにともない
絶縁層の電界強度が増加し、絶縁破壊に至るとい
う欠点がある。
以上の欠点を解決する回路を以下に提供する。
<好ましい実施例> まず本発明の駆動方式を説明する。EL駆動パ
ルスのタイムチヤートが第21図である。第21
図のタイムチヤートは第21図aに示す4×4マ
トリツクスを駆動する場合である。第21図のよ
うに一方の電極(走査電極)にV1レベルよりV3
レベルに振幅する走査パルスを順次印加し他方の
電極(データ電極)にV1レベルよりOレベルに
振幅するデータパルスを情報量に応じ印加し、か
つ1画面走査後(第21図の場合走査電極Y4
走査後)全走査電極にはV1レベルよりOレベル
に振幅するリフレツシユパルスRFを、かつ全デ
ータ電極にはV1レベルよりV2レベルに振幅する
リフレツシユパルスを同時に印加する。ここで
V1,V2,V3は次の条件を満すものにする。
ΓV2、V3はスレツシユホールド電圧以上 ΓV3−V1=V4はスレツシユホールド電圧以下 以上のように駆動パルスを印加することにより
第21図のようなパルスがセルa11(Y1,X1
(Y1電極とX1電極ではさまれるセル)及び、セル
a21(Y2,X1)(Y2電極とX1電極ではさまれるセ
ル)にそれぞれ印加される。すなわちセルa11
(Y1,X1)にはスレツシユホールド電圧以上の振
幅を有する逆極性のパルスが印加され発光する
が、セルa21(Y2,X1)にはV2はスレツシユホー
ルド以上であるがV4はスレツシユホールド電圧
以下であるために発光しない。
以上のような駆動方式にすることによりデータ
側のドライバーは第22図(ドライブ回路の1
例)のように各電極につきトランジスタ1石とダ
イオード2個で構成することができる。このよう
に片チヤンネルであるためIC化が容易になりま
た素子数も従来のものと比べ半減することができ
る。以上のように回路が簡素化され、ドライバを
コンパクトにすることができる。
次に非発光セルの破壊の問題であるが、さきに
述べたように分極によるZnS層の電界強度の低下
分だけ絶縁層の電界強度が増加するため破壊に至
る訳である。本発明では、分極量は電圧に依存す
るためリフレツシユパルスの振幅を低くした。こ
のため分極量が低下し絶縁層の電界強度が弱くな
り絶縁破壊を防ぐことができる。またリフレツシ
ユパルスの振幅を低くしたことにより当然のこと
ながら輝度が低下するため走査パルスの振幅を大
きくする(V3を高くする)ことにより輝度低下
を防止している。さらに走査パルスの振幅V3
高くしていくと非発光セルが発光を開始するが
S/N比が問題ない程度にV3を設定すれば、非
表示点のセルの破壊防止を確実なものにすること
ができる。
また従来の駆動方式では半選択セルの発光を防
ぐために走査時に走査されていない全走査電極が
Oレベルより高くならないようにしている。この
ためデータ電極上の半選択セル(走査電極が選ば
れずデータ電極が選ばれているセル)間にはV/2
の電圧が印加されることになり、セル容量の充放
電が行なわれている。
このため1充放電でデータ電極上の半選択セル
1セル当りCV/4(C:1セルの容量、Vは駆動電 圧)のパワーが消費されることになり、このパワ
ーが表示に必要なパワーの1/2以上をしめてい
る。本発明の駆動方法ではこのパワーがCV1 2
なりV1はV/2より低く(Vの30%程度)に設定す
るためパワー低減にも効果がある。さらに本発明
の変形実施例として第23図のようなタイムチヤ
ートにすることによりさらにドライバーの回路を
第24図のように簡略化することができる。即ち
走査側のリフレツシユパルスを広幅にし、データ
側のリフレツシユパルスを走査側のリフレツシユ
パルスの印加期間中に電圧V2とOに変化させ
る。従つてデータ電極をアース電位に設定するた
めの各ダイオード及びスイツチングトランジスタ
が不要になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜EL表示装置を一部切截して示す
斜視図、第2図は薄膜EL表示装置の電極のみを
透視して示す図、第3図は先願発明による駆動方
式を説明するタイムチヤート、第4図は先願発明
の走査電極側の駆動回路、第5図は同じくデータ
電極側の駆動回路、第6図は薄膜EL表示装置の
等価的電気回路図、第7図、第8図は発光絵素点
がある場合の薄膜EL表示装置の等価的電気回路
図、第9図は他の先願発明の一実施例の走査電極
側の駆動回路図、第10図は第9図の回路で駆動
される場合のタイムチヤート、第11図は更に他
の先願発明を説明するためのブロツクダイヤグラ
ム、第12図は走査電極側のタイムチヤート、第
13図はデータ電極側のタイムチヤート、第14
図は走査電極側の駆動回路図、第15図はデータ
電極側の駆動回路図、第16図は第14図の回路
のタイムチヤート、第17図は第15図の回路の
タイムチヤート、第18図は走査パルス及び駆動
パルスを作成する回路図、第19図はスイツチン
グ回路図、第20図は発光セルと非発光セルに加
わるパルスの図、第21図は本発明の駆動装置に
用いられるパルスのタイムチヤート、第21図a
はマトリツクスパネル図、第22図は本発明によ
るデータ側の駆動回路図、第23図は本発明の他
の実施例において用いられるパルスのタイムチヤ
ート、第24図は第23図の駆動方法を実施する
ためのデータ側の駆動回路図を示す。 2は電極、3は誘電体層、4はEL層、5は誘
電体層、6は電極、SYは走査パルス、RFはリフ
レツシユパルス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 薄膜EL層の両面に誘電体層を設け、該両誘
    電体層の両表面に各々電極を設けてなる薄膜EL
    表示装置の駆動装置において、第1の所定レベル
    より第2所定レベルに振幅する走査パルスを走査
    電極に印加し、該走査パルスに同期して第3の所
    定レベルより第4の所定レベルに振幅するデータ
    パルスをデータ電極に印加し、1フレーム走査
    後、全走査電極に上記第1のレベルから上記第2
    のレベルとは逆方向に振幅する第5のレベルのリ
    フレツシユパルスを加え、同時に全データ電極に
    上記第3のレベルから上記第4のレベルとは逆方
    向に振幅する第6のレベルのリフレツシユパルス
    を印加することを特徴とする薄膜EL表示装置の
    駆動装置。
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