JPS6250072B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6250072B2
JPS6250072B2 JP5072781A JP5072781A JPS6250072B2 JP S6250072 B2 JPS6250072 B2 JP S6250072B2 JP 5072781 A JP5072781 A JP 5072781A JP 5072781 A JP5072781 A JP 5072781A JP S6250072 B2 JPS6250072 B2 JP S6250072B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
sheet
cleavage
blade
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP5072781A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57166092A (en
Inventor
Shoichi Kakimoto
Toshio Sogo
Saburo Takamya
Shigeyuki Nitsuta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5072781A priority Critical patent/JPS57166092A/ja
Publication of JPS57166092A publication Critical patent/JPS57166092A/ja
Publication of JPS6250072B2 publication Critical patent/JPS6250072B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体レーザの劈開方法および劈
開装置に関するものである。
半導体レーザの製造工程には通常劈開工程が含
まれる。すなわち第1図aに示すように、動作層
および電極の形成を終えた半導体レーザのウエハ
1は一点鎖線で示された縦方向の分離線A−
A′に沿つてまず劈開され、第1図bのようにチ
ツプが縦方向に一列に並んだバー2を作製する。
この際バー2の劈開面3,3′はレーザ共振器の
端面として利用される。さらにこれらのバー2は
横方向の分離線B−B′に沿つて切断され、第1図
cのような個々のレーザチツプ4が得られる。分
離線B−B′に沿つての切断はソーなどで直接切断
するか、ないしは分離線A−A′の場合と同様に
劈開によつて行われる。ところが上述のような劈
開工程は実際には厄介であり、作業性の悪い工程
である。以下、まずこれについて説明する。
劈開は一般にカミソリのような鋭利な刃を用い
て行われるが、この様子を第2図に示す。まず第
2図a,bに示すようにウエハ1を例えばウエハ
固定台11上の所定位置に載せ、カミソリの刃1
2を分離線A−A′に平行にして所定の分離線A
−A′に押しあて、力を加えて劈開する。ところ
がこの際ウエハ1をウエハ固定台11に完全に固
定してしまうとうまく劈開できない。というのは
第2図cに示すように、劈開される瞬間において
ウエハ1の左右(カミソリの刃12で分離される
右部分と左部分)は外側にわずかであるが押し出
されなければならないからである。ウエハ1が完
全にウエハ固定台11に固定されている場合には
この動きが阻止され、壁開がウエハ1全体にわた
つて縦方向に完全に進行せず、途中で止まつてし
まいバー2を形成することが不可能となる。従つ
てウエハ1をウエハ固定台11上に載せるだけに
して、ウエハ1をウエハ固定台11から解放して
壁開が行われる。しかしこのようにして劈開を行
うと、劈開後分離されたウエハ1の右部分と左部
分は劈開時の衝撃によつて飛び散つてしまう。そ
こで次にさらに2回目の劈開を行うには飛び散つ
たウエハ1をウエハ固定台11の所定位置に戻
し、再びカミソリの刃12を分離線A−A′に平
行にして、次の所定の分離線A−A′に押しあて
再び劈開を行う。しかし今度もさらに劈開された
ウエハ1の左右は飛び散り、再び所定位置まで戻
さなければならない。これらの操作を何回も繰り
返して最終的に縦方向に1チツプずつ並んだバー
2を得るのである。分離線A−A′の間隔は通常
300μm程度であるため、これらの操作は光学顕
微鏡の下でピンセツトを用いて行われる。また劈
開面は共振器端面となるので、この面に作業時の
ダメージが入らないよう細心の注意が払われる。
このように従来の劈開工程は非常に厄介であり、
時間が掛り作業性が悪い欠点があつた。
上記の問題を解決する1方法としてウエハ1を
固定台上に軽く固定する方法がある。すなわち、
第3図に示すように、ウエハ固定台11に細孔1
3を多数設け、この細孔13を通してウエハ1を
真空で引いて、ウエハ1をウエハ固定台11上に
固定しておき、この状態でウエハ1を劈開する方
法である。しかしこの方法でも真空を強くしてウ
エハ1をウエハ固定台11上にしつかりと固定し
てしまうと上述したような劈開時のウエハのわず
かな動きが阻止されてしまい、うまく劈開できな
い。逆に真空が弱すぎるとウエハ1の固定が弱い
ため上述の場合(ウエハ1をウエハ固定台11か
ら解放した場合)と同様に劈開した後ウエハ1が
飛び散つてしまうとか、飛び散らないとしても劈
開された左右のウエハ1が大きく動いてしまうと
いうことが起きる。従つてこの方法では真空の強
さの調整が問題となる。ウエハ1の大きさがまち
まちであると真空の強さをそれに合わせて変えな
ければならないし、劈開を連続的に行つていく場
合には、劈開されたウエハ1間にはすき間ができ
ていくのでウエハ1を吸い付ける力が変化してい
くので、それにつれて真空の強さを変えていかな
ければならない等の問題がある。
この発明は、上述の劈開工程の問題点にかんが
みてなされたものであり、その目的は操作が容易
で作業性に優れた半導体レーザの劈開方法および
そのための劈開装置を提供することにある。以
下、この発明について説明する。
第4図a,b,cはこの発明による半導体レー
ザの劈開装置の一実施例を説明するための図であ
る。まず装置の構成について述べる。装置は大き
く分けて3つの部分からなる。20は装置本体と
なる支持台である。30は劈開時ウエハを固定す
るウエハ固定部、40はカミソリの刃を操作する
刃操作部である。ウエハ固定部30は第4図bに
示すように、Y方向移動台31、X方向移動台3
2、回転台33、ウエハホルダ34、シートホル
ダ35,35′からなる。Y方向移動台31は支
持台20上にあり、この支持台20に対して水平
面内のY軸方向に移動できるようになつている。
さらにこのY方向移動台31上にX方向移動台3
2が設けられており、このX方向移動台32はY
方向移動台31上をX軸方向に移動できるように
なつている。そしてこのX方向移動台32上には
X−Y平面内で回転可能な回転台33が設けられ
ている。回転台33の中央部には突起したウエハ
ホルダ34が設けられている。一方回転台33の
周辺部にはシートホルダ35,35′が設けられ
ている。このシートホルダ35,35′は伸縮性
のあるシート、例えば塩化ポリビニルのシート3
6の両端を固定するものである。さらにこのシー
トホルダ35,35′は回転台33上を回転台3
3に対して第4図bの矢印方向に移動することが
できるようになつている。すなわちシートホルダ
35,35′に伸縮性のあるシート36を固定し
たのち、このシートホルダ35,35′を矢印方
向すなわちX軸方向(外側)に移動させると、固
定されたシート36は引き伸ばされるようになつ
ている。ウエハホルダ34の高さは図に示される
ようにシートホルダ35,35′によつてシート
36を固定した際、このシート36がウエハホル
ダ34の上面にほとんど接する位の高さに作製さ
れている。
次に刃操作部40について説明する。刃操作部
40は第4図cのような構成となつている。4
1,41′は前記支持台20に固定された支柱で
ある。支柱41,41′には2本の軸42,43
が貫通している。軸42,43にはそれぞれアー
ム44,45が固定されている。アーム44の先
端には刃ホルダ46が設けられており、この刃ホ
ルダ46にカミソリの刃12をセツトすることが
できる。そしてアーム44とアーム45はばね4
7で連結されている。軸43は支柱41を貫通し
て外側に伸びているが、この先端にはレバー49
が固定されている。今このレバー49を図に示に
示すように、下方(Z軸方向)に下げると軸43
が回転し、これに固定されたアーム45も同一方
向に回転する。アーム45とアーム44はばね4
7で連結されているので、アーム45の回転に伴
いアーム44も回転する。すなわちレバー49を
下方へ下げれば、カミソリの刃12もこれによつ
て下方へ下がるようになつている。ばね48はア
ーム44の他端(刃ホルダ46が設けられている
側とは反対側)と支持台20とを連結している
が、このばね48はレバー49を下方へ下げるこ
とによりアーム44を回転させる力を適当に緩和
させるためのものである。
次に上記の装置を用いて半導体レーザのウエハ
を劈開する方法について説明する。まず刃ホルダ
46にカミソリの刃12がセツトされるが、この
とき刃12の方向がY軸方向に平行となるように
セツトされる。シートホルダ35,35′にはシ
ート36がセツトされる。ここでシート36は上
述したように、伸縮性があると同時に接着性のあ
るものを使用する。例えば上述したような塩化ポ
リビニルのシートは伸縮性があるが、さらにこの
シートは静電気を帯びることにより、静電気力に
よりウエハを接着することができる。次にこのシ
ート36の上に半導体レーザのウエハ1を分離線
A−A′が上から観察できるように上にして載せ
る。このとき分離線A−A′ができるだけY軸方
向と平行になるようにウエハ1をシート36上に
載せる。ウエハ1は上述したようにシートの静電
気力により、シート36上に接着される。次に顕
微鏡等を用いてウエハ1の分離線A−A′の方向
をさらに正確にY軸方向に揃える。この操作は回
転台33を回転することによつて行われる。次に
シートホルダ35,35′をそれぞれ第4図bに
示される方向(外側方向)に移動させて、シート
36を引つ張る。シート36が引つ張られること
により、これに固定されたウエハ1も第5図aに
示すように外側へ引つ張られた状態となる。
次にレバー49を下げてカミソリの刃12をウ
エハ1の一部に軽く接触させる。顕微鏡下でカミ
ソリの刃12の接触位置を確かめた後、X方向移
動台32とY方向移動台31を移動させることに
より、刃12がウエハ1の所定位置にくるように
正確な位置合せを行う。この位置でレバー49を
強く下げればカミソリの刃12がウエハ1の所定
位置に押しあてられここを劈開する。このときウ
エハ1はシート36上に接着されてはいるが、シ
ート36が外側に引つ張られているため劈開は縦
方向全体にわたつてスムーズに進行する。という
のはウエハ1自体とシート36により外側に引つ
張られているため、第2図cに示したように劈開
される瞬間、刃12の左右のウエハ1が外側にわ
ずかではあるが動こうとするのをこの引つ張る力
が助けるためである。このようにしてウエハ1は
シート36が引つ張られている状態ではうまく劈
開される。さらに劈開後、分離されたウエハ1は
それぞれシート36上にそのまま接着された状態
で残る(第5図b)。これはウエハ1がシート3
6に接着されているため当然ではあるが、劈開時
にウエハ1に働く衝撃力は伸縮性のあるシート3
6を伝つて逃げていく。このようにして劈開後分
離されたウエハ1はシート36上にそのままの状
態で、すなわちウエハ1の分離線A−A′はY軸
方向を向いたままの状態となつている。そこで次
にX方向移動台32を分離線A−A′の間隔分だ
け移動させてやれば、カミソリの刃12が次の分
離線A−A′上にくる。ここで再びレバー49を
下げてカミソリの刃12をこの新たな分離線A−
A′に押しあてて劈開を行う。このときもウエハ
1はシート36により外側に引つ張られているの
で劈開は縦方向全体にわたつてスムーズに進行す
る。また劈開後、さらに分離されたウエハ1はそ
のままの位置でシート36上に残る。そこでまた
再びX方向移動台32を一定間隔移動し、さらに
次の劈開を行う。この操作を繰り返すことによつ
て、ウエハ1をすべてバー2にして作業を終え
る。
上述の説明からもわかるようにこの発明の劈開
方法では、ウエハ1の分離線を最初一度一定方向
に揃えておけば、あとは方向合せをする必要がな
い。劈開後ウエハ1は劈開前と同じ位置にあるの
で、次の劈開を行うには移動台を一定間隔だけ移
動させればよい。従つてこの移動をあらかじめ電
動式に行うようにしておけば、釦一つで位置合せ
ができるようになる。さらにこの移動とレバー4
9を下げる操作を交互に電動式に行わせれば、ほ
とんど自動的に劈開を行うことが可能となる。
なお、以上の実施例においては静電気によつて
シート36に接着性をもたせたが、他の方法によ
りシート36に接着性をもたせてもよいことはも
ちろんである。例えばシート36の上面にあらか
じめ薄く接着剤を塗つておいてもよいし、粘性の
ある液体を塗つて表面張力でウエハ1を接着させ
てもよい。
また、シート36を引つ張るのにシートホルダ
35,35′を用いてシート36の両端を固定し
ておき、このシートホルダ35,35′を移動し
て直接引つ張つたが、他の方法によりシート36
を引つ張つてもよい。例えば第6図a,bに示す
ようにシートホルダ35,35′に固定されたシ
ート36とウエハホルダ34の間隔をあらかじめ
離しておき、図に示されるようにシート36の上
からシート36を引き伸ばすための治具37,3
7′で押えてシート36の中央部をウエハホルダ
34上面に接する位置まで下げてやつてもシート
36は引き伸ばされる。
以上詳細に説明したようにこの発明による半導
体レーザの劈開方法および劈開装置は、操作が容
易であり、時間的な短縮が図れるという特長を有
するとともに、さらに別の利点を有する。すなわ
ち、上述の説明からも明らかなようにウエハを実
際ピンセツトで操作するのは最初にシート上に載
せるときだけである。劈開中は一切ウエハに触れ
ない。これは重要なことである。というのは劈開
後、劈開面はレーザ共振器の端面として利用され
るが、ここにピンセツト等で機械的なダメージを
加えるとレーザの特性を損ねてしまうからであ
る。第2図で説明したように、ウエハを固定台か
ら解放して劈開を行う場合には劈開後、分離され
たウエハが飛び散つてしまい、これを何回もウエ
ハ固定台の所定位置へ戻して次の劈開を行わなけ
ればならなかつたが、この際ピンセツト等で劈開
面にダメージを与えやすい。しかし、この発明に
よればこのようなダメージは一切生じない。かよ
うにこの発明は操作が容易で作業性に優れたもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,c、第2図a,b,cおよび第
3図は従来のウエハの劈開方法を説明するための
図、第4図a,b,cはこの発明の半導体レーザ
のウエハの劈開装置の一実施例を示すもので、第
4図aは全体の構成斜視図、第4図bはウエハ固
定部の側断面図、第4図cは刃操作部の構成斜視
図、第5図a,bおよび第6図a,bはこの発明
の半導体レーザのウエハの劈開方法を説明するた
めの断面図である。 図中、1はウエハ、2はバー、3,3′は劈開
面、4はレーザチツプ、11はウエハ固定台、1
2はカミソリの刃、13は細孔、20は支持台、
30はウエハ固定部、31はY方向移動台、32
はX方向移動台、33は回転台、34はウエハホ
ルダ、35,35′はシートホルダ、36はシー
ト、37,37′は治具、40は刃操作部、4
1,41′は支柱、42,43は軸、44,45
はアーム、46は刃ホルダ、47,48はばね、
49はレバーである。なお、図中の同一符号は同
一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体レーザのウエハを鋭利な刃を用いて前
    記ウエハの分離線に沿つて劈開する工程におい
    て、前記ウエハを伸縮性を有するシートに接着
    し、このシートを前記分離線の方向と垂直な方向
    に引き伸ばした状態にして前記ウエハを前記鋭利
    な刃を用いて劈開することを特徴とする半導体レ
    ーザの劈開方法。 2 支持台と、この支持台上に設けられ、この支
    持台面上の直交する2方向に移動可能でなおかつ
    前記支持台面内で回転可能なウエハ固定台と、前
    記支持台に対して鋭利な刃を特定の方向に平行に
    固定するとともに固定した刃を上下方向に移動さ
    せる刃操作部とからなる半導体レーザの劈開装置
    において、前記ウエハ固定台にシートホルダを設
    け、さらにこのシートホルダによつて端部を固定
    された伸縮性を有するシートの中央部を引き伸ば
    す操作を行う機構とを設けたことを特徴とする半
    導体レーザの劈開装置。
JP5072781A 1981-04-03 1981-04-03 Cleaving process and cleaving device of semicnductor laser Granted JPS57166092A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5072781A JPS57166092A (en) 1981-04-03 1981-04-03 Cleaving process and cleaving device of semicnductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5072781A JPS57166092A (en) 1981-04-03 1981-04-03 Cleaving process and cleaving device of semicnductor laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57166092A JPS57166092A (en) 1982-10-13
JPS6250072B2 true JPS6250072B2 (ja) 1987-10-22

Family

ID=12866886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5072781A Granted JPS57166092A (en) 1981-04-03 1981-04-03 Cleaving process and cleaving device of semicnductor laser

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57166092A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57166092A (en) 1982-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3547143B2 (ja) 試料作製方法
KR900001232B1 (ko) 반도체 웨이퍼 방형절단기
US6460257B1 (en) Scribing method and apparatus
US4141456A (en) Apparatus and method for aligning wafers
KR20010104228A (ko) 반도체 웨이퍼의 분할방법
US4775085A (en) Semiconductor wafer breaking apparatus
JP3751062B2 (ja) 断面tem観察用試料ホルダー及びそれを備えたtem装置
JPS6250072B2 (ja)
JP5780445B2 (ja) 半導体ウエーハブレーキング装置及び方法
JP2754301B2 (ja) 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
JPS58155777A (ja) デンドライト・ウエブのシリコン電池をレ−ザ−刻込みする方法とそれに用いる器具
JP2001127369A (ja) 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置
JP2017195254A (ja) エキスパンドシート
JPS6298684A (ja) 劈開装置及び劈開方法
JP6493512B2 (ja) 分断方法および分断装置
JP2020181931A (ja) ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置
KR100722786B1 (ko) 투과전자현미경 분석용 시료 제작 방법
JPH07125838A (ja) 位置決めテーブル装置
JPH11312656A (ja) 基板の分断方法及びその装置
JP4439675B2 (ja) 光学素子基板の基板接合方法
JPS5922345A (ja) 半導体基板の分割方法
JPH0555373A (ja) ウエハクラツキング方法およびその装置
TW202413292A (zh) 玻璃物品的製造方法、電子元件的製造方法以及基板剝離用夾具
JPS59115536A (ja) 半導体基板の保持方法
JPH11138523A (ja) スクライブ装置及び基板のスクライブ方法