JPS6249678A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS6249678A JPS6249678A JP60191354A JP19135485A JPS6249678A JP S6249678 A JPS6249678 A JP S6249678A JP 60191354 A JP60191354 A JP 60191354A JP 19135485 A JP19135485 A JP 19135485A JP S6249678 A JPS6249678 A JP S6249678A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえばバイポーラ型半導体集積回路に波長
識別素子と、その信号処理回路とを一体化した光半導体
装置に関する。
識別素子と、その信号処理回路とを一体化した光半導体
装置に関する。
背景技術
従来からの波長識別素子の基本構造は、第７図およびｆ
ｆ１８図に示されるように、一方のＰＮ接合でホトダイ
オードＤ１が構成され、他方のＰＮ接合によってホトダ
イオードＤ２が構成される。矢符Ｗからの光がＰ形およ
びＮ形シリコン層１，２ｔ３内に入射すると、入射光に
より発生した少数キャリアがＰＮ接合まで再結合するこ
となく移動して光電流となる、シリコンの光吸収率は、
一般に入射光が長波長であるほど小さく、したがって長
波長であるほどシリコン内に入射光が深く浸入する。
ｆ１８図に示されるように、一方のＰＮ接合でホトダイ
オードＤ１が構成され、他方のＰＮ接合によってホトダ
イオードＤ２が構成される。矢符Ｗからの光がＰ形およ
びＮ形シリコン層１，２ｔ３内に入射すると、入射光に
より発生した少数キャリアがＰＮ接合まで再結合するこ
となく移動して光電流となる、シリコンの光吸収率は、
一般に入射光が長波長であるほど小さく、したがって長
波長であるほどシリコン内に入射光が深く浸入する。
したがってホトダイオードＤ１は、短波長側に感度をも
ち、ホトダイオードＤ２は、長波長側に感度をもつ。こ
の波長識別素子４の分光感度の特性は、各シリコン層１
〜３の深さや少数キャリヤの拡散長などによって決定さ
れる。ホトダイオードＤｉ、Ｄ２の分光感度特性は第３
図に示される。
ち、ホトダイオードＤ２は、長波長側に感度をもつ。こ
の波長識別素子４の分光感度の特性は、各シリコン層１
〜３の深さや少数キャリヤの拡散長などによって決定さ
れる。ホトダイオードＤｉ、Ｄ２の分光感度特性は第３
図に示される。
このように分光感度の異なる２つのホトダイオードＤｉ
、Ｄ２からの各光電流の比（第４図に示す）を演算する
ことによって、その光の波長（色）を識別することがで
きる。そこでこのような波長識別素子４を、その信号処
理回路と一体化した光半導体装置がなく、この上うな光
半導体装置の実現が所望されている。
、Ｄ２からの各光電流の比（第４図に示す）を演算する
ことによって、その光の波長（色）を識別することがで
きる。そこでこのような波長識別素子４を、その信号処
理回路と一体化した光半導体装置がなく、この上うな光
半導体装置の実現が所望されている。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、波長識別
素子と信号処理回路とを一体化した光半導体装置を提供
することである。
素子と信号処理回路とを一体化した光半導体装置を提供
することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、第１導電形式の同一の半導体基板上に形成さ
れる複数の回路ユニットであって、半導体基板に形成さ
れる第２導電形式の第１屑と、第１層によって囲まれる
第１導電形式の第２Ｍと、第１層に囲まれる第２導電形
式のＰＡａ層とを含み、第２層およびｐＩＳ３層にそれ
ぞれ電極を接続する、そのような回路ユニット、および
前記回路ユニットの構造にさらに第２層に囲まれる第２
導電形式の第４／Ｉを含み、第２Ｍ、第３層および第４
層にそれぞれ電極を接続する、そのような回路ユニット
を含むことを特徴とする光半導体装置である。
れる複数の回路ユニットであって、半導体基板に形成さ
れる第２導電形式の第１屑と、第１層によって囲まれる
第１導電形式の第２Ｍと、第１層に囲まれる第２導電形
式のＰＡａ層とを含み、第２層およびｐＩＳ３層にそれ
ぞれ電極を接続する、そのような回路ユニット、および
前記回路ユニットの構造にさらに第２層に囲まれる第２
導電形式の第４／Ｉを含み、第２Ｍ、第３層および第４
層にそれぞれ電極を接続する、そのような回路ユニット
を含むことを特徴とする光半導体装置である。
作 用
本発明に従えば、第１導電形式の同一の半導体基板上に
、＄２２導電形のｆｊＳ１層と、第１層によって囲まれ
る＄１導電形式の第２層と、ｔＩＳ１層に囲まれる第２
導電形式の第３Ｎとを形成し、ＩｊＳ２層およＣ／第３
層に電極を接続する回路ユニット、および前記回路ユニ
ットの構造にさらに第２層に囲まれる第２導電形式の１
４層を含み、第２／１．第３層および第４層にそれぞれ
電極を接続する、そのような回路ユニットをそれぞれ複
数個形成することによって、波長識別素子と信号処理回
路とを含む光半導体装置を作成することができる。
、＄２２導電形のｆｊＳ１層と、第１層によって囲まれ
る＄１導電形式の第２層と、ｔＩＳ１層に囲まれる第２
導電形式の第３Ｎとを形成し、ＩｊＳ２層およＣ／第３
層に電極を接続する回路ユニット、および前記回路ユニ
ットの構造にさらに第２層に囲まれる第２導電形式の１
４層を含み、第２／１．第３層および第４層にそれぞれ
電極を接続する、そのような回路ユニットをそれぞれ複
数個形成することによって、波長識別素子と信号処理回
路とを含む光半導体装置を作成することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、第２図はそ
の等価回路図である。第１導電形式のＰ形半導体基板２
１上には、本発明に従う波長識別素子２０と、波長識別
素子２０がらの信号を処理する信号処理回路１９とが一
体的に形成される。
の等価回路図である。第１導電形式のＰ形半導体基板２
１上には、本発明に従う波長識別素子２０と、波長識別
素子２０がらの信号を処理する信号処理回路１９とが一
体的に形成される。
波長識別素子２０は、一対の回路ユニットであるホトダ
イオードＤｌｌ、Ｄ２２とによって構成される。ホトダ
イオードＤｌｌは、Ｐ形半導体基板２１と、Ｐ形半導体
基板２１上に形成される第２導電形式のＮ形エピタキシ
ャル層２２と、Ｎ形エピタキシャル層２２内に拡散によ
って形成されるホトダイオードＤｌｌの７ノード用のＰ
＋形拡散層２３およびホトダイオードＤ１１のカンード
用のＮ＋形拡散層２４とがら成る。ホトダイオードＤ２
２は、Ｐ形半導体基板２１上に形成されるＮ“形埋込み
屑２５と、Ｎ４形埋込み屑２５上に形成されるＮ形エピ
タキシャル層２２と、Ｎ形エピタキシャル１２２内に拡
散によって形成されるホトダイオードＤ２２の７ノード
用のＰ２２形拡散２３およびＮ＋形拡散層２６と、Ｎ形
エピタキシャル層２２内に拡散によって形成されるホト
ダイオードＤ２２のカンード用のＮ＋形拡散Ｉｒ１２４
とがら成る。このようなホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２
は、Ｐ４形分離拡散Ｍ（アイソレーション）２７により
てそれぞれ分離される。これらホトダイオードＤｌｌ、
Ｄ２２は、上記Ｐ１形分離拡散Ｎ２７によって、隣接し
て形成される信号処理回路１９とも分離される。
イオードＤｌｌ、Ｄ２２とによって構成される。ホトダ
イオードＤｌｌは、Ｐ形半導体基板２１と、Ｐ形半導体
基板２１上に形成される第２導電形式のＮ形エピタキシ
ャル層２２と、Ｎ形エピタキシャル層２２内に拡散によ
って形成されるホトダイオードＤｌｌの７ノード用のＰ
＋形拡散層２３およびホトダイオードＤ１１のカンード
用のＮ＋形拡散層２４とがら成る。ホトダイオードＤ２
２は、Ｐ形半導体基板２１上に形成されるＮ“形埋込み
屑２５と、Ｎ４形埋込み屑２５上に形成されるＮ形エピ
タキシャル層２２と、Ｎ形エピタキシャル１２２内に拡
散によって形成されるホトダイオードＤ２２の７ノード
用のＰ２２形拡散２３およびＮ＋形拡散層２６と、Ｎ形
エピタキシャル層２２内に拡散によって形成されるホト
ダイオードＤ２２のカンード用のＮ＋形拡散Ｉｒ１２４
とがら成る。このようなホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２
は、Ｐ４形分離拡散Ｍ（アイソレーション）２７により
てそれぞれ分離される。これらホトダイオードＤｌｌ、
Ｄ２２は、上記Ｐ１形分離拡散Ｎ２７によって、隣接し
て形成される信号処理回路１９とも分離される。
Ｐ＋形拡散層２３には、ホトダイオードＤｌｌのアンー
ド電極が接続され、Ｎ＋形拡散層２４には、ホトダイオ
ードＤｌｌのカソード電極が接続される。またＰ＋形拡
散層２３およびＮ４形拡散層２６には、ホトダイオード
Ｄ２２の７ノード電極が接続され、Ｎ＋形拡散層２４に
は、ホトダイオードＤ２２のカソード電極が接続される
。このようにＰ＋形拡散層２３と、Ｎ＋形拡散層２４を
有するＮ形エピタキシャル層２２とのＰＮ接合によって
、ホトダイオードＤｌｌが構成される。またＰ＋形拡散
層２３およびＮ”形波散層２６と、Ｎ＋形拡散層２４を
有するＮ形エピタキシャル屑２２とのＰＮ接合によって
、ホトダイオードＤ２２が構成される。
ド電極が接続され、Ｎ＋形拡散層２４には、ホトダイオ
ードＤｌｌのカソード電極が接続される。またＰ＋形拡
散層２３およびＮ４形拡散層２６には、ホトダイオード
Ｄ２２の７ノード電極が接続され、Ｎ＋形拡散層２４に
は、ホトダイオードＤ２２のカソード電極が接続される
。このようにＰ＋形拡散層２３と、Ｎ＋形拡散層２４を
有するＮ形エピタキシャル層２２とのＰＮ接合によって
、ホトダイオードＤｌｌが構成される。またＰ＋形拡散
層２３およびＮ”形波散層２６と、Ｎ＋形拡散層２４を
有するＮ形エピタキシャル屑２２とのＰＮ接合によって
、ホトダイオードＤ２２が構成される。
ホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２の各光感度は、第５Ａ図
のラインＪ！４およびラインＪ！５で示されるとおりで
ある。この光感度特性から明らかなように、ホトダイオ
ードＤｌｌは、短波長側に感度を有し、ホトダイオード
Ｄ２２は、長波長側に感度を有することとなる。このよ
うに分光感度の異なる２つのホトダイオードＤｌｌ、Ｄ
２２を、Ｐ形半導体基板２１の横方向（第１図の左右方
向）に配列して形成するようにしたことによって、これ
らホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２の各光電流ＩＡＩ工。
のラインＪ！４およびラインＪ！５で示されるとおりで
ある。この光感度特性から明らかなように、ホトダイオ
ードＤｌｌは、短波長側に感度を有し、ホトダイオード
Ｄ２２は、長波長側に感度を有することとなる。このよ
うに分光感度の異なる２つのホトダイオードＤｌｌ、Ｄ
２２を、Ｐ形半導体基板２１の横方向（第１図の左右方
向）に配列して形成するようにしたことによって、これ
らホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２の各光電流ＩＡＩ工。
の比Ｉｌｌ／ＩＡ から第５Ｂ図のライン！６で示さ
れるような波長に対する固有の出力が得られる。
れるような波長に対する固有の出力が得られる。
短波長側に感度を有するホトダイオードＤｌｌは、Ｎ４
形埋込み層２５を有しておらず、ホトダイオードＤ２２
のようにＮ２形埋込み層２５を有している場合に比べて
長波長側における感度が低下する。一方、Ｎ＋形埋込み
層２５を有しているホトダイオードＤ２２においては、
有効な受光領域が参照符Ｓで示される位置、すなわちＮ
形エピタキシャル層２２の最下部まであるのに対し、Ｎ
形埋込み７Ｉ２２を有しないホトダイオードＤｌｌにお
いては、その有効な受光領域が参照符丁で示される位置
、すなわちＰ＋形拡散層２３と、Ｐ形半導体基板２１と
のほぼ中央位置である。このことがらホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の分光感度が異なることが理解される。
形埋込み層２５を有しておらず、ホトダイオードＤ２２
のようにＮ２形埋込み層２５を有している場合に比べて
長波長側における感度が低下する。一方、Ｎ＋形埋込み
層２５を有しているホトダイオードＤ２２においては、
有効な受光領域が参照符Ｓで示される位置、すなわちＮ
形エピタキシャル層２２の最下部まであるのに対し、Ｎ
形埋込み７Ｉ２２を有しないホトダイオードＤｌｌにお
いては、その有効な受光領域が参照符丁で示される位置
、すなわちＰ＋形拡散層２３と、Ｐ形半導体基板２１と
のほぼ中央位置である。このことがらホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の分光感度が異なることが理解される。
ホトダイオードＤｌｌは、Ｎ形エピタキシャル層２２に
拡散されたＰ＋形拡散層２３と、Ｎ＋形拡散層２４とに
よって構成されるため、これらＰＮ接合の不純物濃度が
あまり高くならず、これら各層２３．２４の領域内にお
けるキャリアのライフタイムを長くすることができる。
拡散されたＰ＋形拡散層２３と、Ｎ＋形拡散層２４とに
よって構成されるため、これらＰＮ接合の不純物濃度が
あまり高くならず、これら各層２３．２４の領域内にお
けるキャリアのライフタイムを長くすることができる。
これによってホトダイオードＤｌｌの感度（光電流）は
極めて太き（なるという長所を有する。
極めて太き（なるという長所を有する。
またホトダイオードＤ２２のＰ＋形拡散層２３と、Ｎ＋
形拡散層２６とを短絡させることによって、波長識別素
子２０の表面に近い部分で発生するホトキャリアは、Ｐ
３３形拡散２３とＮ４形拡散屑２６とが短絡されて形成
されるホトダイオードＤ２２の短絡電流となるため、ホ
トグイオーＶＤ２２の光電流には寄与しないこととなる
。すなわちホトダイオードＤｌｌのようにＮ１形拡散層
２６を形成しない場合に比べて、短波長での感度が低下
する。したがってホトダイオードＤ２２は、長波長側に
感度を有することとなる。
形拡散層２６とを短絡させることによって、波長識別素
子２０の表面に近い部分で発生するホトキャリアは、Ｐ
３３形拡散２３とＮ４形拡散屑２６とが短絡されて形成
されるホトダイオードＤ２２の短絡電流となるため、ホ
トグイオーＶＤ２２の光電流には寄与しないこととなる
。すなわちホトダイオードＤｌｌのようにＮ１形拡散層
２６を形成しない場合に比べて、短波長での感度が低下
する。したがってホトダイオードＤ２２は、長波長側に
感度を有することとなる。
第６図を参照して、本発明に従う波長識別素子２０を形
成するにあたっては、まずＰ形半導体基板２１に、ｆｆ
１６図（１）で示されるように、Ｎ＋形埋込み［２５を
拡散により形成する。
成するにあたっては、まずＰ形半導体基板２１に、ｆｆ
１６図（１）で示されるように、Ｎ＋形埋込み［２５を
拡散により形成する。
次いで、エピタキシャル成長法によって、ｔＩＳ６図（
２）で示されるように、Ｐ形半導体基板２１およびＮ１
形埋込み層２５の全表面に亘って、Ｎ形エピタキシャル
層２２を成長させる。
２）で示されるように、Ｐ形半導体基板２１およびＮ１
形埋込み層２５の全表面に亘って、Ｎ形エピタキシャル
層２２を成長させる。
次いで、第６図（３）で示されるように、Ｎ形エピタキ
シャルＭ２２をＰ＋形分離拡散層 （アイソレージタン
）２７によって分離する。
シャルＭ２２をＰ＋形分離拡散層 （アイソレージタン
）２７によって分離する。
次いで、ｆｊＳ６図（４）で示されるように、Ｎ形エピ
タキシャル層２２内に拡散によって、ホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の各７ノード用のＰ＋形拡散層２３を形成
する。
タキシャル層２２内に拡散によって、ホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の各７ノード用のＰ＋形拡散層２３を形成
する。
次いで、ＰＩＳ６図（５）で示されるように、Ｐ“形波
散層２３内に拡散によってホトダイオードＤ２２の７ノ
ード用のＮ＋形拡散層２６を形成するとともに、Ｎ形エ
ピタキシャル層２２内に拡散によってホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の各カソード用のＮ＋形拡散層２４をそれ
ぞれ形成する。
散層２３内に拡散によってホトダイオードＤ２２の７ノ
ード用のＮ＋形拡散層２６を形成するとともに、Ｎ形エ
ピタキシャル層２２内に拡散によってホトダイオードＤ
ｌｌ、Ｄ２２の各カソード用のＮ＋形拡散層２４をそれ
ぞれ形成する。
その後、第１図で示されるように、Ｐ＋形拡故層２３と
、Ｎ＋形拡散層２４．２６とに、電極を個別的に接続し
、隣接して形成される信号処理回路に導くことによって
、分光感度の異なるホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２を有
する波長識別素子２０を作成することができる。
、Ｎ＋形拡散層２４．２６とに、電極を個別的に接続し
、隣接して形成される信号処理回路に導くことによって
、分光感度の異なるホトダイオードＤｌｌ、Ｄ２２を有
する波長識別素子２０を作成することができる。
前記実施例では、２個のホトダイオードＤ１１゜Ｄ２２
によって、波長識別素子２０を構成したけれども、Ｐ形
半導体基板２１の横方向にさらに複数のホトダイオード
を配列し、識別すべき波長の種類を増加するようにして
もよい、また前記実施例では、ホトダイオードＤｌｌに
はＮ＋型拡散屑２６を形成しなかったが、形成しても十
分に波長識別を行なうことができるものである。
によって、波長識別素子２０を構成したけれども、Ｐ形
半導体基板２１の横方向にさらに複数のホトダイオード
を配列し、識別すべき波長の種類を増加するようにして
もよい、また前記実施例では、ホトダイオードＤｌｌに
はＮ＋型拡散屑２６を形成しなかったが、形成しても十
分に波長識別を行なうことができるものである。
またエピタキシャル成長法と拡散法以外の方法、たとえ
ばイオン注入法などによって、波長識別集子２０を作成
するような構成であってもよい。
ばイオン注入法などによって、波長識別集子２０を作成
するような構成であってもよい。
本発明に従う光半導体装置は、たとえばカラーマークセ
ンサやＶＴＲのホワイトバランス調整用など、広範囲の
技術分野に亘って実施されることができる６またバイポ
ーラ型半導体集積回路だけではなく、ユニボーラ型半導
体集積回路に関しても実施されることができる。
ンサやＶＴＲのホワイトバランス調整用など、広範囲の
技術分野に亘って実施されることができる６またバイポ
ーラ型半導体集積回路だけではなく、ユニボーラ型半導
体集積回路に関しても実施されることができる。
効 果
以上のように本発明によれば、第１導電形式の同一の半
導体基板上に、第２導電形式の第１層と、ｔｊＳ１層に
よって囲まれる第１導電形式の第２層と、第１層に囲ま
れるＰｔ５２導電形導電箔３屑とを形成し、第２層お上
Ｖ第３層に電極を接続する回路ユニットを複数個形成す
ることによって、波長識別素子と信号処理回路とを含む
光半導体装置を作成することができる。
導体基板上に、第２導電形式の第１層と、ｔｊＳ１層に
よって囲まれる第１導電形式の第２層と、第１層に囲ま
れるＰｔ５２導電形導電箔３屑とを形成し、第２層お上
Ｖ第３層に電極を接続する回路ユニットを複数個形成す
ることによって、波長識別素子と信号処理回路とを含む
光半導体装置を作成することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、１２図はその等価
回路図、第３図〜第４図は波ｉ識別の原理を説明するた
めのグラフ、ｔｊＳｓ図Ａおよび＠５図Ｂはホトダイオ
ードＤｌｌ、Ｄ２２の分光感度特性を説明するための図
、第６図は本発明に従う波長識別素子２０の製造工程を
説明するための図、第７図および第８図は先行技術を説
明するための図である。 ２０・・・波ｇｋ識別素子、２１・・・Ｐ形半導体基板
、２２・・・Ｎ形エピタキシャル層、２３・・・Ｐ＋形
拡故層、２４，２６・・・Ｎ＋形拡散層、２５・・・Ｎ
１形埋込み層、Ｄｌｌ、Ｄ２２・・・ホトダイオード代
理人 弁理士 画数 圭一部 第３図 波長（０ｍ）第４オ ニ、定長（ｎｍ） 第５Ａ図 ５度表（ｎｍ） 第５８図 第６図
回路図、第３図〜第４図は波ｉ識別の原理を説明するた
めのグラフ、ｔｊＳｓ図Ａおよび＠５図Ｂはホトダイオ
ードＤｌｌ、Ｄ２２の分光感度特性を説明するための図
、第６図は本発明に従う波長識別素子２０の製造工程を
説明するための図、第７図および第８図は先行技術を説
明するための図である。 ２０・・・波ｇｋ識別素子、２１・・・Ｐ形半導体基板
、２２・・・Ｎ形エピタキシャル層、２３・・・Ｐ＋形
拡故層、２４，２６・・・Ｎ＋形拡散層、２５・・・Ｎ
１形埋込み層、Ｄｌｌ、Ｄ２２・・・ホトダイオード代
理人 弁理士 画数 圭一部 第３図 波長（０ｍ）第４オ ニ、定長（ｎｍ） 第５Ａ図 ５度表（ｎｍ） 第５８図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電形式の同一の半導体基板上に形成される複数の
回路ユニットであって、 半導体基板上に形成される第２導電形式の第１層と、第
１層によって囲まれる第１導電形式の第２層と、第１層
に囲まれる第２導電形式の第３層とを含み、第２層およ
び第３層にそれぞれ電極を接続する、そのような回路ユ
ニット、および前記回路ユニットの構造にさらに第２層
に囲まれる第２導電形式の第４層を含み、第２層、第３
層および第４層にそれぞれ電極を接続する、そのような
回路ユニットを含むことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191354A JPS6249678A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191354A JPS6249678A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249678A true JPS6249678A (ja) | 1987-03-04 |
Family
ID=16273176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191354A Pending JPS6249678A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6249678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119198U (ja) * | 1979-02-17 | 1980-08-23 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60191354A patent/JPS6249678A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119198U (ja) * | 1979-02-17 | 1980-08-23 | ||
| JPS5821583Y2 (ja) * | 1979-02-17 | 1983-05-07 | 株式会社日本プラントサ−ビスセンタ− | パイプ内壁の洗浄装置 |
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