JPS624779A - 螢光体粉末 - Google Patents
螢光体粉末Info
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- JPS624779A JPS624779A JP14304685A JP14304685A JPS624779A JP S624779 A JPS624779 A JP S624779A JP 14304685 A JP14304685 A JP 14304685A JP 14304685 A JP14304685 A JP 14304685A JP S624779 A JPS624779 A JP S624779A
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- cas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、たとえばＥ Ｌ （ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕ
ｎ＋１ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）装置などに用いられる発光
材料としての螢光体粉末、特にＣａＳなどのアルカリ土
類硫化物を用いた螢光体粉末の改良に関する。
ｎ＋１ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）装置などに用いられる発光
材料としての螢光体粉末、特にＣａＳなどのアルカリ土
類硫化物を用いた螢光体粉末の改良に関する。
［従来の技術〕
ＥＬ用螢光体としては、ＺｎＳなどのｍｂ −ｖｒｂ族
化合物が広く用いられている。これに対して、近年、ア
ルカリ土類硫化物（Ｉｒａ−ＶＩｂＭ化合物〉をＥＬ用
螢光体粉末として利用することが注目されている。この
主な理由は、下記の２点にある。
化合物が広く用いられている。これに対して、近年、ア
ルカリ土類硫化物（Ｉｒａ−ＶＩｂＭ化合物〉をＥＬ用
螢光体粉末として利用することが注目されている。この
主な理由は、下記の２点にある。
■ ＥＬ用螢光体の絶縁破壊は電子崩雪によるものと考
えられている。この電子崩雪は、エネルギバンドギャッ
プに依存し、一般にエネルギバンドギャップが大きくな
るほど絶縁破壊電界は高くなる。ＺｎＳのエネルギバン
ドギャップは、３゜５〜３．７８Ｖであり、絶縁耐圧は
１．０〜１゜５ Ｘ １０’ Ｖ／ａｍテある。他方、
ＥＬ素子の発光効率を改善するためには、螢光体に高電
界を印加しなければならない。したがって、ＥＬ用螢光
体としては、アルカリ土類硫化物のように大きなエネル
ギバンドギャップを有する材料が好ましい（下記の第１
表に、アルカリ土類硫化物のエネルギギャップを示す。
えられている。この電子崩雪は、エネルギバンドギャッ
プに依存し、一般にエネルギバンドギャップが大きくな
るほど絶縁破壊電界は高くなる。ＺｎＳのエネルギバン
ドギャップは、３゜５〜３．７８Ｖであり、絶縁耐圧は
１．０〜１゜５ Ｘ １０’ Ｖ／ａｍテある。他方、
ＥＬ素子の発光効率を改善するためには、螢光体に高電
界を印加しなければならない。したがって、ＥＬ用螢光
体としては、アルカリ土類硫化物のように大きなエネル
ギバンドギャップを有する材料が好ましい（下記の第１
表に、アルカリ土類硫化物のエネルギギャップを示す。
）。
■ 母体中に発光中心を形成するためには、不純物を添
加しなければならない。この不純物としては、多色化が
容易であるという観点から、通常、希土類元素を用いる
。ところが、希土類イオンの半径は、０．９〜１△であ
り、Ｚｎ２＋イオンのイオン半径０．７５Ａよりかなり
大きい。しだがつて、希土類イオンは、ＺｎＳ中に拡散
し難（、多色化ＥＬ素子の高効率化を果たすことが困難
である。これに対して、アルカリ土類金属のイオン半径
はかなり大きい（下記の第２表を参照されたい。）。し
たがって、アルカリ土類硫化物中に、希土類元素を容易
に拡散させることができ、その結果高効率のＥＬ用螢光
体を作成し得ると考えられる。
加しなければならない。この不純物としては、多色化が
容易であるという観点から、通常、希土類元素を用いる
。ところが、希土類イオンの半径は、０．９〜１△であ
り、Ｚｎ２＋イオンのイオン半径０．７５Ａよりかなり
大きい。しだがつて、希土類イオンは、ＺｎＳ中に拡散
し難（、多色化ＥＬ素子の高効率化を果たすことが困難
である。これに対して、アルカリ土類金属のイオン半径
はかなり大きい（下記の第２表を参照されたい。）。し
たがって、アルカリ土類硫化物中に、希土類元素を容易
に拡散させることができ、その結果高効率のＥＬ用螢光
体を作成し得ると考えられる。
第１表
アルカリ土類硫化物は、ＣａＳを例にとれば、一般に下
記の化学反応あるいは熱分解反応によりｗＡ製される。
記の化学反応あるいは熱分解反応によりｗＡ製される。
ヤａＨ
（ａ ） ４Ｃａ Ｏ−＋３Ｃａ Ｓ＋Ｃａ ８０４
（ｂ ） Ｃａ Ｃｏ。＋ Ｈ２８”ｊ’Ｃａ Ｓ
＋ ８２ ＋ ＣＯ２ （０） Ｃａ （Ｈ８）２″ｊ″Ｃａ Ｓ＋Ｈｒ Ｓ
上記した製造方法のうち、螢光体内に酸化物が残留しな
いという点において、（Ｃ）の反応が最も優れている。
（ｂ ） Ｃａ Ｃｏ。＋ Ｈ２８”ｊ’Ｃａ Ｓ
＋ ８２ ＋ ＣＯ２ （０） Ｃａ （Ｈ８）２″ｊ″Ｃａ Ｓ＋Ｈｒ Ｓ
上記した製造方法のうち、螢光体内に酸化物が残留しな
いという点において、（Ｃ）の反応が最も優れている。
なお、不純物は、ＣａＳを調製する過程において添加す
ることができ、あるいはＣａＳと不純物とを混合した後
に熱拡散することにより添加することも可能である。
ることができ、あるいはＣａＳと不純物とを混合した後
に熱拡散することにより添加することも可能である。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、アルカリ上類硫化物は化学的に極めて不
安定であり、水分および炭酸ガスの存在する雰囲気下で
は、炭酸カルシウムに変化しやすい。このような変化は
、螢光体粉末として利用した場合、その特性劣化の大き
な原因となる。アルカリ土類硫化物が、ＥＬ用螢光体と
して前述した望ましい特性を有するにもかかわらず、あ
まり用いられていないのは、この化学的な不安定性が大
きな障害となっていたからである。
安定であり、水分および炭酸ガスの存在する雰囲気下で
は、炭酸カルシウムに変化しやすい。このような変化は
、螢光体粉末として利用した場合、その特性劣化の大き
な原因となる。アルカリ土類硫化物が、ＥＬ用螢光体と
して前述した望ましい特性を有するにもかかわらず、あ
まり用いられていないのは、この化学的な不安定性が大
きな障害となっていたからである。
それゆえに、この発明の目的は、螢光体として優れた性
質を有しつつ、かつ化学的に安定なアルカリ土類硫化物
からなる螢光体粉末を提供することにある。
質を有しつつ、かつ化学的に安定なアルカリ土類硫化物
からなる螢光体粉末を提供することにある。
［問題点を解決するための手段および作用］本ＭＲ明者
は、アルカリ土類硫化物を用いて種々の螢光体粉末を作
製し、検討を繰返した結果、アルカリ土類硫化物の表面
に、ＺｎＳなどの化学的に安定な化合物層を形成すれば
、アルカリ土類硫化物の螢光体としての優れた特性を維
持しつつ、化学的な不安定性を克服し得ることを見い出
した。
は、アルカリ土類硫化物を用いて種々の螢光体粉末を作
製し、検討を繰返した結果、アルカリ土類硫化物の表面
に、ＺｎＳなどの化学的に安定な化合物層を形成すれば
、アルカリ土類硫化物の螢光体としての優れた特性を維
持しつつ、化学的な不安定性を克服し得ることを見い出
した。
すなわち、この発明は、Ｃａ Ｓ、Ｂａ ＳおよびＳｒ
ｓからなる群から選択した化合物の表面に、Ｚｎｓ、Ｚ
ｎ５ｅ、ＣＩＪ２ＳおよびＣｄＳからなる群から選択し
た化合物層を形成してなる螢光体粉末である。
ｓからなる群から選択した化合物の表面に、Ｚｎｓ、Ｚ
ｎ５ｅ、ＣＩＪ２ＳおよびＣｄＳからなる群から選択し
た化合物層を形成してなる螢光体粉末である。
アルカリ土類硫化物としてＣａＳを、化学的に安定な層
を構成する化合物としてＺｎＳを用いた場合を例にとり
、この発明を説明する。ＣａＳの粉末と、ＺｎＳの粉末
とを混合し、硫黄雰囲気下において適当な温度（通常は
８ｏ○〜１１００℃）で焼成が行なわれる。硫化亜鉛は
、この温度領域では昇華し蒸気となり、ＣａＳの粒子間
の空隙を移動する。もっとも、硫化亜鉛蒸気の一部は、
ＣａＳ粒子と反応し、Ｃａ＋−ｘＺｎＸｓなる混晶が粒
子表面に形成される。このようにして得られた螢光体粉
末粒子は、中心部がＣａＳで構成されており、表面に近
い部分にはＣａ ＋−ｘ Ｚｎ ｘ Ｓなる混晶が存在
し、表面はＺｎＳにより覆われることになる。したがっ
て、表面が化学的に安定なＺｎＳで覆われているため、
前述したＣａＳの化学的不安定性が解消されることにな
る。
を構成する化合物としてＺｎＳを用いた場合を例にとり
、この発明を説明する。ＣａＳの粉末と、ＺｎＳの粉末
とを混合し、硫黄雰囲気下において適当な温度（通常は
８ｏ○〜１１００℃）で焼成が行なわれる。硫化亜鉛は
、この温度領域では昇華し蒸気となり、ＣａＳの粒子間
の空隙を移動する。もっとも、硫化亜鉛蒸気の一部は、
ＣａＳ粒子と反応し、Ｃａ＋−ｘＺｎＸｓなる混晶が粒
子表面に形成される。このようにして得られた螢光体粉
末粒子は、中心部がＣａＳで構成されており、表面に近
い部分にはＣａ ＋−ｘ Ｚｎ ｘ Ｓなる混晶が存在
し、表面はＺｎＳにより覆われることになる。したがっ
て、表面が化学的に安定なＺｎＳで覆われているため、
前述したＣａＳの化学的不安定性が解消されることにな
る。
なお、上記混晶領域およびＺｎＳの厚みは、処理温度、
ならびにＣａＳとＺｎＳとの混合比を調整することによ
り制御することができる。
ならびにＣａＳとＺｎＳとの混合比を調整することによ
り制御することができる。
上記説明では、ＣａＳを例にとったが、ＢａＳ、ＳｒＳ
のような他のアルカリ土類硫化物を用いた場合、ならび
に表面に形成される化合物層として、ＺｎＳに代えＺｎ
Ｓｅ 、 Ｃｕ ２ ＳあるいはＣｄＳを用いた場合
についても、同様である。
のような他のアルカリ土類硫化物を用いた場合、ならび
に表面に形成される化合物層として、ＺｎＳに代えＺｎ
Ｓｅ 、 Ｃｕ ２ ＳあるいはＣｄＳを用いた場合
についても、同様である。
なお、不純物すなわち希土類元素の添加は、アルカリ土
類硫化物を作製する過程で行なうこともでき、あるいは
アルカリ土類硫化物を作製した後不純物と混合し熱拡散
することにより添加してもよい。また、この不純物濃度
は、母体と不純物との重ｌ比を変えることにより容易に
制御することができる。
類硫化物を作製する過程で行なうこともでき、あるいは
アルカリ土類硫化物を作製した後不純物と混合し熱拡散
することにより添加してもよい。また、この不純物濃度
は、母体と不純物との重ｌ比を変えることにより容易に
制御することができる。
［実施例の説明］
以下の説明では、ＣａＳ：Ｃｅ螢光体粉末の実施例、な
らびにこの実施例を利用して構成した緑色発光厚膜ＥＬ
素子につき説明する。
らびにこの実施例を利用して構成した緑色発光厚膜ＥＬ
素子につき説明する。
まず、３００メツシユのＣａＳ粉末に、４００メツシユ
のＣｅ Ｆ３粉末を０．８モル％混合し、硫黄雰囲気中
で９００℃の温度にて３時間焼成する。この焼成過程に
おいて、ＣａＳに、不純物としてのＣｅがドープされる
ことになる。
のＣｅ Ｆ３粉末を０．８モル％混合し、硫黄雰囲気中
で９００℃の温度にて３時間焼成する。この焼成過程に
おいて、ＣａＳに、不純物としてのＣｅがドープされる
ことになる。
次に、上記のようにして得られたｃａ ｓ ： ｃｅ粉
末と３００メツシユのＺｎＳ粉末とを、重量比で５：１
の割合で混合し、硫黄雰囲気下、９００℃の温度で３１
１ｉ［焼成を行なう。この焼成により、ＣａＳ粒子表面
に、ＺｎＳ層が形成される。このようにして得られる螢
光体粉末の構造を、第１図に示す。第１図において、１
ｏがＣａＳ粒子、１１が（Ｃａ、Ｚｎ）８層、１２がＺ
ｎＳ層を示す。
末と３００メツシユのＺｎＳ粉末とを、重量比で５：１
の割合で混合し、硫黄雰囲気下、９００℃の温度で３１
１ｉ［焼成を行なう。この焼成により、ＣａＳ粒子表面
に、ＺｎＳ層が形成される。このようにして得られる螢
光体粉末の構造を、第１図に示す。第１図において、１
ｏがＣａＳ粒子、１１が（Ｃａ、Ｚｎ）８層、１２がＺ
ｎＳ層を示す。
次に、上述のようにして得られた螢光体粉末に、ｃｕ
３０４粉末を、０．５モル％の割合で混合し、硫黄雰囲
気下において９００℃の温度で３時間焼成を行なう。こ
の焼成により、ＺｎＳ表面に、０Ｌ１２８導電相が形成
される。
３０４粉末を、０．５モル％の割合で混合し、硫黄雰囲
気下において９００℃の温度で３時間焼成を行なう。こ
の焼成により、ＺｎＳ表面に、０Ｌ１２８導電相が形成
される。
上記のようにして得られた粉末を、５％ＫＣＮ溶液でエ
ツチングする。エツチングの進行に伴い、析出した余分
の銅が除去され、粉末表面の色が黒色から白っぽい色に
変わった時点でエツチングを停止し、次に十分に水洗い
を行なう。
ツチングする。エツチングの進行に伴い、析出した余分
の銅が除去され、粉末表面の色が黒色から白っぽい色に
変わった時点でエツチングを停止し、次に十分に水洗い
を行なう。
次に、得られた粉末を乾燥し、しかる後該粉末と、バイ
ンダとしてのシアノエチルセルロースを、重量比１：１
の割合で混合しペースト状とする。
ンダとしてのシアノエチルセルロースを、重量比１：１
の割合で混合しペースト状とする。
得られたペーストを、■ＴＯ透明電極を有するガラス基
板上に印刷した後、１２０℃の温度で２０分間乾燥する
。印刷体の厚みは約４０μｍである。
板上に印刷した後、１２０℃の温度で２０分間乾燥する
。印刷体の厚みは約４０μｍである。
上記印刷体の上に対向電極としてＡｃＬを蒸着する。上
記の一連の工程により得られたＥＬ素子の構造を第２図
に示す。第２図において、１がガラス基板、２がＩＴＯ
透明電極、３が上記ペースト体よりなる発光層、４がＡ
ｍ電極を示す。
記の一連の工程により得られたＥＬ素子の構造を第２図
に示す。第２図において、１がガラス基板、２がＩＴＯ
透明電極、３が上記ペースト体よりなる発光層、４がＡ
ｍ電極を示す。
得られたＥＬ素子のＡＱ、電極４と、ＩＴ○透明電極２
との間に直流電圧を印加し、輝度−電圧特性、効率−電
圧特性を測定した。結果を第３図に示す。第３図より、
４００ ｒＬ以上の高輝度と、０．１Ｑ、ｍ／Ｗ以上の
高い発光効率を達成し得ることがわかる。
との間に直流電圧を印加し、輝度−電圧特性、効率−電
圧特性を測定した。結果を第３図に示す。第３図より、
４００ ｒＬ以上の高輝度と、０．１Ｑ、ｍ／Ｗ以上の
高い発光効率を達成し得ることがわかる。
他方、上記螢光体粉末の製造方法のうち、ＺｎＳ層形成
過程を除いた方法により得られた螢光体粉末、すなわち
Ｃａ Ｓ ： Ｃｅのみからなる螢光体粉末を用いて、
同様に第２図に示す構造のＥＬ素子を作製したところ、
発光輝度は１ ｆＬ以下であることが確認された。し
たがって、この実施例では、ＺｎＳ層を表面に設けるこ
とにより、発光輝度が著しく改善されることがわかる。
過程を除いた方法により得られた螢光体粉末、すなわち
Ｃａ Ｓ ： Ｃｅのみからなる螢光体粉末を用いて、
同様に第２図に示す構造のＥＬ素子を作製したところ、
発光輝度は１ ｆＬ以下であることが確認された。し
たがって、この実施例では、ＺｎＳ層を表面に設けるこ
とにより、発光輝度が著しく改善されることがわかる。
また、上記実施例の製造過程のうち、最初のＣａＳ粉末
を混合・焼成する工程を除いた場合、すなわちＺｎＳ粉
末とＣＵＳＯ４粉末のみを用いて発光体を作成し、同様
にＥＬ素子を構成したところ、第３図に破線で示す輝度
−電圧特性が得られた。したがって、ＺｎＳ粉末とＣＬ
ＩＳＯ４粉末のみを用いて発光体を作成した場合には、
上記実施例に比べて低い輝度しか得られないことがわか
る。
を混合・焼成する工程を除いた場合、すなわちＺｎＳ粉
末とＣＵＳＯ４粉末のみを用いて発光体を作成し、同様
にＥＬ素子を構成したところ、第３図に破線で示す輝度
−電圧特性が得られた。したがって、ＺｎＳ粉末とＣＬ
ＩＳＯ４粉末のみを用いて発光体を作成した場合には、
上記実施例に比べて低い輝度しか得られないことがわか
る。
なお、上記実施例の各焼成工程は、硫黄雰囲気下で行な
われるが、これに代えてＨ２Ｓガス雰囲気中で焼成を行
なってもよい。
われるが、これに代えてＨ２Ｓガス雰囲気中で焼成を行
なってもよい。
また、Ｃａ Ｓ ： Ｃｅ粉末とＺｎＳ粉末との混合・
焼成工程ならびにＣｕ５ｏ＜粉末の混合焼成工程につい
ては、ＺｎＳ粉末をＣｕＳＯ４粉末と混合し硫黄雰囲気
中で焼成してＺｎＳ表面にＣＩＪ２Ｓ相を形成し、次に
ＣａＳ：Ｃｅ粉末を混合し焼成してもよい。すなわち、
ＣＩＪ ２Ｓ相の形成と、ｃａ ｓ ： Ｃｅ粉末の混
合・焼成は、いずれを先に行なってもよい。
焼成工程ならびにＣｕ５ｏ＜粉末の混合焼成工程につい
ては、ＺｎＳ粉末をＣｕＳＯ４粉末と混合し硫黄雰囲気
中で焼成してＺｎＳ表面にＣＩＪ２Ｓ相を形成し、次に
ＣａＳ：Ｃｅ粉末を混合し焼成してもよい。すなわち、
ＣＩＪ ２Ｓ相の形成と、ｃａ ｓ ： Ｃｅ粉末の混
合・焼成は、いずれを先に行なってもよい。
さらに、バインダとしては、シアノエチルセルロースに
限らず、他の公知の有機バインダを用いることができる
。
限らず、他の公知の有機バインダを用いることができる
。
また、第２図に示した構造のＥｌ素子では、ガラス基板
１上にＩＴＯ透明電極・２を構成したものを用いたが、
これに代えて他の透明導電膜を有するもの、あるいはガ
ラス以外の有撮フィルムを用いることもできる。
１上にＩＴＯ透明電極・２を構成したものを用いたが、
これに代えて他の透明導電膜を有するもの、あるいはガ
ラス以外の有撮フィルムを用いることもできる。
さらに第２図に示したピし装置は、直流駆動ＥＬである
が、バインダを上記実施例よりもかなり多くたとえば数
倍程度含有させ、それによって絶縁耐圧を上げ、交流駆
動のＥしとすることもできる。この場合、Ｂａ Ｔｔ
Ｏｓなどからなる絶縁層を設けてもよい。
が、バインダを上記実施例よりもかなり多くたとえば数
倍程度含有させ、それによって絶縁耐圧を上げ、交流駆
動のＥしとすることもできる。この場合、Ｂａ Ｔｔ
Ｏｓなどからなる絶縁層を設けてもよい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、ＣａＳ、ＢａＳおよ
びＳｒＳなどのアルカリ土類金属の表面が、Ｚｎ Ｓ、
Ｚｎ Ｓｅ 、Ｃｕ ２ ＳおよびＣｄＳの化合物層に
より覆われているため、化学的に安定なアルカリ土類硫
化物からなる螢光体を得ることが可能となる。したがっ
て、発光中心として、希土類元素を有利に用いることが
でき、その結果多色化に適した螢光体粉末を得ることが
できる。
びＳｒＳなどのアルカリ土類金属の表面が、Ｚｎ Ｓ、
Ｚｎ Ｓｅ 、Ｃｕ ２ ＳおよびＣｄＳの化合物層に
より覆われているため、化学的に安定なアルカリ土類硫
化物からなる螢光体を得ることが可能となる。したがっ
て、発光中心として、希土類元素を有利に用いることが
でき、その結果多色化に適した螢光体粉末を得ることが
できる。
この発明の螢光体粉末は、ＥＬ装置の発光層に限らず、
たとえば陰極線管用螢光体などの種々の用途に利用し得
るものであることを指摘しておく。
たとえば陰極線管用螢光体などの種々の用途に利用し得
るものであることを指摘しておく。
第１図は、この発明の一実施例の構造を示す断面図であ
る。第２図は、この発明の螢光体粉末を用いて発光層が
形成されたＥＬ装置の断面構造を示す図である。第３図
は、この発明の実施例を用いて構成したＥＬ装置の輝度
−電圧特性および効率−電圧特性を示す図である。 図において、１０がＣａＳ粒子、１２がＺｎＳ層を示す
。 第１図 １０：ＣａＳ 粒子 第２図
る。第２図は、この発明の螢光体粉末を用いて発光層が
形成されたＥＬ装置の断面構造を示す図である。第３図
は、この発明の実施例を用いて構成したＥＬ装置の輝度
−電圧特性および効率−電圧特性を示す図である。 図において、１０がＣａＳ粒子、１２がＺｎＳ層を示す
。 第１図 １０：ＣａＳ 粒子 第２図
Claims (1)
- ＣａＳ、ＢａＳおよびＳｒＳからなる群から選択した
化合物の粉末の表面に、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｃｕ＿２Ｓ
およびＣｄＳからなる群から選択した化合物層を形成し
てなることを特徴とする螢光体粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14304685A JPS624779A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 螢光体粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14304685A JPS624779A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 螢光体粉末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624779A true JPS624779A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15329645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14304685A Pending JPS624779A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 螢光体粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286746A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ |
| JP2007031549A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、及びｅｌ素子 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14304685A patent/JPS624779A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286746A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ |
| JP2007031549A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、及びｅｌ素子 |
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