JPS6247134A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6247134A JPS6247134A JP18713485A JP18713485A JPS6247134A JP S6247134 A JPS6247134 A JP S6247134A JP 18713485 A JP18713485 A JP 18713485A JP 18713485 A JP18713485 A JP 18713485A JP S6247134 A JPS6247134 A JP S6247134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- wafer
- atmosphere
- tube
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し７、特に半導体装量
の製造において熱酸化を行う装置の改良に関するもので
ある。
の製造において熱酸化を行う装置の改良に関するもので
ある。
第４図は、従来の車留型酸化装置を示す断面図であり、
図において、■はシリコンウェハ、２は上記シリコンウ
ェハｌを固定し搬送するウェハホルダであり、３はその
内部で酸化反応を行うための反応管であり、４は上記反
応管３の内部を加熱するヒーターであり、５は一上記ウ
ェハホルダ１に固定され、−上記反応管３を閉しるため
の蓋である。
図において、■はシリコンウェハ、２は上記シリコンウ
ェハｌを固定し搬送するウェハホルダであり、３はその
内部で酸化反応を行うための反応管であり、４は上記反
応管３の内部を加熱するヒーターであり、５は一上記ウ
ェハホルダ１に固定され、−上記反応管３を閉しるため
の蓋である。
６は反応管３の一端に設けられた開［−１部であり、こ
の開口部６よりガス、例えば０２又はＮ２等を反応管３
内へ注入する。
の開口部６よりガス、例えば０２又はＮ２等を反応管３
内へ注入する。
次に動作について説明する。開口部６より酸素ガスを反
応管３内へ注入し、ヒーター４で加熱することにより反
応管３の内部を高温のＭ素雰囲気に保つ。次に、ウェハ
ホルダ２にシリコンウェハ１を固定して、上記高温の酸
素雰囲気の反応管３内へシリコンウェハｌを移送する。
応管３内へ注入し、ヒーター４で加熱することにより反
応管３の内部を高温のＭ素雰囲気に保つ。次に、ウェハ
ホルダ２にシリコンウェハ１を固定して、上記高温の酸
素雰囲気の反応管３内へシリコンウェハｌを移送する。
そして所望の膜厚のシリコン酸化膜をシリコンウェハ１
の表面に形成するために、所定の時間だけ反応管３の内
部を酸素雰囲気に保ち、その後、開口部６より窒素ガス
を注入し、反応管３内部を酸素雰囲気から窒素雰囲気に
ｌｆ換し、シリコンウェハ１の酸化反応を停止させ、ウ
ェハホルダ２を反応管３より引出すことで、シリコンウ
ェハ１の酸化工程は終了する。
の表面に形成するために、所定の時間だけ反応管３の内
部を酸素雰囲気に保ち、その後、開口部６より窒素ガス
を注入し、反応管３内部を酸素雰囲気から窒素雰囲気に
ｌｆ換し、シリコンウェハ１の酸化反応を停止させ、ウ
ェハホルダ２を反応管３より引出すことで、シリコンウ
ェハ１の酸化工程は終了する。
従来の酸化装置は、ｌスー１−のように構成されている
ので、第４図に示すように反応管３内部−１のガス注入
を反応管３の一端にある開口部６より行っていた。この
為、例えば反応管内部を酸素雰囲気から窒素雰囲気に置
換する場合、埃応管内部では開「１部６の付近より置換
が始まり、開「１部６から遠い部分では、開口部６に近
い部分よりも、窒素雰囲気になるまでの時間が余分にか
かることになる。この時間差のために、反応管内部にあ
るシリコンウェハ１のうち、開口部６から遠い部分にあ
るウェハは、近い部分にあるウェハより長時間酸素にさ
らされ、各ウェハの酸化膜厚が不均一となるという問題
点があった。
ので、第４図に示すように反応管３内部−１のガス注入
を反応管３の一端にある開口部６より行っていた。この
為、例えば反応管内部を酸素雰囲気から窒素雰囲気に置
換する場合、埃応管内部では開「１部６の付近より置換
が始まり、開「１部６から遠い部分では、開口部６に近
い部分よりも、窒素雰囲気になるまでの時間が余分にか
かることになる。この時間差のために、反応管内部にあ
るシリコンウェハ１のうち、開口部６から遠い部分にあ
るウェハは、近い部分にあるウェハより長時間酸素にさ
らされ、各ウェハの酸化膜厚が不均一となるという問題
点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、反応管内部の雰囲気を一様に置換して、各
ウェハの表面に均一な厚さの酸化膜を形成できる半導体
製造装置を得ることを目的とする。
れたもので、反応管内部の雰囲気を一様に置換して、各
ウェハの表面に均一な厚さの酸化膜を形成できる半導体
製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、ウェハボルダに、ガ
スを上記反応管内へ供給する機構を設けたものである。
スを上記反応管内へ供給する機構を設けたものである。
この発明においては、ウェハホルダからもガスを反応管
内部に供給するようにしたことから、半応管内部で全て
のシリコンウェハの周りの雰囲気をほぼ同時に置換して
全てのウェハの表面にほぼ同じ厚さの酸化膜を形成でき
る。
内部に供給するようにしたことから、半応管内部で全て
のシリコンウェハの周りの雰囲気をほぼ同時に置換して
全てのウェハの表面にほぼ同じ厚さの酸化膜を形成でき
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面図で
あり、第２図はそのウェハホルダの上面図、第３図は該
ウェハホルダの断面側面図である。図において、３はウ
ェハの酸化を行う反応管、４は反応管内部を加熱するヒ
ータ、１０はウェハを載せるウェハボルダであり、１）
はＦ記つェハホルダ１０に設けられた複数の開口部、１
２はウェハを載せる支持面、１３はウェハホルダへのガ
ス供給口であり、該ガス供給「１）３よりウェハホルダ
１０内−１供給されたガスは開口部１）よりウェハホル
ダ１０の外へ吹き出す。また５は一上記ウェハホルダ１
０に固定された反応管３を閉じる蓋であり、６は反応管
内へのガス注入［］である。次に作用効果について説明
する。
図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面図で
あり、第２図はそのウェハホルダの上面図、第３図は該
ウェハホルダの断面側面図である。図において、３はウ
ェハの酸化を行う反応管、４は反応管内部を加熱するヒ
ータ、１０はウェハを載せるウェハボルダであり、１）
はＦ記つェハホルダ１０に設けられた複数の開口部、１
２はウェハを載せる支持面、１３はウェハホルダへのガ
ス供給口であり、該ガス供給「１）３よりウェハホルダ
１０内−１供給されたガスは開口部１）よりウェハホル
ダ１０の外へ吹き出す。また５は一上記ウェハホルダ１
０に固定された反応管３を閉じる蓋であり、６は反応管
内へのガス注入［］である。次に作用効果について説明
する。
本実施例では、反応管３内部へのガス注入用の複数の開
口部１）を各ウェハの近くに設けているため、反応管３
内部の雰囲気を例えば酸素から窒素に置換する時、各々
のウェハ近くに設けらねた開１）部１）からも反応管３
内部へ窒素ガスを４３ｊ給して、全ウェハの周りの雰囲
気はほぼ同時に酸素から窒素へと置換され、もって全ウ
ェハにおいてほぼ同時に酸化反応が停止する。
口部１）を各ウェハの近くに設けているため、反応管３
内部の雰囲気を例えば酸素から窒素に置換する時、各々
のウェハ近くに設けらねた開１）部１）からも反応管３
内部へ窒素ガスを４３ｊ給して、全ウェハの周りの雰囲
気はほぼ同時に酸素から窒素へと置換され、もって全ウ
ェハにおいてほぼ同時に酸化反応が停止する。
また、この逆に、反応管３内部の雰囲気を窒素から酸素
に置換する時も同様に、開口部１）からも酸素を供給す
ることによって全ウェハをほぼ同時に酸素雰囲気中に置
くことができ、同時に酸化反応が始まる。このように反
応管内部での各ウェハの酸化反応時間が等しくなって、
各ウェハのシリコン酸化膜の膜厚は均一になる。
に置換する時も同様に、開口部１）からも酸素を供給す
ることによって全ウェハをほぼ同時に酸素雰囲気中に置
くことができ、同時に酸化反応が始まる。このように反
応管内部での各ウェハの酸化反応時間が等しくなって、
各ウェハのシリコン酸化膜の膜厚は均一になる。
以上のように、この発明にかかる半導体製造装置によれ
ば、ウェハホルダからも反応管内へガスを供給するよう
にしたので、雰囲気を該反応管内で一様に置換でき、そ
の結果、ウェハ間のシリコン酸化膜厚の均一性を向上で
きる効果がある。
ば、ウェハホルダからも反応管内へガスを供給するよう
にしたので、雰囲気を該反応管内で一様に置換でき、そ
の結果、ウェハ間のシリコン酸化膜厚の均一性を向上で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
図、第２図はそのウェハホルダの上面図、第３図は該ウ
ェハホルダの断面図、第４図は従来例の半導体製造装置
の断面図である。 図において、３は反応管、４はヒーター、５は反応管の
蓋、６は反応管のガス注入口、１０はウェハホルダ、１
）は開口部、１２はウェハ支持面、１３はウェハホルダ
のガス供給口である。
図、第２図はそのウェハホルダの上面図、第３図は該ウ
ェハホルダの断面図、第４図は従来例の半導体製造装置
の断面図である。 図において、３は反応管、４はヒーター、５は反応管の
蓋、６は反応管のガス注入口、１０はウェハホルダ、１
）は開口部、１２はウェハ支持面、１３はウェハホルダ
のガス供給口である。
Claims (1)
- （１）半導体の熱酸化を行なう半導体製造装置において
、 その内部で酸化反応を行うための反応管と、上記反応管
内にガスを供給する機構を有する半導体ウェハを載せる
ためのウェハホルダとを備えたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18713485A JPS6247134A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18713485A JPS6247134A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247134A true JPS6247134A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16200715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18713485A Pending JPS6247134A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156523A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Corp | 縦型ウェハーボート |
| US5595604A (en) * | 1994-09-30 | 1997-01-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer supporting boat |
| US8211235B2 (en) * | 2005-03-04 | 2012-07-03 | Picosun Oy | Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18713485A patent/JPS6247134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156523A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Corp | 縦型ウェハーボート |
| US5595604A (en) * | 1994-09-30 | 1997-01-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer supporting boat |
| US8211235B2 (en) * | 2005-03-04 | 2012-07-03 | Picosun Oy | Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces |
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