JPS6246631B2 - - Google Patents
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- JPS6246631B2 JPS6246631B2 JP27754385A JP27754385A JPS6246631B2 JP S6246631 B2 JPS6246631 B2 JP S6246631B2 JP 27754385 A JP27754385 A JP 27754385A JP 27754385 A JP27754385 A JP 27754385A JP S6246631 B2 JPS6246631 B2 JP S6246631B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
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- H01J37/3429—Plural materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、スパツタリングターゲツトに関し、
特に複数個に分割したターゲツト片をカソード電
極上に接着した構造のスパツタリングターゲツト
の改良に係わる。
特に複数個に分割したターゲツト片をカソード電
極上に接着した構造のスパツタリングターゲツト
の改良に係わる。
合金膜の形成技術としては、スパツタリング技
術が知られている。こうしたスパツタリング技術
において、モリブデンとシリコンのように予め化
学量論から外れる組成比で均一な成分のターゲツ
ト本体を作製するのが困難な場合には、複数個に
分割されたターゲツト片が使用されている。
術が知られている。こうしたスパツタリング技術
において、モリブデンとシリコンのように予め化
学量論から外れる組成比で均一な成分のターゲツ
ト本体を作製するのが困難な場合には、複数個に
分割されたターゲツト片が使用されている。
上記ターゲツト片を組合わせたターゲツト本体
を有するターゲツトとしては、従来より例えば第
７図に示すように複数個の楔形のシリコン片１ａ
とモリブデン片１ｂとを交互に組合わせて円板状
とした、いわゆるモザイク状ターゲツト本体２を
用い、このターゲツト本体２を第８図に示すよう
にカソード電極３上に配置し、中心部と外周部と
をネジ４ａ，４ｂを有する止め金具５ａ，５ｂに
より固定した構造のものが知られている。また、
直方体のシリコン片とモリブデン片とを交互に組
合わせてモザイク状ターゲツト本体をし、このタ
ーゲツト本体を同様にカソード電極上に治具によ
り固定したターゲツトも知られている。しかしな
がら、第８図に示す構造のターゲツトではターゲ
ツト本体２とカソード電極３との固定をネジ３
ａ，３ｂ及び止め金具４ａ，４ｂによるネジ止め
方式を採用しているため、ターゲツト本体２の冷
却効率が低く、しかも各シリコン片１ａ及びモリ
ブデン片１ｂのカソード電極３に対する接触イン
ピーダンスが不揃いとなり、スパツタリングの不
均一化、組成比のばらつきを招く欠点があつた。
を有するターゲツトとしては、従来より例えば第
７図に示すように複数個の楔形のシリコン片１ａ
とモリブデン片１ｂとを交互に組合わせて円板状
とした、いわゆるモザイク状ターゲツト本体２を
用い、このターゲツト本体２を第８図に示すよう
にカソード電極３上に配置し、中心部と外周部と
をネジ４ａ，４ｂを有する止め金具５ａ，５ｂに
より固定した構造のものが知られている。また、
直方体のシリコン片とモリブデン片とを交互に組
合わせてモザイク状ターゲツト本体をし、このタ
ーゲツト本体を同様にカソード電極上に治具によ
り固定したターゲツトも知られている。しかしな
がら、第８図に示す構造のターゲツトではターゲ
ツト本体２とカソード電極３との固定をネジ３
ａ，３ｂ及び止め金具４ａ，４ｂによるネジ止め
方式を採用しているため、ターゲツト本体２の冷
却効率が低く、しかも各シリコン片１ａ及びモリ
ブデン片１ｂのカソード電極３に対する接触イン
ピーダンスが不揃いとなり、スパツタリングの不
均一化、組成比のばらつきを招く欠点があつた。
このようなことから、第９図に示すように複数
個の分割したターゲツト片１からなるターゲツト
本体２をカソード電極３上に半田６を介して固定
することが考えられている。しかしながら、各タ
ーゲツト片１は非常に滑らかに作られているた
め、溶融した半田６でターゲツト本体２とカソー
ド電極３とを接着すると、同第９図に示すように
半田６が表面張力により隣接するターゲツト片
１、１間の側面から表面側に吸い上げられる。こ
うしたターゲツトを用いて膜堆積を行なうと、タ
ーゲツト本体２表面に吸い上げられた半田６も同
時にスパツタリングされるため、膜中に半田が不
純物として混入し、膜の純度を著しく低下させる
問題が起こる。
個の分割したターゲツト片１からなるターゲツト
本体２をカソード電極３上に半田６を介して固定
することが考えられている。しかしながら、各タ
ーゲツト片１は非常に滑らかに作られているた
め、溶融した半田６でターゲツト本体２とカソー
ド電極３とを接着すると、同第９図に示すように
半田６が表面張力により隣接するターゲツト片
１、１間の側面から表面側に吸い上げられる。こ
うしたターゲツトを用いて膜堆積を行なうと、タ
ーゲツト本体２表面に吸い上げられた半田６も同
時にスパツタリングされるため、膜中に半田が不
純物として混入し、膜の純度を著しく低下させる
問題が起こる。
本発明は、ターゲツト本体をカソード電極上に
半田等の溶融金属、溶融合金により接着、固定す
る際、該本体を構成する隣接したターゲツト片の
間から半田等が表面張力により該本体表面側に吸
い上げられるのを防止したスパツタリングターゲ
ツトを提供しようとするものである。
半田等の溶融金属、溶融合金により接着、固定す
る際、該本体を構成する隣接したターゲツト片の
間から半田等が表面張力により該本体表面側に吸
い上げられるのを防止したスパツタリングターゲ
ツトを提供しようとするものである。
本発明は、複数個に分割されたターゲツト片を
カソード電極上にそれら側面が互いに接触するよ
うに並べ、溶融金属又は溶融合金により各ターゲ
ツト片とカソード電極とを接着した構造のスパツ
タリングターゲツトにおいて、前記各ターゲツト
片におけるカソード電極との接着面と側面とが交
差する端部の少なくとも一方に面取り加工を施し
たことを特徴とするものである。かかる本発明に
よれば、既述の如くターゲツト本体をカソード電
極上に半田等の溶融金属、溶融合金により接着、
固定する際、該本体を構成する隣接したターゲツ
ト片の間から半田等が表面張力により該本体表面
側に吸い上げられるのを防止でき、半田等の不純
物の混入のない高純度の膜堆積が可能なスパツタ
リングターゲツトを得ることができる。
カソード電極上にそれら側面が互いに接触するよ
うに並べ、溶融金属又は溶融合金により各ターゲ
ツト片とカソード電極とを接着した構造のスパツ
タリングターゲツトにおいて、前記各ターゲツト
片におけるカソード電極との接着面と側面とが交
差する端部の少なくとも一方に面取り加工を施し
たことを特徴とするものである。かかる本発明に
よれば、既述の如くターゲツト本体をカソード電
極上に半田等の溶融金属、溶融合金により接着、
固定する際、該本体を構成する隣接したターゲツ
ト片の間から半田等が表面張力により該本体表面
側に吸い上げられるのを防止でき、半田等の不純
物の混入のない高純度の膜堆積が可能なスパツタ
リングターゲツトを得ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図〜第３図を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
図中の１１は、円板状のカソード電極であり、
このカソード電極１１上には第３図に示すように
円板形をなすモザイク状ターゲツト本体１２が半
田１３を介して接着、固定されている。前記ター
ゲツト本体１２は、第２図に示す平面が扇形状を
なす楔形のシリコン片１４ａとモリブデン片１４
ｂを交互に隣接する側面が接触すように配置する
ことにより構成されている。また、前記各シリコ
ン片１４ａ、モリブデン片１４ｂは同第２図に示
すようにカソード電極１１との接着面と側面とが
交差する両端部に平面的な面取り部１５，１５が
形成されている。
このカソード電極１１上には第３図に示すように
円板形をなすモザイク状ターゲツト本体１２が半
田１３を介して接着、固定されている。前記ター
ゲツト本体１２は、第２図に示す平面が扇形状を
なす楔形のシリコン片１４ａとモリブデン片１４
ｂを交互に隣接する側面が接触すように配置する
ことにより構成されている。また、前記各シリコ
ン片１４ａ、モリブデン片１４ｂは同第２図に示
すようにカソード電極１１との接着面と側面とが
交差する両端部に平面的な面取り部１５，１５が
形成されている。
このようにターゲツト本体１２を構成する各シ
リコン片１４ａ、モリブデン片１４ｂを第２図に
示すようにカソード電極１１との接着面と側面と
が交差する両端部に平面的な面取り部１５，１５
を形成した構造にすることによつて、ターゲツト
本体１２をカソード電極１１上に半田１３を介し
て接着した場合、第３図に示すように半田１３が
前記面取り部１５，１５により形成される空間内
に溜まり、シリコン片１４ａとモリブデン片１４
ｂの間を通つてターゲツト本体１２上に吸い上げ
られるのを防止できる。従つて、かかるターゲツ
トを用いて膜堆積を行なつた場合、ターゲツト本
体１２表面への半田１３の吸い上りがないため、
膜中に半田が不純物として混入することなく、高
純度のモリブデンシリサイド膜を堆積できる。ま
た、ターゲツト本体１２は、カソード電極１１に
半田１３により接着、固定されているため、ター
ゲツト本体１２の冷却効率を向上でき、しかも各
シリコン片１４ａ、各モリブデン片１４ｂのカソ
ード電極１１への接触インピーダンスが均一とな
り、スパツタリングの均一化により所定の組成比
を有するモリブデンシリサイド膜を堆積できる。
リコン片１４ａ、モリブデン片１４ｂを第２図に
示すようにカソード電極１１との接着面と側面と
が交差する両端部に平面的な面取り部１５，１５
を形成した構造にすることによつて、ターゲツト
本体１２をカソード電極１１上に半田１３を介し
て接着した場合、第３図に示すように半田１３が
前記面取り部１５，１５により形成される空間内
に溜まり、シリコン片１４ａとモリブデン片１４
ｂの間を通つてターゲツト本体１２上に吸い上げ
られるのを防止できる。従つて、かかるターゲツ
トを用いて膜堆積を行なつた場合、ターゲツト本
体１２表面への半田１３の吸い上りがないため、
膜中に半田が不純物として混入することなく、高
純度のモリブデンシリサイド膜を堆積できる。ま
た、ターゲツト本体１２は、カソード電極１１に
半田１３により接着、固定されているため、ター
ゲツト本体１２の冷却効率を向上でき、しかも各
シリコン片１４ａ、各モリブデン片１４ｂのカソ
ード電極１１への接触インピーダンスが均一とな
り、スパツタリングの均一化により所定の組成比
を有するモリブデンシリサイド膜を堆積できる。
なお、上記実施例ではターゲツト片への面取り
加工をカソード電極との接着面と側面とが交差す
る両端部に施したが、第４図に示すようにカソー
ド電極１１との接着面と側面とが交差する一方の
端部に平面的な面取り部１５を形成したシリコン
片１４ａ、モリブデン片１４ｂ（ここではシリコ
ン片１４ａへの面取り部は示していない）を用い
ても実施例と同様な効果を達成できる。また、第
５図に示すようにシリコン片１４ａ、モリブデン
片１４ｂに丸みを付けた面取り部１５′を形成し
てもよい。
加工をカソード電極との接着面と側面とが交差す
る両端部に施したが、第４図に示すようにカソー
ド電極１１との接着面と側面とが交差する一方の
端部に平面的な面取り部１５を形成したシリコン
片１４ａ、モリブデン片１４ｂ（ここではシリコ
ン片１４ａへの面取り部は示していない）を用い
ても実施例と同様な効果を達成できる。また、第
５図に示すようにシリコン片１４ａ、モリブデン
片１４ｂに丸みを付けた面取り部１５′を形成し
てもよい。
上記実施例では、平面が扇状をなす楔形のター
ゲツト片を用いたが、第６図に示すように直方体
のターゲツト片１４を用いてもよい。
ゲツト片を用いたが、第６図に示すように直方体
のターゲツト片１４を用いてもよい。
上記実施例では、ターゲツト片としてシリコン
とモリブデンからなる２種のものを用いたが、他
の組合わせ、例えばシリコンとタングステン、シ
リコンとタンタル等のターゲツト片を使用しても
よい。
とモリブデンからなる２種のものを用いたが、他
の組合わせ、例えばシリコンとタングステン、シ
リコンとタンタル等のターゲツト片を使用しても
よい。
上記実施例ではカソード電極とターゲツト本体
との接着を半田により行なつたが、他の溶融合
金、溶融金属で接着してもよい。
との接着を半田により行なつたが、他の溶融合
金、溶融金属で接着してもよい。
以上詳述した如く、本発明によればターゲツト
本体をカソード電極上に半田等の溶融金属、溶融
合金により接着、固定する際、該本体を構成する
隣接したターゲツト片の間から半田等が表面張力
により該本体表面側に吸い上げられるのを防止
し、ひいてはターゲツト本体の冷却効率の向上、
各ターゲツト片とカソード電極との接触インピー
ダンスの改善はもとより接着合金等の混入のない
高純度の膜堆積を達成し得るスパツタリングター
ゲツトを提供できる。
本体をカソード電極上に半田等の溶融金属、溶融
合金により接着、固定する際、該本体を構成する
隣接したターゲツト片の間から半田等が表面張力
により該本体表面側に吸い上げられるのを防止
し、ひいてはターゲツト本体の冷却効率の向上、
各ターゲツト片とカソード電極との接触インピー
ダンスの改善はもとより接着合金等の混入のない
高純度の膜堆積を達成し得るスパツタリングター
ゲツトを提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示すターゲツトの
斜視図、第２図は第１図のターゲツト本体を構成
するターゲツト片を示す斜視図、第３図は第１図
のターゲツトの断面図、第４図及び第５図は本発
明の他の実施例を示すターゲツトの断面図、第６
図は本発明の更に他の実施例を示すターゲツト片
の斜視図、第７図は円板形のモザイク状ターゲツ
ト本体を示す斜視図、第８図は従来のネジ止め方
式により第７図図示のターゲツト本体をカソード
電極に固定したターゲツトを示す斜視図、第９図
は従来の半田によるターゲツト本体とカソード電
極とを接着、固定したターゲツトを示す断面図で
ある。 １１……カソード電極、１２……モザイク状タ
ーゲツト本体、１３……半田、１４ａ……シリコ
ン片、１４ｂ……モリブデン片、１４……ターゲ
ツト片、１５，１５′……面取り部。
斜視図、第２図は第１図のターゲツト本体を構成
するターゲツト片を示す斜視図、第３図は第１図
のターゲツトの断面図、第４図及び第５図は本発
明の他の実施例を示すターゲツトの断面図、第６
図は本発明の更に他の実施例を示すターゲツト片
の斜視図、第７図は円板形のモザイク状ターゲツ
ト本体を示す斜視図、第８図は従来のネジ止め方
式により第７図図示のターゲツト本体をカソード
電極に固定したターゲツトを示す斜視図、第９図
は従来の半田によるターゲツト本体とカソード電
極とを接着、固定したターゲツトを示す断面図で
ある。 １１……カソード電極、１２……モザイク状タ
ーゲツト本体、１３……半田、１４ａ……シリコ
ン片、１４ｂ……モリブデン片、１４……ターゲ
ツト片、１５，１５′……面取り部。
Claims (1)
- １ 複数個に分割されたターゲツト片をカソード
電極上にそれら側面が互いに接触するように並
べ、溶融金属又は溶融合金により各ターゲツト片
とカソード電極とを接着した構造のスパツタリン
グターゲツトにおいて、前記各ターゲツト片にお
けるカソード電極との接着面と側面とが交差する
端部の少なくとも一方に面取り加工を施したこと
を特微とするスパツタリングターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27754385A JPS62136564A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27754385A JPS62136564A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136564A JPS62136564A (ja) | 1987-06-19 |
| JPS6246631B2 true JPS6246631B2 (ja) | 1987-10-02 |
Family
ID=17585009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27754385A Granted JPS62136564A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136564A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970033327A (ko) * | 1995-12-28 | 1997-07-22 | 김익명 | 인듐 주석 산화물 타켓의 제조 방법 |
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27754385A patent/JPS62136564A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136564A (ja) | 1987-06-19 |
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