JPS6245083A - レ−ザダイオ−ド用定出力エ−ジング装置 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド用定出力エ−ジング装置Info
- Publication number
- JPS6245083A JPS6245083A JP18472085A JP18472085A JPS6245083A JP S6245083 A JPS6245083 A JP S6245083A JP 18472085 A JP18472085 A JP 18472085A JP 18472085 A JP18472085 A JP 18472085A JP S6245083 A JPS6245083 A JP S6245083A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- circuit
- laser diode
- constant
- sampling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0021—Degradation or life time measurements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザダイオードのスクリーニン名寿命試嵌
などの用途に用いられるエージング装置直に係り、特に
加速定出力の条件で行なうことのできるエージング装置
に関する。
などの用途に用いられるエージング装置直に係り、特に
加速定出力の条件で行なうことのできるエージング装置
に関する。
レーザダイオードの電流対光出力特性は温度依存性が大
きいので、単にバイアス電流を一定値に制御するだけで
は、レーザダイオードを先出カ一定の条件でエージング
することができない。そこで通常、ホトダイオードでレ
ーザダイオードの光出力を検出し、この出力値と基準値
との差を差動増幅器で求め、上記差動増幅器の出力で、
レーザダイオードの定′４＃、バイアス回路金負帰還制
御することで、レーザダイオードの光出力を一定にしエ
ージングを行なっていた。
きいので、単にバイアス電流を一定値に制御するだけで
は、レーザダイオードを先出カ一定の条件でエージング
することができない。そこで通常、ホトダイオードでレ
ーザダイオードの光出力を検出し、この出力値と基準値
との差を差動増幅器で求め、上記差動増幅器の出力で、
レーザダイオードの定′４＃、バイアス回路金負帰還制
御することで、レーザダイオードの光出力を一定にしエ
ージングを行なっていた。
上記のエージング装置は、一般に加速エージング全行な
うためにレーザダイオードとホトダイオードとを恒温槽
に入れて２温度を高くしてエージングする。このような
場仕、恒ｖＡ偕に収容するレーザダイオード、ホトダイ
オードへの入出力導線が長くなるので、酵導錐音などが
導線にのりやすい。ホトダイオードの出力寛匠は微弱で
あるから、特に問題である。恒温槽で、加熱ヒータおよ
びモータの運転用大電流が断続さｎる時に、発生する雑
音が、ホトダイオードの出力電流に重畳し、エージング
装置が異常動作全なし、しばしば被試験レーザダイオー
ド全破壊することがある。
うためにレーザダイオードとホトダイオードとを恒温槽
に入れて２温度を高くしてエージングする。このような
場仕、恒ｖＡ偕に収容するレーザダイオード、ホトダイ
オードへの入出力導線が長くなるので、酵導錐音などが
導線にのりやすい。ホトダイオードの出力寛匠は微弱で
あるから、特に問題である。恒温槽で、加熱ヒータおよ
びモータの運転用大電流が断続さｎる時に、発生する雑
音が、ホトダイオードの出力電流に重畳し、エージング
装置が異常動作全なし、しばしば被試験レーザダイオー
ド全破壊することがある。
本発明の目的は、上記の欠点全除去し、恒温槽のヒータ
・モータなどの人を流断続による影＃をうけない定出力
エージング装置全提供することにある。
・モータなどの人を流断続による影＃をうけない定出力
エージング装置全提供することにある。
本発明の定出力エージング装置は、被試験レーザダイオ
ードの光出力全検出するホトダイオードの出力を基準値
と差動増幅器で比較し、該差動出力により前記レーザダ
イオードのバイアス電流を供給する定電流バイアス回路
を制御する袈直において、前記差ｗＪ増幅器の出力を一
定時間間隔ごとにサンプルするサンプリング回路と、該
サンプリング回路の出力を人力するアナログメモリ回路
とを設け、該アナログメモリ回路の出力により前記定電
流バイアス回路を制御するようにしたものである。
ードの光出力全検出するホトダイオードの出力を基準値
と差動増幅器で比較し、該差動出力により前記レーザダ
イオードのバイアス電流を供給する定電流バイアス回路
を制御する袈直において、前記差ｗＪ増幅器の出力を一
定時間間隔ごとにサンプルするサンプリング回路と、該
サンプリング回路の出力を人力するアナログメモリ回路
とを設け、該アナログメモリ回路の出力により前記定電
流バイアス回路を制御するようにしたものである。
本発明においては、差＠増幅器の出力を一定時間間隔ご
とに、短かいサンプリング時間でサンプリングして、そ
の値をアナログメモリ回路で保持し、その出力により定
電流バイアス回路を制御する。本発明のエージング装置
は、被試験レーザダイオードの光出力が一定になるよう
に、その定電流バイアスを制御するが、制御方式はサン
プル値制御で、恒温槽のヒータ・モータの電流断続に起
因する誘導雑音の影ｑ！Ｉを減少している。
とに、短かいサンプリング時間でサンプリングして、そ
の値をアナログメモリ回路で保持し、その出力により定
電流バイアス回路を制御する。本発明のエージング装置
は、被試験レーザダイオードの光出力が一定になるよう
に、その定電流バイアスを制御するが、制御方式はサン
プル値制御で、恒温槽のヒータ・モータの電流断続に起
因する誘導雑音の影ｑ！Ｉを減少している。
以下、第１図を参照して、本発明の一実施例につき説明
する。レーザダイオード１は恒温槽３内におかｎ、一定
光出力の条件でエージング試験？する。
する。レーザダイオード１は恒温槽３内におかｎ、一定
光出力の条件でエージング試験？する。
光出力は、恒温４１５内におかｆしたホトダイ万一ド２
１Ｃよって検出さル、その検出出力は、艮くのび几ケー
ブルで差動増幅器４に入力する。
１Ｃよって検出さル、その検出出力は、艮くのび几ケー
ブルで差動増幅器４に入力する。
基準電圧源５の基準値出力と比較し、その差出力全サン
プリング回路６１Ｃ４（。サンプリング回路６ぽ、スイ
ッチを一定時間間隔△Ｔごとに導通させて、サンプリン
グする。サンプリング出力６ａによって、アナグロメモ
リ回１１ｉ＋！）７に保持される埴が修正さｎる。定電
流パイアユ回路８ｉｌｉアナログメモリ回路７の出力値
に対応するバイアス電流をレーザダイオード１に供給す
る。
プリング回路６１Ｃ４（。サンプリング回路６ぽ、スイ
ッチを一定時間間隔△Ｔごとに導通させて、サンプリン
グする。サンプリング出力６ａによって、アナグロメモ
リ回１１ｉ＋！）７に保持される埴が修正さｎる。定電
流パイアユ回路８ｉｌｉアナログメモリ回路７の出力値
に対応するバイアス電流をレーザダイオード１に供給す
る。
以上の動作によって、ホトダイオード２の検知出力が一
定値になるように、レーザダイオード１のバイアス電流
が決まる力為ら、レーザダイオード１は先出カ一定の条
件でエージングされる。
定値になるように、レーザダイオード１のバイアス電流
が決まる力為ら、レーザダイオード１は先出カ一定の条
件でエージングされる。
本発明は、負帰還によりレーザダイオードの光出力全検
出にしているから、加速エージング装置のように′ＲＬ
流対流出光出力特性度により異なる場合にも、有効に動
作する。刀口速エージンダのようにレーザダイオードを
恒温槽に入れて試験する場合に問題になると一層やモー
タの電流断続に起因する誘導雑音の影響も、差動増幅器
の出力をサンプリングすることによって除去することが
できる。
出にしているから、加速エージング装置のように′ＲＬ
流対流出光出力特性度により異なる場合にも、有効に動
作する。刀口速エージンダのようにレーザダイオードを
恒温槽に入れて試験する場合に問題になると一層やモー
タの電流断続に起因する誘導雑音の影響も、差動増幅器
の出力をサンプリングすることによって除去することが
できる。
すなわち、前記誘導雑音は、その発生に時間間隔をおい
て生ずることが多い。し友がって一定時間間隔ごとに差
動増幅器の出力をサンプリングすれば、一般にサンプリ
ング時間が短かく、しかも前記誘導雑音発生区間にあた
ることが少ない。また仮りに誘導雑音発生区間に必たっ
ても、サンプリング時間が短かいので、その影響が少な
い。
て生ずることが多い。し友がって一定時間間隔ごとに差
動増幅器の出力をサンプリングすれば、一般にサンプリ
ング時間が短かく、しかも前記誘導雑音発生区間にあた
ることが少ない。また仮りに誘導雑音発生区間に必たっ
ても、サンプリング時間が短かいので、その影響が少な
い。
実施例では、ホトダイオードの出力全直接差動増幅回路
に入力していたが、平滑回路全弁して、充分長期間の平
均値會うる工うにすれば、より一層雑音の影響會除未す
ることができる。
に入力していたが、平滑回路全弁して、充分長期間の平
均値會うる工うにすれば、より一層雑音の影響會除未す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例の回路ブロック図である。
１・・・レーザダイオード、 ２・・・ホトダイオー
ド６・・・恒温槽、 ４・・・差動増幅器、５
・・・基準電圧源、 ６・・・サンプリング回路
、７・・・アナログメモリ回路、 ８・・・定電流ノ（
イアス回路。
ド６・・・恒温槽、 ４・・・差動増幅器、５
・・・基準電圧源、 ６・・・サンプリング回路
、７・・・アナログメモリ回路、 ８・・・定電流ノ（
イアス回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被試験レーザダイオードの光出力を検出するホトダイオ
ードの出力を、基準値と差動増幅器で比較し、該差動出
力により前記レーザダイオードのバイアス電流を供給す
る定電流バイアス回路を制御する装置において、 前記差動増幅器の出力を一定時間間隔ごとにサンプルす
るサンプリング回路と、該サンプリング回路の出力を入
力するアナログメモリ回路とを設け、該アナログメモリ
回路の出力により前記定電流バイアス回路を制御するこ
とを特徴とするレーザダイオード用定出力エージング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18472085A JPS6245083A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | レ−ザダイオ−ド用定出力エ−ジング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18472085A JPS6245083A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | レ−ザダイオ−ド用定出力エ−ジング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245083A true JPS6245083A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16158182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18472085A Pending JPS6245083A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | レ−ザダイオ−ド用定出力エ−ジング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444659U (ja) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP18472085A patent/JPS6245083A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444659U (ja) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 |
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