JPS5999368A - 半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置 - Google Patents
半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS5999368A JPS5999368A JP21115382A JP21115382A JPS5999368A JP S5999368 A JPS5999368 A JP S5999368A JP 21115382 A JP21115382 A JP 21115382A JP 21115382 A JP21115382 A JP 21115382A JP S5999368 A JPS5999368 A JP S5999368A
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- Japan
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- voltage
- measuring
- value
- semiconductor element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置に
係り、特に、ダイオード等の半導体素子のブレークダウ
ン電圧を簡単に測定する方法及びその測定装置に関する
。
係り、特に、ダイオード等の半導体素子のブレークダウ
ン電圧を簡単に測定する方法及びその測定装置に関する
。
一般に、ダイオードのブレークダウン電圧（Ｂ■）の測
定には、高電圧定電流電源、高電圧測定回路等の装備が
必要である。このような装備は複雑であり、調整が面倒
であるとともに、高価であり、ダイオード等製造検査ラ
インに設置するには不向きであった。
定には、高電圧定電流電源、高電圧測定回路等の装備が
必要である。このような装備は複雑であり、調整が面倒
であるとともに、高価であり、ダイオード等製造検査ラ
インに設置するには不向きであった。
この発明ｉま、測定を簡略化して測定作業を容易にする
とともに、測定時間の短縮化を可能にした半導体素子の
逆電圧測定方法と、この測定方法に使用する装置とを提
供するものである。
とともに、測定時間の短縮化を可能にした半導体素子の
逆電圧測定方法と、この測定方法に使用する装置とを提
供するものである。
この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。第
１図はこの拠明の半導体素子の逆電圧測定装置の実施例
を示している。図において、測定端子２．４の間には被
測定半導体素子としてダイオード６が高電圧側をカソー
ドにして、即ち逆極性で接続されている。測定端子２と
基準電位点との間には、出力電圧が段階的に加減可能に
された定電圧電源装置８が接続されている。この実施例
の定電圧電源装置８は、出力電圧の段階的変化幅及び印
加する時間間隔が測定制御装置１０で制御されるように
成っている。
１図はこの拠明の半導体素子の逆電圧測定装置の実施例
を示している。図において、測定端子２．４の間には被
測定半導体素子としてダイオード６が高電圧側をカソー
ドにして、即ち逆極性で接続されている。測定端子２と
基準電位点との間には、出力電圧が段階的に加減可能に
された定電圧電源装置８が接続されている。この実施例
の定電圧電源装置８は、出力電圧の段階的変化幅及び印
加する時間間隔が測定制御装置１０で制御されるように
成っている。
また、測定端子４には電流計としての第１のコンパレー
タ１２の反転入力端子（−）が接続されている。このコ
ンパレータ１２の反転入力端子（−）と出力側端子との
間には可変抵抗１４が挿入され、非反転入力端子（＋）
は基準電位点に接続されている。さらに、コンパレータ
１２の出力側端子と基準電位点との間には、抵抗１６を
介して可変型ｔｆｉ１ Ｂが接続されるとともに、電流
検出ｍｌ路としての第２のコンパレータ２０の反転入力
端子（−）が接続されている。
タ１２の反転入力端子（−）が接続されている。このコ
ンパレータ１２の反転入力端子（−）と出力側端子との
間には可変抵抗１４が挿入され、非反転入力端子（＋）
は基準電位点に接続されている。さらに、コンパレータ
１２の出力側端子と基準電位点との間には、抵抗１６を
介して可変型ｔｆｉ１ Ｂが接続されるとともに、電流
検出ｍｌ路としての第２のコンパレータ２０の反転入力
端子（−）が接続されている。
このコンパレータ２０の反転入力端子（−）と基準電位
点との間には、前記可変電源１８が接続されており、こ
の可変電源１８で設定される電圧値を越える電圧が反転
入力端子（−）に印加されたとき、その出力が反転する
ように成っている。
点との間には、前記可変電源１８が接続されており、こ
の可変電源１８で設定される電圧値を越える電圧が反転
入力端子（−）に印加されたとき、その出力が反転する
ように成っている。
このコンパレータ２０の反転入力端子（−）と出力側端
子との間には抵抗２２が接続され、非反転入力端子（＋
）は基準電位点に接続されている。
子との間には抵抗２２が接続され、非反転入力端子（＋
）は基準電位点に接続されている。
このコンパレータ２０の出力側端子には前記測定制御回
路１０が接続され、コンパレーク２０の反転出力に応動
して測定結果を出力端子２４から発生するように成って
いる。
路１０が接続され、コンパレーク２０の反転出力に応動
して測定結果を出力端子２４から発生するように成って
いる。
以上のように構成した測定装置に基づき、この発明の半
導体素子の逆電圧測定方法を第２図を参照して説明する
。第２図は測定端子２．４間に印加される電圧の時間的
変化を示し、横軸は時間（Ｔ）、縦軸は電圧変化（Ｖ）
を示している。即ち、測定端子２には可変電源１８の測
定制御装置１０を操作して電圧を印加し、この印加電圧
は一定の時間間隔で段階的な電圧変化で印加電圧値を上
昇させる。この場合、印加電圧が低いＯＶの近傍では、
測定効率を上げるため、比較的大きい変化で電圧■１を
時間間隔ＴＩで印加し、次いで、印加電圧値を電圧Ｖ２
（＜Ｖｌ）ずつ段階的に時間間隔Ｔ２（＜ＴＩ）で
上昇させる。
導体素子の逆電圧測定方法を第２図を参照して説明する
。第２図は測定端子２．４間に印加される電圧の時間的
変化を示し、横軸は時間（Ｔ）、縦軸は電圧変化（Ｖ）
を示している。即ち、測定端子２には可変電源１８の測
定制御装置１０を操作して電圧を印加し、この印加電圧
は一定の時間間隔で段階的な電圧変化で印加電圧値を上
昇させる。この場合、印加電圧が低いＯＶの近傍では、
測定効率を上げるため、比較的大きい変化で電圧■１を
時間間隔ＴＩで印加し、次いで、印加電圧値を電圧Ｖ２
（＜Ｖｌ）ずつ段階的に時間間隔Ｔ２（＜ＴＩ）で
上昇させる。
電流検出回路としてのコンパレーク１２はダイオード６
に流れる漏れ電流を検出し、この電流を外部から測定す
るものとする。また、コンパレーク２０には予め可変電
源１８でブレークダウン電圧の電流値を設定して置くも
のとする。即ち、ダイオード６の漏れ電流が印加電圧の
上昇に伴って増加し、この電流が設定値を越えると、コ
ンパレーク２０の出力は反転する。
に流れる漏れ電流を検出し、この電流を外部から測定す
るものとする。また、コンパレーク２０には予め可変電
源１８でブレークダウン電圧の電流値を設定して置くも
のとする。即ち、ダイオード６の漏れ電流が印加電圧の
上昇に伴って増加し、この電流が設定値を越えると、コ
ンパレーク２０の出力は反転する。
このようにしてコンパレータ２０の出力が反転した点の
印加電圧を基準にして印加電圧を前記電圧Ｖ１、■２よ
り小さい電圧■３の値の変化に設定して段階的に低下さ
せ、コンパレータ２０の出力が反転したときの印加電圧
の値が逆電圧、即ちブレークダウン電圧ＢＶとなる。こ
の電圧は測定制御装置１０で検出され、出力端子２４か
ら取り出すことができる。
印加電圧を基準にして印加電圧を前記電圧Ｖ１、■２よ
り小さい電圧■３の値の変化に設定して段階的に低下さ
せ、コンパレータ２０の出力が反転したときの印加電圧
の値が逆電圧、即ちブレークダウン電圧ＢＶとなる。こ
の電圧は測定制御装置１０で検出され、出力端子２４か
ら取り出すことができる。
このようにダイオード６の端子間に逆極性の電圧を印加
し、この電圧を一定の時間間隔で一定値（Ｖｌ、Ｖ２）
ずつ段階的に上昇させるとともＧこ、半導体素子に流れ
る漏れ電流を検出し、この電流値が設定電流値を越えた
ときの電圧値から前記電圧変化より小さく設定した電圧
Ｖ３による段階的変化で印加電圧を低下させ、前記漏れ
電流が増加する点の電圧を測定することにより、そのブ
レークダウン電圧ＢＶが得られる。従って、このような
測定方法によれば、逆電圧の測定が簡略化され、測定作
業が容易に成るとともに、測定時間が短縮化できる。特
に、従来のような面倒な調整作業が不要であり、ダイオ
ードだけでなく、各種の半導体素子の逆電圧の測定もで
きる。
し、この電圧を一定の時間間隔で一定値（Ｖｌ、Ｖ２）
ずつ段階的に上昇させるとともＧこ、半導体素子に流れ
る漏れ電流を検出し、この電流値が設定電流値を越えた
ときの電圧値から前記電圧変化より小さく設定した電圧
Ｖ３による段階的変化で印加電圧を低下させ、前記漏れ
電流が増加する点の電圧を測定することにより、そのブ
レークダウン電圧ＢＶが得られる。従って、このような
測定方法によれば、逆電圧の測定が簡略化され、測定作
業が容易に成るとともに、測定時間が短縮化できる。特
に、従来のような面倒な調整作業が不要であり、ダイオ
ードだけでなく、各種の半導体素子の逆電圧の測定もで
きる。
また、このような測定装置では、構成が簡単であるとも
に１．従来の漏れ電流の測定回路を利用して構成するこ
とができる。
に１．従来の漏れ電流の測定回路を利用して構成するこ
とができる。
なお、実施例では電圧ｖ３を設定し°ζブレークダウン
電圧の測定を行っているので、その測定精度が向上する
が、精密測定が要請されない場合には、電圧Ｖ３の設定
は省略してもある程度の測定は可能である。
電圧の測定を行っているので、その測定精度が向上する
が、精密測定が要請されない場合には、電圧Ｖ３の設定
は省略してもある程度の測定は可能である。
第３図は前記測定制御装置１０の実施例を示している。
この実施例の測定制御装置１０には、コンパレータ２０
の出力信号の取込み、定電圧電源装置８の制御出力の発
生並びに測定値を出力する入出力装置（Ｉｌｏ）２６が
設置され、この入出力装置２６は中央演算装置２８で制
御されるようになっている。この中央演算装置（ＣＰＵ
）２８は、読出し専用のメモリ （ＲＯＭ）３０に記憶
されている前記測定方法の制御プログラムに従って演算
し、この結果、前記電圧■１、■２、Ｖ３及び時間間隔
Ｔ Ｉ ％ Ｔ ２が設定される。また、読出し書込み
可能なメモリ （ＲＡＭ）３２は前記制御プログラムに
従って読出し、及び書込みが制御され、入出力装置２６
から読込まれた印加電圧の値が読込む毎に更新されて記
憶され、この値は入出力装置２６に出力される。
の出力信号の取込み、定電圧電源装置８の制御出力の発
生並びに測定値を出力する入出力装置（Ｉｌｏ）２６が
設置され、この入出力装置２６は中央演算装置２８で制
御されるようになっている。この中央演算装置（ＣＰＵ
）２８は、読出し専用のメモリ （ＲＯＭ）３０に記憶
されている前記測定方法の制御プログラムに従って演算
し、この結果、前記電圧■１、■２、Ｖ３及び時間間隔
Ｔ Ｉ ％ Ｔ ２が設定される。また、読出し書込み
可能なメモリ （ＲＡＭ）３２は前記制御プログラムに
従って読出し、及び書込みが制御され、入出力装置２６
から読込まれた印加電圧の値が読込む毎に更新されて記
憶され、この値は入出力装置２６に出力される。
入出力装置２６の出力側にはデジタルアナログ変換器（
Ｄ／Ａ）３４が設置され、入出力装置２６の出力はアナ
ログ量に変換されて出力端子２４から取り出すことがで
きる。即ち、コンパレータ２０が反転した時点の電圧値
はメモリ３２から読出され、逆電圧値として出力される
ことになる。
Ｄ／Ａ）３４が設置され、入出力装置２６の出力はアナ
ログ量に変換されて出力端子２４から取り出すことがで
きる。即ち、コンパレータ２０が反転した時点の電圧値
はメモリ３２から読出され、逆電圧値として出力される
ことになる。
このような測定制御装置によれば、所望の電圧変化及び
時間間隔を設定し、精度の高い測定を行うことができる
。
時間間隔を設定し、精度の高い測定を行うことができる
。
以上説明したようにこの発明の測定方法によれば、測定
を簡略化して測定作業を容易にするとともに、測定時間
の短縮化ができる。
を簡略化して測定作業を容易にするとともに、測定時間
の短縮化ができる。
また、この発明の測定装置によれば、構成の簡略化がで
きるとともに、精度の高い測定を行うことができる。
きるとともに、精度の高い測定を行うことができる。
第１図はこの発明の半導体素子の逆電圧測定装置の実施
例を示すブロック図、第２図はこの発明の半導体素子の
逆電圧測定方法を示す説明図、第３図は測定制御装置を
示すブロック図である。 ６・・・半導体素子としてのダイオード、８・・・定電
圧電源装置、１０・・・測定制御装置、２０・・・電流
検出回路としてのコンパレータ。 第１図 ゴ ４ 第２図 ３３３ 第３図 十
例を示すブロック図、第２図はこの発明の半導体素子の
逆電圧測定方法を示す説明図、第３図は測定制御装置を
示すブロック図である。 ６・・・半導体素子としてのダイオード、８・・・定電
圧電源装置、１０・・・測定制御装置、２０・・・電流
検出回路としてのコンパレータ。 第１図 ゴ ４ 第２図 ３３３ 第３図 十
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１半導体素子の端子間に逆極性の電圧を印加し、こ
の電圧を一定の時間間隔及び電圧変化で段階的に上昇さ
せるとともに、半導体素子に流れる漏れ電流を検出し、
この電流値が設定電流値を越えたときの電圧値から前記
電圧変化より小さく設定した段階的変化で印加電圧を低
下させ、前記漏れ電流が増加する点の電圧を測定するこ
とを特徴とする半導体素子の逆電圧測定方法。 （２）半導体素子の端子間に逆極性の電圧を印加すると
ともにその印加電圧を一定の段階で加減可能にされた電
源装置と、この電源装置の出力電圧を一定の時間間隔で
一定値ずつ加減する測定制御装置と、前記半導体素子に
流れる漏れ電流が一定の電流値を越えたことを検出する
とともにこの検出出力を前記制御装置に与える電流検出
回路とを具備したことを特徴とする半導体素子の逆電圧
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21115382A JPS5999368A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21115382A JPS5999368A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999368A true JPS5999368A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16601259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21115382A Pending JPS5999368A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の逆電圧測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195277A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体素子の特性測定方法 |
| JP2017505465A (ja) * | 2014-12-26 | 2017-02-16 | 小米科技有限責任公司Ｘｉａｏｍｉ Ｉｎｃ． | 液晶ディスプレイの調整方法、装置、プログラム及び記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143681A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-14 | Omron Tateisi Electronics Co | Abaranshedenryusokuteisochi |
| JPS54139386A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Nec Corp | Trigger element peak point characteristic measuring unit |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21115382A patent/JPS5999368A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143681A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-14 | Omron Tateisi Electronics Co | Abaranshedenryusokuteisochi |
| JPS54139386A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Nec Corp | Trigger element peak point characteristic measuring unit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195277A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体素子の特性測定方法 |
| JP2017505465A (ja) * | 2014-12-26 | 2017-02-16 | 小米科技有限責任公司Ｘｉａｏｍｉ Ｉｎｃ． | 液晶ディスプレイの調整方法、装置、プログラム及び記録媒体 |
| US10109248B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-10-23 | Xiaomi Inc. | Method and device for adjusting liquid crystal display |
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