JPS6245049A - ガラス封止電子部品の封止装置 - Google Patents
ガラス封止電子部品の封止装置Info
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- JPS6245049A JPS6245049A JP18491585A JP18491585A JPS6245049A JP S6245049 A JPS6245049 A JP S6245049A JP 18491585 A JP18491585 A JP 18491585A JP 18491585 A JP18491585 A JP 18491585A JP S6245049 A JPS6245049 A JP S6245049A
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- electronic component
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 15
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ガラスシールダイオードで代表されるガラス
封止電子部品をガラス封止する装置に関する。
封止電子部品をガラス封止する装置に関する。
(従来の技術)
従来、上記ガラス封止装置においては、第4図に示すよ
うに、ガラス封止電子部品単位の多数組を組立治具1に
整列装填したものを一個のワークWとして取扱っている
。
うに、ガラス封止電子部品単位の多数組を組立治具1に
整列装填したものを一個のワークWとして取扱っている
。
つまり、同図に示すように、上型1aと下型tbとから
なるカーボン製の組み立て治具1内に形成された多数の
部品装填穴2に、半導体素子のチップ3、これを上下か
ら挟持する一対のデュメット4.5、およびデュメット
4.5を内嵌するガラスチューブ6とからなるガラス封
止電子部品単位をそれぞれ装填し、上方のデュメット4
から導出されたリード線4aをガイド7によって変形阻
止した状態で、ガイド8を介して上下動自在に支持され
た適当重さく数グラム程度)のウェイト9をり−F14
aの上端に載せつけることによって、チップ3をデュメ
ット4,5間に適当圧力で挟持した状態に組立てて1個
のワークWを構成している。
なるカーボン製の組み立て治具1内に形成された多数の
部品装填穴2に、半導体素子のチップ3、これを上下か
ら挟持する一対のデュメット4.5、およびデュメット
4.5を内嵌するガラスチューブ6とからなるガラス封
止電子部品単位をそれぞれ装填し、上方のデュメット4
から導出されたリード線4aをガイド7によって変形阻
止した状態で、ガイド8を介して上下動自在に支持され
た適当重さく数グラム程度)のウェイト9をり−F14
aの上端に載せつけることによって、チップ3をデュメ
ット4,5間に適当圧力で挟持した状態に組立てて1個
のワークWを構成している。
このように組み立てられたワークWを加熱したのち冷却
することで、ガラスチューブ6をデュメット4.5の外
周面に融着させるのであるが、この処理形態に連続式、
とバッチ式とがある。
することで、ガラスチューブ6をデュメット4.5の外
周面に融着させるのであるが、この処理形態に連続式、
とバッチ式とがある。
前者の連続式は、上記ワークWを金属製のメツシュコン
ベアに載置して移送する間に、窒素ガスなどの不活性ガ
ス雰囲気中で加熱および冷却するものであり、また、後
者のバッチ式は、上記ワークWを気密状の圧力室に装填
し、カーボン製の組立て治具に通電して発熱させるとと
もに、圧力室内に不活性ガスを封入して適当圧で加圧す
るものであり、各形態にはそれぞれ利点と欠点を備えて
いる。
ベアに載置して移送する間に、窒素ガスなどの不活性ガ
ス雰囲気中で加熱および冷却するものであり、また、後
者のバッチ式は、上記ワークWを気密状の圧力室に装填
し、カーボン製の組立て治具に通電して発熱させるとと
もに、圧力室内に不活性ガスを封入して適当圧で加圧す
るものであり、各形態にはそれぞれ利点と欠点を備えて
いる。
すなわち、連続式はワークを連続的に移送しながら処理
できるので、生産性が高いが、チップとデュメットとの
接触部にルーズコンタクトが発生しやすく、不良率が高
くなる傾向がある。上記ルーズコンタクトは次のような
原因によって発生する。
できるので、生産性が高いが、チップとデュメットとの
接触部にルーズコンタクトが発生しやすく、不良率が高
くなる傾向がある。上記ルーズコンタクトは次のような
原因によって発生する。
つまり、第5図に示すように、ガラス封止電子部品の代
表であるガラスンールダイオードにおいては、チップ3
の上面には上部デュメット4との接触用のバンプ3aが
設けられているのであるが、単に加熱してデュメット4
.5とガラスチューブ6とを融着させただけでは、デュ
メット端部に非融着部分が発生して、チップ挟持部近傍
に比較的長い非融着のガラスチューブ部分りが形成され
ることがある。
表であるガラスンールダイオードにおいては、チップ3
の上面には上部デュメット4との接触用のバンプ3aが
設けられているのであるが、単に加熱してデュメット4
.5とガラスチューブ6とを融着させただけでは、デュ
メット端部に非融着部分が発生して、チップ挟持部近傍
に比較的長い非融着のガラスチューブ部分りが形成され
ることがある。
このように長い非融着のガラスチューブ部分りが形成さ
れた部品は、常温では上部デュメット4とバンプ3aと
が一応接触していて良品と変わらない性能を発揮するが
、ある高温条件におかれると、上部デュメット4とバン
プ3aとの間に接触不良(ルーズコンタクト)が発生す
る。
れた部品は、常温では上部デュメット4とバンプ3aと
が一応接触していて良品と変わらない性能を発揮するが
、ある高温条件におかれると、上部デュメット4とバン
プ3aとの間に接触不良(ルーズコンタクト)が発生す
る。
つまり、温度が上昇すると、外側のガラスチューブ部分
りも、その内側の上下デュメット4.5も熱膨張するの
であるが、ガラスチューブ部分りが長いと、このガラス
チューブ部分りの膨張量がその内側のデュメット4.5
の非融着部Q=、h等の膨張量よりかなり大きくなり、
両デュメット4゜5間の間隔Hが広がって、第6図に示
すように、上部デュメット4とバンプ3aとの接触が断
たれてしまうのである。
りも、その内側の上下デュメット4.5も熱膨張するの
であるが、ガラスチューブ部分りが長いと、このガラス
チューブ部分りの膨張量がその内側のデュメット4.5
の非融着部Q=、h等の膨張量よりかなり大きくなり、
両デュメット4゜5間の間隔Hが広がって、第6図に示
すように、上部デュメット4とバンプ3aとの接触が断
たれてしまうのである。
このようなルーズコンタクトの発生を抑制するガラス封
止手段が前述のバッチ式であり、ワークを加熱しながら
、不活性ガス圧入加圧することによって、第7図に示す
ように、ガラスチューブ6を外周から加圧して上下デュ
メット4.5の全長にわたって融着し、もって、チップ
挟持部位の周囲における非融着のガラスチューブ部分L
′を最小限度の長さにし、高温条件でのデュメット間隔
Hの拡大量を小さく抑えて上記接触不良の発生を防止し
ているのである。
止手段が前述のバッチ式であり、ワークを加熱しながら
、不活性ガス圧入加圧することによって、第7図に示す
ように、ガラスチューブ6を外周から加圧して上下デュ
メット4.5の全長にわたって融着し、もって、チップ
挟持部位の周囲における非融着のガラスチューブ部分L
′を最小限度の長さにし、高温条件でのデュメット間隔
Hの拡大量を小さく抑えて上記接触不良の発生を防止し
ているのである。
(発明が解決しようとする問題点)
このように、バッチ式は、ルーズコンタクトが原因であ
る不良率を低くすることができる利点を有しているが、
ワークを1個ずつ圧力室に装填する形態上、生産性が低
く、また、圧力室に装填したカーボン製組立治具への通
電条件が変化しやすく、加熱条件が変化して封止の均一
化が損なわれやすい欠点があった。
る不良率を低くすることができる利点を有しているが、
ワークを1個ずつ圧力室に装填する形態上、生産性が低
く、また、圧力室に装填したカーボン製組立治具への通
電条件が変化しやすく、加熱条件が変化して封止の均一
化が損なわれやすい欠点があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、連続式の利点、およびバッチ式の利点をそれぞれ生
かして、高能率で高品質のガラス封止を行える装置を提
供する事を目的とする。
て、連続式の利点、およびバッチ式の利点をそれぞれ生
かして、高能率で高品質のガラス封止を行える装置を提
供する事を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、このような目的を達成するために、ガラス封
止電子部品単位を組立治具に整列装填したワークを、一
定経路に沿って間欠的に移動される受台に載置して順次
移送するよう構成するとともに、移送経路に沿って配設
した加熱部および冷却部で加熱封止処理および冷却処理
を行うように構成し、冷却部の上手側箇所に、加熱状態
にあるワークを気密状に覆うように受台上に密着される
下部開放状の加圧チャンバーを昇降自在に配設するとと
もに、受台上に密着された圧力チャンノ<−内に不活性
ガスを加圧供給するよう構成したものである。
止電子部品単位を組立治具に整列装填したワークを、一
定経路に沿って間欠的に移動される受台に載置して順次
移送するよう構成するとともに、移送経路に沿って配設
した加熱部および冷却部で加熱封止処理および冷却処理
を行うように構成し、冷却部の上手側箇所に、加熱状態
にあるワークを気密状に覆うように受台上に密着される
下部開放状の加圧チャンバーを昇降自在に配設するとと
もに、受台上に密着された圧力チャンノ<−内に不活性
ガスを加圧供給するよう構成したものである。
(作用)
上記構成によると、受台を介して間欠送りされるワーク
は、加熱部において加熱されてデュメット外周面とガラ
スチューブ内周面との融着が行なわれ、次に、高温に保
たれたままのワークを加圧チャンバーで覆って不活性ガ
スで加圧し、変形しやすくなっているガラスチューブを
デュメットの全長にわたってその外周面に密着させ、そ
の後に冷却部において冷却して封止処理が終了するので
ある。
は、加熱部において加熱されてデュメット外周面とガラ
スチューブ内周面との融着が行なわれ、次に、高温に保
たれたままのワークを加圧チャンバーで覆って不活性ガ
スで加圧し、変形しやすくなっているガラスチューブを
デュメットの全長にわたってその外周面に密着させ、そ
の後に冷却部において冷却して封止処理が終了するので
ある。
(実施例)
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第1図に本発明装置の全体概略構成が、第2図お
よび第3図にその要部の詳細が示されている。
する。第1図に本発明装置の全体概略構成が、第2図お
よび第3図にその要部の詳細が示されている。
組立治具1に多数のガラス封止電子部品単位を組込んだ
ワークWは、偏平パレット状の受台10に載置されて供
給部Aから炉筒11内に送り込まれる。
ワークWは、偏平パレット状の受台10に載置されて供
給部Aから炉筒11内に送り込まれる。
前記受台11は、第3図に示すように、角形炉筒11の
内部に設けられた左右の溝つきガイドレール12,12
に左右両端を係入案内されており、前記供給部Aの上手
に配備したブツシュ装置13によって一定量ずつ間欠的
に順送りされる。
内部に設けられた左右の溝つきガイドレール12,12
に左右両端を係入案内されており、前記供給部Aの上手
に配備したブツシュ装置13によって一定量ずつ間欠的
に順送りされる。
炉筒10の前半部には、適当長さにわたって加熱部14
が設けられるとともに、後半部には冷却部15が設けら
れ、かつ、加熱部14と冷却部15との間に加圧部16
が設けられている。
が設けられるとともに、後半部には冷却部15が設けら
れ、かつ、加熱部14と冷却部15との間に加圧部16
が設けられている。
加熱部14は、炉筒11を囲むヒータ17と、更にこれ
を囲む断熱筒18とからなり、ワークWはここで約65
0℃にまで加熱される。
を囲む断熱筒18とからなり、ワークWはここで約65
0℃にまで加熱される。
加圧部16には、炉筒11の上面に連なる背の高いハウ
ジング19が突設され、この内部に、下部が開放された
筒状の加圧チャンバー20が昇降自在に装備されている
。加圧チャンバー20は、その上面に筒状支柱21が立
設され、この支柱21がハウジング19を貫通して上方
に突出され、その突出端に連結したエアシリンダ22.
22の伸縮作動に伴って炉筒11内に入る下降位置と、
炉筒llの上方に移動してハウジング19内に収納され
る上昇位置とにわたって昇降駆動される。
ジング19が突設され、この内部に、下部が開放された
筒状の加圧チャンバー20が昇降自在に装備されている
。加圧チャンバー20は、その上面に筒状支柱21が立
設され、この支柱21がハウジング19を貫通して上方
に突出され、その突出端に連結したエアシリンダ22.
22の伸縮作動に伴って炉筒11内に入る下降位置と、
炉筒llの上方に移動してハウジング19内に収納され
る上昇位置とにわたって昇降駆動される。
そして、該加圧チャンバー20は、前記下降状態におい
て、ハウジング19の直下に位置するワークWを全体的
に覆うとともに、チャンバ−20下端全周が受台IOの
上面に密着して該受台10との間で気密室を形成するよ
う構成されている。
て、ハウジング19の直下に位置するワークWを全体的
に覆うとともに、チャンバ−20下端全周が受台IOの
上面に密着して該受台10との間で気密室を形成するよ
う構成されている。
また、前記筒状支柱21の上端は図外の不活性ガスであ
る窒素ガスの圧送装置に配筒接続されて゛おり、ワーク
Wを覆って密封した圧力チャンバー20内に窒素ガスを
供給して、ワークWを適当圧で加圧するよう構成されて
いる。
る窒素ガスの圧送装置に配筒接続されて゛おり、ワーク
Wを覆って密封した圧力チャンバー20内に窒素ガスを
供給して、ワークWを適当圧で加圧するよう構成されて
いる。
前記冷却部15の前後には冷却用の窒素ガス人口23と
排出口24が設けられ、加熱処理および加圧処理された
後のワークWを冷却する。
排出口24が設けられ、加熱処理および加圧処理された
後のワークWを冷却する。
前記冷却部15の後方には取出部Bが設けられ、処理済
みワークWは受台10から取出されて次工程に送られる
。
みワークWは受台10から取出されて次工程に送られる
。
なお、前記炉筒11の入口と出口にはそれぞれシャッタ
ー装置25.26が設けられている。また、炉筒11の
下部には、使用済みの受台1oを取出部Bから供給部A
に戻すためのコンベア27が設置されている。このコン
ベア27の始端、つまり、炉筒11の取出部B側には、
使用済み受台10を受は取ってコンベア27上に載置す
るリフト装置28が設けられ、他方、コンベア27の終
端、つまり、炉筒11の供給部A側には、コンベア27
で戻されてきた受台10をブツシュ装置13の前に供給
するリフト装置29が設けられている。
ー装置25.26が設けられている。また、炉筒11の
下部には、使用済みの受台1oを取出部Bから供給部A
に戻すためのコンベア27が設置されている。このコン
ベア27の始端、つまり、炉筒11の取出部B側には、
使用済み受台10を受は取ってコンベア27上に載置す
るリフト装置28が設けられ、他方、コンベア27の終
端、つまり、炉筒11の供給部A側には、コンベア27
で戻されてきた受台10をブツシュ装置13の前に供給
するリフト装置29が設けられている。
(別実施例)
(1) 実施例では、ガイドレール12.12に案内
支持されたパレット状の受台10を、供給部A側から順
送りする場合を示したが、チェーンコンベアに受台10
を所定ピッチで付設して、チェーンの往路で炉筒11内
を通し、炉筒11外を通るチェーン復路で供給部A側へ
循環させるよう構成することも可能である。
支持されたパレット状の受台10を、供給部A側から順
送りする場合を示したが、チェーンコンベアに受台10
を所定ピッチで付設して、チェーンの往路で炉筒11内
を通し、炉筒11外を通るチェーン復路で供給部A側へ
循環させるよう構成することも可能である。
(2)加圧部16の設置場所は加熱部14より後方に限
られるものではなく、加熱部14の内部に設けてもよく
、要は、ワークWを加熱した状態で加圧できればよいの
である。
られるものではなく、加熱部14の内部に設けてもよく
、要は、ワークWを加熱した状態で加圧できればよいの
である。
(発明の効果)
以上のように、本発明によれば、加熱直後もしくは加熱
中のワークが加圧されるから、ガラスチューブがデュメ
ットの全長にわたってその外周面に融着し、これによっ
てルーズコンタクトの発生を確実に防止することができ
る。
中のワークが加圧されるから、ガラスチューブがデュメ
ットの全長にわたってその外周面に融着し、これによっ
てルーズコンタクトの発生を確実に防止することができ
る。
しかも、ワークを移送しながら雰囲気加熱を行なうので
、組立治具への通電による加熱を行なう方式に比べ、組
立治具のばらつきによる影響を受けることなく、均一封
止処理を高能率で行えるものであり、さらに加熱、冷却
および加圧の各処理を連続的に行なうので、従来の連続
式と同様の高い生産性を維持することができ、したがっ
て、ルーズコンタクトのおそれがない均一なシール状態
の製品を能率よく生産することができる。
、組立治具への通電による加熱を行なう方式に比べ、組
立治具のばらつきによる影響を受けることなく、均一封
止処理を高能率で行えるものであり、さらに加熱、冷却
および加圧の各処理を連続的に行なうので、従来の連続
式と同様の高い生産性を維持することができ、したがっ
て、ルーズコンタクトのおそれがない均一なシール状態
の製品を能率よく生産することができる。
第1図は、本発明に係るガラス封止電子部品の封止装置
の概略構成を示す全体側面図、第2図は加熱部の拡大断
面図、第3図は第2図における■−■線断面図、第4図
はワークの一部切り欠き側面図である。第5図は加熱処
理だけで封止された電子部品の拡大断面図、第6図はル
ーズコンタクトが発生した要部の拡大断面図、第7図は
加圧処理を施した電子部品の拡大断面図である。 1・・・組立治具、3・・・電子部品チップ、4,5・
・・デュメット、6・・・ガラスチューブ、W・・・ワ
ーク、10・・・受台、14・・・加熱部、15・・・
冷却部、20・・・加圧チャンバー。
の概略構成を示す全体側面図、第2図は加熱部の拡大断
面図、第3図は第2図における■−■線断面図、第4図
はワークの一部切り欠き側面図である。第5図は加熱処
理だけで封止された電子部品の拡大断面図、第6図はル
ーズコンタクトが発生した要部の拡大断面図、第7図は
加圧処理を施した電子部品の拡大断面図である。 1・・・組立治具、3・・・電子部品チップ、4,5・
・・デュメット、6・・・ガラスチューブ、W・・・ワ
ーク、10・・・受台、14・・・加熱部、15・・・
冷却部、20・・・加圧チャンバー。
Claims (2)
- (1)ガラスチューブ6内に電子部品チップ3と一対の
デュメット4、5とを挿入してなるガラス封止電子部品
単位の多数組が組立治具1に整列装填されたワークWを
、一定経路に沿って間欠的に移動される受台10に載置
して順次移送するよう構成するとともに、移送経路に沿
って配設した加熱部14および冷却部15で加熱封止処
理および冷却処理を行うよう構成し、冷却部15の上手
側箇所に、加熱状態にあるワークWを気密状に覆うよう
に、受台10上に密着される下部開放状の加圧チャンバ
ー20を昇降自在に配設するとともに、受台10上に密
着された加圧チャンバー20内に不活性ガスを加圧供給
するよう構成してあるガラス封止電子部品の封止装置。 - (2)前記受台10が、ガイドレール12、12に沿っ
て案内移送される偏平パレット状のものであり、移送経
路前部からの順送りによって間欠移送されるよう構成さ
れている特許請求の範囲第1項に記載のガラス封止電子
部品の封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18491585A JPS6245049A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | ガラス封止電子部品の封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18491585A JPS6245049A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | ガラス封止電子部品の封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245049A true JPS6245049A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16161556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18491585A Pending JPS6245049A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | ガラス封止電子部品の封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245049A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124204A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Epson Toyocom Corp | 製造対象物の熱処理装置および熱処理方法、並びに圧電デバイスの製造方法 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP18491585A patent/JPS6245049A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124204A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Epson Toyocom Corp | 製造対象物の熱処理装置および熱処理方法、並びに圧電デバイスの製造方法 |
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