KR830000974Y1 - 반도체장치의 제조장치 - Google Patents
반도체장치의 제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR830000974Y1 KR830000974Y1 KR2019800006315U KR800006315U KR830000974Y1 KR 830000974 Y1 KR830000974 Y1 KR 830000974Y1 KR 2019800006315 U KR2019800006315 U KR 2019800006315U KR 800006315 U KR800006315 U KR 800006315U KR 830000974 Y1 KR830000974 Y1 KR 830000974Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mount
- semiconductor element
- metal
- metal substrate
- semiconductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 반도체장치의 1예로서, 캔(Can) 봉함(封函)형 반도체장치의 소자(素子) 마운트후의 단면도.
제2도는 본 고안의 반도체 제1조장치의 측면도.
제3도는 제2도에 사용하는 국소(局所) 분위기 장치의 단면도는.
제4도는 제3도의 상면도.
제5도는 제3도를 금속기판(基板) 상에 적용했을 경우의 도입가스의 도출 상태도.
제6도는 본 고안의 반도체 제조장치에서 얻어지는 납땜부재와 금속기판과의 융합 상태도.
제7도는 종래의 반도체 제조장치의 경우의 납땜부재의 융합 상태도.
제8도는 본 고안의 다른 실시예에서의 극소분위기 장치의 단면도이다.
본 고안은 반도체장치의 제조설비, 특히 반도체소자의 마운트 분위기의 개선에 관한 것이다.
종래, 반도체장치의 제조장치의 제조는, 일반적으로 금속기판을 가열하여 납땜부재를 응용시켜서, 이 용융된 납땜부재 위에 반도체소자를 재치(載置)해서 고착하는 방법이 채용되고 있다.
그런데 , 이와 같은 반도체 소자의 마운트온도는 납땜부재가 용융하는 온도, 예를 들면, 250℃∼350℃의 고온도로 설정해서 행해지나, 납땜부재나, 금속기판이 산화하기 쉽기 때문에, 통상 마운트 분위기는 N2가스 등의 불활성가스 분위기로 유지할 필요가 있다. 그러므로, 종래에는 카아본 치구(治典)를 사용해서, 이것에 금속기판이나, 납땜부재나, 반도체소자 등을 조립해서 질소분위기로 한 콘베이어로(爐)에 통과시키는 방법이 취해지고 있었다.
그러나, 이와 같은 콘베이어로 방식은, 마운트 분위기를 만족시키는 상태로 유지할 수 있으나, 벨트의 진동으로 반도체소자의 위치가 이동하거나 하는 외에, 자잘한 부품을 치구장치(治典裝置)하기 때문에 인력이 필요하고, 원각 비싸지는 결점이 있었다. 그러므로, 반도체소자난 마운트되는 작업위치를 제외하는 부분을 커버 등으로 포위해서 내부를 불활성분위기로 유지한 가열로 속에 금속기판을 이동시켜서 상기 커버에 개구부를 설치한 마운트 위치에서 납땜부재나 반도체소자를 재치(載置)해서 소자를 금속기판 위에 고착하는 방법도 취해지고 있다.
이 방법은 상기 콘베이어로 방식에 비하여 부품을 가아본 치구(治典)를 조립할 필요가 없기 때문에, 용이하게 자동화가 가능하고, 원가저감을 꾀할 수 있다. 그러나, 납땜부재나 반도에 소자를 공급하는 마운트위치가 개구하고 있기 때문에, 금속기판의 마운트부분의 분위기를 완전히 불활성 분위기로 유지하는 것이 곤란하고 금속기판이나 납땜용융의 표면이 산화되는 점이 있다. 이로인해, 금속기판과 반도체 소자와의 고착년간에 산화막층이 개재 형성되어, 반도체장치의 열저항이나 냉열수명을 현저히 짧게하고, 고신뢰성화의 달성이 곤란할 것이였다.
본 고안은 상기를 고려하여 제안된 것으로서 가열로의 납땜부내나 반도체소자의 공급위치의 개구부에 국소(局所) 분위기 장치를 부착하여, 마운트부를 불활성분위기로 유지하는 것을 특징으로 하고 있다. 따라서, 반도체소자와 금속기판과의 고착면간에 산화막층의 생서이 없어지고, 열저항이나 냉열수명이 현저하게 개선되고, 고신뢰성의 반도체장치가 얻어진다.
이하, 본 고안의 실시예를 도면과 함께 상술한다. 제1도는 본 고안의 반도체 제조설비로 얻어지는 반도체 장치의 1예로서, 캔 봉함형 반도체장치의 마운트후의 상태를 나타내고 있다. 도면에선는 (1)은 금속스템(stem)로서, 1쌍의 단 자리이드(1a)가 금속기판(1b)를 관통하여 기밀 봉함되어 있다.이 금속기판(1b) 상의 대략 중앙부에는 반도체소자(2)가 납땜부재(3)을 개재하에 고착되어 있다.
제2도는 본 고안에 관한 반도체 제조설비로서, 제1도에 나타내는 것과 같은 스템(1)의 금속기판(1b) 위에 반도체소자(2)을 납땜 고착하는 반도체 장치 제조용의 자동마운트 장치이다. 도면에서, (4)는 스템공급장치(5)는 스템삽입가대(架臺), (6)은 가열로, (7)은 마운트품(品) 취출(取出) 가대, (8)은 마운트품 수납 캐이스이다. 스템공급장치(4)는, 예를들면, 신트론등이 사용되고, 금속 스템(1)이 장진(裝)되면, 자동적으로 금속스템(1)을 방향정열(方向整列)하고 슈우터의 스템 삽입 가대(5)를 경유하여 가열로(6)에 금속시스템(1)을 공급한다. 가열로(6)은 주위가 금속커버 등으로 포위되어 있고, 그 내부에 금속시스템(1)이 재치되는 가대(6a), 이 가대(6a)를 가열하는 복수개의 블록히이터(6b)가 배치되어 있다. 가대(6a)는 반동체소자(2)의 마운트에 적합하도록 좌측에서 우측에 걸쳐서 순차적으로 적절한 온도구배(勾配)로 가열되어 콘트롤되고 있다. 가열로(6)의 외주는, 납땜부재의 공급위치(9) 및 반도체소자 마운트위치(10)을 제외하고, 가대(6a) 및 히이터(6b) 의 주위를 금속커버(11)로 포위하고 있다. 이 커버(11)에는 복수개의 질소가스 배관(11a)가 부착되어 있고, 내부를 질소분위기로 유지하고 있다.
가열로(6)에는 도면에는 생략하나, 금속시스템(1)의 반송용(搬送用) 구동장가 배설되어 있고, 스템 삽입가대(5)로 부터 공급된 금속스템(1)을, 가대(6a) 위를 좌측에서 우측으로 간헐적(間歇的)으로 차례로 이동하도록 되어 있다. 그리고 금속스템(1)을, 히이터(6b)에 의하여 가온된 가대(6a)의 온도구배에 따라 가열되어 납땜부재 공급위치(9) 및 반도체소자 마운트위치(11)에서는 납때부재의 용융온도 이상에 도달하도록 설정되어 있다. (12)는 납땜부재 공급장치, (13)은 반도체 소자공급장치이고, 고온으로 가열된 금속 스템(1)의 마운트부분에 소정량의 납땜부재(3)을 공급함과 동시에, 금속스템(1) 위의 용융된 납땜부재(3) 위에 반도 체소자(2)를 재치하고, 필요하면 스크라브(scrub) 조작을 부가하여 반도체소자(2)를 마운트한다. 이 반도체소자(2)의 마운트된 금속스템(1)은 취출가대(7)에 반출되어 최종적으로 마운트수납 케이스(8)에 수용된다.
납땜공급위치(9) 및 반도체소자 마운트위치(10)의 분위기 커버(11)의 개구부에는, 금속스템(1)의 이동과 연동(連動)하여 상하로 동작하는 국소분위기장치(14)가 부착되고, 금속스템(1)이 간헐적으로 연동되어 이들의 위치에 오게되면 국소분위기장치(14)가 금속스템(1)의 금속기판(1b) 위에 강하하여, 납땜부재 공급장치(12)나 반도체소자 공급장치(13)이 소정의 동작을 완료한 후 상승하도록, 연관하여 동작하도록 되어 있다.
이 국소분위기장치(14)는, 예를 들면 제3도 및 제4도에서 나타내는 바와 같이, 원통상의 통체로 구성되어 있고, 그 상방에 부착된 복수개의 배관(14a)로 부터 질소가스 등의 분위가스가 도입되는 동시에, 통체 하방 내주면에 설치된 배출구(14b)로부터 분위기가스를 도출하도록 되어 있다. 통체의 중간쯤에는 배관(14a)에 연통하는 실(室)(14c)가 설치되고, 또 이 실(14c)는 배출구(14b)에 연결되는 복수개의 세공(細孔)(14d)가 형성되어 있다. 따라서, 배관(14a)로부터의 도입가스는, 실(14c) 및 세공(14d)를 통해서 배출구(14b)에 배출되나, 도입가스는 이 실(14c)에서 그 압력이 완화되어 균일화되어, 제5도에서 도시하는 바와 같이 층상(層狀)이 되어 배출되고, 마운트부를 급속히 분위기 가스로 치환(置換)하는 동시에, 외위기(外圍氣) 공기의 흡수 등이 방지되어 완전한 불활성분위기가 달성된다.
제6도는 이와 같이 구성한 국소분이기 장치(14)를 사용한 납땜부재(3)의 금속스템(1)과의 융화상태를 나타내는 것으로서, 제7도에 표시한 국소배치장치를 사용하지 아니한 종래의 마운트 장치에서의 납땜부재(3)의 융화상태와 비교해서 그 효과의 큼을 알 수 있다.
제8도는 본 고안의 다른 실시예로서, 단면 U자형의 국소분위기 장치(15)가 표시되어 있다. 이 장치(15)도 가열로(6)의 납땜공급위치(9)나 반도체소자 마운트 위치(10)에 적용하는 것에 의해 배관(15a)로부터 도입된 분위기 가스가 하방의 배출구(15b)로부터 층상으로 배출되어, 금속스템의 마운트부를 분위기가스로 치환한다. 이 경우, U자형의 개구부로부터 납땜부재 공급장치(12)나, 반도체 소자 공급장치(13)의 기계조작을 할수있어 편리하다.
본 고안은 이상과 같이, 가열장치의 가대위에 금속기판을 재치하여 금속기판을 가온해서, 금속기판 위에 납땜부재를 용융하여 반도체 소자를 마운트하는 것에 있어서, 상기 금속기판 위에 국소 분위기 장치를 부착하여, 반도체소자의 마운트 예정위치의 분위기를 유지했기 때문에 납땜부재의 산화가 해소되고, 반도체 장치의 열저항 특성이나 냉열사이클(cycle) 특성이 한층 더 향상하고, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 얻을 수 있는 것이다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 케이스형의 반도체장치에 적용했으나, 레이스리본 등의 금속기판에도 적용할 수가 있고, 신뢰성이 우수한 수지봉함 반도체장치를 제공할 수 있다.
Claims (1)
- 금속기판과 반도체소자의 마운트 위치에 개구부가 있는 가열장치로서, 상기 개구부에 상기 금속기판의 이동에 대응하여, 상기 금속기판에 근접 또는 이간(離間) 동작하는 국소불활성 분위기 장치를 부착하고, 상기 마운트위치를 불활성분위기로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019800006315U KR830000974Y1 (ko) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 반도체장치의 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019800006315U KR830000974Y1 (ko) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 반도체장치의 제조장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR830000974Y1 true KR830000974Y1 (ko) | 1983-06-18 |
Family
ID=19219165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019800006315U KR830000974Y1 (ko) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 반도체장치의 제조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR830000974Y1 (ko) |
-
1980
- 1980-09-30 KR KR2019800006315U patent/KR830000974Y1/ko active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3340602A (en) | Process for sealing | |
US3693239A (en) | A method of making a micromodular package | |
JP4956963B2 (ja) | リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法 | |
US4426769A (en) | Moisture getter for integrated circuit packages | |
JP3617188B2 (ja) | はんだ付方法 | |
JPH0342700B2 (ko) | ||
US4527042A (en) | Method and apparatus for vacuum sealing a vacuum container assembly | |
EP0026231B1 (en) | Method of manufacturing gas-filled electric switch | |
JPS6246272B2 (ko) | ||
KR100250778B1 (ko) | 금속제 진공이중용기와 제조방법 | |
KR830000974Y1 (ko) | 반도체장치의 제조장치 | |
US4799450A (en) | Tinning system for surface mount components | |
US3465943A (en) | Apparatus for making encapsulations | |
US4768985A (en) | Method of manufacturing miniature tipless halogen lamp and apparatus for carrying out the same | |
US4747533A (en) | Bonding method and apparatus | |
US3155272A (en) | Method and apparatus for loading a receiver with a plurality of beads | |
JPH06291457A (ja) | ハンダ付け方法及びハンダ付け装置 | |
US3468523A (en) | Apparatus for heating a micromodular package | |
JPH1043066A (ja) | 金属製真空二重容器 | |
JPS62124073A (ja) | 温風による半田溶解装置 | |
KR100218108B1 (ko) | 부품 실장용 리플로우 로 | |
US4805831A (en) | Bonding method | |
US3543393A (en) | Method of forming rectifier stacks | |
KR100479243B1 (ko) | 전기도금된리드를가진반도체장치의제조방법 | |
JPS60247467A (ja) | 気密加熱ケ−ス |