JPS6242254B2 - - Google Patents
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- JPS6242254B2 JPS6242254B2 JP10373577A JP10373577A JPS6242254B2 JP S6242254 B2 JPS6242254 B2 JP S6242254B2 JP 10373577 A JP10373577 A JP 10373577A JP 10373577 A JP10373577 A JP 10373577A JP S6242254 B2 JPS6242254 B2 JP S6242254B2
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された液晶表示セル、特に基板の
表面を処理して所定の分子整列を得る方法に関す
る。
表面を処理して所定の分子整列を得る方法に関す
る。
液晶装置における液晶分子の整列は高いコント
ラスト比を得るために重要である。この分子の整
列はセル基板に平行（ホモジエニアス整列）にも
できるし、またセル基板に直角（ホーミオトロピ
ツク整列）にもできる。
ラスト比を得るために重要である。この分子の整
列はセル基板に平行（ホモジエニアス整列）にも
できるし、またセル基板に直角（ホーミオトロピ
ツク整列）にもできる。
その所望の整列を得るには液晶材料をドープ剤
でドープするか、又はそれに代えてセル基板の表
面を処理すればよい。好ましい例として基板表面
を或る方法で処理することが提案されてきた。セ
ル基板を処理することにより液晶を整列させる
種々の提案が次の各特許に記載される。米国特許
第3904797号はセル基板にイオン界面活性剤を焼
付ける。米国特許第3938242号は基板表面に金属
の層を付着させ、その後この金属層を酸化する。
米国特許第3941901号はセル基板表面に重合体フ
イルムを沈積し、次にそれをシヤー薄化技術に掛
ける。米国特許第3854793号は基板表面にシラン
結合剤の薄層を沈積する。
でドープするか、又はそれに代えてセル基板の表
面を処理すればよい。好ましい例として基板表面
を或る方法で処理することが提案されてきた。セ
ル基板を処理することにより液晶を整列させる
種々の提案が次の各特許に記載される。米国特許
第3904797号はセル基板にイオン界面活性剤を焼
付ける。米国特許第3938242号は基板表面に金属
の層を付着させ、その後この金属層を酸化する。
米国特許第3941901号はセル基板表面に重合体フ
イルムを沈積し、次にそれをシヤー薄化技術に掛
ける。米国特許第3854793号は基板表面にシラン
結合剤の薄層を沈積する。
本発明の主たる目的は液晶表示セルにおいて所
定の分子整列を強いる改良方法を提供することに
ある。
定の分子整列を強いる改良方法を提供することに
ある。
本発明の他の目的は平行整列を強いるための改
良方法を提供することにある。
良方法を提供することにある。
本発明の他の目的は直角整列を強いるための改
良方法を提供することにある。
良方法を提供することにある。
これらの及び他の諸目的は酸素遊離基を無線周
波プラズマ中で形成する段階を含む方法により達
成される。酸素遊離基は次に上記プラズマから移
送されて液晶セル基板へ向けられる。酸素遊離基
で処理された表面は平行整列を強いる。酸素遊離
基処理に続いて弗素遊離基処理を行うと、その表
面は直角整列を強いる。酸素遊離基又は弗素遊離
基はそれら自身だけで用いてセル基板に対するエ
ツチング処理を行うようにしてもよいし、又は他
の材料と組合せ用いて基板上に表面フイルムを沈
積するようにしてもよい。
波プラズマ中で形成する段階を含む方法により達
成される。酸素遊離基は次に上記プラズマから移
送されて液晶セル基板へ向けられる。酸素遊離基
で処理された表面は平行整列を強いる。酸素遊離
基処理に続いて弗素遊離基処理を行うと、その表
面は直角整列を強いる。酸素遊離基又は弗素遊離
基はそれら自身だけで用いてセル基板に対するエ
ツチング処理を行うようにしてもよいし、又は他
の材料と組合せ用いて基板上に表面フイルムを沈
積するようにしてもよい。
第１図に示すように、液晶表示セル１０は１対
の研磨されたガラス基板１２Ａと１２Ｂを有す
る。基板１２Ａと１２Ｂの相対向する表面に透明
導電材料例えば錫添加の酸化インジウムのフイル
ム部１４Ａと１４Ｂが夫々設けられる。基板１２
Ａと１２Ｂ及び透明導電材料例えば錫添加の酸化
インジウムのフイルム部１４Ａと１４Ｂが夫々設
けられる。基板１２Ａと１２Ｂ及び透明導電材料
のフイルム部１４Ａと１４Ｂの間に正性誘電体液
晶材料例えばペンチルシアノビフエニルの層１６
がある。典型的には、錫ドープ添加酸化インジウ
ムフイルムは商用的に利用できる斯界に周知の無
線周波数（r.f.）のスパツタ装置により基板１２
Ａと１２Ｂ上に沈積される。部分１４Ａと１４Ｂ
は普通の写真食刻技術を用いてエツチングにより
形成され、それにより部分１４Ａと１４Ｂの頂面
にホトレジストの層（図示せず）が残される。
の研磨されたガラス基板１２Ａと１２Ｂを有す
る。基板１２Ａと１２Ｂの相対向する表面に透明
導電材料例えば錫添加の酸化インジウムのフイル
ム部１４Ａと１４Ｂが夫々設けられる。基板１２
Ａと１２Ｂ及び透明導電材料例えば錫添加の酸化
インジウムのフイルム部１４Ａと１４Ｂが夫々設
けられる。基板１２Ａと１２Ｂ及び透明導電材料
のフイルム部１４Ａと１４Ｂの間に正性誘電体液
晶材料例えばペンチルシアノビフエニルの層１６
がある。典型的には、錫ドープ添加酸化インジウ
ムフイルムは商用的に利用できる斯界に周知の無
線周波数（r.f.）のスパツタ装置により基板１２
Ａと１２Ｂ上に沈積される。部分１４Ａと１４Ｂ
は普通の写真食刻技術を用いてエツチングにより
形成され、それにより部分１４Ａと１４Ｂの頂面
にホトレジストの層（図示せず）が残される。
本発明によれば部分１４Ａと１４Ｂを持つ基板
１２Ａと１２Ｂは変型無線周波（r.f.）プラズマ
室（図示せず）内に置かれる。この室は排気され
て、酸素遊離基を形成するようなガスが導入され
る。或る応用例では略純粋の酸素が好ましいが、
他の実施例ではガスの混合物、例えばアルゴンと
酸素が用いられる。酸素の圧力は約0.2トルであ
る。r.f.装置の放電が開始されて酸素遊離基を含
む酸素プラズマを形成する。プラズマ室はプラズ
マが１領域に形成され、処理さるべき基板がこの
プラズマから離れた区域にあるように構成され
る。その結果、基板表面はプラズマ自身には全く
さらされず、それにより電子又はイオンボンバー
ドによる表面変化を避ける。酸素遊離基はそれが
形成されるプラズマから離れて基板１２Ａと１２
Ｂ及び部分１４Ａと１４Ｂへ移動し、ここでこれ
らに表面変化を起させる。酸素遊離基は基板１２
Ａと１２Ｂ及び部分１４Ａと１４Ｂをエツチング
する。部分１４Ａと１４Ｂの頂部にあつたホトレ
ジストはこのエツチング段階により除去される。
これらの処理表面を作られた液晶セル１０は液晶
材料１６で満たされる。その結果出来るセル１０
は第１図に示すように表面に平行な整列を強いる
処理表面を有する。
１２Ａと１２Ｂは変型無線周波（r.f.）プラズマ
室（図示せず）内に置かれる。この室は排気され
て、酸素遊離基を形成するようなガスが導入され
る。或る応用例では略純粋の酸素が好ましいが、
他の実施例ではガスの混合物、例えばアルゴンと
酸素が用いられる。酸素の圧力は約0.2トルであ
る。r.f.装置の放電が開始されて酸素遊離基を含
む酸素プラズマを形成する。プラズマ室はプラズ
マが１領域に形成され、処理さるべき基板がこの
プラズマから離れた区域にあるように構成され
る。その結果、基板表面はプラズマ自身には全く
さらされず、それにより電子又はイオンボンバー
ドによる表面変化を避ける。酸素遊離基はそれが
形成されるプラズマから離れて基板１２Ａと１２
Ｂ及び部分１４Ａと１４Ｂへ移動し、ここでこれ
らに表面変化を起させる。酸素遊離基は基板１２
Ａと１２Ｂ及び部分１４Ａと１４Ｂをエツチング
する。部分１４Ａと１４Ｂの頂部にあつたホトレ
ジストはこのエツチング段階により除去される。
これらの処理表面を作られた液晶セル１０は液晶
材料１６で満たされる。その結果出来るセル１０
は第１図に示すように表面に平行な整列を強いる
処理表面を有する。
本発明によれば第１図に示す構造は図示の平行
整列よりむしろ表面に直角な整列を強いる処理表
面を形成されるようにすることができる。直角整
列を達成するには酸素遊離基処理を受け終つた基
板を取り、プラズマ室への酸素流を断つて弗素遊
離基での処理を受けさせればよい。弗素遊離基は
例えば四弗化メタンのようなガスをr.f.プラズマ
中へ導入することにより形成できる。プラズマ中
で形成される弗素遊離基は基板表面へ移動し、こ
こで弗素遊離基は基板１２Ａと１２Ｂ及び部分１
４Ａと１４Ｂへ化学的に結着する。このようにし
て処理された表面を形成されたセルは基板表面に
直角な整列を有する。
整列よりむしろ表面に直角な整列を強いる処理表
面を形成されるようにすることができる。直角整
列を達成するには酸素遊離基処理を受け終つた基
板を取り、プラズマ室への酸素流を断つて弗素遊
離基での処理を受けさせればよい。弗素遊離基は
例えば四弗化メタンのようなガスをr.f.プラズマ
中へ導入することにより形成できる。プラズマ中
で形成される弗素遊離基は基板表面へ移動し、こ
こで弗素遊離基は基板１２Ａと１２Ｂ及び部分１
４Ａと１４Ｂへ化学的に結着する。このようにし
て処理された表面を形成されたセルは基板表面に
直角な整列を有する。
上記の処理に対応する基板又は表面はガラスと
錫添加酸化インジウムである。或る液晶表示セル
においてはクロム／金又はアルミニウムのような
金属が用いられる。クロム／金とアルミニウム基
板並びにガラスと錫添加酸化インジウムに適する
本発明の他の実施例は第２図に示す型のセルを形
成するであろう。液晶表示セル２０は透明な基板
２２Ａと２２Ｂを有し、これらはなるべくなら研
磨したガラスであるがよい。基板２２Ａと２２Ｂ
上に導電部分２４Ａと２４Ｂが配置される。導電
部分２４Ａと２４Ｂは錫添加酸化インジウムのよ
うな透明なものであつてもよいし、又はクロム／
金若しくはアルミニウムのような反射性金属であ
つてもよい。基板２２Ａと２２Ｂ及び導電部分２
４Ａと２４Ｂの頂面上に夫々薄い透明なフイルム
２５Ａと２５Ｂがある。セル２０の内部に正性誘
電体液晶材料２６が置かれる。
錫添加酸化インジウムである。或る液晶表示セル
においてはクロム／金又はアルミニウムのような
金属が用いられる。クロム／金とアルミニウム基
板並びにガラスと錫添加酸化インジウムに適する
本発明の他の実施例は第２図に示す型のセルを形
成するであろう。液晶表示セル２０は透明な基板
２２Ａと２２Ｂを有し、これらはなるべくなら研
磨したガラスであるがよい。基板２２Ａと２２Ｂ
上に導電部分２４Ａと２４Ｂが配置される。導電
部分２４Ａと２４Ｂは錫添加酸化インジウムのよ
うな透明なものであつてもよいし、又はクロム／
金若しくはアルミニウムのような反射性金属であ
つてもよい。基板２２Ａと２２Ｂ及び導電部分２
４Ａと２４Ｂの頂面上に夫々薄い透明なフイルム
２５Ａと２５Ｂがある。セル２０の内部に正性誘
電体液晶材料２６が置かれる。
本発明の方法の他の実施例によれば、表示セル
２０は第２図に示すような平行整列を強いる処理
表面を有する。この方法は第１図に記載したのと
同じ態様で導電部分２４Ａと２４Ｂを夫々基板２
２Ａと２２Ｂ上に沈積することから成る。変型r.
f.プラズマ室内に酸素が導入されて酸素遊離基を
形成し、これは次にプラズマを出て基板２２Ａ，
２２Ｂ及び導電部分２４Ａ，２４Ｂと反応する。
酸素遊離基での処理は部分２４Ａと２４Ｂの頂面
上のホトレジストが除去されてしまうまで続けら
れる。その点で揮発性有機シリコン化合物がr.f.
プラズマ領域中に導入される。なるべくなら、酸
素ガスと有機シリコン化合物蒸気はプラズマ室の
外で混合されるがよい。揮発性シラン又は揮発性
シロキサンの何れでも使用できる、何故なら重要
なパラメータは蒸気圧であつて化学組成ではない
からである。適当な化合物の制限的でない数例
は：ビス−（ジメチルアミノ・ジメチル）−シラン
（Silar No.1420）、アリル・トリメチル・シラン
（Silar 1010）、ジビニルテトラメチル・ジシロキ
サン（Silar 1154）、シアノエチルトリメチル・
シラン（Silar No.1061）である。シリコン化合
物蒸気はプラズマ領域中で完全にSiO2へ酸化さ
れ、SiO2はガス流により基板２２Ａと２２Ｂ及
び導電部分２４Ａと２４Ｂへ運ばれ、ここで
SiO2の薄いフイルム２５Ａ，２５Ｂとして夫々
沈積される。SiO2のフイルム２５Ａと２５Ｂに
は炭化水素があつてはならない、何故なら炭化水
素の存在により生ずる重合は有害であるからであ
る。フイルム２５Ａと２５Ｂの厚さは100〜500オ
ングストロームの程度である。この方法をもつて
すれば平行整列は基板の性質に関わりなく、それ
がガラス、錫ドープされた酸化インジウム又は導
電性金属の何れであつても、得られる。
２０は第２図に示すような平行整列を強いる処理
表面を有する。この方法は第１図に記載したのと
同じ態様で導電部分２４Ａと２４Ｂを夫々基板２
２Ａと２２Ｂ上に沈積することから成る。変型r.
f.プラズマ室内に酸素が導入されて酸素遊離基を
形成し、これは次にプラズマを出て基板２２Ａ，
２２Ｂ及び導電部分２４Ａ，２４Ｂと反応する。
酸素遊離基での処理は部分２４Ａと２４Ｂの頂面
上のホトレジストが除去されてしまうまで続けら
れる。その点で揮発性有機シリコン化合物がr.f.
プラズマ領域中に導入される。なるべくなら、酸
素ガスと有機シリコン化合物蒸気はプラズマ室の
外で混合されるがよい。揮発性シラン又は揮発性
シロキサンの何れでも使用できる、何故なら重要
なパラメータは蒸気圧であつて化学組成ではない
からである。適当な化合物の制限的でない数例
は：ビス−（ジメチルアミノ・ジメチル）−シラン
（Silar No.1420）、アリル・トリメチル・シラン
（Silar 1010）、ジビニルテトラメチル・ジシロキ
サン（Silar 1154）、シアノエチルトリメチル・
シラン（Silar No.1061）である。シリコン化合
物蒸気はプラズマ領域中で完全にSiO2へ酸化さ
れ、SiO2はガス流により基板２２Ａと２２Ｂ及
び導電部分２４Ａと２４Ｂへ運ばれ、ここで
SiO2の薄いフイルム２５Ａ，２５Ｂとして夫々
沈積される。SiO2のフイルム２５Ａと２５Ｂに
は炭化水素があつてはならない、何故なら炭化水
素の存在により生ずる重合は有害であるからであ
る。フイルム２５Ａと２５Ｂの厚さは100〜500オ
ングストロームの程度である。この方法をもつて
すれば平行整列は基板の性質に関わりなく、それ
がガラス、錫ドープされた酸化インジウム又は導
電性金属の何れであつても、得られる。
第２図に示すと同様な平行整列を有する構造は
本発明の他の実施例に従えばSiO2の代りに酸化
錫、SnO2の薄いフイルムを用いても形成でき
る。この実施例において揮発性有機シリコン化合
物の代りに揮発性有機錫化合物が導入されて
SnO2の薄いフイルム２５Ａと２５Ｂを形成す
る。揮発性有機錫化合物の制限的でない数例はテ
トラブチル錫とテトラメチル錫である。
本発明の他の実施例に従えばSiO2の代りに酸化
錫、SnO2の薄いフイルムを用いても形成でき
る。この実施例において揮発性有機シリコン化合
物の代りに揮発性有機錫化合物が導入されて
SnO2の薄いフイルム２５Ａと２５Ｂを形成す
る。揮発性有機錫化合物の制限的でない数例はテ
トラブチル錫とテトラメチル錫である。
他の実施例に従つて、第３図に示す構造は直角
整列を強いる処理表面を有する。第３図におい
て、液晶表示セル３０は透明基板３２Ａと３２
Ｂ、導電部分３４Ａと３４Ｂ及び薄いフイルム３
５Ａと３５Ｂを有する。正性誘電体液晶３６がフ
イルム３５Ａと３５Ｂの間に置かれる。この方法
において、導電部分３４Ａと３４Ｂは基板３２Ａ
と３２Ｂ上に夫々形成され、前記のように酸素遊
離基処理を受ける。プラズマ室内への酸素流はそ
こで停止される。次に弗素を含有する分子励起ス
ペシーズを形成する材料がプラズマ発生領域中へ
導入され、これは後に重合して重合フイルム３５
Ａと３５Ｂを形成する。ポリ弗化エチレン誘導体
はこの目的に有用な材料の非制限的例である。好
ましい化合物は四弗化エチレンである。これらポ
リ弗化炭素フイルム３５Ａと３５Ｂの厚さは100
〜500オングストロームの程度である。ポリ弗化
炭素フイルム３５Ａと３５Ｂは表面に直角になる
ような整列を強いる。
整列を強いる処理表面を有する。第３図におい
て、液晶表示セル３０は透明基板３２Ａと３２
Ｂ、導電部分３４Ａと３４Ｂ及び薄いフイルム３
５Ａと３５Ｂを有する。正性誘電体液晶３６がフ
イルム３５Ａと３５Ｂの間に置かれる。この方法
において、導電部分３４Ａと３４Ｂは基板３２Ａ
と３２Ｂ上に夫々形成され、前記のように酸素遊
離基処理を受ける。プラズマ室内への酸素流はそ
こで停止される。次に弗素を含有する分子励起ス
ペシーズを形成する材料がプラズマ発生領域中へ
導入され、これは後に重合して重合フイルム３５
Ａと３５Ｂを形成する。ポリ弗化エチレン誘導体
はこの目的に有用な材料の非制限的例である。好
ましい化合物は四弗化エチレンである。これらポ
リ弗化炭素フイルム３５Ａと３５Ｂの厚さは100
〜500オングストロームの程度である。ポリ弗化
炭素フイルム３５Ａと３５Ｂは表面に直角になる
ような整列を強いる。
本発明に記載の方法は平行整列でも直角整列で
も所望の通りに強いる表面を形成するに適する。
この方法は普通の基板と導電金属を用いて透過と
反射の両セル用として使用するに適する。
も所望の通りに強いる表面を形成するに適する。
この方法は普通の基板と導電金属を用いて透過と
反射の両セル用として使用するに適する。
第１例
研磨されたガラス基板が、商用的に利用できる
無線周波スパツタ装置を用いて、錫ドープされた
酸化インジウム（ITO）の層で約1000オングスト
ロームの厚さに被覆された。この錫添加酸化イン
ジウムのシート抵抗は単位面積当り100オームで
あつた。第１図に示すようなパターンが普通の写
真食刻技術を用いてエツチングされ、これは錫添
加酸化インジウムの頂面にホトレジストの層を残
した。この基板は次に変型r.f.プラズマ室内に置
かれて排気された。酸素が約0.2トルの圧力を与
えるように導入された。r.f.放電は200ワツトの前
進パワーと５ワツトの反射パワーで開始された。
基板サンプルは酸素プラズマが作られた中に入ら
ないようにして置かれた。20〜30分後に、錫ドー
プされた酸化インジウムの頂面上のホトレジスト
は除去された。酸化はその後なお20分間維続され
た。その結果ITO中の酸素／インジウム比を約
1.67から2.45へ増加させた。２個の基板から成り
ペンチルシアノビフエニルで満たされたセルはキ
ヤパシタンス測定により決定される通り完全に平
行に整列された。このセルの作動電圧は増加し
た、何故ならITO層のシート抵抗は単位面積当り
約１〜10Kオームへ増加したからである。
無線周波スパツタ装置を用いて、錫ドープされた
酸化インジウム（ITO）の層で約1000オングスト
ロームの厚さに被覆された。この錫添加酸化イン
ジウムのシート抵抗は単位面積当り100オームで
あつた。第１図に示すようなパターンが普通の写
真食刻技術を用いてエツチングされ、これは錫添
加酸化インジウムの頂面にホトレジストの層を残
した。この基板は次に変型r.f.プラズマ室内に置
かれて排気された。酸素が約0.2トルの圧力を与
えるように導入された。r.f.放電は200ワツトの前
進パワーと５ワツトの反射パワーで開始された。
基板サンプルは酸素プラズマが作られた中に入ら
ないようにして置かれた。20〜30分後に、錫ドー
プされた酸化インジウムの頂面上のホトレジスト
は除去された。酸化はその後なお20分間維続され
た。その結果ITO中の酸素／インジウム比を約
1.67から2.45へ増加させた。２個の基板から成り
ペンチルシアノビフエニルで満たされたセルはキ
ヤパシタンス測定により決定される通り完全に平
行に整列された。このセルの作動電圧は増加し
た、何故ならITO層のシート抵抗は単位面積当り
約１〜10Kオームへ増加したからである。
作動電圧が高過ぎる応用例に対しては、それは
次の過程によりシート抵抗を単位面積当り0.1〜
1Kオームに減らすことにより低減できる。酸化
段階が完了して後、酸素流は断たれてこの装置は
アルゴンで洗われる。それは次に95％N2：５％
H2の混合物で満たされる。r.f.放電は開始され、
この例はH.遊離基に約30分間さらされる。この
処理をされた基板で作られたセルもまた完全な平
行整列を持つが、ITO層抵抗率が低い利点を持
つ。
次の過程によりシート抵抗を単位面積当り0.1〜
1Kオームに減らすことにより低減できる。酸化
段階が完了して後、酸素流は断たれてこの装置は
アルゴンで洗われる。それは次に95％N2：５％
H2の混合物で満たされる。r.f.放電は開始され、
この例はH.遊離基に約30分間さらされる。この
処理をされた基板で作られたセルもまた完全な平
行整列を持つが、ITO層抵抗率が低い利点を持
つ。
第２例
この例に用いられる方法は第２図に示すものと
同じような構造を作る。所望のパターンは第１例
で述べた普通の写真食刻法を用いてエツチングさ
れる。このパターンはITOに限定されず、またク
ロム／金とアルミニウムのような金属をも含む。
第１例で述べたように純酸素プラズマを用いてホ
トレジストが除去されて後、揮発性有機シリコン
化合物がプラズマに導入される。この有機シリコ
ンガスはプラズマ領域の外で酸素と混合されて後
この室に導入される。ビス−（ジメチルアミノ）−
シラン（SilarNo.1420）が用いられた。この化合
物はプラズマ領域中で完全に酸化されてSiO2に
なり、このSiO2はガス流により運ばれて基板上
に沈積される。このSiO2層の沈積率は２〜10オ
ングストローム毎分程度である。この基板は
SiO2蒸気に30分間露出された。このようにして
処理された基板を有するセルで平行整列が得られ
た。
同じような構造を作る。所望のパターンは第１例
で述べた普通の写真食刻法を用いてエツチングさ
れる。このパターンはITOに限定されず、またク
ロム／金とアルミニウムのような金属をも含む。
第１例で述べたように純酸素プラズマを用いてホ
トレジストが除去されて後、揮発性有機シリコン
化合物がプラズマに導入される。この有機シリコ
ンガスはプラズマ領域の外で酸素と混合されて後
この室に導入される。ビス−（ジメチルアミノ）−
シラン（SilarNo.1420）が用いられた。この化合
物はプラズマ領域中で完全に酸化されてSiO2に
なり、このSiO2はガス流により運ばれて基板上
に沈積される。このSiO2層の沈積率は２〜10オ
ングストローム毎分程度である。この基板は
SiO2蒸気に30分間露出された。このようにして
処理された基板を有するセルで平行整列が得られ
た。
第３例
基板は第２例と同じように作られたが、有機シ
リコン化合物の代りに、有機錫化合物、テトラブ
チル錫が用いられた。このテトラブチル錫化合物
は完全に酸化されてSnO2にされた。この化合物
はガス流により運ばれて基板上に沈積された。こ
れらの基板とアルキル・シアノ・ビフエニルを用
いる液晶セルで平行整列が得られた。
リコン化合物の代りに、有機錫化合物、テトラブ
チル錫が用いられた。このテトラブチル錫化合物
は完全に酸化されてSnO2にされた。この化合物
はガス流により運ばれて基板上に沈積された。こ
れらの基板とアルキル・シアノ・ビフエニルを用
いる液晶セルで平行整列が得られた。
第４例
ガラス基板が第１例と同様に作られ、ホトレジ
スト残さいは酸素プラズマにより除去された。酸
素は停止され、四弗化メタン、CF4がプラズマ発
生領域内に導入されて弗素基を形成した。弗素基
への露出は30分間続いた。ITO層とガラス基板に
は共にＦとＯが充分にあつた。その結果出来た基
板はアルキル・シアノ・ビフエニルを含有する液
晶セルに用いられた。その結果出来たセルは完全
な直角整列を持つた、即ちこの整列は基板表面に
直角であつた。このセルの抵抗率は第１例で上記
したように95％N2：５％H2ガス処理にさらすこ
とにより低減できる。
スト残さいは酸素プラズマにより除去された。酸
素は停止され、四弗化メタン、CF4がプラズマ発
生領域内に導入されて弗素基を形成した。弗素基
への露出は30分間続いた。ITO層とガラス基板に
は共にＦとＯが充分にあつた。その結果出来た基
板はアルキル・シアノ・ビフエニルを含有する液
晶セルに用いられた。その結果出来たセルは完全
な直角整列を持つた、即ちこの整列は基板表面に
直角であつた。このセルの抵抗率は第１例で上記
したように95％N2：５％H2ガス処理にさらすこ
とにより低減できる。
第５例
錫添加酸化インジウムの１部を含有する基板と
アルミニウムの１部を含有する基板が室内に置か
れて上記したような酸素処理を受け、ホトレジス
トを除去した。この装置にアルゴンを通すことに
より酸素を洗い去つた。これらの基板はプラズマ
領域から十数糎以内の所にあるようにして置かれ
た。次に四弗化エチレンが導入されて重合に適す
る弗素含有遊離基を形成した。その形成された遊
離基は“CF2−CF2”と“CF2”であると思われ
る。これらの励起されたスペシーズ又は遊離基は
寿命が限られているので、その平均自由行程距離
即ち十数糎以内で基板表面に到達しなければなら
ない。前記のように、フイルムの電子又はイオン
ボンバードは避けねばならない。これらの遊離基
はガラス基板と導電金属部分の頂面上に好適なフ
イルムを作つた。沈積率は２〜５オングストロー
ム毎分程度であつた。弗化重合体フイルムは1013
オーム・cmの体積抵抗率を有した。
アルミニウムの１部を含有する基板が室内に置か
れて上記したような酸素処理を受け、ホトレジス
トを除去した。この装置にアルゴンを通すことに
より酸素を洗い去つた。これらの基板はプラズマ
領域から十数糎以内の所にあるようにして置かれ
た。次に四弗化エチレンが導入されて重合に適す
る弗素含有遊離基を形成した。その形成された遊
離基は“CF2−CF2”と“CF2”であると思われ
る。これらの励起されたスペシーズ又は遊離基は
寿命が限られているので、その平均自由行程距離
即ち十数糎以内で基板表面に到達しなければなら
ない。前記のように、フイルムの電子又はイオン
ボンバードは避けねばならない。これらの遊離基
はガラス基板と導電金属部分の頂面上に好適なフ
イルムを作つた。沈積率は２〜５オングストロー
ム毎分程度であつた。弗化重合体フイルムは1013
オーム・cmの体積抵抗率を有した。
第１図は平行整列を持つセルの断面図である。
第２図は平行整列を持つように作られたセルの断
面図である。第３図は直角整列を持つセルの断面
図である。 １０，２０，３０……液晶表示セル、１２Ａ，
１２Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ……ガ
ラス基板、１４Ａ，１４Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ，３
４Ａ，３４Ｂ……導電部分、１６，２６，３６…
…正性誘電体液晶材料層、２５Ａ，２５Ｂ，３５
Ａ，３５Ｂ……透明フイルム。
第２図は平行整列を持つように作られたセルの断
面図である。第３図は直角整列を持つセルの断面
図である。 １０，２０，３０……液晶表示セル、１２Ａ，
１２Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ……ガ
ラス基板、１４Ａ，１４Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ，３
４Ａ，３４Ｂ……導電部分、１６，２６，３６…
…正性誘電体液晶材料層、２５Ａ，２５Ｂ，３５
Ａ，３５Ｂ……透明フイルム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液晶と接する基板表面を液晶の分子配列を制
御するように形成するための液晶表示セルの表面
形成方法において、 酸素遊離基又は弗素遊離基の無線周波数のプラ
ズマを形成する段階と、上部基板を上記プラズマ
形成雰囲気から離隔した位置に予め又はその後に
配置し、液晶と接する基板表面を上記遊離基に露
出する事により液晶の分子配列を上記表面と平行
又は直角にし得るように表面処理する段階とより
成る上記表面形成方法。 ２ 上記プラズマ形成雰囲気は、上記基板表面に
薄膜を形成する薄膜形成材料を含んでいる事を特
徴とする特許請求の範囲第１項の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/724,439 US4038439A (en) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Method for producing selected alignment in liquid crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5339148A JPS5339148A (en) | 1978-04-10 |
| JPS6242254B2 true JPS6242254B2 (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=24910445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10373577A Granted JPS5339148A (en) | 1976-09-20 | 1977-08-31 | Method of forming surface of liquid crystal display cell |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4038439A (ja) |
| JP (1) | JPS5339148A (ja) |
| CA (1) | CA1085945A (ja) |
| DE (1) | DE2740384A1 (ja) |
| FR (1) | FR2365139A1 (ja) |
| GB (1) | GB1542372A (ja) |
| IT (1) | IT1114122B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246358A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | リードフレーム |
| JPH03241767A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH04246852A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージ |
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| DE2824798A1 (de) * | 1978-06-06 | 1979-12-13 | Siemens Ag | Fluessigkristallzelle |
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| DE4015869A1 (de) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Nokia Unterhaltungselektronik | Hochaufloesende passiv angesteuerte fluessigkristallanzeige |
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