JPS6239430Y2 - - Google Patents
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- JPS6239430Y2 JPS6239430Y2 JP1981040664U JP4066481U JPS6239430Y2 JP S6239430 Y2 JPS6239430 Y2 JP S6239430Y2 JP 1981040664 U JP1981040664 U JP 1981040664U JP 4066481 U JP4066481 U JP 4066481U JP S6239430 Y2 JPS6239430 Y2 JP S6239430Y2
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- Japan
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- voltage
- sound effect
- resistor
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- capacitor
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- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 20
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000009527 percussion Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、ドラムシンセサイザに近似した効
果音を発生する効果音発生装置に関する。
果音を発生する効果音発生装置に関する。
従来、ドラム（打楽器）音に似た効果音の作成
は、ドラムシンセサイザによつて行なわれてい
た。しかし、ドラムシンセサイザは、VCO（電
圧制御発振器）、VCF（電圧制御フイルタ）、
VCA（電圧制御増幅器）等で構成されているた
めに、回路構成が複雑化し、大型化する欠点があ
る。
は、ドラムシンセサイザによつて行なわれてい
た。しかし、ドラムシンセサイザは、VCO（電
圧制御発振器）、VCF（電圧制御フイルタ）、
VCA（電圧制御増幅器）等で構成されているた
めに、回路構成が複雑化し、大型化する欠点があ
る。
この考案は、上記事情に基づいてなされたもの
で、その目的とするところは、簡単な回路構成で
ドラムシンセサイザに近似した効果音を発生可能
とした効果音発生装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、簡単な回路構成で
ドラムシンセサイザに近似した効果音を発生可能
とした効果音発生装置を提供することにある。
以下、この考案の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。第１図は、効果音発生装置の回路
構成を示している。この効果音発生装置には、押
釦式の操作スイツチＳが設けられている。この操
作スイツチＳの入力側には、電源電圧−Ｖボルト
が印加されており、その出力−Ｖボルトは、電圧
制御部１に与えられる。
的に説明する。第１図は、効果音発生装置の回路
構成を示している。この効果音発生装置には、押
釦式の操作スイツチＳが設けられている。この操
作スイツチＳの入力側には、電源電圧−Ｖボルト
が印加されており、その出力−Ｖボルトは、電圧
制御部１に与えられる。
電圧制御部１には、操作スイツチＳの出力側と
グランドレベルとの間に抵抗R1が設けられてお
り、また、抵抗R1の両端子間には、コンデンサ
C1、抵抗R2によつて構成される微分回路が設け
られている。そして、コンデンサC1と抵抗R2の
接続点は、ダイオードD1のＮ端子に接続され、
また、このダイオードD1のＰ端子は、ジヤンク
シヨン電界効果型トランジスタFETのゲート電
極に接続される。この電界効果型トランジスタ
FETのソース電極は接地され、また、そのドレ
イン電極には、抵抗R3を介して、電源電圧＋Ｖ
ボルトが印加されている。そして、電界効果型ト
ランジスタFETと、グランドレベルとの間に
は、コンデンサC2とコンデンサC2に対して並列
的に接続されている抵抗R4とが設けられてい
る。また、電界効果型トランジスタFETのドレ
イン電極と抵抗R3との接続点は、ダイオードD2
のＰ端子に接続され、また、ダイオードD2のＮ
端子は、NPN接合型のトランジスタTrのベース
電極に接続される。そして、ダイオードD2、ト
ランジスタTrの接続点とグランドレベルの間に
は、コンデンサC3が設けられている。また、ト
ランジスタTrは、エミツタホロア回路を構成
し、そのエミツタ電極は、可変抵抗R5及び抵抗
R6を介して接地され、また、そのコレクタ電極
には、電源電圧＋Ｖボルトが印加されている。な
お、可変抵抗R5は、外部のスイツチ（図示せ
ず）を操作することにより、その抵抗値が可変可
能となり、トランジスタTrの出力電圧が可変可
能となつている。そして、トランジスタTrと可
変抵抗R5との接続点は、増幅回路（OPアンプ）
APの正極側に接続されている。この増幅回路AP
の出力は、自己の負極側に帰還されていると共
に、可変抵抗R7を介して接地されている。な
お、可変抵抗R7は外部のスイツチ（図示せず）
を操作することにより、その抵抗値が可変可能と
なつている。この可変抵抗R7の可動接点側から
は、出力電圧Voutが取り出され、電圧制御発振
器（VCO）２に与えられる。
グランドレベルとの間に抵抗R1が設けられてお
り、また、抵抗R1の両端子間には、コンデンサ
C1、抵抗R2によつて構成される微分回路が設け
られている。そして、コンデンサC1と抵抗R2の
接続点は、ダイオードD1のＮ端子に接続され、
また、このダイオードD1のＰ端子は、ジヤンク
シヨン電界効果型トランジスタFETのゲート電
極に接続される。この電界効果型トランジスタ
FETのソース電極は接地され、また、そのドレ
イン電極には、抵抗R3を介して、電源電圧＋Ｖ
ボルトが印加されている。そして、電界効果型ト
ランジスタFETと、グランドレベルとの間に
は、コンデンサC2とコンデンサC2に対して並列
的に接続されている抵抗R4とが設けられてい
る。また、電界効果型トランジスタFETのドレ
イン電極と抵抗R3との接続点は、ダイオードD2
のＰ端子に接続され、また、ダイオードD2のＮ
端子は、NPN接合型のトランジスタTrのベース
電極に接続される。そして、ダイオードD2、ト
ランジスタTrの接続点とグランドレベルの間に
は、コンデンサC3が設けられている。また、ト
ランジスタTrは、エミツタホロア回路を構成
し、そのエミツタ電極は、可変抵抗R5及び抵抗
R6を介して接地され、また、そのコレクタ電極
には、電源電圧＋Ｖボルトが印加されている。な
お、可変抵抗R5は、外部のスイツチ（図示せ
ず）を操作することにより、その抵抗値が可変可
能となり、トランジスタTrの出力電圧が可変可
能となつている。そして、トランジスタTrと可
変抵抗R5との接続点は、増幅回路（OPアンプ）
APの正極側に接続されている。この増幅回路AP
の出力は、自己の負極側に帰還されていると共
に、可変抵抗R7を介して接地されている。な
お、可変抵抗R7は外部のスイツチ（図示せず）
を操作することにより、その抵抗値が可変可能と
なつている。この可変抵抗R7の可動接点側から
は、出力電圧Voutが取り出され、電圧制御発振
器（VCO）２に与えられる。
なお、電圧制御部１に於いて、符号Ａは、操作
スイツチＳと抵抗R1との接続点、また、符号Ｂ
はコンデンサC1と抵抗R2の接続点を示してい
る。
スイツチＳと抵抗R1との接続点、また、符号Ｂ
はコンデンサC1と抵抗R2の接続点を示してい
る。
電圧制御発振器２は、電圧制御部１からの出力
電圧Voutに応じて発振周波数を連続的に変える
もので、その出力はローパスフイルタ３、ハイパ
スフイルタ４に順次与えられる。なお、ローパス
フイルタ３とハイパスフイルタ４によつてバンド
パスフイルタが構成される。ハイパスフイルタ４
の出力は、増幅回路５を介してスピーカ６に送ら
れ、効果音として、放音されるようになつてい
る。
電圧Voutに応じて発振周波数を連続的に変える
もので、その出力はローパスフイルタ３、ハイパ
スフイルタ４に順次与えられる。なお、ローパス
フイルタ３とハイパスフイルタ４によつてバンド
パスフイルタが構成される。ハイパスフイルタ４
の出力は、増幅回路５を介してスピーカ６に送ら
れ、効果音として、放音されるようになつてい
る。
次に、上記実施例の動作について、第２図〜第
４図を参照して説明する。操作スイツチＳを所定
時間ONすると、Ａ点の電圧は、操作スイツチＳ
をONしている間、−Ｖボルトとなるので、そのＡ
点には第２図ａに示すような方形パルス電圧が現
われる。この方形パルス電圧が、コンデンサC1
と抵抗R2とによる微分回路に与えられるので、
Ｂ点には、第２図ｂに示すように、方形パルス電
圧の立ち上がりに同期する鋭い負の電圧が現われ
る。この負の電圧が、コンデンサC2に充電され
て電界効果型トランジスタFETは、コンデンサ
C2の放電々圧でOFFとなる。この時、コンデン
サC2は操作スイツチＳを操作した瞬時のチヤタ
リング等の影響を除去して、電界効果型トランジ
スタFETに対して安定した電圧を入力する。し
かして、電界効果型トランジスタFETが、OFF
となると、電源電圧＋Ｖボルトが抵抗R4、ダイ
オードD2を介してコンデンサC3に充電される。
このコンデンサC3の放電々圧は、トランジスタ
Tr、増幅回路APを介して、出力電圧Voutとして
取り出され、出力電圧Voutは、第２図ｃに示す
ように、電圧Ｅボルト（＋Ｖボルトの降下電圧）
まで上がる。その後、電界効果型トランジスタ
FETはOFFとなるので、コンデンサC3の出力電
圧が、トランジスタTrのベース、エミツタ、抵
抗R5を順次介して、徐々に放電される。このた
め、出力電圧Voutは、第２図ｃに示すように、
電圧レベルが減衰する減衰電圧となる。なお、減
衰時間は、コンデンサC3と可変抵抗R5及び抵抗
R6とのCR回路の時定数とトランジスタTrの電流
増幅率によつて決定されるものである。従つて、
可変抵抗R5の抵抗値を可変することにより、出
力電圧Voutは、第３図に示すように、可変抵抗
R5の抵抗値に応じて、リリース時間が変化す
る。このため、例えば、可変抵抗R5の抵抗値を
大きくすると、そのCR回路の時定数が大きくな
り、コンデンサC3の放電時間が長くなるので、
出力電圧Voutの減衰時間を長くすることができ
る。
４図を参照して説明する。操作スイツチＳを所定
時間ONすると、Ａ点の電圧は、操作スイツチＳ
をONしている間、−Ｖボルトとなるので、そのＡ
点には第２図ａに示すような方形パルス電圧が現
われる。この方形パルス電圧が、コンデンサC1
と抵抗R2とによる微分回路に与えられるので、
Ｂ点には、第２図ｂに示すように、方形パルス電
圧の立ち上がりに同期する鋭い負の電圧が現われ
る。この負の電圧が、コンデンサC2に充電され
て電界効果型トランジスタFETは、コンデンサ
C2の放電々圧でOFFとなる。この時、コンデン
サC2は操作スイツチＳを操作した瞬時のチヤタ
リング等の影響を除去して、電界効果型トランジ
スタFETに対して安定した電圧を入力する。し
かして、電界効果型トランジスタFETが、OFF
となると、電源電圧＋Ｖボルトが抵抗R4、ダイ
オードD2を介してコンデンサC3に充電される。
このコンデンサC3の放電々圧は、トランジスタ
Tr、増幅回路APを介して、出力電圧Voutとして
取り出され、出力電圧Voutは、第２図ｃに示す
ように、電圧Ｅボルト（＋Ｖボルトの降下電圧）
まで上がる。その後、電界効果型トランジスタ
FETはOFFとなるので、コンデンサC3の出力電
圧が、トランジスタTrのベース、エミツタ、抵
抗R5を順次介して、徐々に放電される。このた
め、出力電圧Voutは、第２図ｃに示すように、
電圧レベルが減衰する減衰電圧となる。なお、減
衰時間は、コンデンサC3と可変抵抗R5及び抵抗
R6とのCR回路の時定数とトランジスタTrの電流
増幅率によつて決定されるものである。従つて、
可変抵抗R5の抵抗値を可変することにより、出
力電圧Voutは、第３図に示すように、可変抵抗
R5の抵抗値に応じて、リリース時間が変化す
る。このため、例えば、可変抵抗R5の抵抗値を
大きくすると、そのCR回路の時定数が大きくな
り、コンデンサC3の放電時間が長くなるので、
出力電圧Voutの減衰時間を長くすることができ
る。
また、出力電圧Voutは、第４図に示すよう
に、可変抵抗R7の抵抗値に応じて、その減衰開
始電圧（最大電圧）が変化する。このため、例え
ば、可変抵抗R7の抵抗値を小さくすると、出力
電圧Voutの全体の電圧レベルを高くすることが
できる。
に、可変抵抗R7の抵抗値に応じて、その減衰開
始電圧（最大電圧）が変化する。このため、例え
ば、可変抵抗R7の抵抗値を小さくすると、出力
電圧Voutの全体の電圧レベルを高くすることが
できる。
その後、操作スイツチＳをOFFすると、第２
図ａに示す方形パルス電圧の立ち下がりに同期し
て、Ｂ点には、第２図ｂに示すような鋭い正の電
圧が現われる。この時、コンデンサC1の出力電
圧が抵抗R2，R1を介して、放電されるのである
が、ダイオードD1を逆バイアスするので、電界
効果形トランジスタFETは、ON状態を維持し、
出力電圧Voutは影響を受けない。
図ａに示す方形パルス電圧の立ち下がりに同期し
て、Ｂ点には、第２図ｂに示すような鋭い正の電
圧が現われる。この時、コンデンサC1の出力電
圧が抵抗R2，R1を介して、放電されるのである
が、ダイオードD1を逆バイアスするので、電界
効果形トランジスタFETは、ON状態を維持し、
出力電圧Voutは影響を受けない。
第５図は、電圧制御発振器２の電圧−周波数特
性を示しており、操作スイツチＳのONに伴つて
電圧制御部１からの出力電圧Voutが減衰する
と、発振周波数はfo（Hz）からｏ（Hz）まで、連
続的に変化する。この電圧制御部２から連続的に
出力される信号はローパスフイルタ３、ハイパス
フイルタ４に入力する。このローパスフイルタ３
と、ハイパスフイルタ４は、バンドパスフイルタ
を構成するように遮断周波数を設定する。つま
り、電圧制御部２から出力した信号は、まず、ロ
ーパスフイルタ３で高域がカツトされ、上記信号
の周波数が低くなるにつれ、上記信号の出力成分
が多くなり、そしてハイパスフイルタ４により
徐々に、上記信号の低域がカツトされていく。こ
れによつて、エンベロープ制御され、且つ時間と
共に周波数成分の変化した信号が、増幅器５を介
してスピーカ６に与えられ、ドラムシンセサイザ
に近似した効果音の発生が得られる。
性を示しており、操作スイツチＳのONに伴つて
電圧制御部１からの出力電圧Voutが減衰する
と、発振周波数はfo（Hz）からｏ（Hz）まで、連
続的に変化する。この電圧制御部２から連続的に
出力される信号はローパスフイルタ３、ハイパス
フイルタ４に入力する。このローパスフイルタ３
と、ハイパスフイルタ４は、バンドパスフイルタ
を構成するように遮断周波数を設定する。つま
り、電圧制御部２から出力した信号は、まず、ロ
ーパスフイルタ３で高域がカツトされ、上記信号
の周波数が低くなるにつれ、上記信号の出力成分
が多くなり、そしてハイパスフイルタ４により
徐々に、上記信号の低域がカツトされていく。こ
れによつて、エンベロープ制御され、且つ時間と
共に周波数成分の変化した信号が、増幅器５を介
してスピーカ６に与えられ、ドラムシンセサイザ
に近似した効果音の発生が得られる。
更に、可変抵抗R5の抵抗値を可変することに
より、効果音のリリース時間を可変することがで
きる。又、可変抵抗R7の抵抗値を可変すること
により、効果音の減衰開始周波数を可変すること
ができる。
より、効果音のリリース時間を可変することがで
きる。又、可変抵抗R7の抵抗値を可変すること
により、効果音の減衰開始周波数を可変すること
ができる。
なお、この考案は、上記実施例に限定されるも
のではなく、この考案を逸脱しない範囲内に於い
て、種々変更可能であり、例えば、バンドパスフ
イルタを構成するハイパスフイルタ、ローパスフ
イルタの接続順序を逆にしてもよい。
のではなく、この考案を逸脱しない範囲内に於い
て、種々変更可能であり、例えば、バンドパスフ
イルタを構成するハイパスフイルタ、ローパスフ
イルタの接続順序を逆にしてもよい。
また、コンデンサC3と可変抵抗R5及び抵抗R6
とのCR回路において、上記実施例に於いては、
可変抵抗R5の抵抗値を変えることにより、時定
数を変化させたが、コンデンサC3を可変コンデ
ンサとすることにより、その時定数を変えるよう
にしてもよい。
とのCR回路において、上記実施例に於いては、
可変抵抗R5の抵抗値を変えることにより、時定
数を変化させたが、コンデンサC3を可変コンデ
ンサとすることにより、その時定数を変えるよう
にしてもよい。
この考案は、以上の説明から明らかなように、
ドラムシンセサイザに近似した効果音の発生を、
簡単な回路構成で実現できるので、ドラムシンセ
サイザに比し、コスト的に極めて有利となる。ま
た、効果音のリリース時間又は減衰開始周波数を
可変可能に構成したから、変化に富んだ効果音の
発生を容易に得ることができる。
ドラムシンセサイザに近似した効果音の発生を、
簡単な回路構成で実現できるので、ドラムシンセ
サイザに比し、コスト的に極めて有利となる。ま
た、効果音のリリース時間又は減衰開始周波数を
可変可能に構成したから、変化に富んだ効果音の
発生を容易に得ることができる。
図面は、この考案の一実施例を示したもので、
第１図は、効果音発生装置の回路構成図、第２図
ａ〜ｃ、第３図、第４図は、電圧制御部の動作を
説明するもので、第２図ａ〜ｃは電圧波形図、第
３図は、出力電圧Voutのリリース時間が変化す
る状態を示した図、第４図は、出力電圧Voutの
減衰開始レベルが変化する状態を示した図、第５
図は、電圧制御発振器の電圧−周波数特性を示し
た図である。 １……電圧制御部、２……電圧制御発振器、３
……ローパスフイルタ、４……ハイパスフイル
タ、６……スピーカ、R5……可変抵抗。
第１図は、効果音発生装置の回路構成図、第２図
ａ〜ｃ、第３図、第４図は、電圧制御部の動作を
説明するもので、第２図ａ〜ｃは電圧波形図、第
３図は、出力電圧Voutのリリース時間が変化す
る状態を示した図、第４図は、出力電圧Voutの
減衰開始レベルが変化する状態を示した図、第５
図は、電圧制御発振器の電圧−周波数特性を示し
た図である。 １……電圧制御部、２……電圧制御発振器、３
……ローパスフイルタ、４……ハイパスフイル
タ、６……スピーカ、R5……可変抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 操作スイツチと、この操作スイツチの操作信
号に応じて電圧レベルを減衰する電圧制御部
と、この電圧制御部から出力される減衰電圧に
応じて発振周波数を連続的に変える電圧制御発
振器と、この電圧制御発振器の出力の高域及び
低域成分を除去するフイルタとを具備し、この
フイルタにより上記電圧制御発振器からの信号
の出力成分の高域及び低域を除去することによ
りエンベロープ制御され、且つ時間と共に周波
数成分の変化する効果音を発生して成る効果音
発生装置。 (2) 上記電圧制御部は減衰電圧の減衰時間を可変
可能に構成したものであることを特徴とした実
用新案登録請求の範囲第１項記載の効果音発生
装置。 (3) 上記電圧制御部は減衰開始電圧を可変可能に
構成したものであることを特徴とした実用新案
登録請求の範囲第１項記載の効果音発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981040664U JPS6239430Y2 (ja) | 1981-03-25 | 1981-03-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981040664U JPS6239430Y2 (ja) | 1981-03-25 | 1981-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57155598U JPS57155598U (ja) | 1982-09-30 |
| JPS6239430Y2 true JPS6239430Y2 (ja) | 1987-10-07 |
Family
ID=29837768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981040664U Expired JPS6239430Y2 (ja) | 1981-03-25 | 1981-03-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239430Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123994U (ja) * | 1979-02-22 | 1980-09-03 |
-
1981
- 1981-03-25 JP JP1981040664U patent/JPS6239430Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57155598U (ja) | 1982-09-30 |
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