JPS6238849B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に
半導体ウエーハ（以下「ウエーハ」と呼ぶ）に複
数個作り込まれた半導体チツプ（以下「チツプ」
と呼ぶ）にそれぞれのウエーハ内での位置を識別
できる識別記号を形成する方法に関するものであ
る。

一般に、半導体装置のチツプを製造する場合に
は、チツプの活性領域，コンタクトホール，配線
膜などを形成するためのチツプ形成用パターンが
行方向および列方向にそれぞれ複数個繰返し整列
するように配設された複数種類のフオトマスクを
用いて、ウエーハの行方向および列方向にそれぞ
れ複数個のチツプを作り込み、これらのチツプが
作り込まれたチツプ形成ウエーハを個々のチツプ
に切断分割する方法が用いられている。

ところで、近年、ウエーハの直径の大型化とチ
ツプのパターンの微細化とに伴つて、ウエーハへ
複数個のチツプを作り込む際のわずかな微細加工
の不均一性がこれらのチツプの電気的特性に大き
なばらつきを生じさせ、製造歩留りに大きな影響
を及ぼすようになつてきた。

このような微細加工の不均一性についての解析
を行うためには、各チツプのチツプ形成ウエーハ
内での位置とこれらのチツプの電気的特性との対
応関係を知ることが必要である。このために、従
来、チツプのチツプ形成ウエーハ内での位置と１
対１の対応を付けながら、このチツプのパツケー
ジへのアセンブリを行い、このパツケージにアセ
ンブリされたチツプのチツプ形成ウエーハ内での
位置関係を識別するための位置識別用記号を付け
ていた。

ところが、この従来の方法では、チツプのチツ
プ形成ウエーハ内での位置と１対１に対応付けし
た位置識別用記号をパツケージに付けるので、こ
の位置識別用記号付け作業の能率が極めて悪く、
この記号付け作業を多数のチツプ形成ウエーハに
ついて行うことが不可能である。その上、パツケ
ージに位置識別用記号を付けるので、出荷すべき
製品には適用できないという難点があつた。

このような問題点を解決するために、チツプ形
成ウエーハを作成する際に用いる複数種類のフオ
トマスクのうちの１枚のフオトマスクの行方向お
よび列方向にそれぞれ複数個配設された同一のチ
ツプ形成用パターンのそれぞれに互いに異なる位
置識別用記号を併設することによつて、チツプ形
成ウエーハ内の各チツプにそれぞれの位置識別用
記号を形成する方法が提案されている。

ところが、この先行技術になる方法では、フオ
トマスクの行方向および列方向にそれぞれ複数個
配設された同一のチツプ形成用パターンのそれぞ
れに互いに異なる位置識別用記号を併設するの
で、このフオトマスクのチツプ形成用パターンの
欠陥を検査する場合に、行方向または列方向の相
隣る２個のパターンを順次比較して差異ある部分
があればこれらの２個のパターン間にパターン欠
陥ありとして検査する自動パターン欠陥検査装置
を使用するときには、すべてのチツプ形成用パタ
ーンが、これに併設された位置識別用記号によつ
て、パターン欠陥ありとして検査される。従つ
て、このフオトマスクのチツプ形成用パターンの
欠陥検査には、自動パターン欠陥検査装置を使用
することは容易ではなく、このフオトマスクのチ
ツプ形成用パターンの欠陥検査作業の能率が極め
て悪いという欠点があつた。

この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもの
で、チツプ形成ウエーハ内の各チツプにそれぞれ
の位置識別用記号を形成するのに、２枚のフオト
マスクを使用することによつて、これらの２枚の
フオトマスクのチツプ形成用パターンの欠陥を自
動パターン欠陥検査装置を用いて容易に検査でき
るようにした半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

以下、MOS形半導体装置のチツプ（以下
「MOSチツプ」と呼ぶ）を製造するこの発明の一
実施例の方法について説明する。

第１図はこの実施例の方法においてMOSチツ
プのシリコンゲートの形成に用いられるシリコン
ゲート用フオトマスクを示す平面図である。

図において、１ａはこの実施例に使用されるシ
リコン（Si）ゲート用のフオトマスク、２ａは
MOSチツプの寸法と同一の寸法を有しフオトマ
スク１ａの表面に５行５列に配列されたチツプ領
域、Ｇは各チツプ領域２ａ内の同一部位に同一パ
ターンに形成されMOSチツプのSiゲートを形成
するためのSiゲート形成用パターン、Ｌ１は第１
行の各チツプ領域２ａのSiゲート形成用パターン
Ｇ以外の部分の同一部位に同一パターンにそれぞ
れ形成され第１行を識別するための行識別記号、
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４およびＬ５は、行識別記号Ｌ１
と同様に形成され、第２行，第３行，第４行およ
び第５行をそれぞれ識別するための行識別記号で
ある。

このフオトマスク１ａの各Siゲート形成用パタ
ーンＧの欠陥を検査する場合には、自動パターン
検査装置がそのステージ上に載置されたフオトマ
スク１ａの行方向の相隣る３個のチツプ領域２ａ
内のSiゲート形成用パターンＧを比較してこれら
の間の欠陥を検査するようにすれば、行識別記号
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４およびＬ５が、同一のパ
ターンでしかも第１行，第２行，第３行，第４行
および第５行の各チツプ領域２ａ内の同一部位に
形成されているので、パターン欠陥として検査さ
れることなく、各Siゲート形成用パターンＧの欠
陥を容易に検査することができる。

第２図はこの実施例の方法においてMOSチツ
プのアルミニウム配線の形成に用いられるアルミ
ニウム配線用フオトマスクを示す平面図である。

図において、１ｂはこの実施例に使用されるア
ルミニウム（Al）配線用のフオトマスク、２ｂ
は第１図に示したチツプ領域２ａと同様に、フオ
トマスク１ａの表面に５行５列に配列されたチツ
プ領域、Ｗは各チツプ領域２ｂ内の同一部位に同
一パターンにそれぞれ形成されMOSチツプのAl
配線を形成するためのAl配線形成用パターン、
Ｒ１は第１列の各チツプ領域２ｂのAl配線形成
用パターンＷおよび第１図に示した行識別記号Ｌ
１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４およびＬ５に対応する部分
以外の部分の同一部位に同一パターンにそれぞれ
形成され第１列を識別するための列識別記号、Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ５は、列識別記号Ｒ１と
同様に形成され、第２列，第３列，第４列および
第５列をそれぞれ識別するための列識別記号であ
る。

このフオトマスク１ｂの各Al配線形成用パタ
ーンＷの欠陥を検査する場合には、第１図に示し
たフオトマスク１ａの各Siゲート形成用パターン
Ｇの欠陥の検査に用いた自動パターン欠陥検査装
置のステージ上にこのフオトマスク１ｂを90度回
転させて載置すれば、第１図に示したフオトマス
ク１ａの場合と同様に、各Al配線形成用パター
ンＷの欠陥を容易に検査することができる。

第３図はこの実施例の方法になるチツプ形成ウ
エーハを示す平面図である。なお、第３図では
MOSチツプのパターンの図示は省略した。

図において、３は第１図および第２図にそれぞ
れ示したフオトマスク１ａおよび１ｂを含む複数
種類のフオトマスクを用いてウエーハにMOSチ
ツプ４を複数個作り込んだチツプ形成ウエーハで
ある。

この実施例の方法になるチツプ形成ウエーハ３
では、各MOSチツプ４に行識別記号Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３，Ｌ４およびＬ５と列識別記号Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ５とからなる２次元の互
いに異なる識別記号が形成されているので、この
チツプ形成ウエーハ３を個々のMOSチツプ４に
切断分割しても、これらのMOSチツプ４のチツ
プ形成ウエーハ３内での位置を容易に識別するこ
とができる。

この実施例では、フオトマスク１ａおよび１ｂ
の表面にチツプ領域２ａおよび２ｂを５行５列に
配列したが、必ずしもこれは５行５列に限定する
必要がなく、ｎ（ｎは２以上の自然数）行ｍ（ｍ
は２以上の自然数）列であつてもよい。また、こ
の実施例では、チツプ形成ウエーハ３の作成に要
する複数種類のフオトマスクのうちの２枚のフオ
トマスク１ａおよび１ｂを用いてチツプ形成ウエ
ーハ３の各MOSチツプ４に識別記号を形成した
が、必ずしもこれはフオトマスク１ａおよび１ｂ
に限定する必要がなく、チツプ形成ウエーハ３の
作成に用いられる複数種類のフオトマスクのうち
で、各MOSチツプ４に識別可能な記号を形成す
ることができるフオトマスクであれば、いずれの
２枚のフオトマスクを用いてもよい。また、この
実施例では、識別記号に文字と数字との組合わせ
の記号を用いたが、必ずしもこれは文字と数字と
の組合わせの記号に限定する必要がなく、文字の
み、数字のみなどのその他の記号を用いてもよ
い。さらに、この実施例では、チツプ形成ウエー
ハ３の各MOSチツプ４に互いに異なる識別記号
を形成する場合について述べたが、この発明は互
いに隣接する複数行複数列に配列された複数個の
MOSチツプ４を一つのグループとして分類する
場合にも適用できる。この場合には、一つのグル
ープ内の各MOSチツプ４に同一の識別記号が形
成されるようにすればよい。

なお、これまで、MOSチツプ形半導体装置の
製造方法を例にとり説明したが、この発明はこれ
に限らず、半導体装置一般の製造方法に適用でき
る。

以上、説明したように、この発明の半導体装置
の製造方法では、複数種類のうちの１枚のフオト
マスクには各行のｎ個のチツプ領域の同一部位に
同一パターンの行識別記号をそれぞれ形成すると
ともに他の１枚のフオトマスクには各列のｍ個の
チツプ領域の同一部位に同一パターンの列識別記
号をそれぞれ形成したものを用いて、上記チツプ
形成ウエーハ内の各半導体チツプに上記行識別記
号と上記列識別記号とをそれぞれ形成するように
したので、上記２枚のフオトマスクのチツプ形成
用パターンの欠陥を自動パターン欠陥検査装置を
用いて検査する場合には、この自動パターン欠陥
検査装置が上記行識別記号および上記列識別記号
をパターン欠陥として検査することがないので、
上記２枚のフオトマスクのチツプ形成用パターン
の欠陥を容易に検査することができる。また、上
記チツプ形成ウエーハを個々の半導体チツプに切
断分割したときには、これらの半導体チツプの上
記チツプ形成ウエーハ内での位置を上記２次元の
識別記号によつて容易に識別することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実
施例の方法に用いられるシリコンゲート用フオト
マスクおよびアルミニウム配線用フオトマスクを
示す平面図、第３図は上記実施例の方法になるチ
ツプ形成ウエーハを示す平面図である。 図において、１ａおよび１ｂはそれぞれSiゲー
ト用フオトマスクおよびAl配線用フオトマス
ク、２ａおよび２ｂはチツプ領域、３はチツプ形
成ウエーハ、４はMOSチツプ（半導体チツプ）、
ＧおよびＷはそれぞれSiゲート形成用パターンお
よびAl配線用パターン（チツプ形成用パター
ン）、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４およびＬ５は行識
別記号、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ５は列
識別記号である。なお、図中同一符号はそれぞれ
同一もしくは相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプのパターン形成に用いる同一の
   チツプ形成用パターン各々を有するｎ行，ｍ列
   （ｎ，ｍは２以上の自然数）のチツプ領域が配列
   されてなる複数種類のフオトマスクを用いて半導
   体ウエーハに複数の半導体チツプを作り込むに当
   り、 上記複数種類のうちの１枚のフオトマスクに同
   一行のｍ個の各チツプ領域の同一部位に同一パタ
   ーンの行識別記号を形成、かつ異なる行の各チツ
   プ領域に異なるパターンの行識別記号を形成した
   ものと、他の１枚のフオトマスクに同一列のｎ個
   の各チツプ領域の同一部位に同一パターンの列識
   別記号を形成し、かつ異なる列の各チツプ領域に
   異なるパターンの列識別記号を形成したものを用
   いて、上記半導体ウエーハの上記複数個の各半導
   体チツプに半導体チツプのウエーハ上の位置を識
   別するための上記行識別記号及び列識別記号を形
   成することを特徴とする半導体装置の製造方法。