JPS6238312A - 距離検出装置 - Google Patents
距離検出装置Info
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- JPS6238312A JPS6238312A JP17889785A JP17889785A JPS6238312A JP S6238312 A JPS6238312 A JP S6238312A JP 17889785 A JP17889785 A JP 17889785A JP 17889785 A JP17889785 A JP 17889785A JP S6238312 A JPS6238312 A JP S6238312A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光の入射位置を検出することができる半導体
装置検出装置等を用いた、特に近距離の位置検出に通し
た距離検出装置に関する。
装置検出装置等を用いた、特に近距離の位置検出に通し
た距離検出装置に関する。
（従来の技術）
半導体装置検出装置を用いた距離検出装置が知られてい
る。
る。
第４図は半導体装置検出装置を用いた距離検出装置の原
理を説明するための略図である。
理を説明するための略図である。
光源ＰＤからの光は、投光レンズＬ１を介して前方空間
に投射される。
に投射される。
前方空間の物体ｏｂからの反射光は前記投光レンズＬ１
から一定基線長りだけ離れた位置で受光レンズＬ２を介
して半導体装置検出装置ＰＳＤに入射する。半導体装置
検出装置ＰＳＤは、基線長方向に中心をレンズＬ２の光
軸に一致させて配置されている。
から一定基線長りだけ離れた位置で受光レンズＬ２を介
して半導体装置検出装置ＰＳＤに入射する。半導体装置
検出装置ＰＳＤは、基線長方向に中心をレンズＬ２の光
軸に一致させて配置されている。
半導体装置検出装置ＰｓＤの有効長を２１とし光の入射
点が受光レンズＬ２の光軸からΔＸだけ離れた位置であ
ったとすると、両端子から流出する電流１．．１２間に
次の関係が成立する。
点が受光レンズＬ２の光軸からΔＸだけ離れた位置であ
ったとすると、両端子から流出する電流１．．１２間に
次の関係が成立する。
Ｉｆ （Ｊ−Δｘ）＝Ｉ２（ｊ！＋ΔＸ）したがって
、 Δｘ／１− （１１−Ｉ２）／ （Ｉｔ ＋Ｉ２）とな
り、さらに Δｘ ／ ｐ ＝ Ｄ ／ Ｌの関係が成立するから物
体ｏｂまでの距離を電流１１．Ｉ２から算出することが
できる。
、 Δｘ／１− （１１−Ｉ２）／ （Ｉｔ ＋Ｉ２）とな
り、さらに Δｘ ／ ｐ ＝ Ｄ ／ Ｌの関係が成立するから物
体ｏｂまでの距離を電流１１．Ｉ２から算出することが
できる。
特開昭５６−１４３９０４号（発明の名称 オプトエレ
クトロニクス距離測定装置）は前記原理に基づくもので
あって、多数の反射面を利用した距離測定装置を提案し
ている。
クトロニクス距離測定装置）は前記原理に基づくもので
あって、多数の反射面を利用した距離測定装置を提案し
ている。
また特開昭６０−５２７１０号（発明の名称 距離検知
装置）は光の入射位置を検出することができる半導体装
置検出装置等を用いるものではないが、同様に３角測量
の原理に基づく距％ｉｌ！検知装置において、装置を小
形にするために、円筒内面を反射面として用いる提案を
している。
装置）は光の入射位置を検出することができる半導体装
置検出装置等を用いるものではないが、同様に３角測量
の原理に基づく距％ｉｌ！検知装置において、装置を小
形にするために、円筒内面を反射面として用いる提案を
している。
この装置はモアレトポグラフィ装置としての応用を予定
している。そして、一つのレンズと前記反射面を介して
光源からの像を投影し、その反射光を前記反射面とレン
ズを介して受は入れて評価するように構成されている。
している。そして、一つのレンズと前記反射面を介して
光源からの像を投影し、その反射光を前記反射面とレン
ズを介して受は入れて評価するように構成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
本件発明者は前記距離検知装置の原理を利用し、半導体
装置検出装置を用いて距離検出をする場合の問題点につ
いて検討した。
装置検出装置を用いて距離検出をする場合の問題点につ
いて検討した。
第５図は本件発明者が問題点検討のために作成した距離
検出装置の略図である。
検出装置の略図である。
光源４からの光は、レンズ２を介して前方の被測定物６
に投射される。
に投射される。
ａの位置にある被測定物６からの反射光を円筒鏡ｌの内
面で反射させ、再びレンズ２により集光されて、半導体
装置検出装置３および５に入射させられる。
面で反射させ、再びレンズ２により集光されて、半導体
装置検出装置３および５に入射させられる。
なお原理的にはいずれかの半導体装置検出装置のみで測
定は可能である。
定は可能である。
被測定物が二点鎖線で示すｂの位置に△Ｚだけ移動する
と、光線は二点鎖線で示す光路を辿り、半導体装置検出
装置３および５上において、ΔＸだけ光軸から離れた方
向に移動した位置に集光される。
と、光線は二点鎖線で示す光路を辿り、半導体装置検出
装置３および５上において、ΔＸだけ光軸から離れた方
向に移動した位置に集光される。
前述のようにして半導体装置検出装置３の出力電流を演
算することにより被測定物６までの距離を検出すること
ができる。
算することにより被測定物６までの距離を検出すること
ができる。
受光レンズ２の焦点距離を長くし、半導体装置検出装置
３を（Ｂ）の位置から、点線で示す位置（Ｂ”）に移動
させれば、測距分解能を上げることができる。
３を（Ｂ）の位置から、点線で示す位置（Ｂ”）に移動
させれば、測距分解能を上げることができる。
半導体装置検出装置３をＢｏの位置に配置することによ
り、被測定物６の移動量（△Ｚ）に対する半導体装置検
出装置３上での集光位置の移動量は△Ｘから△ｘ ｔに
拡大される。それ等の間には次の（１）式の関係が成立
する。
り、被測定物６の移動量（△Ｚ）に対する半導体装置検
出装置３上での集光位置の移動量は△Ｘから△ｘ ｔに
拡大される。それ等の間には次の（１）式の関係が成立
する。
△Ｘ ’ ＝ （Ｂ ’／Ｂ）△ｘ −・−（１
）第６図は前記距離検出装置で形成される光路を示す略
図である。
）第６図は前記距離検出装置で形成される光路を示す略
図である。
半導体装置検出装置３および５に入射する距離測定に寄
与しない光と信号光の総和（Ｉｏ ）は次の式で与えら
れる。
与しない光と信号光の総和（Ｉｏ ）は次の式で与えら
れる。
１０ ＝Ｉｎｏ＋Ｉｓ＋Ｉｎ１ ＋Ｉｎｅ ・・・
（２）Ｉｎｇ：光源４の光束がレンズ２の表面および裏
面で反射し回り込んでくる光 Ｉｓ ：被測定物６からの反射光が円筒鏡１の内面で反
射しレンズ２で集光される信号光（図示せず） Ｉｎｋ：被測定物からの反射光のうち円筒鏡１で反射せ
ず直接レンズ２に入射し回り込んでくる光 Ｉｎｅ ：光源４以外の外来光の一部 前記１．のうち距離情報を有している光はＩｓのみで、
他の光は接続した回路系で距離演算を実行する際、有害
な成分となり、測距誤差を生じさせる要因となる。
（２）Ｉｎｇ：光源４の光束がレンズ２の表面および裏
面で反射し回り込んでくる光 Ｉｓ ：被測定物６からの反射光が円筒鏡１の内面で反
射しレンズ２で集光される信号光（図示せず） Ｉｎｋ：被測定物からの反射光のうち円筒鏡１で反射せ
ず直接レンズ２に入射し回り込んでくる光 Ｉｎｅ ：光源４以外の外来光の一部 前記１．のうち距離情報を有している光はＩｓのみで、
他の光は接続した回路系で距離演算を実行する際、有害
な成分となり、測距誤差を生じさせる要因となる。
この内、外来光（Ｉｎｓ）は光源の発光波長以外の波長
領域の光を光学バンドフィルタにより大部分除去できる
。また、光源をパルス点燈させ、光学バンドフィルタを
透過してきた光を半導体装置検出装置３および５で光電
変換後、同期検波することにより除去することができる
。
領域の光を光学バンドフィルタにより大部分除去できる
。また、光源をパルス点燈させ、光学バンドフィルタを
透過してきた光を半導体装置検出装置３および５で光電
変換後、同期検波することにより除去することができる
。
これに対し、ＩｎｏとＩｎｌは電気的な演算回路系での
除去は困難であり、レンズ２に反射防止膜をコーティン
グするとか、光学系の内部に吸収塗料を塗布して内部反
射を小さくする方法があるが、その効果は小さい。
除去は困難であり、レンズ２に反射防止膜をコーティン
グするとか、光学系の内部に吸収塗料を塗布して内部反
射を小さくする方法があるが、その効果は小さい。
また、円筒鏡の内面を鏡面とする作業は容易でなく、製
造コストの増加の原因となり得る。
造コストの増加の原因となり得る。
この装置で前述したように、レンズ２の焦点距離を長く
すると、測距分解能を向上させることができるが、形状
が大きくなり円筒鏡による小型化の効果がなくなってし
まうという問題がある。
すると、測距分解能を向上させることができるが、形状
が大きくなり円筒鏡による小型化の効果がなくなってし
まうという問題がある。
本発明の目的は、前述した装置の問題を解決すること力
５でき、小形化に通した距離検出装置を提供することに
ある。
５でき、小形化に通した距離検出装置を提供することに
ある。
（問題を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による距離検出装置
は、光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投射
し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線長
離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出するこ
とができる受光素子で受光し、その出力を演算回路によ
り処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得る
距離検出装置において、前記受光レンズの前方に前記反
射物体からの光を前記投光レンズの光軸方向に屈折させ
る屈折力をもつ光学素子を配置して構成されている。
は、光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投射
し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線長
離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出するこ
とができる受光素子で受光し、その出力を演算回路によ
り処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得る
距離検出装置において、前記受光レンズの前方に前記反
射物体からの光を前記投光レンズの光軸方向に屈折させ
る屈折力をもつ光学素子を配置して構成されている。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は本発明による距離検出装置の主として光学系の
実施例とその光路を示す図である。
実施例とその光路を示す図である。
投光レンズ１２はレンズ７と光軸が一致させられて配置
されている。
されている。
レンズ７は凸レンズの中心部を除去して形成したもので
ある。
ある。
光源１３からの光は投光レンズ１２で集束され、前記レ
ンズ７の中心の除去された部分を通って前方の被測定物
６を照射する。
ンズ７の中心の除去された部分を通って前方の被測定物
６を照射する。
被測定物６からの反射光は、レンズ７で光束が前記投光
レンズの光軸方向との角度を小さくする方向に屈折され
て、受光レンズ８および９に入射させられる。
レンズの光軸方向との角度を小さくする方向に屈折され
て、受光レンズ８および９に入射させられる。
各受光レンズ８および９で集束された光は、それぞれ半
導体装置検出装置１０および１１の受光面上に投射され
る。
導体装置検出装置１０および１１の受光面上に投射され
る。
この光学系において、第１図の破線の示す位置までの距
離２は、光学的近軸光線領域の計算法を用いると次の式
で与えられる。
離２は、光学的近軸光線領域の計算法を用いると次の式
で与えられる。
Ｚ＝（ｂｆ２ ｅΔｘ）ｆｌ
／（ｂｆ２−ｅΔｘ ＋ ｆ １ΔＸ）−（３）ここで
ｆｌ ：対物レンズ７の焦点距離
ｆ２：受光レンズ８．９の焦点距離
ｅ ：対物レンズと受光レンズ８．９とのレンズ間隔
ΔＸ：半導体装置検出装置１０および１１の電気的中心
位置から集光されたスポット光の重−心位置までの距離 ｂ ＝対物レンズ７および投光レンズ１２の光軸と受光
レンズ８および９の光軸との間隔（三角測量法の基線長
に相当） Ｚ：対物レンズ７から被測定物６までの距離なお（３）
式で△Ｘ＝Ｏの時、被測定物６までの距離（ＺＯ）はｆ
ｌと等しくなる。
位置から集光されたスポット光の重−心位置までの距離 ｂ ＝対物レンズ７および投光レンズ１２の光軸と受光
レンズ８および９の光軸との間隔（三角測量法の基線長
に相当） Ｚ：対物レンズ７から被測定物６までの距離なお（３）
式で△Ｘ＝Ｏの時、被測定物６までの距離（ＺＯ）はｆ
ｌと等しくなる。
ここで距離分解能を上げるためには、Ｚの変化量（△Ｚ
）に対するスポット光の移動量（△Ｘ）の比を大きくす
ればよい。△Ｚは（４）式より求まる。
）に対するスポット光の移動量（△Ｘ）の比を大きくす
ればよい。△Ｚは（４）式より求まる。
△Ｚ±Ｚ、−Ｚ。
＝ｆ１２Δｘ／（ｂｆ、２ ｅΔｘ＋ｆ１ΔＸ）・・
・（４） （４）式においてｒ２〉〉△Ｘのとき△Ｚは（５）式に
なる。
・（４） （４）式においてｒ２〉〉△Ｘのとき△Ｚは（５）式に
なる。
△ｚ、、（，２△ｘ ／ ｂ ｆ ２
・・１５１（５）式より変化量△Ｚと△Ｘの比は（６）
式になる。
・・１５１（５）式より変化量△Ｚと△Ｘの比は（６）
式になる。
ΔＸ／ΔＺ＝ｂｆ２／ｆ、２−（６１
（６）式より明らかなように、対物レンズ７の焦点距離
ｆ１と基線長すが一定の場合、距離分解能は受光レンズ
８および９の焦点距離ｆ２に略比例して高くなる。
ｆ１と基線長すが一定の場合、距離分解能は受光レンズ
８および９の焦点距離ｆ２に略比例して高くなる。
第１図において、ｆ２が長くなっても基線長方向の大き
さは一定のままで、Ｚ方向の長さを変えるだけでよい。
さは一定のままで、Ｚ方向の長さを変えるだけでよい。
第２図は、前記光学系により半導体装置検出装置上に形
成された光点の位置を計算して、距離Ｚを算出する演算
回路の実施例を示すブロック図である。
成された光点の位置を計算して、距離Ｚを算出する演算
回路の実施例を示すブロック図である。
光源７として赤外線発光ダイオード（たとえは浜松ホト
ニクス株式会社のＬｉ２Ｏ２型）を用いる。
ニクス株式会社のＬｉ２Ｏ２型）を用いる。
駆動回路１４は前記光源７をパルス発光させるための駆
動回路である。
動回路である。
半導体装置検出装置１０および１１として、ＰＳＤ、た
とえは浜松ホトニクス株式会社の８２１５３型を用いる
。
とえは浜松ホトニクス株式会社の８２１５３型を用いる
。
それぞれの半導体装置検出装置１０．１１は同一の形状
と感度をもちレンズ７′の光軸に対象に配置されている
。
と感度をもちレンズ７′の光軸に対象に配置されている
。
各半導体装置検出装置１０．１１に入射する光量が等し
く、かつ入射位置は対象であるとし、各半導体装置検出
装置１０．１１の光源１３よりの電極から取り出される
電流をそれぞれ１１、外側よりの電極から取り出される
電流をそれぞれ１２と゛する。各半導体装置検出装置１
Ｏ１１１の外側の電極および内側の電極はそれぞれ共通
に接続されている。
く、かつ入射位置は対象であるとし、各半導体装置検出
装置１０．１１の光源１３よりの電極から取り出される
電流をそれぞれ１１、外側よりの電極から取り出される
電流をそれぞれ１２と゛する。各半導体装置検出装置１
Ｏ１１１の外側の電極および内側の電極はそれぞれ共通
に接続されている。
このような接続をするのは、出力電流を２倍にして、検
出感度を向上させるためである。
出感度を向上させるためである。
内側の電極から取り出された電流２ｉ１＋ｉｎ（ただし
ｉｎは外来光電流）と、外側の電極から取り出された電
流２ｉ２＋ｉｎはそれぞれ、信号電流抜取回路１５およ
び１６によって信号電流２．ｉｌおよび２１２のみが抜
き取られ増幅された後、対数変換回路１７および１８に
よって対数圧縮されて、差動アンプ１９によって １０ｇ１２ ｌｏｇｉｃ ＝Ｉ！ｏｇｉ２ ／ ｉｌ
の演算が行われる。 ′ 之の演算値はサンプルホールド回路２０によってホール
ドされ、これに基づいて距ＮＺに対応するデータを得る
ことができる。
ｉｎは外来光電流）と、外側の電極から取り出された電
流２ｉ２＋ｉｎはそれぞれ、信号電流抜取回路１５およ
び１６によって信号電流２．ｉｌおよび２１２のみが抜
き取られ増幅された後、対数変換回路１７および１８に
よって対数圧縮されて、差動アンプ１９によって １０ｇ１２ ｌｏｇｉｃ ＝Ｉ！ｏｇｉ２ ／ ｉｌ
の演算が行われる。 ′ 之の演算値はサンプルホールド回路２０によってホール
ドされ、これに基づいて距ＮＺに対応するデータを得る
ことができる。
第３図（Ａ）に第１図に示した光学系の半分の光学系を
示す。
示す。
前述したように対象な光学系と一対の半導体装置検出装
置を設けるのは、検出感度を向上させるためである。し
たがって、十分な反射光の得られるときには第３図（Ａ
）に示した光学系に光源と半導体装置検出装置を対応さ
せることにより、同様な距離検出が可能になる。
置を設けるのは、検出感度を向上させるためである。し
たがって、十分な反射光の得られるときには第３図（Ａ
）に示した光学系に光源と半導体装置検出装置を対応さ
せることにより、同様な距離検出が可能になる。
第３図（Ｂ）に示すように、前記レンズ７の部分をプリ
ズム３０に置き換えても同様な効果が得られる。
ズム３０に置き換えても同様な効果が得られる。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明による距離検出装置
は、光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投射
し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線長
離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出するこ
とができる受光素子゛で受光し、その出力を演算回路に
より処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得
る距離検出装置において、前記受光レンズの前方に前記
反射物体からの光を前記投光レンズの光軸方向に屈折さ
せる屈折力をもつ光学素子を配置して構成しである。
は、光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投射
し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線長
離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出するこ
とができる受光素子゛で受光し、その出力を演算回路に
より処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得
る距離検出装置において、前記受光レンズの前方に前記
反射物体からの光を前記投光レンズの光軸方向に屈折さ
せる屈折力をもつ光学素子を配置して構成しである。
そのため、前記投光レンズからの光は前記光学素子によ
る影響を受けないので、投光に関連する雑音を大幅に少
なくすることができる。
る影響を受けないので、投光に関連する雑音を大幅に少
なくすることができる。
また前記光学素子を一対設けて光の入射位置を検出する
装置を対応させれば、検出感度を向上させることができ
る。
装置を対応させれば、検出感度を向上させることができ
る。
第１図は本発明による距離検出装置の主として光学系の
実施例とその光路を示す図である。 第２図は本発明による距離検出装置の主として演算回路
の実施例を示すブロック図である。 第３図は光学系の他の実施例を示す光路図であって、同
図（Ａ）は屈折力をもつ光学素子をレンズの部分を用い
て実現した場合、同図（Ｂ）はプリズムを用いて実現し
た場合の例である。 第４図は半導体装置検出装置を用いた距離検出装置の原
理を説明するための略図である。 第５図は本件発明者が問題点検討のために作成した距離
検出装置の略図である。 第６図は前記距離検出装置に形成される光路を示す略図
である。 ６・・・被測定物 ７・・・レンズ ８．９・・・受光レンズ １０．１１・・・半導体装置検出装置 １２・・・投光レンズ １３・・・光源 １４・・・光源駆動回路 １５．１６・・・信号電流抜取回路 １７．１８・・・対数変換回路 １９・・・作動増幅器 ２０・・・サンプルホールド回路 ３０・・・プリズム 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 毒 牙１図 トーｚＯ÷ ２３図 才４図 ２６図
実施例とその光路を示す図である。 第２図は本発明による距離検出装置の主として演算回路
の実施例を示すブロック図である。 第３図は光学系の他の実施例を示す光路図であって、同
図（Ａ）は屈折力をもつ光学素子をレンズの部分を用い
て実現した場合、同図（Ｂ）はプリズムを用いて実現し
た場合の例である。 第４図は半導体装置検出装置を用いた距離検出装置の原
理を説明するための略図である。 第５図は本件発明者が問題点検討のために作成した距離
検出装置の略図である。 第６図は前記距離検出装置に形成される光路を示す略図
である。 ６・・・被測定物 ７・・・レンズ ８．９・・・受光レンズ １０．１１・・・半導体装置検出装置 １２・・・投光レンズ １３・・・光源 １４・・・光源駆動回路 １５．１６・・・信号電流抜取回路 １７．１８・・・対数変換回路 １９・・・作動増幅器 ２０・・・サンプルホールド回路 ３０・・・プリズム 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 毒 牙１図 トーｚＯ÷ ２３図 才４図 ２６図
Claims (6)
- （１）光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投
射し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線
長離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出する
ことができる受光素子で受光し、その出力を演算回路に
より処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得
る距離検出装置において、前記受光レンズの前方に前記
反射物体からの光を前記投光レンズの光軸方向に屈折さ
せる屈折力をもつ光学素子を配置して構成したことを特
徴とする距離検出装置。 - （２）前記光学素子は前記投光レンズの前方で前記投光
レンズと光軸を一致させられて設けられ、前記投光レン
ズの前方が貫通させられている正レンズである特許請求
の範囲第１項記載の距離検出装置。 - （３）前記距離検出装置の検出範囲と精度は前記投光レ
ンズの前方が貫通させられている正レンズの焦点距離と
受光レンズの焦点距離と基線長により決定される特許請
求の範囲第２項記載の距離検出装置。 - （４）前記光学素子は反射光を投影光の光軸に平行に近
づく方向に屈折させるプリズムである特許請求の範囲第
１項記載の距離検出装置。 - （５）前記受光素子は半導体位置検出装置である特許請
求の範囲第１項記載の距離検出装置。 - （６）光源からの光を投光レンズを介して前方空間に投
射し、前方からの反射光を前記投光レンズから一定基線
長離れた位置で受光レンズを介して入射位置を検出する
ことができる受光素子で受光し、その出力を演算回路に
より処理して前方空間の反射物体までの距離の情報を得
る距離検出装置において、前記受光レンズは前記投光レ
ンズの光軸対象の位置に一対設けられ、前記各受光レン
ズの前方に前記反射物体からの光を前記投光レンズの光
軸方向に屈折させる屈折力をもつ一対の光学素子を配置
し、前記受光素子は前記受光レンズに対してそれぞれ配
置され、前記受光素子の出力は出力が加算されるように
前記演算回路で処理されることを特徴とする距離検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17889785A JPS6238312A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 距離検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17889785A JPS6238312A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 距離検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238312A true JPS6238312A (ja) | 1987-02-19 |
| JPH0219403B2 JPH0219403B2 (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=16056600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17889785A Granted JPS6238312A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 距離検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6238312A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206610A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 測距装置 |
| JP2008275453A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Mitsutoyo Corp | 光学的変位測定装置 |
| KR100967046B1 (ko) | 2008-06-13 | 2010-06-29 | 삼성전기주식회사 | 거리 측정 장치 |
| KR101131627B1 (ko) | 2009-04-28 | 2012-03-30 | 전남대학교산학협력단 | 고정밀 레이저 거리계용 렌즈 |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17889785A patent/JPS6238312A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206610A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 測距装置 |
| JP2008275453A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Mitsutoyo Corp | 光学的変位測定装置 |
| KR100967046B1 (ko) | 2008-06-13 | 2010-06-29 | 삼성전기주식회사 | 거리 측정 장치 |
| KR101131627B1 (ko) | 2009-04-28 | 2012-03-30 | 전남대학교산학협력단 | 고정밀 레이저 거리계용 렌즈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219403B2 (ja) | 1990-05-01 |
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