JPS6235704B2 - - Google Patents

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JPS6235704B2
JPS6235704B2 JP56080178A JP8017881A JPS6235704B2 JP S6235704 B2 JPS6235704 B2 JP S6235704B2 JP 56080178 A JP56080178 A JP 56080178A JP 8017881 A JP8017881 A JP 8017881A JP S6235704 B2 JPS6235704 B2 JP S6235704B2
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JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output
storage
failure
module
Prior art date
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Expired
Application number
JP56080178A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS57195397A (en
Inventor
Toshuki Furui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP56080178A priority Critical patent/JPS57195397A/en
Publication of JPS57195397A publication Critical patent/JPS57195397A/en
Publication of JPS6235704B2 publication Critical patent/JPS6235704B2/ja
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、記憶装置の2重化に関し、特に任意
の部分を局部的に2重化することを可能とした記
憶装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to duplication of storage devices, and particularly to a storage device that allows any portion to be locally duplicated.

電子計算機の利用技術の高度化に伴つて、オン
ライン、リアルタイム実時間性が必要とされ、瞬
時の中断も許されない高信頼度計算機システムへ
の要求が高まつている。システムの中断をひきお
こす主要因の1つに主記憶装置の障害がある。主
記憶装置には、オペレーテイングシステムと呼ば
れるシステム全体を管理するプログラム、管理デ
ータ、テーブル等を記憶している部分と、通常の
アプリケーシヨンプログラムおよびそのデータが
記憶されている部分がある。後者の部分が障害を
発生して回復不能になつた場合でも、一般にオペ
レーテイングシステムにより少し前の状態まで戻
り、主記憶装置の正常な部分を使用して処理を再
開させるというソフトウエアによるリトライが可
能である。しかし、前者のオペレーテイングシス
テム部に障害を起こすと、障害処理機能自体が回
復できないためシステム動作を中断しなければな
らなくなる。この様な主記憶装置の障害によるシ
ステムの中断を回避するために、主記憶装置を完
全に2重化して、2つの主記憶装置を設け、両方
の主記憶装置に同一情報の同時書込み、同時読出
し操作をさせる多重化された2重化制御方式が考
えられている。このような制御方式によつて、シ
ステム中断は回避されるが、主記憶装置を完全に
2組備える必要があるため装置が膨大となるとい
う欠点がある。本来、主記憶装置上の情報には、
動的に変化しない外部記憶等から回復可能なプロ
グラムやテーブルが多く、2重化して保護すべき
回復不能の情報は比較的少ないものである。しか
るに、上述のように主記憶装置を完全に2重化す
るということは、いたずらに装置を大型化し、か
つ複雑化するものである。
As the technology for using electronic computers becomes more sophisticated, online, real-time performance is required, and there is an increasing demand for highly reliable computer systems that cannot tolerate instantaneous interruptions. One of the main causes of system interruption is main storage failure. The main storage device has a part called an operating system that stores programs for managing the entire system, management data, tables, etc., and a part that stores normal application programs and their data. Even if the latter part fails and becomes unrecoverable, the operating system generally returns to a slightly earlier state and retries the process using a normal part of main memory. It is possible. However, if a failure occurs in the former operating system, the system operation must be interrupted because the failure handling function itself cannot be recovered. In order to avoid system interruptions due to failures in the main memory, the main memory is completely duplicated and two main memory devices are provided. Multiplexed and duplex control schemes for performing read operations have been considered. Although such a control method avoids system interruption, it has the disadvantage that it requires two sets of main storage devices, resulting in an enormous amount of equipment. Originally, information on main memory is
There are many programs and tables that can be recovered from external storage that does not change dynamically, and there is relatively little unrecoverable information that should be duplicated and protected. However, completely duplicating the main storage device as described above unnecessarily increases the size and complexity of the device.

本発明の目的は、主記憶装置内の複数のモジユ
ールのうち、任意のモジユールを2重化用バツク
アツプモジユールとして使用することにより、必
要最小限の局部的2重化によりシステムの中断を
回避することができる局部的に2重化可能な記憶
装置を提供することにある。
An object of the present invention is to avoid system interruption by minimizing local duplication by using any module among a plurality of modules in the main memory as a backup module for duplication. The object of the present invention is to provide a locally duplexable storage device that can be duplicated.

本発明の記憶装置は、複数個の記憶モジユール
と、該記憶モジユールを指定するアドレスレジス
タおよび該アドレスレジスタの内容を解読するア
ドレスデコーダと、前記複数の記憶モジユールの
それぞれの動作の障害を検出する複数の障害検出
回路と、前記記憶モジユールの読出しデータを前
記障害検出回路の出力によつて阻止するアンド回
路とを備えた記憶装置において、2重化すべき記
憶モジユールを指定する第1および第2の指示手
段と、前記アドレスレジスタの内容が前記第1の
指示手段の内容と一致したことを検出する一致検
出手段と、該一致検出手段の出力によつて前記第
2の指示手段の出力を対応する前記記憶モジユー
ルに与えるゲート群とを備え、前記アドレスレジ
スタの内容が前記第1の指示手段の内容と一致し
たときは、前記第2の指示手段の指定する記憶モ
ジユールにも論理“1”を与えるように構成した
ことを特徴とする。
The storage device of the present invention includes a plurality of storage modules, an address register for specifying the storage module, an address decoder for decoding the contents of the address register, and a plurality of storage modules for detecting a failure in the operation of each of the storage modules. and an AND circuit for blocking read data of the storage module by the output of the failure detection circuit, first and second instructions specifying a storage module to be duplicated. matching means for detecting that the content of the address register matches the content of the first instruction means; a gate group to be applied to a storage module, and when the contents of the address register match the contents of the first instruction means, a logic "1" is also applied to the storage module specified by the second instruction means. It is characterized by being configured as follows.

次に、本発明について、図面を参照して詳細に
説明する。
Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示す一部ブロツ
ク図を含む論理回路図である。説明を簡単にする
ため、本実施例では、主記憶装置は64キロバイト
の記憶モジユール4個から構成されていて総計
256キロバイトの容量を持つているものとする。
すなわち、記憶モジユール41〜44は、各64キ
ロバイトの容量を持ち、番地の若い方から順番に
モジユール番号#1〜#4がふられている。該記
憶装置を操作する番地は、上位アドレスレジスタ
(AU)10と下位アドレスレジスタ(AL)12
から与えられる。上位アドレスレジスタ10は2
ビツトで構成され、記憶モジユール41〜44を
選択するため、アドレスデコーダ回路11で解読
される。すなわち、アドレスレジスタ10の内容
“00”、“01”、“10”、“11”に対応してアドレスデ
コーダ11は出力101,102,103,10
4をそれぞれ論理“1”にする。該デコーダ出力
101〜104は、それぞれ論理和回路26〜2
9およびモジユール選択線126〜129を介し
て記憶モジユール41〜44のS端子にそれぞれ
接続される。記憶モジユール41〜44のアドレ
ス端子Aには、アドレスバス125が接続されて
いて、下位アドレスレジスタ12から16ビツトの
記憶モジユール内アドレスが入力して操作すべき
記憶モジユール内番地が決定される。そして、操
作指示99から指示線135を介して読出し又は
書込み指示を与えることにより、書込み又は読出
し操作がされる。書込みの場合は、データレジス
タ30からデータバス130で各モジユールに送
られたデータを該当番地に書込み、読出しの場合
は該当番地の内容を対応する記憶モジユールの読
出し出力131〜134に出力する。前記モジユ
ール選択線126〜129で選択され読出し又は
書込み操作中のモジユールは線141〜144に
より対応する障害検出回路51〜54によつて正
常性が検証され、入力データ、入力アドレス、出
力データのパリテイエラーやタイミングの不正が
検出されると出力151〜154にエラー信号が
出される。該エラー信号を、それぞれ否定回路6
1〜64を介してそれぞれアンド回路71〜74
に入力させることにより、障害が検出された記憶
モジユールからの読出しデータが出力されるのを
阻止させている。障害のない記憶モジユールから
の読出しデータ131〜134は、対応するアン
ド回路71〜74によつて前記エラー信号の否定
信号およびモジユール選択線126〜129との
論理積がとられて読出し操作で選択された記憶モ
ジユールの読出しデータが出力される。アンド回
路71〜74の出力は、オア回路75を介して出
力線160に送出される。以上の記憶装置の動作
は、従来の記憶装置の動作と基本的には同じであ
り、公知である。
FIG. 1 is a logic circuit diagram including a partial block diagram showing one embodiment of the present invention. To simplify the explanation, in this example, the main storage device consists of four storage modules of 64 kilobytes each.
Assume that it has a capacity of 256 KB.
That is, the storage modules 41 to 44 each have a capacity of 64 kilobytes, and are assigned module numbers #1 to #4 in order from the lowest address. The addresses for operating the storage device are upper address register (AU) 10 and lower address register (AL) 12.
given from. Upper address register 10 is 2
It consists of bits and is decoded by address decoder circuit 11 to select storage modules 41-44. That is, the address decoder 11 outputs outputs 101, 102, 103, 10 corresponding to the contents "00", "01", "10", "11" of the address register 10.
4 to logic "1". The decoder outputs 101 to 104 are connected to OR circuits 26 to 2, respectively.
9 and module selection lines 126-129, respectively, to the S terminals of storage modules 41-44. An address bus 125 is connected to the address terminals A of the storage modules 41 to 44, and a 16-bit address within the storage module is input from the lower address register 12 to determine the address within the storage module to be operated. Then, a write or read operation is performed by giving a read or write instruction from the operation instruction 99 via the instruction line 135. In the case of writing, the data sent from the data register 30 to each module via the data bus 130 is written to the corresponding address, and in the case of reading, the contents of the corresponding address are output to the readout outputs 131 to 134 of the corresponding storage module. The module selected by the module selection lines 126 to 129 and undergoing a read or write operation is verified to be normal by the corresponding fault detection circuits 51 to 54 by the lines 141 to 144, and the parity of the input data, input address, and output data is verified. If a timing error or incorrect timing is detected, an error signal is output to outputs 151-154. The error signals are sent to a negation circuit 6, respectively.
AND circuits 71 to 74 via 1 to 64, respectively.
By inputting the data into the memory module, read data from the storage module in which the fault has been detected is prevented from being output. Read data 131-134 from a non-faulty storage module is selected in a read operation by being logically ANDed with the negation of the error signal and module selection lines 126-129 by corresponding AND circuits 71-74. The read data of the stored storage module is output. The outputs of AND circuits 71 to 74 are sent to output line 160 via OR circuit 75. The operation of the storage device described above is basically the same as that of a conventional storage device and is well known.

本実施例では、上述のアドレスレジスタ10,
12の他に、第1モジユール選択レジスタ13お
よび第2モジユール選択レジスタ20を設ける。
第1モジユール選択レジスタ13には2重化の対
象となるべき情報が入つている記憶モジユールを
示す2ビツトの値を設定しておく。そして、第2
モジユール選択レジスタ20には、前記記憶モジ
ユールを2重化するために使用する記憶モジユー
ルの番号を設定しておく。例えば、第1モジユー
ル選択レジスタ13の内容を“01”に設定し、第
2モジユール選択レジスタ20の内容を“11”に
設定しておく。第1モジユール選択レジスタ13
の出力は、デコーダ14で解読されて出力線10
6〜109のうちの対応する線が論理“1”にな
る。出力線106〜109はそれぞれアンド回路
15〜18に入力させ、アンド回路15〜18の
もう一方の入力には前記デコーダ11の出力線1
01〜104がそれぞれ接続されている。
In this embodiment, the above-mentioned address register 10,
12, a first module selection register 13 and a second module selection register 20 are provided.
A 2-bit value indicating a storage module containing information to be duplicated is set in the first module selection register 13. And the second
The module selection register 20 is set with the number of the storage module used to duplicate the storage module. For example, the contents of the first module selection register 13 are set to "01" and the contents of the second module selection register 20 are set to "11". First module selection register 13
The output of is decoded by the decoder 14 and sent to the output line 10.
The corresponding line from 6 to 109 becomes logic "1". The output lines 106 to 109 are input to AND circuits 15 to 18, respectively, and the output line 1 of the decoder 11 is input to the other input of the AND circuits 15 to 18.
01 to 104 are connected to each other.

本実施例では、前記第1モジユール選択レジス
タ13とデコーダ14とで2重化すべき記憶モジ
ユールを指定する第1の指示手段を構成してい
る。対象となる記憶モジユールが固定の場合は、
単に対応するアンド回路15〜18の入力に固定
的にハイレベルを与えるもの(例えば電源から接
続された抵抗)であつてもよい。また、アンド回
路15〜18は、アドレスレジスタの内容が前記
第1の指示手段の内容と一致したことを検出する
一致検出手段を構成している。従つてアンド回路
15〜18は、デコーダ11と14の出力線の論
理が一致して“1”になつたときのみ論理“1”
を出力する。換言すれば、第1モジユール選択レ
ジスタ13によつて指定したモジユールをアドレ
スレジスタ10で指定したときは、対応するアン
ド回路15〜18の出力が論理“1”になりオア
回路19を介してアンド回路22〜25の入力に
“1”を与える。アンド回路22〜25のもう一
方の入力には、それぞれデコーダ21の出力線1
16〜119が接続されている。デコーダ21は
第2モジユール選択レジスタ20の内容を解読す
るデコーダである。オア回路19の出力が“1”
になつたときは、第2モジユール選択レジスタ2
0の指定する記憶モジユールに対して対応するア
ンド回路22〜25によりオア回路26〜29を
介して論理“1”が与えられる。すなわち、本実
施例では、アドレスレジスタ20とデコーダ21
とで2重化すべき記憶モジユールを指定する第2
の指示手段を構成している。上記記憶モジユール
が固定のときは、単にアンド回路22〜25の該
当する入力端子にハイレベルを与えるもの(例え
ば電源に接続された抵抗)であつてもよい。ま
た、アンド回路22〜25とオア回路26〜29
とで一致検出手段の出力によつて第2の指示手段
の出力を対応する記憶モジユールに与えるゲート
群を構成している。そして、例えば、第1モジユ
ール選択レジスタが“01”に設定され、第2モジ
ユール選択レジスタが“11”に設定されている場
合に、アドレスレジスタ10によつて“01”が指
定されると、デコーダ11の出力102が“1”
になりオア回路27を介して記憶モジユール42
のS端子を“1”にすると同時に、アンド回路1
6、オア回路19を介してアンドゲート25の入
力を“1”とし、デコーダ21の出力119との
論理積によりアンド回路25の出力124が
“1”になり、オア回路29を介して記憶モジユ
ール44のS端子も“1”になる。この結果、記
憶モジユール42と44は、アドレスバス125
で与えられた記憶モジユール内アドレスに対して
読出し又は書込み動作を行なう。すなわち2重化
動作が行なわれる。読出し又書込み動作は操作指
示99の指示によつて同時に行なわれる。一方、
アドレスレジスタ10が“00”を指定したとき
は、ゲート回路15〜18のいずれの出力も
“0”であるから、オア回路19の出力110は
“0”でありゲート回路22〜25の出力はいず
れも“0”であるから、デコーダ11の出力線1
01からオア回路26を介して記憶モジユール4
1のみに“1”が与えられる。アドレスレジスタ
10が“10”を指定したときは同様に記憶モジユ
ール43のみが“1”になる。ただし、アドレス
レジスタ10は、“11”を指定することはないよ
うにソフトウエア的に処理されている。
In this embodiment, the first module selection register 13 and the decoder 14 constitute a first instruction means for specifying a storage module to be duplicated. If the target storage module is fixed,
It may be a device (for example, a resistor connected to a power supply) that simply provides a fixed high level to the inputs of the corresponding AND circuits 15 to 18. Further, the AND circuits 15 to 18 constitute a coincidence detection means for detecting that the content of the address register matches the content of the first instruction means. Therefore, AND circuits 15 to 18 output logic "1" only when the logics of the output lines of decoders 11 and 14 match and become "1".
Output. In other words, when the module specified by the first module selection register 13 is specified by the address register 10, the output of the corresponding AND circuits 15 to 18 becomes logic "1", and the output from the AND circuit is passed through the OR circuit 19. Give "1" to inputs 22-25. The output line 1 of the decoder 21 is connected to the other input of the AND circuits 22 to 25, respectively.
16 to 119 are connected. The decoder 21 is a decoder that decodes the contents of the second module selection register 20. The output of OR circuit 19 is “1”
, the second module selection register 2
Logic "1" is applied to the storage module designated by "0" by corresponding AND circuits 22-25 via OR circuits 26-29. That is, in this embodiment, the address register 20 and the decoder 21
A second module that specifies the storage module to be duplicated with
constitutes an instruction means. When the storage module is fixed, it may simply be something that provides a high level to the corresponding input terminals of the AND circuits 22 to 25 (for example, a resistor connected to a power source). Also, AND circuits 22 to 25 and OR circuits 26 to 29
and constitute a gate group that applies the output of the second instruction means to the corresponding storage module based on the output of the coincidence detection means. For example, when the first module selection register is set to "01" and the second module selection register is set to "11", if "01" is specified by the address register 10, the decoder 11 output 102 is “1”
becomes the storage module 42 via the OR circuit 27.
At the same time, the S terminal of AND circuit 1 is set to “1”.
6. The input of the AND gate 25 is set to "1" via the OR circuit 19, and the output 124 of the AND circuit 25 becomes "1" due to the AND with the output 119 of the decoder 21, and the output of the AND gate 25 is set to "1" via the OR circuit 29. The S terminal of 44 also becomes "1". As a result, storage modules 42 and 44 are connected to address bus 125.
A read or write operation is performed on the address within the storage module given by . That is, a duplication operation is performed. Read or write operations are performed simultaneously according to instructions from the operating instructions 99. on the other hand,
When the address register 10 specifies "00", all outputs of the gate circuits 15 to 18 are "0", so the output 110 of the OR circuit 19 is "0" and the outputs of the gate circuits 22 to 25 are "0". Since both are "0", the output line 1 of the decoder 11
01 to the storage module 4 via the OR circuit 26.
“1” is given only to “1”. Similarly, when the address register 10 specifies "10", only the storage module 43 becomes "1". However, the address register 10 is processed by software so that "11" is not specified.

操作が読出しの場合は、例えば記憶モジユール
42の読出しデータはアンド回路72に入力さ
せ、障害検出されないときは出力される。記憶モ
ジユール44の読出しデータも同様にアンド回路
74を介して出力される。アンド回路72の出力
データとアンド回路74の出力データは同一デー
タであり共にオア回路75を介して送出される。
しかし、記憶モジユール42に障害が発生したと
きは、障害検出回路52の出力が“1”となり、
否定回路62を介してアンド回路72の1つの入
力を“0”にするから、記憶モジユール42の読
出しデータは阻止される。そして、記憶モジユー
ル44の正しい読出しデータ164のみが送出さ
れる。記憶モジユール44が障害を発生した場合
は、上述と同様に記憶モジユール42の出力によ
つて正しいデータを送出することができる。この
ように、2重化構成の片側の記憶モジユールが障
害を発生しても、記憶装置としては正しいデータ
を出力することが可能である。本実施例では、必
要最小限の記憶モジユールのみを2重化している
から、記憶装置の規模はさほど大きくならず、シ
ステム動作の維持に必要な部分は2重化されてい
るから、システムダウンを回避することが可能で
ある。
When the operation is reading, for example, read data from the storage module 42 is input to the AND circuit 72, and is output when no fault is detected. The read data of the storage module 44 is similarly outputted via the AND circuit 74. The output data of the AND circuit 72 and the output data of the AND circuit 74 are the same data, and both are sent out via the OR circuit 75.
However, when a failure occurs in the storage module 42, the output of the failure detection circuit 52 becomes "1".
Since one input of the AND circuit 72 is set to "0" via the NOT circuit 62, reading data from the storage module 42 is blocked. Then, only the correct read data 164 of the storage module 44 is sent out. If a failure occurs in the storage module 44, correct data can be sent out by the output of the storage module 42 in the same way as described above. In this way, even if a failure occurs in one of the storage modules in the duplex configuration, the storage device can output correct data. In this embodiment, only the minimum necessary storage modules are duplicated, so the scale of the storage device does not become very large.Since the parts necessary to maintain system operation are duplicated, system downtime can be avoided. It is possible to avoid this.

第2図は、本実施例の障害発生の場合の障害報
告回路の一例を示す論理回路図である。すなわち
第1図の障害検出回路51〜54の出力線151
〜154を第1アンド回路群80〜83、第2ア
ンド回路群85〜88および第3アンド回路群9
0〜93にそれぞれ入力させる。第1アンド回路
群80〜83のもう一方の入力には、第1図のデ
コーダ14の出力線106〜109がそれぞれ接
続されている。また、第2アンド回路群85〜8
8のもう一方の入力には、第1図のデコーダ21
の出力線116〜119がそれぞれ接続されてい
る。また、前記出力線106〜109と116〜
119とはそれぞれ順番に否定論理和回路群35
〜38の両入力とされ、否定論理和回路群35〜
38の出力166〜169はそれぞれ前記第3ア
ンド回路群90〜93のもう一方の入力に接続す
る。前記第1アンド回路群80〜83の出力はす
べてオア回路84に入力させ、オア回路84の出
力175はアンド回路95および排他的論理和回
路97に入力させる。前記第2アンド回路群85
〜88の出力は、すべてオア回路89に入力さ
せ、オア回路89の出力180は前記アンド回路
95および排他的論理和回路97のもう一方の入
力に接続する。前記第3アンド回路群90〜93
の出力は、すべてオア回路94に入力させ、オア
回路94の出力185は、オア回路96に入力さ
せ、オア回路96のもう一方の入力には前記アン
ド回路95の出力を接続する。該オア回路96の
出力187は致命的障害を報告する。また、前記
排他的論理和回路97の出力188は、2重化さ
れた記憶モジユールの片方が障害であることを報
告する。すなわち、予備的障害を報告する。
FIG. 2 is a logic circuit diagram showing an example of a fault reporting circuit in the case of a fault occurrence in this embodiment. That is, the output lines 151 of the fault detection circuits 51 to 54 in FIG.
154 to the first AND circuit group 80 to 83, the second AND circuit group 85 to 88, and the third AND circuit group 9.
Enter each number from 0 to 93. The output lines 106 to 109 of the decoder 14 in FIG. 1 are connected to the other inputs of the first AND circuit groups 80 to 83, respectively. Further, the second AND circuit group 85 to 8
The other input of 8 is connected to the decoder 21 of FIG.
Output lines 116 to 119 are connected to the output lines 116 to 119, respectively. In addition, the output lines 106 to 109 and 116 to
119 is a NOR circuit group 35 in order.
~38 both inputs, NOR circuit group 35~
Outputs 166-169 of 38 are connected to the other inputs of the third AND circuit groups 90-93, respectively. All the outputs of the first AND circuit group 80 to 83 are input to an OR circuit 84, and the output 175 of the OR circuit 84 is input to an AND circuit 95 and an exclusive OR circuit 97. Said second AND circuit group 85
All outputs of 88 to 88 are input to an OR circuit 89, and an output 180 of the OR circuit 89 is connected to the other inputs of the AND circuit 95 and the exclusive OR circuit 97. Said third AND circuit group 90 to 93
The outputs of the OR circuit 94 are all input to the OR circuit 94, the output 185 of the OR circuit 94 is input to the OR circuit 96, and the output of the AND circuit 95 is connected to the other input of the OR circuit 96. The output 187 of the OR circuit 96 reports a fatal fault. Further, the output 188 of the exclusive OR circuit 97 reports that one of the duplicated storage modules is at fault. That is, report a preliminary failure.

例えば、前述の例の様に、第1図の第1モジユ
ール選択レジスタ13に“01”を設定し、第2モ
ジユール選択レジスタ20に“11”が設定されて
いる場合には、デコーダ14の出力線107およ
びデコーダ21の出力線119が論理“1”にな
つている。従つて、障害検出回路52がモジユー
ル42の障害を検出したときは障害出力152が
論理“1”となつてアンド回路81の両入力が
“1”になりオア回路84を介してアンド回路9
5および排他的論理和回路97の一方の入力が論
理“1”となる。一方、アンド回路88の一方の
入力は、デコーダ21の出力線119により
“1”になつているから、障害検出回路54の出
力154が“1”であるとアンド回路88が
“1”を出力し、オア回路89を介して前記アン
ド回路95のもう一方の入力を“1”にするか
ら、アンド回路95の出力は“1”になりオア回
路96を介して出力187が“1”にセツトされ
致命的障害を報告する。すなわち、2重化の対象
である記憶モジユール42と44の双方に障害が
発生したときは出力線187により致命的障害が
報告される。しかし、障害検出回路54の出力1
54が“0”であるときは、前記アンド回路88
の出力は“0”であるから、オア回路89の出力
も“0”である。従つて、アンド回路95の出力
は“0”であり、今度は排他的論理和回路97の
出力188が論理“1”となる。障害検出回路5
2の出力152が“0”であり、障害検出回路5
4の出力154が“1”である場合も同様に、排
他的論理和回路97の出力188が“1”にな
る。すなわち、出力188は、2重化した記憶モ
ジユールの一方に障害が発生したことを知らせ
る。
For example, as in the above example, if the first module selection register 13 in FIG. 1 is set to "01" and the second module selection register 20 is set to "11", the output of the decoder Line 107 and output line 119 of decoder 21 are at logic "1". Therefore, when the fault detection circuit 52 detects a fault in the module 42, the fault output 152 becomes logic "1", both inputs of the AND circuit 81 become "1", and the AND circuit 9 is output via the OR circuit 84.
5 and one input of the exclusive OR circuit 97 becomes logic "1". On the other hand, one input of the AND circuit 88 is set to "1" by the output line 119 of the decoder 21, so when the output 154 of the fault detection circuit 54 is "1", the AND circuit 88 outputs "1". Since the other input of the AND circuit 95 is set to "1" via the OR circuit 89, the output of the AND circuit 95 becomes "1" and the output 187 is set to "1" via the OR circuit 96. and report a fatal failure. That is, when a failure occurs in both storage modules 42 and 44, which are the targets of duplication, a fatal failure is reported via the output line 187. However, the output 1 of the fault detection circuit 54
54 is "0", the AND circuit 88
Since the output of the OR circuit 89 is "0", the output of the OR circuit 89 is also "0". Therefore, the output of the AND circuit 95 is "0", and the output 188 of the exclusive OR circuit 97 becomes logic "1". Fault detection circuit 5
2, the output 152 of the fault detection circuit 5 is "0", and the fault detection circuit 5
Similarly, when the output 154 of 4 is "1", the output 188 of the exclusive OR circuit 97 becomes "1". That is, output 188 indicates that one of the duplicated storage modules has failed.

また、否定論理和回路35〜38の出力166
〜169は、第1、第2モジユール選択レジスタ
で選択されていないモジユールに対応する出力が
論理“1”になつている。前述の例では、出力1
66と168が“1”であり、出力167と16
9は“0”である。従つて、障害検出回路51又
は53の出力、すなわち151又は153が
“1”になつたとき、アンド回路90又は92の
出力が“1”になり、オア回路94および96を
介して出力線187に論理“1”を出力する。す
なわち、2重化されていない記憶モジユールの障
害は、致命的障害として報告される。これらの報
告により、操作者は適切な処理をすることができ
る。
In addition, the output 166 of the NOR circuits 35 to 38
169, the output corresponding to the module not selected by the first and second module selection registers is logic "1". In the example above, output 1
66 and 168 are "1", outputs 167 and 16
9 is "0". Therefore, when the output of the fault detection circuit 51 or 53, that is, 151 or 153 becomes "1", the output of the AND circuit 90 or 92 becomes "1", and the output line 187 is output via the OR circuits 94 and 96. Outputs logic “1” to That is, a failure in a non-duplicated storage module is reported as a fatal failure. These reports allow the operator to take appropriate actions.

本実施例では、2重化動作させる記憶モジユー
ルは、第1、第2モジユール選択レジスタ13,
20に設定することによつて任意に設定すること
ができる。また、2重化動作を必要としないとき
は、第1、第2モジユール選択レジスタ13,2
0に同じ値を設定すれば良い。例えば、双方共
“00”に設定されている場合に、アドレスレジス
タ10の内容が“00”にセツトされると、デコー
ダ11の出力101が論理“1”となつてオア回
路26に入力する。一方、アンド回路15の両入
力が“1”となりオア回路19を介してアンド回
路22に“1”を与える。アンド回路22のもう
一方の入力は、デコーダ21の出力116であ
り、この論理は“1”であるから、アンド回路2
2の出力も“1”となる。従つて、オア回路26
の出力のみ“1”となつて、記憶モジユール41
のS端子のみが論理“1”となる。すなわち、通
常のアドレス指定と全く同様になる。第2図に示
した障害報告回路においても、入力106と11
6のみが論理“1”であるから、障害検出回路5
1の出力151により障害が検出されるとアンド
回路80および85の出力が“1”となり、オア
回路84および89を介してアンド回路95の両
入力が“1”になる。従つてオア回路96を介し
て出力187に論理“1”を出力し、致命的障害
が報告される。すなわち、2重化動作なしの場合
と同様に動作することが理解される。
In this embodiment, the storage modules to be operated in a duplex manner are the first and second module selection registers 13,
By setting it to 20, it can be set arbitrarily. In addition, when duplex operation is not required, the first and second module selection registers 13 and 2
Just set the same value to 0. For example, when both are set to "00" and the contents of the address register 10 are set to "00", the output 101 of the decoder 11 becomes logic "1" and is input to the OR circuit 26. On the other hand, both inputs of the AND circuit 15 become "1" and "1" is applied to the AND circuit 22 via the OR circuit 19. The other input of the AND circuit 22 is the output 116 of the decoder 21, and since this logic is "1", the AND circuit 22
The output of 2 also becomes "1". Therefore, the OR circuit 26
Only the output of the memory module 41 becomes “1”.
Only the S terminal becomes logic "1". In other words, it is exactly the same as normal addressing. In the fault reporting circuit shown in FIG.
Since only 6 is logic “1”, the fault detection circuit 5
When a failure is detected by output 151 of 1, the outputs of AND circuits 80 and 85 become "1", and both inputs of AND circuit 95 become "1" via OR circuits 84 and 89. Therefore, a logic "1" is output to output 187 via OR circuit 96, and a fatal fault is reported. In other words, it is understood that the operation is the same as in the case without duplication operation.

本発明は、上記実施例における記憶モジユール
の容量、個数等を変更することは何等差支えな
く、また、記憶装置においてインタレース機能を
実現する場合でも、本発明の構成をインタレース
単位に複数組持つように拡張することができる。
In the present invention, there is no problem in changing the capacity, number, etc. of the storage modules in the above embodiments, and even when realizing an interlace function in a storage device, a plurality of sets of the configuration of the present invention are provided in each interlace unit. It can be expanded as follows.

以上のように、本発明においては、必要最小限
の記憶モジユールを2重化することができるよう
に構成されているから、装置規模をそれ程大にし
ないで、必要な2重化を達成でき、システムのダ
ウンを回避することができる効果がある。すなわ
ち、記憶装置の信頼性を向上させることができ
る。なお障害報告回路を適切に構成すれば致命的
障害および予備的障害を区別して報告することが
可能である。
As described above, since the present invention is configured so that the minimum necessary storage modules can be duplicated, the necessary duplication can be achieved without increasing the scale of the device so much. This has the effect of avoiding system failure. In other words, the reliability of the storage device can be improved. Note that if the fault reporting circuit is appropriately configured, it is possible to distinguish between fatal faults and preliminary faults and report them.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す一部ブロツク
図を含む論理回路図であり、第2図は上記実施例
の障害報告回路の一例を示す論理回路図である。 図において、10,12…アドレスレジスタ、
11…アドレスデコーダ、13…第1モジユール
選択レジスタ、14…第1デコーダ、20…第2
モジユール選択レジスタ、21…第2デコーダ、
30…データレジスタ、41〜44…記憶モジユ
ール、51〜54…障害検出回路、15〜18,
22〜25,71〜74,95…アンド回路、1
9,26〜29,75,84,89,94,96
…オア回路、35〜38…否定論理和回路群、6
1〜64…否定回路、80〜83…第1アンド回
路群、85〜88…第2アンド回路群、90〜9
3…第3アンド回路群、97…排他的論理和回
路、99…操作指示。
FIG. 1 is a logic circuit diagram including a partial block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a logic circuit diagram showing an example of a failure reporting circuit of the above embodiment. In the figure, 10, 12...address registers,
11...address decoder, 13...first module selection register, 14...first decoder, 20...second
Module selection register, 21...second decoder,
30...Data register, 41-44...Storage module, 51-54...Failure detection circuit, 15-18,
22-25, 71-74, 95...AND circuit, 1
9,26-29,75,84,89,94,96
...OR circuit, 35-38...NOR circuit group, 6
1-64...Negation circuit, 80-83...First AND circuit group, 85-88...Second AND circuit group, 90-9
3... Third AND circuit group, 97... Exclusive OR circuit, 99... Operation instruction.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数個の記憶モジユールと、該記憶モジユー
ルを指定するアドレスレジスタおよび該アドレス
レジスタの内容を解読するアドレスデコーダと、
前記複数の記憶モジユールのそれぞれの動作の障
害を検出する複数の障害検出回路と、前記記憶モ
ジユールの読出しデータを前記障害検出回路の出
力によつて阻止するアンド回路とを備えた記憶装
置において、2重化すべき記憶モジユールを指定
する第1および第2の指示手段と、前記アドレス
レジスタの内容が前記第1の指示手段の内容と一
致したことを検出する一致検出手段と、該一致検
出手段の出力によつて前記第2の指示手段の出力
を対応する前記記憶モジユールに与えるゲート群
とを備え、前記アドレスレジスタの内容が前記第
1の指示手段の内容と一致したときは、前記第2
の指示手段の指定する記憶モジユールにも論理
“1”を与えるように構成したことを特徴とする
局部的に2重化可能な記憶装置。 2 特許請求の範囲第1項記載の局部的に2重化
可能な記憶装置において、前記障害検出回路の出
力と前記第1の指示手段の出力とを入力する第1
アンド回路群と、前記障害検出回路の出力と前記
第2の指示手段の出力とを入力する第2アンド回
路群と、前記第1、第2の指示手段の対応する出
力を入力する否定論理和回路群と、該否定論理和
回路群の出力と前記障害検出回路の出力とを入力
する第3アンド回路群とを備え、2重化した記憶
モジユールの一方に障害が発生したときは予備的
障害として報告し、2重化した記憶モジユールの
双方に障害が発生したとき又は2重化しない記憶
モジユールに障害が発生したときは致命的障害と
して報告するように構成したことを特徴とするも
の。
[Scope of Claims] 1. A plurality of storage modules, an address register that specifies the storage module, and an address decoder that decodes the contents of the address register;
A storage device comprising: a plurality of failure detection circuits that detect a failure in the operation of each of the plurality of storage modules; and an AND circuit that blocks read data of the storage module by an output of the failure detection circuit. first and second instruction means for specifying a storage module to be duplicated; a coincidence detection means for detecting that the contents of the address register match the contents of the first instruction means; and an output of the coincidence detection means. a group of gates for supplying the output of the second instruction means to the corresponding storage module, and when the content of the address register matches the content of the first instruction means, the second instruction means
1. A locally duplexable storage device, characterized in that the locally duplexable storage device is configured so that a logic “1” is also given to a storage module specified by the instruction means. 2. In the locally duplexable storage device according to claim 1, a first controller inputs the output of the failure detection circuit and the output of the first instruction means.
a group of AND circuits; a second group of AND circuits inputting the output of the fault detection circuit and the output of the second indicating means; and a negative OR circuit inputting the corresponding outputs of the first and second indicating means; and a third AND circuit group that inputs the output of the NOR circuit group and the output of the failure detection circuit, and provides a preliminary failure when a failure occurs in one of the duplicated storage modules. and when a failure occurs in both of the duplicated storage modules or in a non-duplicated storage module, it is reported as a fatal failure.
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