JPS6234455A - カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6234455A JPS6234455A JP60173570A JP17357085A JPS6234455A JP S6234455 A JPS6234455 A JP S6234455A JP 60173570 A JP60173570 A JP 60173570A JP 17357085 A JP17357085 A JP 17357085A JP S6234455 A JPS6234455 A JP S6234455A
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- JP
- Japan
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- trains
- color
- photoelectric conversion
- photoelectric transducer
- glass plate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、直線上に配列された多数の充電変換素子に色
分解フィルタを通じて画像から光を入射させ、光電変換
素子を走査することにより画素の明るさと色についての
画像情報を時系列の電気信号に変換するカラーイメージ
センサに関する。
分解フィルタを通じて画像から光を入射させ、光電変換
素子を走査することにより画素の明るさと色についての
画像情報を時系列の電気信号に変換するカラーイメージ
センサに関する。
ファクシミリ等の画像入力装置の小形化１低コスト化を
めざして非晶質シリコン （ａ−Ｓｉ）等の薄膜半導体
素子を用いた密着型イメージセンサの開発が進められて
いる。第２図にその例を示し、センサ部１２は、光電変
換素子列１３を有し、光電変換素子列は、例えば１鶴当
たり８個、すなわちＡ４版の原稿２１６鶴巾に対しては
全体で１７２８個の光電変換素子から構成されている。 このセンサ部１２と原稿１１との間には、原稿の像が光
電変換素子に結ぶ様に屈折率分布形レンズアレイ１５を
配置する。 原稿１１は屈折率分布形レンズアレイの両側に配置され
た発光ダイオード列１４の光により照射される。 充電変換素子が１ｍ当たり８個の場合、この大きさはｉ
ｏｏμ平方である。 さらに現在、ファクシミリのカラー化が模索されていて
、今後広く普及していくことが考えられる。カラーイメ
ージセンサの場合には三原色各々に感度を有する光電変
換素子を一直線上に交互に配置する。白黒と同じ解像度
を得るためには、その密度を３倍にする必要がある。 ａ−５１を用いたカラーセンサとしては、例えば特開昭
５８−１２５８６９号公報に開示されていて、その断面
図を第３図に示す。ガラスｉｔの一方の面の上に、透明
電極２１．２２．２３．非晶質シリコンのｐ−１−ｎ接
合から成る光電変換Ｎ３および金属電極４１．４２．４
３を順次形成する。ガラス板１の他方の面には、赤色フ
ィルタ５１．緑色フィルタ５２．青色フィルタ５３が被
覆されている。これにより光６についての３色の情輻が
得られる。しかし、第３図に示されたカラーセンサをそ
のまま１１１８当たり８個の充電変換素子を有する様な
高密度のイメージセンサに用いることはかなり困難であ
る。その理由は、色ずれを防止するためにガラス板１の
厚さを光電変換素子の大きさ程度、つまり １００ｔｎ
＆にする必要があること、さらに３色のフィルタを微細
に加工した上で赤、緑、青、赤、緑、青・・・と交互に
配置する必要があることである。前者のような薄い透明
基板は明らかに実用的でな（、この対策として３色のフ
ィルタ５１．５２．５３を透明電極２１゜２２、２３の
下に形成することが考えられるが、後者の解決にはなら
ない。 本発明は、上記の欠点を除いて簡単な工程で製作できる
カラーイメージセンサを提供することを目的とする。
めざして非晶質シリコン （ａ−Ｓｉ）等の薄膜半導体
素子を用いた密着型イメージセンサの開発が進められて
いる。第２図にその例を示し、センサ部１２は、光電変
換素子列１３を有し、光電変換素子列は、例えば１鶴当
たり８個、すなわちＡ４版の原稿２１６鶴巾に対しては
全体で１７２８個の光電変換素子から構成されている。 このセンサ部１２と原稿１１との間には、原稿の像が光
電変換素子に結ぶ様に屈折率分布形レンズアレイ１５を
配置する。 原稿１１は屈折率分布形レンズアレイの両側に配置され
た発光ダイオード列１４の光により照射される。 充電変換素子が１ｍ当たり８個の場合、この大きさはｉ
ｏｏμ平方である。 さらに現在、ファクシミリのカラー化が模索されていて
、今後広く普及していくことが考えられる。カラーイメ
ージセンサの場合には三原色各々に感度を有する光電変
換素子を一直線上に交互に配置する。白黒と同じ解像度
を得るためには、その密度を３倍にする必要がある。 ａ−５１を用いたカラーセンサとしては、例えば特開昭
５８−１２５８６９号公報に開示されていて、その断面
図を第３図に示す。ガラスｉｔの一方の面の上に、透明
電極２１．２２．２３．非晶質シリコンのｐ−１−ｎ接
合から成る光電変換Ｎ３および金属電極４１．４２．４
３を順次形成する。ガラス板１の他方の面には、赤色フ
ィルタ５１．緑色フィルタ５２．青色フィルタ５３が被
覆されている。これにより光６についての３色の情輻が
得られる。しかし、第３図に示されたカラーセンサをそ
のまま１１１８当たり８個の充電変換素子を有する様な
高密度のイメージセンサに用いることはかなり困難であ
る。その理由は、色ずれを防止するためにガラス板１の
厚さを光電変換素子の大きさ程度、つまり １００ｔｎ
＆にする必要があること、さらに３色のフィルタを微細
に加工した上で赤、緑、青、赤、緑、青・・・と交互に
配置する必要があることである。前者のような薄い透明
基板は明らかに実用的でな（、この対策として３色のフ
ィルタ５１．５２．５３を透明電極２１゜２２、２３の
下に形成することが考えられるが、後者の解決にはなら
ない。 本発明は、上記の欠点を除いて簡単な工程で製作できる
カラーイメージセンサを提供することを目的とする。
以下第２図、第３図と対応する部分に共通の符号を付し
た図を引用して本発明の実施例について説明する。第１
図は本発明による一実施例の斜視図である。センサ部１
２にはガラス板１の上側の主平面上に光電変換素子を三
列７１．７２．７３を形成する。この光電変換素子列７
１．７２．７３に対向する位置でガラス板の下側の主平
面に帯状色フィルタ５１゜５２、５３を形成する。この
色フィルタは、それぞれ赤、緑、青の三原色に近い波長
にｉ３ｉ！率を有するフィルタであり、染料を混合した
樹脂をスクリーン印刷法により塗布し、焼成する。セン
サ部１２と原稿１１との間には、三つの、例えば日本板
硝子■商品名セルフォックレンズのような屈折率分布形
レンズのアレイ１５を配置する。この屈折率分布形レン
ズアレイは、それぞれ原稿ｌｌ上の点線で示した一直線
が充電変換素子列７１．７２．７３に各々結像する様位
置決めされる。 光電変換素子列の拡大平面図を第４図に示す。 ガラスｕｉＩの上にインジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）
の膜を蒸着法により形成した後、個別電極８１〜８９と
してバターニングする。個別電極８１〜８９は１００−
平方の画素部分１６と２０１！ｍ巾のリード部分１７か
ら成っており、ｔｌｉ８１〜８３．８４〜８６．８７〜
８９がそれぞれ光電変換素子列７１７２．７３に属する
。この後ａ−３ｉＪｌをｐ、ｉ、ｎ形の順に形成する。 ｐ層はＳｉＨ＊とＢｔ眠の混合ガス、ｉ［は５１１１４
１ ｎ層はＳｉｎ、とＰＨ，の混合ガスを夫々用いて
形成される。 ）Ｉ！２厚は各々 １００人、 ５０００人、５００人
である。このａ−Ｓｉ層は適当なマスクを用いて形成さ
れ、特に微細加工を必要としない、このａ−３ｉＪｉの
上にＡＩ等の金属を蒸着法により共通電橋を形成するこ
とにより、個別′ａＬ極により分離された光電変換素子
が出来あがる。 色フィルタ５１〜５３は本実施例では第３図に示す様に
ガラス板の下側に塗布したが、屈折率分布形レンズアレ
イの端面あるいは可能であれば個別電極の直下でも良い
、また充電変換素子としてｐ−１−ｎ形のａ Ｓｉ層
によるフォトセンサを用いたが、ＣｄＳ、 ＣｄＳｅ等
のカルコゲナイド、あるいは単結晶シリコンを用いたＭ
ＯＳセンサ、ＣＣＤセンサを用いても良い。
た図を引用して本発明の実施例について説明する。第１
図は本発明による一実施例の斜視図である。センサ部１
２にはガラス板１の上側の主平面上に光電変換素子を三
列７１．７２．７３を形成する。この光電変換素子列７
１．７２．７３に対向する位置でガラス板の下側の主平
面に帯状色フィルタ５１゜５２、５３を形成する。この
色フィルタは、それぞれ赤、緑、青の三原色に近い波長
にｉ３ｉ！率を有するフィルタであり、染料を混合した
樹脂をスクリーン印刷法により塗布し、焼成する。セン
サ部１２と原稿１１との間には、三つの、例えば日本板
硝子■商品名セルフォックレンズのような屈折率分布形
レンズのアレイ１５を配置する。この屈折率分布形レン
ズアレイは、それぞれ原稿ｌｌ上の点線で示した一直線
が充電変換素子列７１．７２．７３に各々結像する様位
置決めされる。 光電変換素子列の拡大平面図を第４図に示す。 ガラスｕｉＩの上にインジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）
の膜を蒸着法により形成した後、個別電極８１〜８９と
してバターニングする。個別電極８１〜８９は１００−
平方の画素部分１６と２０１！ｍ巾のリード部分１７か
ら成っており、ｔｌｉ８１〜８３．８４〜８６．８７〜
８９がそれぞれ光電変換素子列７１７２．７３に属する
。この後ａ−３ｉＪｌをｐ、ｉ、ｎ形の順に形成する。 ｐ層はＳｉＨ＊とＢｔ眠の混合ガス、ｉ［は５１１１４
１ ｎ層はＳｉｎ、とＰＨ，の混合ガスを夫々用いて
形成される。 ）Ｉ！２厚は各々 １００人、 ５０００人、５００人
である。このａ−Ｓｉ層は適当なマスクを用いて形成さ
れ、特に微細加工を必要としない、このａ−３ｉＪｉの
上にＡＩ等の金属を蒸着法により共通電橋を形成するこ
とにより、個別′ａＬ極により分離された光電変換素子
が出来あがる。 色フィルタ５１〜５３は本実施例では第３図に示す様に
ガラス板の下側に塗布したが、屈折率分布形レンズアレ
イの端面あるいは可能であれば個別電極の直下でも良い
、また充電変換素子としてｐ−１−ｎ形のａ Ｓｉ層
によるフォトセンサを用いたが、ＣｄＳ、 ＣｄＳｅ等
のカルコゲナイド、あるいは単結晶シリコンを用いたＭ
ＯＳセンサ、ＣＣＤセンサを用いても良い。
本発明は、光電変換素子を複数列に分割して配列し、各
々に専用の色フィルタを備えることにより、フィルタの
微細加工が不要となった。さらにこのためにフィルタを
備える位置あるいは方法の自由度が増したことによりイ
メージセンサの全体の設計、！！Ｊ作が容具、Ｉ−だス
ー１髭！、−小一県ノー一って色ずれの問題は基本的に
生じ得ない構造であり、透光性基板を薄くする必要もな
く、カラーイメージセンサの普及に与える効果は極めて
大きい。
々に専用の色フィルタを備えることにより、フィルタの
微細加工が不要となった。さらにこのためにフィルタを
備える位置あるいは方法の自由度が増したことによりイ
メージセンサの全体の設計、！！Ｊ作が容具、Ｉ−だス
ー１髭！、−小一県ノー一って色ずれの問題は基本的に
生じ得ない構造であり、透光性基板を薄くする必要もな
く、カラーイメージセンサの普及に与える効果は極めて
大きい。
第１図は本発明の一実施例によるカラーイメージセンサ
の使用状態を示す斜視図、第２図は密着型イメージセン
サの使用状態を示す斜視図、第３図は従来技術によるカ
ラーセンサの断面図、第４図は本発明の一実施例の光電
変換素子列部分の拡大平面図である。 １ニガラス板、１１：原稿、１２：センサ部、１５：屈
折率分布形レンズアレイ、５１．５２．５３ ：色フィ
ルタ、７１．７２．７３ ：光電変換素子列。 第１ｙＪ 第２図 第３図 第４図
の使用状態を示す斜視図、第２図は密着型イメージセン
サの使用状態を示す斜視図、第３図は従来技術によるカ
ラーセンサの断面図、第４図は本発明の一実施例の光電
変換素子列部分の拡大平面図である。 １ニガラス板、１１：原稿、１２：センサ部、１５：屈
折率分布形レンズアレイ、５１．５２．５３ ：色フィ
ルタ、７１．７２．７３ ：光電変換素子列。 第１ｙＪ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １）直線上に配列された多数の光電変換素子に色フィル
タを通じて画像からの光を入射させ、光電変換素子を走
査することにより画素についての画像情報を時系列の電
気信号に変換するものにおいて、複数列の光電変換素子
列と、各素子列にそれぞれ異なる色の光学フィルタを介
して画像線状部分からの光を入射させる光学系とを備え
たことを特徴とするカラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173570A JPS6234455A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173570A JPS6234455A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234455A true JPS6234455A (ja) | 1987-02-14 |
Family
ID=15963007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60173570A Pending JPS6234455A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232269U (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-28 |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP60173570A patent/JPS6234455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232269U (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-28 |
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