JPS6233771A - アモルフアス膜の製造方法 - Google Patents
アモルフアス膜の製造方法Info
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- JPS6233771A JPS6233771A JP17158885A JP17158885A JPS6233771A JP S6233771 A JPS6233771 A JP S6233771A JP 17158885 A JP17158885 A JP 17158885A JP 17158885 A JP17158885 A JP 17158885A JP S6233771 A JPS6233771 A JP S6233771A
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
印 産業上の利用分野
本発明は、光エネルギにより反応ガスを分解する光ＯＶ
Ｄ法を用いたアモルファス膜の製造方法に関する。
Ｄ法を用いたアモルファス膜の製造方法に関する。
（口１ 従来の技術
一般に、基板上にアモルファス半導体膜を形成する手法
としてプラズマＣＶＤ法がよく知られているが、プラズ
マＣＶＤ法の場合、高エネルギ荷電粒子が膜を衝撃して
紋に損傷を与えるおそれがあシ、膜質の低下を招くとい
う問題があるため、最近、光ＯＶＤ法によるアモルファ
ス半導体膜）製造方法が、例えは第３０回応用物理学関
係連合講演会講演予稿集３４５頁、６ｐ−Ａ−１７，東
京工業大学井上氏他によるｒ ｓ ｉ ｚＨａガスを用
いた光ＣＶＤアモルフテスＳ１の形成」に報告されてい
る。
としてプラズマＣＶＤ法がよく知られているが、プラズ
マＣＶＤ法の場合、高エネルギ荷電粒子が膜を衝撃して
紋に損傷を与えるおそれがあシ、膜質の低下を招くとい
う問題があるため、最近、光ＯＶＤ法によるアモルファ
ス半導体膜）製造方法が、例えは第３０回応用物理学関
係連合講演会講演予稿集３４５頁、６ｐ−Ａ−１７，東
京工業大学井上氏他によるｒ ｓ ｉ ｚＨａガスを用
いた光ＣＶＤアモルフテスＳ１の形成」に報告されてい
る。
すなわち、光ＯＶＤ法によるアモルファス半導体膜の基
本的製造方法とは、第４図に示すように、反応室ｆｉｌ
の天面を光照射窓としての石英板（２）により閉塞し、
石英板（２１を介して水銀ランプなどの光源（３）によ
り反応室（ＩＩ内に紫外線を照射し、反応室（１１内に
導入されたジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等の反応ガスを前記
紫外線のエネルギーにより分解して反応室（１）内の下
端部に配設された支持体（４）上にアモルファスシリコ
ンｍコ等のアモルファス半導体膜を形成するものであり
、斯るシラン系ガスを便、・′用することにより水素が
アモルファスシリコン膜＼中のダングリングボンドター
ミネータとして入り込み、所謂水素化アモルファスシリ
コン（ａ−８ｉ：Ｈ）；漠が得られる。
本的製造方法とは、第４図に示すように、反応室ｆｉｌ
の天面を光照射窓としての石英板（２）により閉塞し、
石英板（２１を介して水銀ランプなどの光源（３）によ
り反応室（ＩＩ内に紫外線を照射し、反応室（１１内に
導入されたジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等の反応ガスを前記
紫外線のエネルギーにより分解して反応室（１）内の下
端部に配設された支持体（４）上にアモルファスシリコ
ンｍコ等のアモルファス半導体膜を形成するものであり
、斯るシラン系ガスを便、・′用することにより水素が
アモルファスシリコン膜＼中のダングリングボンドター
ミネータとして入り込み、所謂水素化アモルファスシリ
コン（ａ−８ｉ：Ｈ）；漠が得られる。
一方、アモルファス半導体膜を光電変換動作する光活性
層とした太陽電池に於いて、飛躍的な光電変換効率の向
上を図るために、今まで光！変換に大きく寄与していな
かった畏ｅ艮光の有効利用が問題となっており、斯る長
波長光に有効な高品質なナローバンドギャップ材料の開
発が要求されている。
層とした太陽電池に於いて、飛躍的な光電変換効率の向
上を図るために、今まで光！変換に大きく寄与していな
かった畏ｅ艮光の有効利用が問題となっており、斯る長
波長光に有効な高品質なナローバンドギャップ材料の開
発が要求されている。
ナローバンドギャップ材料としては一般に水素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ）ｌ
ｉが用いられているが、最近プラズマＯｖＤ法において
水素及びフッ素をダングリングボンドターミネータとし
た水素化フッ素化アモルファスシリコンゲルマニウム（
ａ−８ｉＣ）ｅ：Ｈ：Ｆ）ｌＱがテクニカルダイジェス
トオフ゛シイ／ターナシ冒ナルビーブイエスイージー１
．コウベ、ジャパン。
ファスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ）ｌ
ｉが用いられているが、最近プラズマＯｖＤ法において
水素及びフッ素をダングリングボンドターミネータとし
た水素化フッ素化アモルファスシリコンゲルマニウム（
ａ−８ｉＣ）ｅ：Ｈ：Ｆ）ｌＱがテクニカルダイジェス
トオフ゛シイ／ターナシ冒ナルビーブイエスイージー１
．コウベ、ジャパン。
（Ｔｅｃｈｎｉｏａｌ Ｄｉｒｅｓｔ ｏｊ’
ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ
−１，Ｋｏｂｅ＋ Ｊａｐａｎ）１９８４年、第４２９
頁〜第４３２頁に報告され、その高光電特性、高ドーピ
ング特性及び熱的安定性の点で前記ａ−８ｉ（）ｅ：Ｈ
膜に代几るものとして有望視されている。
ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ
−１，Ｋｏｂｅ＋ Ｊａｐａｎ）１９８４年、第４２９
頁〜第４３２頁に報告され、その高光電特性、高ドーピ
ング特性及び熱的安定性の点で前記ａ−８ｉ（）ｅ：Ｈ
膜に代几るものとして有望視されている。
（ハ）発明が解決しようとした問題点
然し乍ら、上述の如き水素がダングリングボンドターミ
ネータとして入り込んだａ−８１Ｇｅ：Ｈ膜を５ｉｚＨ
６＋ＧｅＨ４ガスを反応ガスとした光ＣＶＤ法により得
ることかでさるものの、斯る水素に加えてフッ素をダン
グリングボンドターミネータとした前記ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ：Ｆｌｌの、荷１粒子による４ｉｉｉを受けることの
ない前記光ＯＶＤ法による製造は実現されていない０ 目 問題点を解決するだめの手段 本発明は、光エネルギにより反応室内に導入される反応
ガスを分解して、前記反応室内の支持体上にアモルファ
ス膜を形成するアモルファス膜の製造方法でろって、前
記反応ガスは、シリコン元素と水素元素とを少なくとも
同時に含む水素化シリコン化合物ガスと、ゲルマニウム
元素とフッ素元素とを少なくとも同時に含むフッ素化ゲ
ルマニウム化合物ガスと、を含むことにより上記問題点
を解決するものである。
ネータとして入り込んだａ−８１Ｇｅ：Ｈ膜を５ｉｚＨ
６＋ＧｅＨ４ガスを反応ガスとした光ＣＶＤ法により得
ることかでさるものの、斯る水素に加えてフッ素をダン
グリングボンドターミネータとした前記ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ：Ｆｌｌの、荷１粒子による４ｉｉｉを受けることの
ない前記光ＯＶＤ法による製造は実現されていない０ 目 問題点を解決するだめの手段 本発明は、光エネルギにより反応室内に導入される反応
ガスを分解して、前記反応室内の支持体上にアモルファ
ス膜を形成するアモルファス膜の製造方法でろって、前
記反応ガスは、シリコン元素と水素元素とを少なくとも
同時に含む水素化シリコン化合物ガスと、ゲルマニウム
元素とフッ素元素とを少なくとも同時に含むフッ素化ゲ
ルマニウム化合物ガスと、を含むことにより上記問題点
を解決するものである。
ひ１作 用
上述の如く、反応ガスとして水素化シリコン化合物ガス
とフッ素化ゲルマニウム化合物ガスとを少なくとも含む
ことによって、光ＯＶＤ法を用いたにも拘ず膜中にフッ
素が取り込まれたアモルフ１スシリコンゲルマニウム膜
が得られる。
とフッ素化ゲルマニウム化合物ガスとを少なくとも含む
ことによって、光ＯＶＤ法を用いたにも拘ず膜中にフッ
素が取り込まれたアモルフ１スシリコンゲルマニウム膜
が得られる。
（へ）実施例
第１図は本発明製造方法を説明するための光ＯＶＤ装置
の概念図であって、反応室（１）の天面に光照射窓とし
ての石英板（２）によυ閉塞し、その石の紫外光を輻射
する低圧水銀ランプの光源（３）が設けられ、斯る光源
（３）から輻射された前記紫外ｔは石英板（２）を透過
して反応室ｔｉｔ内に到達する。反応室（１１内の中央
には、予めガラス、セラミック、金属板或いは前記ガラ
スやセラミック表面に８ｎ０２やＩＴＯに代表される透
光性導電膜や金属膜がコーティングされた導電性ガラス
や導電性セラミック等の膜厚サブξクロン〜数ミクロン
程度の薄膜を支持するに好適な支持体（４）がヒータ（
５）を内蔵した載置台（６）上に配置され、前記石英板
（２）と反応空間を挾んで対峙している。前記紫外光の
光エネルギにより分解される反応ガスは斯る反応ガスを
貯蔵するガスボンベ（７ａ ） （７ｂ ） （７ｏ
） ・・・を出発し、バルブ（８ａ ） （８ｂ ）
（８ｃ １−・・、マスフローコントローラ（９ａ）（
９ｂ）（９ｃ）・・・を介して、所定温度例えば室温−
８０°Ｃ程度に制御された水銀槽α■を通過して増感材
として作用する水銀蒸気と共に反応室＋１１内に導入さ
れる。このように水銀蒸気を利用した方法は水銀増感法
と称せられ、これ自体は広く知られた技術であシ紫外光
を吸収しない或いは吸収率の低い分子に分解反応を起さ
せるときに用いられる。すなわち、反応ガスは紫外光に
より直接分解されるのではなく、水銀蒸気が斯る紫外光
を吸収して励起され高エネルギ状態となシ、高エネルギ
状態の水銀が反応ガス分子と衝突することによって分解
反応を起すものである。
の概念図であって、反応室（１）の天面に光照射窓とし
ての石英板（２）によυ閉塞し、その石の紫外光を輻射
する低圧水銀ランプの光源（３）が設けられ、斯る光源
（３）から輻射された前記紫外ｔは石英板（２）を透過
して反応室ｔｉｔ内に到達する。反応室（１１内の中央
には、予めガラス、セラミック、金属板或いは前記ガラ
スやセラミック表面に８ｎ０２やＩＴＯに代表される透
光性導電膜や金属膜がコーティングされた導電性ガラス
や導電性セラミック等の膜厚サブξクロン〜数ミクロン
程度の薄膜を支持するに好適な支持体（４）がヒータ（
５）を内蔵した載置台（６）上に配置され、前記石英板
（２）と反応空間を挾んで対峙している。前記紫外光の
光エネルギにより分解される反応ガスは斯る反応ガスを
貯蔵するガスボンベ（７ａ ） （７ｂ ） （７ｏ
） ・・・を出発し、バルブ（８ａ ） （８ｂ ）
（８ｃ １−・・、マスフローコントローラ（９ａ）（
９ｂ）（９ｃ）・・・を介して、所定温度例えば室温−
８０°Ｃ程度に制御された水銀槽α■を通過して増感材
として作用する水銀蒸気と共に反応室＋１１内に導入さ
れる。このように水銀蒸気を利用した方法は水銀増感法
と称せられ、これ自体は広く知られた技術であシ紫外光
を吸収しない或いは吸収率の低い分子に分解反応を起さ
せるときに用いられる。すなわち、反応ガスは紫外光に
より直接分解されるのではなく、水銀蒸気が斯る紫外光
を吸収して励起され高エネルギ状態となシ、高エネルギ
状態の水銀が反応ガス分子と衝突することによって分解
反応を起すものである。
而して、本発明の％徴はフッ素及び水素をダングリング
ボンドターきネータとしたアモルファス膜を光ＯＶＤ法
により得ることにあシ、そのために反応ガスは、シリコ
ン元素と水素元素とを少なくとも同時に含む水素化シリ
コン化合物ガスと、ゲルマニウム元素とフッ素元素とを
少なくとも同時に含むフッ素化ゲルマニウム化合物ガス
と、を含んでいる。
ボンドターきネータとしたアモルファス膜を光ＯＶＤ法
により得ることにあシ、そのために反応ガスは、シリコ
ン元素と水素元素とを少なくとも同時に含む水素化シリ
コン化合物ガスと、ゲルマニウム元素とフッ素元素とを
少なくとも同時に含むフッ素化ゲルマニウム化合物ガス
と、を含んでいる。
以下に第１図に示された光０’ＶＤ装置を利用して水素
化フッ素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−８
ｉＧｅ ：Ｈ：Ｆ ）膜を製造する具体例を記す０ 先ず反応ガスとして、Ｂｊ、２Ｈ６の水素化シリコン化
合物ガスを貯蔵した第１ガスボンベ（７ａ）と、ＧｅＦ
４のフッ素化ゲルマニウム化合物ガスを貯蔵した第２ガ
スボンベ（７ｂ）と、セしてＨ２ガスを貯蔵した第３ガ
スポンベ（７ｃ）を用意し、装置のガス供給系にセツテ
ィングする。反応室（１１内には、前記８ｉ２Ｈ６ガス
、ＧｅＦ４ガス及びＨ２ガスを予め混合した反応ガスを
、５０°Ｃに温度制卸された水銀槽（１０１を通して毎
分数１００ｅ例えば４０釦の割合で導入される。各８１
２Ｈ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＨ２ガヌの流量はＧｓＦ
４／（８ｊ２Ｈ４＋ＧｅＦ４）＝Ｏ，（１６５、ＧｅＦ
４ガストナルべくマヌフローコントローラ（９ａ）（９
ｂ）（９ｃ）で流量制御されると共に、反応室（１）内
のガス圧を０．０５〜数Ｔｏｒｒとし、支持体（４）を
ヒータ（５）からの加熱により１５０〜４００°Ｃ程度
に保持する。この状態で光源（２）としての低圧水銀ラ
ンプから波長１８４９Ａと２５３７″ｉの共鳴線である
紫外光を照射することによってアモルファス膜を形成し
た。
化フッ素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−８
ｉＧｅ ：Ｈ：Ｆ ）膜を製造する具体例を記す０ 先ず反応ガスとして、Ｂｊ、２Ｈ６の水素化シリコン化
合物ガスを貯蔵した第１ガスボンベ（７ａ）と、ＧｅＦ
４のフッ素化ゲルマニウム化合物ガスを貯蔵した第２ガ
スボンベ（７ｂ）と、セしてＨ２ガスを貯蔵した第３ガ
スポンベ（７ｃ）を用意し、装置のガス供給系にセツテ
ィングする。反応室（１１内には、前記８ｉ２Ｈ６ガス
、ＧｅＦ４ガス及びＨ２ガスを予め混合した反応ガスを
、５０°Ｃに温度制卸された水銀槽（１０１を通して毎
分数１００ｅ例えば４０釦の割合で導入される。各８１
２Ｈ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＨ２ガヌの流量はＧｓＦ
４／（８ｊ２Ｈ４＋ＧｅＦ４）＝Ｏ，（１６５、ＧｅＦ
４ガストナルべくマヌフローコントローラ（９ａ）（９
ｂ）（９ｃ）で流量制御されると共に、反応室（１）内
のガス圧を０．０５〜数Ｔｏｒｒとし、支持体（４）を
ヒータ（５）からの加熱により１５０〜４００°Ｃ程度
に保持する。この状態で光源（２）としての低圧水銀ラ
ンプから波長１８４９Ａと２５３７″ｉの共鳴線である
紫外光を照射することによってアモルファス膜を形成し
た。
尚、紫外光を反応室ｆｉｌに照射せしめる石英板（２）
の内面に膜が付漕すると、それが入射光である前記紫外
光を吸収してしまうために、前記石英板（２）の内面に
は蒸気圧が低く、シかも紫外光を透過し得るバー７０ポ
リニーデルが塗布されている。
の内面に膜が付漕すると、それが入射光である前記紫外
光を吸収してしまうために、前記石英板（２）の内面に
は蒸気圧が低く、シかも紫外光を透過し得るバー７０ポ
リニーデルが塗布されている。
斯る製造方法により形成されたアモルファス膜中にフッ
素原子が取り込まれているか否かを評価すべくオージェ
分析を施したところ、１原子％未満ではあるものの、フ
ッ素原子が存在することがめ認できた。
素原子が取り込まれているか否かを評価すべくオージェ
分析を施したところ、１原子％未満ではあるものの、フ
ッ素原子が存在することがめ認できた。
一方、ＧｅＦ４／（８ｉ２Ｈｉ＋ＧｅＦ４）−α０６５
のガス流量比に於いて形成されたアそルア１ス膜をラマ
ン分光法により測定し念ところ略同数のＳｌ及びｅｅが
存在していることが判明した。このＳｌ及びｏｅの原子
比、即ちＧｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）会α５に基づき光学的禁
止帯幅Ｅｏｐ ｔを理論計算により算出すると、Ｅｏｌ
）ｔ−１，３５ｅＶ なる結果が得られ、この値は禁止
帯幅をタックプロットによｐ測定した値と略一致した。
のガス流量比に於いて形成されたアそルア１ス膜をラマ
ン分光法により測定し念ところ略同数のＳｌ及びｅｅが
存在していることが判明した。このＳｌ及びｏｅの原子
比、即ちＧｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）会α５に基づき光学的禁
止帯幅Ｅｏｐ ｔを理論計算により算出すると、Ｅｏｌ
）ｔ−１，３５ｅＶ なる結果が得られ、この値は禁止
帯幅をタックプロットによｐ測定した値と略一致した。
この様にしてフッ素及び水素をダングリングボンドター
ミネータとしたアモルファスシリコンゲルマニウム（ａ
−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ）が形成されていることを確認した
。
ミネータとしたアモルファスシリコンゲルマニウム（ａ
−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ）が形成されていることを確認した
。
第２図はＧｅＦ４流世比（ＧｅＦ４／（８１２Ｈ４＋０
８Ｆ４））に対する成膜速度及び光学的禁止帯幅Ｅｏｐ
ｔの変化を示す。この第２図からＧｅＦ ４の量に比
例して成膜速度が上昇し、Ｅｏｐｔが低下すること、即
ち（）ｅＦ４の増加に伴なってよυナローバンドなａ−
８１Ｇｅ：Ｈ：Ｐ が得られることが判る。
８Ｆ４））に対する成膜速度及び光学的禁止帯幅Ｅｏｐ
ｔの変化を示す。この第２図からＧｅＦ ４の量に比
例して成膜速度が上昇し、Ｅｏｐｔが低下すること、即
ち（）ｅＦ４の増加に伴なってよυナローバンドなａ−
８１Ｇｅ：Ｈ：Ｐ が得られることが判る。
第５図はＧｅＦ４に代りてＧｅＨ４をゲルマニウム化合
物ガスとして用いた時のＧｅＨ４流量比（ＧｅＨ４／（
Ｓｉ２Ｈａ＋ＧｅＨ４））に対するＰＡｏｐｔの変化を
示している。即ち、斯るＧｅＨ４を用いると、Ｅｏｐｔ
にしてｔ ３５ ｅＶのａ−８１Ｇｅ：Ｈを得るために
はＧｅＨ４／（ＢｌｚＨ６＋ＧｅＨ４功比にして０．４
のＧＨ４を用いなければならないのに対し、ＧｅＦ４に
あってはＧｅＦ４／（８１２Ｈ４＋ＧｅＦ４）−０，０
６５の量で良く、少ないゲルマニウム化合物ガスで多く
のＧｅ原子を膜中に取シ込むことができる。
物ガスとして用いた時のＧｅＨ４流量比（ＧｅＨ４／（
Ｓｉ２Ｈａ＋ＧｅＨ４））に対するＰＡｏｐｔの変化を
示している。即ち、斯るＧｅＨ４を用いると、Ｅｏｐｔ
にしてｔ ３５ ｅＶのａ−８１Ｇｅ：Ｈを得るために
はＧｅＨ４／（ＢｌｚＨ６＋ＧｅＨ４功比にして０．４
のＧＨ４を用いなければならないのに対し、ＧｅＦ４に
あってはＧｅＦ４／（８１２Ｈ４＋ＧｅＦ４）−０，０
６５の量で良く、少ないゲルマニウム化合物ガスで多く
のＧｅ原子を膜中に取シ込むことができる。
さて、前記実施例に於いては反応ガスの内水素化シリコ
ン化合物ガスとしてＳｉ２Ｈ４を用いたが、一般式Ｅ］
ｉｎ、Ｈ２ｎ＋２（ｎ ｗ−１，２、Ｓ）や８ｉＨｎＦ
４−ｎ（ｎ−１，２、Ｓ）ガスが単独或いは混合して利
用可能であり、またフッ素ゲルフニウム化合物ガスとし
てＧｅＦ４の高次ガスであるＧｅ２Ｆｄガスも使用する
ことができる０更に前記反応ガスにｆ３２Ｈ４やＰＨ３
の如きＰ型やＮ型決定不純物ガスを少量添加することに
より膜の高ドーピング特性と相俟って効率良く価電子制
御を行ない得る。
ン化合物ガスとしてＳｉ２Ｈ４を用いたが、一般式Ｅ］
ｉｎ、Ｈ２ｎ＋２（ｎ ｗ−１，２、Ｓ）や８ｉＨｎＦ
４−ｎ（ｎ−１，２、Ｓ）ガスが単独或いは混合して利
用可能であり、またフッ素ゲルフニウム化合物ガスとし
てＧｅＦ４の高次ガスであるＧｅ２Ｆｄガスも使用する
ことができる０更に前記反応ガスにｆ３２Ｈ４やＰＨ３
の如きＰ型やＮ型決定不純物ガスを少量添加することに
より膜の高ドーピング特性と相俟って効率良く価電子制
御を行ない得る。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、光エネルギによ
り分解する反応ガスとして水素化シリコン化合物ガスと
、フッ素化ゲルマニウム化合物ガスとを少なくとも用い
たので、プラズマ荷電粒子による損傷を受けることなく
熱的安定性、高光電特性、更には高ドーピング特性を呈
し、特にアモルファス太陽電池のナローバンドギャップ
材料として優れているフッ素及び水素をダングリング）
ズンドターきネータとしたアモルファスシリコンゲルマ
ニウムを得ることができる０
り分解する反応ガスとして水素化シリコン化合物ガスと
、フッ素化ゲルマニウム化合物ガスとを少なくとも用い
たので、プラズマ荷電粒子による損傷を受けることなく
熱的安定性、高光電特性、更には高ドーピング特性を呈
し、特にアモルファス太陽電池のナローバンドギャップ
材料として優れているフッ素及び水素をダングリング）
ズンドターきネータとしたアモルファスシリコンゲルマ
ニウムを得ることができる０
第１図は本発明製造方法に用いられる光ＯＶＤ装置の概
念図、第２図は本発明製造方法のＧｅＦ ４流量比に対
する成膜速度及び光学的禁止帯幅の依存性を示す特性図
、第５図は従米方法のＧｅＨ４流量比に対する光学的禁
止帯幅の依存性を示す特性図、第４図は光ＯＶＤ法の原
理を説明するための模式図、を夫々示している。 （１）・・・反応室、（２）・・・石英板、 （３）・
・・光源、（４）・・・支持体。
念図、第２図は本発明製造方法のＧｅＦ ４流量比に対
する成膜速度及び光学的禁止帯幅の依存性を示す特性図
、第５図は従米方法のＧｅＨ４流量比に対する光学的禁
止帯幅の依存性を示す特性図、第４図は光ＯＶＤ法の原
理を説明するための模式図、を夫々示している。 （１）・・・反応室、（２）・・・石英板、 （３）・
・・光源、（４）・・・支持体。
Claims (3)
- （１）光エネルギにより反応室内に導入される反応ガス
を分解して、前記反応室内の支持体上にアモルファス膜
を形成するアモルファス膜の製造方法であって、前記反
応ガスは、シリコン元素と水素元素とを少なくとも同時
に含む水素化シリコン化合物ガスと、ゲルマニウム元素
とフッ素元素とを少なくとも同時に含むフッ素化ゲルマ
ニウム化合物ガスと、を含むことを特徴としたアモルフ
ァス膜の製造方法。 - （２）前記水素化シリコン化合物ガスとして、Ｓｉ＿ｎ
Ｈ＿２＿ｎ＿＋＿２ガス及び又はＳｉＨ＿ｎＦ＿４＿−
＿ｎ（ただし、ｎ＝１、２、３）ガスが用いられること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載のアモルファス
膜の製造方法。 - （３）前記フッ素化ゲルマニウム化合物ガスとして、Ｇ
ｅＦ＿４ガス及び又はＧｅ＿２Ｆ＿６ガスが用いられる
ことを特徴とした特許請求の範囲第１項若しくは第２項
記載のアモルファス膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17158885A JPS6233771A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | アモルフアス膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17158885A JPS6233771A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | アモルフアス膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233771A true JPS6233771A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15925939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17158885A Pending JPS6233771A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | アモルフアス膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233771A (ja) |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17158885A patent/JPS6233771A/ja active Pending
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