JPS623100A - 炭化ケイ素ウイスカ−の連続製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、炭化ケイ素ウィスカーの製造方法に関し、詳
しくは、直線状でアスペクト比が高（、且つ、高純度で
ある炭化ケイ素ウィスカーを連続方式にて高収率にて製
造する方法に関する。

（従来の技術） 炭化ケイ素ウィスカーは種々の用途に使用されているが
、例えば、その大きい強度を利用して、種々の強化材と
して用いる場合は、繊維長が長く、且つ、繊維断面径に
対する繊維長の比として規定されるアスペクト比が高い
ことが要求される。

他方、従来より、炭化ケイ素ウィスカーの代表的な製造
方法として、例えば、特開昭５８−１４５７００号公報
に記載されているように、粉末状のケイ素含有原料と炭
素含有原料とを均一に混合し、これを反応炉内において
高温に加熱して、反応させる方法が知られており、また
、上記原料を緊密に混合するために、例えば、特開昭５
８−２０７９９号公報には、粉末状のケイ素含有原料と
炭素含有原料とを混合成形して、これを反応炉内で加熱
する方法も提案されている。

しかし、これらの従来の方法によれば、上記のように、
繊維長が長く、且つ、アスペクト比が高い炭化ケイ素ウ
ィスカーを得ることが困難であるほか、得られる炭化ケ
イ素ウィスカーは、副生ずる二酸化ケイ素を含有して、
一般に純度が低く、使用に際しては、フッ酸等で処理す
る精製処理が必要とされる。

更に、上記前者の方法によれば、生成する炭化ケイ素ウ
ィスカーを原料から分離することが容易ではない。また
、一般に、固体状のケイ素含有原料と炭素含有原料との
加熱反応によって、炭化ケイ素ウィスカーを得る場合、
原料中に含まれる不純物は、生成するウィスカー中に均
一に分散されて含有されることとなるので、このような
不純物を多量に含有する場合は、その分離除去が必要で
あると共に、他方において、上記不純物の分離除去工程
を省略するためには、用いる原料中の不純物含有量をあ
る置板下に規制する必要がある。

本発明者らは、上記した問題を解決するために、既に、
ケイ素含有物質と炭素含有物質とを少なくとも１ｏｏｏ
℃にて接触反応させるに際して、塩化ナトリウムを代表
例とする金属塩化物を共存させる方法（特公昭５２−２
８７５８号公報）や、微粉状ケイ素原料、炭素原料及び
触媒の混合物を非酸化性雰囲気下に塩化水素又は塩素を
混合導入し、１３５０℃乃至１６００℃の温度にて反応
させる方法（特開昭５８−２５１９６４号公報）を提案
しているが、尚、収率やアスペクト比等において十分に
満足すべきではない。

（発明の目的） そこで、本発明者らは、炭化ケイ素ウィスカーの製造に
関して、更に鋭意研究した結果、予め所定形状に成形し
てなるケイ素含有原料と粉末状炭素原料原料とを反応炉
内において常温で固体の無機化合物である所定の反応促
進剤と共に水素ガスの存在下に高温に加熱することによ
って、上記反応促進剤の蒸気が発生すると共に、上記成
形体からケイ素化合物が選択的に気化し、同じく気相の
炭素化合物と反応して、屈曲のない直線状であって、且
つ、長い繊維長と高いアスペクト比を有し、更に、極め
て高純度である炭化ケイ素ウィスカーを高収率高生産性
にて得ることができることを見出した。

更に、本発明者らは、上記方法によって炭化ケイ素ウィ
スカーを連続製造する場合に、上記加熱反応後の冷却過
程において、上記反応促進剤の蒸気を強制冷却し、析出
させて、これを捕集することによって、長期にわたる安
定な連続運転が可能となることを見出して、本発明に至
ったものである。

従って、本発明は、屈曲のない直線状であって、且つ、
長い繊維長と高いアスペクト比を有し、更に、極めて高
純度である炭化ケイ素ウィスカーを長期間にわたって安
定して連続的に且つ高収率にて製造し得る方法を提供す
ることを目的とする。

（発明の構成） 本発明は、ケイ素含有原料を予め所定形状に成形してな
る成形体、粉末状炭素原料、常温で固体の無機化合物で
ある反応促進剤を含む原料混合物を水素ガス雰囲気下に
反応炉内で所定温度に加熱して、上記反応促進剤の蒸気
の存在下に炭化ケイ素ウィスカーを生成させる方法にお
いて、反応炉の出口側において、上記反応促進剤の蒸気
を強制冷却して析出させ、捕集することを特徴とする。

本発明の方法におル）て用いるケイ素含有原料としては
、例えば、ケイ素、ケイ石粉、粉状シリカゲル、各種の
非晶質シリカ、沈降性シリカ、粘土等を挙げることがで
きるが、好ましくは、酸化ケィ素を含有し、特に、良好
な収率にて炭化ケイ素ウィスカーを製造し得るように、
酸化ケイ素を３０重量％以上含有することが好ましい。

本発明において、かかるケイ素含有原料からなる成形体
とは、この原料を適宜の手段、例えば、押出成形、プレ
ス成形、造粒等の手段にて成形し、焼成して、板、棒、
管、筒、球、線状及びこれらの組み合わせとしての形状
を与えた立体的な固体をいう。

一般に、固体状のケイ素含有原料と炭素含有原料とを加
熱反応させて、炭化ケイ素ウィスカーを製造する方法に
おいては、これら原料を反応容器内に充填し、加熱手段
を備えた反応炉、例えば、トレーブツシャ一式電気炉内
に挿入して、所定の温度に加熱するが、本発明の方法に
おいては、上記ケイ素含有原料からなる成形体は、例え
ば、管状や箱型の容器等のような粉末状炭素原料を充・
填するための反応容器を兼ねることができる。

このように、本発明の方法によれば、固体状のケイ素含
有原料をその成形体として用いるとき、この成形体から
ケイ素化合物が選択的に気化し、炭素と反応して、炭化
ケイ素ウィスカーを生成するので、固体ケイ素含有原料
として、ケイ素又は酸化ケイ素含有量の低いものを使用
しても、不純物が数％以下の高純度の炭化ケイ素ウィス
カーを得ることができる点に一つの重要な特徴を有する
。

しかも、生成する炭化ケイ素ウィスカーは、成形体から
分離することが非常に容易であるので、本発明の方法は
生産性が高い。

粉末状炭素含有原料としては、カーボンブラックや粉末
活性炭等を用いることができるが、これら炭素原料は、
微粉であって、嵩高いほど反応性が高いので、特にカー
ボンブラックが好ましい。

本発明の方法においては、反応触媒を用いることが好ま
しい０反応触媒とし、では、鉄、ニッケル、コバルト又
はこれらの化合物、例えば、酸化物、硝酸塩、塩化物、
硫酸塩、炭酸塩等が粉末又は水溶液として炭素原料に混
合されて用いられる。酸化鉄は、本発明において特に好
ましく用いることができる触媒である。

本発明の方法においては、反応を促進すると共に、高純
度で且つアスペクト比が高く、更に、嵩密度の小さい炭
化ケイ素ウィスカーを得るために、反応促進剤が用いら
れる。このような反応促進剤としては、アルカリ金属又
はアルカリ土類金属のハロゲン化物、特に、塩化物又は
フッ化物を好適に用いることができる。従って、具体例
として、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム
、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化リチウム
、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等を挙げることが
できる。これらのなかでも特に好ましい反応促進剤は、
塩化ナトリウム、塩化カリウム、フッ化ナトリウム及び
フッ化カリウムである。これら反応促進剤も、粉末状で
用いられる。

本発明者らは、先に引用した特開昭５８−２５１９６４
号公報において、ケイ素含有原料と炭素含有原料゛との
加熱反応による炭化ケイ素ウィスカーの製造に際して、
反応促進剤、例えば塩化ナトリウムの代わりに、塩化水
素又は塩素を反応系外から導入する方法を提案している
。しかし、本発明の方法によれば、先ず、反応促進剤の
存在下に水素雰囲気下にケイ素含有原料からなる成形体
と炭素含有原料とを加熱することによって、反応系内に
おいて反応促進剤からハロゲン化水素を発生させると共
に、上記成形体から選択的にケイ素化合物を気化させ、
これを炭素と反応させるので、高純度で繊維長が長く、
且つ、アスペクト比の高い炭化ケイ素ウィスカーを高収
率にて得ることができる。従って、本発明によれば、塩
化水素や塩素のように、腐食性であって、且つ、取扱い
の困難なガスを原料ガスとして用いる必要がない。

次に、ケイ素含有原料として粉末を用いた場合は、容易
に理解されるように、炭素含有原料との接触部分が極め
て多いので、炭化ケイ素ウィスカーの生成反応が殆ど固
相反応に近い状態にて進行して、その結果として、得ら
れる炭化ケイ素ウィスカーは粉末状又は屈曲の多い線状
となる。しかしながら、本発明に従って、ケイ素含有原
料として、その成形体を用いる場合は、炭素含有原料と
の接触部分が著しく少ないので、主としてシリカの還元
体である一酸化ケイ素が気相として生じ、これが同じく
気相の一酸化炭素と反応するので、屈曲のない直線状の
炭化ケイ素ウィスカーを生成するものとみられる。但し
、本発明は、上記理論によって限定を受けるものではな
い。

反応促進剤として塩化ナトリウムを用いる場合について
より詳細に説明すれば、塩化ナトリウムは、常圧下にお
いては融点８００℃、沸点１４１３℃であるので、本発
明の方法による反応条件下では沸騰して、蒸気を生じて
おり、塩化ナトリウム蒸気雰囲気を反応系内に形成して
いる。

塩化ナトリウムは、不活性ガス雰囲気下に高温、例えば
、１５００℃の温度に加熱しても、化学的な変化を起こ
さず、単に塩化ナトリウム蒸気を生成するにすぎない。

しかし、本発明に従って水素ガス雰囲気下に塩化ナトリ
ウムをケイ素含有原料の成形体と共に所定温度に加熱す
るときは、系内において塩化ナトリウムが熱分解して塩
化水素が継続的に発生する。これに対して、水素ガス以
外の不活性ガス、例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素等
のガスを用いる場合は、塩化水素の発生はみられない。

尚、本発明において、水素雰囲気とは、水素ガスのみの
場合だけでなく、２０容量％以上の水素を含有し、残部
が非酸化性不活性ガスである雰囲気をも含むものとする
。

即ち、塩化ナトリウムの加熱に際して、水素ガス以外の
不活性ガスを共存させる場合は、ケイ素含有原料中に化
学的及び／又は物理的に結合している水分が塩化ナトリ
ウムの熱分解に関与して、塩化水素を少量発生させるが
、本発明に従って、水素雰囲気下に加熱する場合には、
塩化水素が継続して発生するのである。

即ち、ケイ素含有原料の成形体と粉末状炭素含有原料に
前記触媒及び反応促進剤を混合し、不活性ガス雰囲気下
に加熱するとき、例えば、窒素雰囲気下では、１５００
℃まで加熱しても、塩化水素の発生はみられないが、水
素雰囲気下では、塩化ナトリウムが溶融した後に塩化水
素が徐々に発生し始め、１０００℃を過ぎると次第に発
生量が増加し、１４００〜１６００℃で塩化水素の生成
量が最大となる。

本発明の方法において前記触媒は、ケイ素含有原料の成
形体の単位表面積（ｃｄ）当り、通常、・５ＸＩＯ−’
〜５　Ｘ　１０−’ｇ、好ましくは１ｘｉｏ−’〜Ｉ　
Ｘ　１０−”ｇの範囲で用いられる。触媒量がケイ素含
有原料の成形体の単位表面積（ａａ）当、す５ＸＩＯ−
６ｇよりも少ないときは、その触媒作用が不十分である
結果、炭化ケイ素ウィスカーの生成が不十分であって、
所定条件下での反応によっても、未反応のケイ素含有原
料が多量に残留する。

他方、５Ｘ１０−’ｇよりも多いときは、触媒粉末が生
成するウィスカー内にそのまま残留し、生成する炭化ケ
イ素ウィスカーの精製処理を煩雑にする傾向が強い。

反応促進剤として用いるアルカリ金属又はアルカリ土類
金属のハロゲン化物は、ケイ素含有原料成形体の単位表
面積（ｃ４）について、通常、５×１０−４〜５×１０
伺ｇ、好ましくは１ｘｉｏ−’〜ｌＸｌ０−’ｇの範囲
で用いられる。ケイ素含有原料成形体の単位表面積（ｃ
＋ｄ）について５Ｘ１０−’ｇよりも少ないときは、ハ
ロゲン化物の分解によるハロゲン化水素の発生がｍ！で
あるため、炭化ケイ素ウィスカーの収率向上及びその形
状の改善効果に乏しく、他方、５Ｘ１０−’ｇよりも多
量に用いても、分解によるハロゲン化水素の発生が局部
的に濃厚となり、成形体から生じた気相状ケイ素化合物
が未反応のままに系外に放出される傾向があって、炭化
ケイ素ウィスカーの生成量がむしろ低下するので好まし
くない。

本発明の方法においては、前記したケイ素含有原料から
なる成形体、粉末状炭素原料、常温で固体の無機化合物
である反応促進剤を含む原料混合物は、適宜の反応容器
に充填されて、反応炉にその入口側から送入され、上記
原料混合物を予熱する予熱帯、及び上記原料混合物を所
定の反応温度に加熱する均熱帯を経て、反応炉の出口側
の冷却帯を順次に通過せしめられると共に、この冷却帯
において、上記反応促進剤の蒸気を強制的に冷却析出さ
せて、これを捕集する。

より詳細に説明すれば、予熱帯及び均熱帯には原料混合
物の移送方向と同じ方向に流れるように、水素ガスが反
応炉に供給され、かかる水素雰囲気下に原料混合物は所
定温度まで予熱され、次いで、均熱帯にて所定の反応温
度に加熱されて、反応促進剤の蒸気の存在下に炭化ケイ
素ウィスカーを生成する。

均熱帯における反応温度は少なくとも１４００℃以上で
あり、通常、好ましくは１５００〜１７００℃の範囲で
ある０反応部度が１４００℃よりも低いときは、炭化ケ
イ素ウィスカーの生成が不十分であり、未反応のケイ素
含有原料の残留が多い。一方、１７００℃を越える高温
であるときは、反応条件が過激にすぎて、ウィスカーの
繊維径が肥大化して、アスペクト比が小さくなり、また
、ウィスカーに分岐や折れ曲がり等の乱れが多発するよ
うになる。従って、反応温度は、通常、１７００℃以下
がよい。

また、反応時間、即ち、均熱帯における滞留時間は、３
０分乃至１０時間が適当であり、通常、２〜６時間程度
で十分である。従って、反応容器に充填された原料混合
物は、均熱帯に所定時間滞留するように、順次に間欠的
に反応炉内に挿入される。上記反応時間が余りに短いと
きは、未反応原料が多量に残留し、一方、余りに長時間
反応させても、炭化ケイ素ウィスカーの収量の増加が僅
かであるので、生産性及び熱エネルギー費用の観点から
みて、何ら利点がないからである。

次いで、上記加熱反応後の原料混合物は、均熱帯から冷
却帯に搬入され、ここで強制冷却される。

図面は、本発明の方法において好ましく用いることがで
きる反応炉１０の冷却帯１１の一例を示し、この冷却帯
には、その導入側１１ａに不活性ガス導入管１２及び排
出管１３が配設され、搬出側ｌｌｂにも不活性ガス導入
管１４及び排出管１５が配設されていると共に、更に、
導入側と搬出側とに開閉可能に炉断面を横切る遮断壁１
６及びエフが配設されており、その間に冷却帯から遮断
されて、析出部１日が区画形成されている。この析出部
には冷却用不活性ガス導入管１９と排出管２゜とによっ
て、冷却用の不活性ガスが導入されて、反応促進剤の蒸
気を強制冷却し、炉壁に析出付着させる。好ましくは、
反応促進剤の蒸気の冷却析出効率を高めるために、析出
部には炉壁に沿って冷却器２１、例えば、冷却板が取替
可能に配設され、この冷却板には冷却水管２２によって
内部に冷却水が流通されて、所定の温度に冷却される。

例えば、反応促進剤として塩化ナトリウムを用いる場合
、その蒸気を炉壁又は冷却器上に析出付着させ、これを
捕集することによって、塩化ナトリウムの冷却帯での炉
壁への析出付着と反応廃ガス排出管系における析出付着
を防止するのである。

本発明による装置においては、好ましくは、冷却帯１４
、特にその析出部２０は、均熱帯１３よりも大きい炉内
容積を有するように形成され、冷却帯、特に、析出部に
おいて、炉壁や冷却器に反応促進剤が析出付着しても、
反応容器２４、例えば、匣鉢が反応炉内を支障なく移送
され得るよ・うに、十分な空間を有せしめる。更に、上
記析出部は、一定期間の運転後に、炉壁や冷却器に析出
付着した反応促進剤を除去し得ると共に、連続製造の効
率を高めるために、取替式に反応炉に配設されているこ
とが好ましい。

予熱帯及び均熱帯に供給された水素は、冷却帯に導入さ
れた不活性ガスや析出部で除去されない副生ガスと共に
、冷却帯の排出管１３及び１５から反応炉外に排出され
、例えば、アフターバーナーにて燃焼処理される。

以上のようにして、析出部において反応促進剤の蒸気が
捕集された後、反応生成物は、冷却帯の搬出側を経て、
取出帯２３に移送され、必要に応じて更に冷却された後
、反応炉より取出され、次いで、マツフル炉内にて過剰
炭素を酸化焼却して、炭化ケイ素ウィスカーを得る。

（発明の効果） このようにして、本発明の方法によれば、原料混合物の
均熱部における加熱によって発生した反応促進剤の蒸気
を析出部にて強制冷却して、析出させ、これを捕集する
ので、これら蒸気が反応炉の低温域の炉壁や反応廃ガス
排出管内壁に付着することが防止される。従って、本発
明の方法によれば、長期にわたって連続して、且つ、安
定に炭化ケイ素ウィスカーを製造することができる。

更に、本発明の方法によれば、一般に、ケイ素含有原料
から気化したケイ素に基づいて、９０％以上の高収率に
て炭化ケイ素つィスカー得ることができ、しかも、この
炭化ケイ素ウィスカーは、屈曲のない直線状であって、
繊維長が長く、且つ、アスペクト比も高い、更に、炭化
ケイ素ウィスカーに含まれるシリカは、通常、１０％以
下であり、高純度であるので、特に精製することなく、
通常の用途に供することができる。しかし、必要に応じ
て、フッ酸に浸漬し、室温に保持し、又は７０〜８０℃
加熱して、炭化ケイ素以外のケイ素化合物を溶解、水洗
して、精製する処理を施してもよい。

更に、本発明の方法によれば、反応促進剤を用いるので
、高純度の炭化ケイ素ウィスカーを高収率にて得ること
ができるのみならず、嵩密度が小さい炭化ケイ素ウィス
カーを得ることができる。

即ち、反応促進剤を使用しない場合のアスペクト比が１
００〜５００であるのに対して、本発明の方法によれば
、同じ反応条件下では、アスペクト比は５００〜８００
である。

（実施例） 以下に実施例と共に比較例を挙げて本発明を説明するが
、本発明はこれら実施例によって何ら制限されるもので
はない。

実施例 製造装置として図示したような冷却帯及び析出部を備え
たトレープッシャ一式加熱炉を用い、反応炉内に水素ガ
スを原料混合物の移送方向と並流に流通させると共に、
析出部に反応促進剤蒸気の析出のために冷却用不活性ガ
スを送入して、温度を１４００℃以下に保持し、且つ、
内蔵させた冷却板を作動させて、冷却板上に反応促進剤
の蒸気を析出させた。

二酸化ケイ素７５重量％を含有する表面積６００ｄの剣
山状成形体と共に、カーボンブラック、塩化ナトリウム
及び酸化第二鉄（重量比７５／２５　／　０．３　）と
からなる混合粉末２５０ｇを匣鉢に充填し、これを加熱
炉の均熱帯で１５００℃の温度で４時間加熱されるよう
に、装入帯に次々に装入し、反応終了後、取出帯に取出
した。この後、反応生成物から過剰炭素を燃焼除去して
、炭化ケイ素ウィスカーを１時間当り１７０ｇ得た。

炭化ケイ素ウィスカーの収率は、上記ケイ素含有成形体
から気化した二酸化ケイ素に対して、平均９２％であり
、不純物としての二酸化ケイ素は６％であった。また、
得られた炭化ケイ素ウィスカーはβ−５ｉＣのみのパタ
ーンを示した。更に、得られた炭化ケイ素ウィスカーの
形状は、分岐や折れ曲がりがなく、アスペクト比は５０
０〜８００であった。

本発明の方法によれば、このようにして、炭化ケイ素ウ
ィスカーの連続生産を１か月にわたって行なうことがで
きた。

比較例 冷却帯に析出部を設けないほかは、上記実施例と同じ条
件にて炭化ケイ素ウィスカーを製造した。

即ち、冷却帯において、析出部を設けず、従って、反応
促進剤蒸気の析出のための冷却用不活性ガスの送入及び
内蔵させた冷却器による冷却を行なわないときは、炉内
温度が所定温度に達して１０〜１５時間経過後に炉内圧
力が上昇しはじめたので、運転を中止し、炉内を点検し
た。その結果、冷却帯の後段から廃ガス出口及び廃ガス
排出配管内に反応促進剤の析出付着が著しく、特に、廃
ガス排出配管が炉より外部に出て、温度が急激に低下す
る部分においては、管が殆ど閉塞していることが認めら
れた。

しかし、この方法においても、炭化ケイ素ウィスカーを
１時間当り１６５ｇ得ることができ、また、その性状、
及び形状も実施例の場合と殆ど同じであった。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の方法を実施するために好適な装置におけ
る冷却帯及び析出部を示す断面図である。 １０・・・反応炉、１１・・・冷却帯、１６．１７・・
・遮断壁、１８・・・析出部、１９・・・冷却用不活性
ガス導入管、２０・・・冷却用不活性ガス排出管、２１
・・・０゜器、２２・・・冷却水管。 特許出願人　　株式会社神戸製鋼所 手続補正書（自発） 昭和６１年　６月１３日 昭和６０年特許層第１４００２７号 ２、発明の名称 炭化ケイ素ウィスカーの連続製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　神戸市中央区脇浜町１丁目３番１８号名　称　
株式会社神戸製鋼所 ４、代理人 住　所　大阪市西区新町１丁目８番３号５、補正命令の
日付　昭和　　年　　月　　日（発送日　昭和　　年　
　月　　日） ６、補正により増加する発明の数 補正の内容 （１）　　明細書第４頁１９行の「特開昭５８−２５１
９６４号」を「特願昭５８−２５１９６４号」と補正す
る。 （２）明細書第９頁１５〜１６行の「特開昭５８−２５
１９６４号」を「特願昭５８−２５１９６４号」と補正
する。 （３）　　明細書第１３頁２行から第１４頁９行の「本
発明の・・・好ましくない、」を削除する。 （４）明細書第１６頁第１０行の「図面」を「第１図」
と補正する。 （５）明細書第１６３！［第１１行の「反応炉１０」を
「反応炉」と補正する。 （６）　　明細書第１６頁１５〜１８行の「更に、・・
・形成されている。」を「搬出側には、炉断面を横切る
開閉可能な遮断扉１６及び１７が配設されている。」と
補正する。 （７）明細書第１７頁１２〜１３行の「冷却帯１４、特
にその析出部２０は、均熱帯１３」を「冷却帯１１、特
にその析出部１８は、均熱帯２６」と補正する。 （８）明細書第１８頁５行の「排出管１３及び１５」を
「排出管１３及び２０」と補正する。 （９）明細書第１８頁９〜１０行の「反応生成物は、冷
却帯の搬出側」を「生成ウィスカーは、ガス置換室２５
」と補正する。 （ｌｌ　　明細書第１８頁１３行の「炭化ケイ素ウィス
カー」をｒ１品としての炭化ケイ素ウィスカー」と補正
する。 αＤ　明細書第１９頁１８〜１９行の「のみならず、こ
とができる」を削除する。 ＠　明細書第２２頁７行の「著しく、」と「特に」との
間に「更に、ケイ素、アルミニウム、塩素等の化合物も
付着していた。そして、」を加入する。 Ｑｌ　　明細書第２２頁１６行の「図面」を「第１図」
と補正する。 α荀　明細書第１８頁１８行から第１９頁１行を削除し
、代わりに次を加入する。 ｒｌｌ・・・冷却帯、１２．１４・・・不活性ガス導入
管、１３．１５・・・不活性ガス排出管、１６．１７・
・・遮断扉、１８・・・析出部、工９・・・冷却用不活
性ガス導入管、２０・・・冷却用不活性ガス排出管、２
１・・・冷却器、２２・・・冷却水管、２３・・・取出
帯、２４・・・反応容器、２５・・・ガス置換室、２６
・・・均熱帯。」（２）図面を削除し、代わりに第１図
を加入する。 以上

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ケイ素含有原料を予め所定形状に成形してなる成
   形体、粉末状炭素原料、常温で固体の無機化合物である
   反応促進剤を含む原料混合物を水素ガス雰囲気下に反応
   炉内で所定温度に加熱して、上記反応促進剤の蒸気の存
   在下に炭化ケイ素ウィスカーを生成させる方法において
   、反応炉の出口側において、上記反応促進剤の蒸気を強
   制冷却して析出させ、捕集することを特徴とする炭化ケ
   イ素ウィスカーの連続製造方法。
2. （２）反応促進剤がアルカリ金属ハロゲン化物又はアル
   カリ土類金属ハロゲン化物であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の炭化ケイ素ウィスカーの製造方
   法。
3. （３）反応促進剤がアルカリ金属又はアルカリ土類金属
   の塩化物又はフッ化物であることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記載の炭化ケイ素ウィスカーの製造方法。
4. （４）反応促進剤が塩化ナトリウムであることを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の炭化ケイ素ウィスカー
   の製造方法。
5. （５）反応温度が１４００℃以上であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の炭化ケイ素ウィスカーの
   製造方法。
6. （６）ケイ素含有原料の成形体が反応容器に形成されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の炭化
   ケイ素ウィスカーの製造方法。