JPS6230901A - 電磁形歪ゲ−ジ - Google Patents
電磁形歪ゲ−ジInfo
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- JPS6230901A JPS6230901A JP16986685A JP16986685A JPS6230901A JP S6230901 A JPS6230901 A JP S6230901A JP 16986685 A JP16986685 A JP 16986685A JP 16986685 A JP16986685 A JP 16986685A JP S6230901 A JPS6230901 A JP S6230901A
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- Japan
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の訂細イｒ ｉ’Ｊｌ明
（発明の技術分野）
本発明はＩＩ８造物の応力・歪み等を測定する雷磁形歪
ゲージに関りる。
ゲージに関りる。
（ブを明の技術的青用どイの問題貞〕
（Ｋ来から歪ゲージどじ−（、金属を用いＩご金目抵抗
ゲージ、１り導体を用いＩこ−？ｌ！ ｌ （４↑ゲー
ジが存（ＩＪる。これらの１ゲージの原即ＩＬ（，１（
１”れ１）ゲージの引張りまた（よＦ１縮に伴う金属抵
抗よ／： １．１丁博体の抵抗変化を利用１）でいる。
ゲージ、１り導体を用いＩこ−？ｌ！ ｌ （４↑ゲー
ジが存（ＩＪる。これらの１ゲージの原即ＩＬ（，１（
１”れ１）ゲージの引張りまた（よＦ１縮に伴う金属抵
抗よ／： １．１丁博体の抵抗変化を利用１）でいる。
’ｌ イｔ−わＩ）、この低＋１’Ｌ疫化を電子回路で
構成される変換器に、１、−）で電気信号ｔ３−疫換し
、イれにＪ、つで引張りノ１の人ささヤ）１１−締力の
人ささを五１測し−Ｃいる３゜しか【ノながら、歪みに
伴うＩ（抗窃（［−を（り川Ｊるこねらの１ｊ法ｒ ＋
、ｔ、構造物に１１じる歪みＩＪ対対重抵抗率の変化が
小さい。Ｆ口ご金属抵抗／７’−ジを用いる場合１こは
、測定１． ｋい応力（歪）の状態ぐ１１抵抗顧は１０
〜１０’のΔ−ダーＣ゛ある。このため、変換器の側で
は、仁弓肋幅の増幅度が通常のｔ１測器に必要（２増幅
ｔｆｉよ１１人きくなり、シｌ、二がって増幅度のン易
瓜ゆ化に起因りる温良ドリフ（・ｔｊ）、人カイハ弓レ
ベルが低いことに起因ｉＩる騒昌の増大、分解応力の低
１・等を用い（いる。￥導体ゲージの場合ｆＪ： ＋、
Ｌ、千み（、二対１ｊる低（Ｉ″し変化の化（ゲージ室
）が金属ゲージに１１′１へ（人さく（約ｈＯｔｔｓ＞
、ｔ、たがつ（前述しＩ、：金属ゲージ（ハ欠＋：、１
はある稈葭まで改ｊ’ｊ ｃキｌｉる３、シかし、半ｉ
ｇ体ゲージでは抵抗の温Ｉｌｌ Ｉへ（ｒｌノＩ ／＋
′Ｘ人きく、Ｊ、たでの依（を性にバラツ１が人さいＩ
ｌ砧、等温の＋ｊ、ｉに４つのゲージを１び１−）てブ
リッジを絹んだ状態Ｃ゛も渇１ｕドリフ１〜を１１じＣ
しまう。ぞの結束、補償回路の設ｈ１が茗ｌノく困ガ（
゛実用１）１． ｆ二欠ｆｌろ。
構成される変換器に、１、−）で電気信号ｔ３−疫換し
、イれにＪ、つで引張りノ１の人ささヤ）１１−締力の
人ささを五１測し−Ｃいる３゜しか【ノながら、歪みに
伴うＩ（抗窃（［−を（り川Ｊるこねらの１ｊ法ｒ ＋
、ｔ、構造物に１１じる歪みＩＪ対対重抵抗率の変化が
小さい。Ｆ口ご金属抵抗／７’−ジを用いる場合１こは
、測定１． ｋい応力（歪）の状態ぐ１１抵抗顧は１０
〜１０’のΔ−ダーＣ゛ある。このため、変換器の側で
は、仁弓肋幅の増幅度が通常のｔ１測器に必要（２増幅
ｔｆｉよ１１人きくなり、シｌ、二がって増幅度のン易
瓜ゆ化に起因りる温良ドリフ（・ｔｊ）、人カイハ弓レ
ベルが低いことに起因ｉＩる騒昌の増大、分解応力の低
１・等を用い（いる。￥導体ゲージの場合ｆＪ： ＋、
Ｌ、千み（、二対１ｊる低（Ｉ″し変化の化（ゲージ室
）が金属ゲージに１１′１へ（人さく（約ｈＯｔｔｓ＞
、ｔ、たがつ（前述しＩ、：金属ゲージ（ハ欠＋：、１
はある稈葭まで改ｊ’ｊ ｃキｌｉる３、シかし、半ｉ
ｇ体ゲージでは抵抗の温Ｉｌｌ Ｉへ（ｒｌノＩ ／＋
′Ｘ人きく、Ｊ、たでの依（を性にバラツ１が人さいＩ
ｌ砧、等温の＋ｊ、ｉに４つのゲージを１び１−）てブ
リッジを絹んだ状態Ｃ゛も渇１ｕドリフ１〜を１１じＣ
しまう。ぞの結束、補償回路の設ｈ１が茗ｌノく困ガ（
゛実用１）１． ｆ二欠ｆｌろ。
一１ｊ、無端リング状の１４目クリングの−・９所に空
隙を設（」、これに被試験材を貼りト目Ｊ （；ｉ）み
を測定づる電（４１形ｎ゛ゲージも従来から知られ−（
いる、。
隙を設（」、これに被試験材を貼りト目Ｊ （；ｉ）み
を測定づる電（４１形ｎ゛ゲージも従来から知られ−（
いる、。
しかし従来の電磁形歪ゲージは、空隙部の両側の…封体
が被試験斗４ど接するｌＪめ、被試験＋Ａが１４長竹体
の場合に（まゲージの脅１東が被試験Ｉ４に洩ｔｌ（シ
よう。（二の７．−め、被試験（イの１″′みに４Ｊ、
って空隙長に変化が１１じ（０、イれがゲージのイング
クタンス変化ＩＪ−１，Ｌとんど奇４ノじイｊくイｆす
、したがってＵ蚤竹林の被試験（４にＩＬＬ適用Ｃ″き
イ１い欠点りくある。イして、一般にはゲージ使用の場
合は磁性（４１（例えば鉄）の歪試験おＪ：び応力試験
であることが大部分であるため、電磁形歪ゲージの適用
範囲が撞く一部に限られている。
が被試験斗４ど接するｌＪめ、被試験＋Ａが１４長竹体
の場合に（まゲージの脅１東が被試験Ｉ４に洩ｔｌ（シ
よう。（二の７．−め、被試験（イの１″′みに４Ｊ、
って空隙長に変化が１１じ（０、イれがゲージのイング
クタンス変化ＩＪ−１，Ｌとんど奇４ノじイｊくイｆす
、したがってＵ蚤竹林の被試験（４にＩＬＬ適用Ｃ″き
イ１い欠点りくある。イして、一般にはゲージ使用の場
合は磁性（４１（例えば鉄）の歪試験おＪ：び応力試験
であることが大部分であるため、電磁形歪ゲージの適用
範囲が撞く一部に限られている。
本発明は前記の従来技術の欠点をΦ服する！こめにイ「
されたしの（・、ゲージ率（歪に対重る抵抗変化の比）
を大きくし、かつ渇亀ドリノ１へを小さく４るとＩｌ、
に、磁性体の被試験（イにも適用ぐきるＪ、うにした電
磁形歪ゲージを提供りることを目的とり−る。
されたしの（・、ゲージ率（歪に対重る抵抗変化の比）
を大きくし、かつ渇亀ドリノ１へを小さく４るとＩｌ、
に、磁性体の被試験（イにも適用ぐきるＪ、うにした電
磁形歪ゲージを提供りることを目的とり−る。
上Ｍｌｊの目的を達成Ｊるため本Ｒ１１１１１Ｊ、透磁
率の方向性が強い磁性体でなる無端リングの−・ケ所に
空隙を形成し−（、その両側部分の外面を所定長さだ（
〕滑而面１１−げした磁性リンηと、蜂目Ｉ［リングの
滑面部分の両端に連続する磁束の帰路部分の所望の位置
に巻回した励磁二１イルと、磁性リングの？ｉ″！而部
分面外面と被試験材の表面を固着する固着部材とを備え
る電磁形歪ゲージを提供Ｊるムので゛ある。
率の方向性が強い磁性体でなる無端リングの−・ケ所に
空隙を形成し−（、その両側部分の外面を所定長さだ（
〕滑而面１１−げした磁性リンηと、蜂目Ｉ［リングの
滑面部分の両端に連続する磁束の帰路部分の所望の位置
に巻回した励磁二１イルと、磁性リングの？ｉ″！而部
分面外面と被試験材の表面を固着する固着部材とを備え
る電磁形歪ゲージを提供Ｊるムので゛ある。
（発明の実施例）
以下、添イ・１図面を参照しで木ブを明のいくつかの実
施例を説明４る。
施例を説明４る。
第１図【、１本弁明の−・実施例に係る電磁形歪ゲージ
、を、被試験材（Ｊ貼イ・１けた状態を示１−斜視図で
あり、第２図はイの縦断面図である。ゲージをイｒす脅
ｌ竹リング１は、接地面が平面に１１上げられＩ、二所
定長さの平面部２と、平面部２の両端を１リツジづる可
１尭１７４造に形成された波形あるいはジグ％ｆ ｌ）
状の１１東の帰路部３どから構成される。平面部２の中
央部分には所定長さｑの空隙４が設けられ、帰路部；３
には励磁」イル５が巻回されている。また、′ＴＩ而部
面の接地面は接着剤６によ−）てフィルムベース７に接
着され、フィルムベース７は接着剤８にＪ、つて゛被試
験材９０表面に接着されている。
、を、被試験材（Ｊ貼イ・１けた状態を示１−斜視図で
あり、第２図はイの縦断面図である。ゲージをイｒす脅
ｌ竹リング１は、接地面が平面に１１上げられＩ、二所
定長さの平面部２と、平面部２の両端を１リツジづる可
１尭１７４造に形成された波形あるいはジグ％ｆ ｌ）
状の１１東の帰路部３どから構成される。平面部２の中
央部分には所定長さｑの空隙４が設けられ、帰路部；３
には励磁」イル５が巻回されている。また、′ＴＩ而部
面の接地面は接着剤６によ−）てフィルムベース７に接
着され、フィルムベース７は接着剤８にＪ、つて゛被試
験材９０表面に接着されている。
さらに、フィル１８ベース７の中央部分の空ＩＩＩ ４
の位置には、四部１０が形成されている。
の位置には、四部１０が形成されている。
次に、上記実施（Ｍの作用を説明づる。被試験＋４９に
機械的な歪みが生じると、その歪みは接着剤８、フィル
ムベース７および接着剤６を伝達して磁着リング１の１
Ｌ面部２に加えられる。イの結果、空隙４の間隙（Ｊが
歪みに比例して変化Ｊる。
機械的な歪みが生じると、その歪みは接着剤８、フィル
ムベース７および接着剤６を伝達して磁着リング１の１
Ｌ面部２に加えられる。イの結果、空隙４の間隙（Ｊが
歪みに比例して変化Ｊる。
いま、歪みの作用点ａ、ｂの距離を１．４Ｓみによる１
法変化をΔ１どすると、歪みεは、ε−△矛／ｊ とへる。
法変化をΔ１どすると、歪みεは、ε−△矛／ｊ とへる。
一方、インダクタンス１−は空１！ｉ ４の断面積をＳ
１空気の透４４１率をμ、励磁子１イル５の巻き数をＮ
とＪると、 トーμＳＮ２／！１ となる。そして、空隙４の間隔に微小変化Δ（１が生じ
ｌこときは、インダクタンス１−′ｔよ、Ｌ’ ＝μＳ
Ｎ２／ （０＋Δ０） ＝ＩＩＳＮ２１０ （１−１４０／Ｑ）＝ＩＩＳＮ２／
（１−八〇１０ ） １０となる。したがって、インダ
クタンスの変化Δｌ−は、 △ｌ ＝１−’ −１−−１−ｘΔＣＪ ／ ｒＪどな
り、インダクタンスの変化はΔｑ／ｑに比例することが
わかる。
１空気の透４４１率をμ、励磁子１イル５の巻き数をＮ
とＪると、 トーμＳＮ２／！１ となる。そして、空隙４の間隔に微小変化Δ（１が生じ
ｌこときは、インダクタンス１−′ｔよ、Ｌ’ ＝μＳ
Ｎ２／ （０＋Δ０） ＝ＩＩＳＮ２１０ （１−１４０／Ｑ）＝ＩＩＳＮ２／
（１−八〇１０ ） １０となる。したがって、インダ
クタンスの変化Δｌ−は、 △ｌ ＝１−’ −１−−１−ｘΔＣＪ ／ ｒＪどな
り、インダクタンスの変化はΔｑ／ｑに比例することが
わかる。
いよ、接盾剤６，８およびフィルムベース７の横方向剛
性が無限に大きいとすると、歪作用点ａ。
性が無限に大きいとすると、歪作用点ａ。
１間におｌる寸法の変化△オはそのまま空隙４間の距離
の■化Δｑとイｆる。このどき、インダクタンスの変化
Δ１は、 Δｌ−＝ −Ｌ・ΔＪ／Ｆ である。したがつ′τ符月を無？Ｊ２−Ｊると、Δ１．
／１−Δｆ！ ／ ０ となる。本実／Ｉｌ！ｉ１Ｈのゲージ率ＧＥは１／Δ１
−一Δｉ！／１の１にであって、 と＜Ｚる。４なわち、歪の作用点ａ、ｂ間の距ｆｉｌｌ
を空隙４の距ｌ１ｌｌｌｏで除したものがゲージ率Ｇ
Ｆとなる。
の■化Δｑとイｆる。このどき、インダクタンスの変化
Δ１は、 Δｌ−＝ −Ｌ・ΔＪ／Ｆ である。したがつ′τ符月を無？Ｊ２−Ｊると、Δ１．
／１−Δｆ！ ／ ０ となる。本実／Ｉｌ！ｉ１Ｈのゲージ率ＧＥは１／Δ１
−一Δｉ！／１の１にであって、 と＜Ｚる。４なわち、歪の作用点ａ、ｂ間の距ｆｉｌｌ
を空隙４の距ｌ１ｌｌｌｏで除したものがゲージ率Ｇ
Ｆとなる。
第１図および第２図に示づ゛実施例では、磁束の帰路部
３は磁性体１の熱延びにより空隙４の距離が変化しない
Ｊ、う、可撓４１４造どイＴつでいる。したがって、帰
路部３では児１１）け上は歪みが発生せず、空隙長が影
響されることはない。
３は磁性体１の熱延びにより空隙４の距離が変化しない
Ｊ、う、可撓４１４造どイＴつでいる。したがって、帰
路部３では児１１）け上は歪みが発生せず、空隙長が影
響されることはない。
次に、複数のゲージの間の見掛１ノ１−の歪みのバラツ
キの低減について〃１明する。磁性体１の熱膨張が空隙
長に与える影響を、歪作用点ａ、［〕間の長さｌの部分
で考える。熱膨張による空隙長の変化へｑ′は、 Δ０′−α・θ・ｆ （但し、αは磁性体１０１℃当りの線膨張率、θはゲー
ジを使用する調度（ｄｅｇ）の最大伯と最小値の差） である。インダクタンスの変化ΔＬ ／ ｌ−は、Δ１
−／Ｌ−Δ０′／ｑ どなる。
キの低減について〃１明する。磁性体１の熱膨張が空隙
長に与える影響を、歪作用点ａ、［〕間の長さｌの部分
で考える。熱膨張による空隙長の変化へｑ′は、 Δ０′−α・θ・ｆ （但し、αは磁性体１０１℃当りの線膨張率、θはゲー
ジを使用する調度（ｄｅｇ）の最大伯と最小値の差） である。インダクタンスの変化ΔＬ ／ ｌ−は、Δ１
−／Ｌ−Δ０′／ｑ どなる。
この△０′１０の値が複数のゲージ毎にバラツキがある
と、ブリッジを構成したときに温石ドリフトが現れる。
と、ブリッジを構成したときに温石ドリフトが現れる。
したがって、このバラツ：１−を低減Ｊることが望まれ
るが、上記の式で最もバラツギに影響するのはｑの寸法
ｉ度である。そこで、ゲージインダクタンスのバラツキ
によってブリッジ回路構成時に生じる温度ドリフトを、
必要どする測定精亀から許容される範囲に収められるよ
うに、−〇 − この空隙長の（Ｌ−＋−げｑ法精度を決定する。アモル
ファスロ目１体の如く透磁率の方向性の大きい磁性体を
用いれば、液体から固体の磁性体が形成されるので、空
隙長のＸｌ払精ｔαを容易に高めることができる。この
ように本実施例では、アモルフフ７スｌａｆ’１体等を
用いることで空隙長のＸｊ法ｔ＃痘を高め、これによっ
て個々のゲージの間の児１トは歪みのバラツ４−を小さ
くし、温度ドリフ１〜の充分に小さいゲージをＩ？るＪ
、うに１）ている。
るが、上記の式で最もバラツギに影響するのはｑの寸法
ｉ度である。そこで、ゲージインダクタンスのバラツキ
によってブリッジ回路構成時に生じる温度ドリフトを、
必要どする測定精亀から許容される範囲に収められるよ
うに、−〇 − この空隙長の（Ｌ−＋−げｑ法精度を決定する。アモル
ファスロ目１体の如く透磁率の方向性の大きい磁性体を
用いれば、液体から固体の磁性体が形成されるので、空
隙長のＸｌ払精ｔαを容易に高めることができる。この
ように本実施例では、アモルフフ７スｌａｆ’１体等を
用いることで空隙長のＸｊ法ｔ＃痘を高め、これによっ
て個々のゲージの間の児１トは歪みのバラツ４−を小さ
くし、温度ドリフ１〜の充分に小さいゲージをＩ？るＪ
、うに１）ている。
また、第１図おＪ：び第２図に示づ実１′１ＭＶＡで１
３１、磁束の帰路部３は波形あるいはジグザク状に湾曲
成形され、前述のように歪み方向の剛性を下げる可撓構
造と／７っている。したがって、帰路部３の剛性は接着
剤６，８おＪ：びフィルムベース７の合成剛性と比べて
充分に小さく、その結果、被試験材９の表面の歪みがそ
のまま空隙両側の平面部２に伝達されるようになってい
る。
３１、磁束の帰路部３は波形あるいはジグザク状に湾曲
成形され、前述のように歪み方向の剛性を下げる可撓構
造と／７っている。したがって、帰路部３の剛性は接着
剤６，８おＪ：びフィルムベース７の合成剛性と比べて
充分に小さく、その結果、被試験材９の表面の歪みがそ
のまま空隙両側の平面部２に伝達されるようになってい
る。
また本実施例では、フィルムベース７の厚さを空隙４０
下で・薄くしである。したがって、磁性体１０平面部２
に接着された部分のフィルムベース７の横り向剛封１．
１、空隙４０部分のノイルムベース７の横方向側Ｈに比
べて充ブ）に人きい。イの結末、被試験手４９の歪みの
平面部２への伝達が、大幅に改善される構成ど／； ＝
）−（いる。
下で・薄くしである。したがって、磁性体１０平面部２
に接着された部分のフィルムベース７の横り向剛封１．
１、空隙４０部分のノイルムベース７の横方向側Ｈに比
べて充ブ）に人きい。イの結末、被試験手４９の歪みの
平面部２への伝達が、大幅に改善される構成ど／； ＝
）−（いる。
以十の通り第１図Ｊ３よび第２図に承Ｊ実施ＩＡによれ
ば、従来の金属ゲージに１ｔべて人さイ丁ゲージ率を得
ることがでさ、かつ従来の半導体ゲージと巽＜ｉり任意
のゲージ率を実現できる。Ａ、／こ、空隙長の什１−げ
入１払粘度を制御することに３１、す、被試験Ｈの温度
ｔこＪ、る出力変化（温石ドリフト）を充分小さくでさ
る。さらに本ゲージは、透口ｌ＝軒のＩＪ向性の強い月
利を用いることによ−）で、脅ｌ性体の被試験材に対し
ても適用することＩ〕できる。
ば、従来の金属ゲージに１ｔべて人さイ丁ゲージ率を得
ることがでさ、かつ従来の半導体ゲージと巽＜ｉり任意
のゲージ率を実現できる。Ａ、／こ、空隙長の什１−げ
入１払粘度を制御することに３１、す、被試験Ｈの温度
ｔこＪ、る出力変化（温石ドリフト）を充分小さくでさ
る。さらに本ゲージは、透口ｌ＝軒のＩＪ向性の強い月
利を用いることによ−）で、脅ｌ性体の被試験材に対し
ても適用することＩ〕できる。
本発明はト配実施例に限定されるものではなく、神々の
女形が１１能である。
女形が１１能である。
本実施例では磁性体の空隙の両側の接地面を平面にイ１
トげるようにしτいるが、これに限られるものではなく
、−次曲面あるいは二次曲面の如く泪かな面（滑面）に
４１１−けられていれば、いか（ｊるものでもよい。ま
た、空隙μｍ磁竹ングにり・１して斜め（４二形成−＼
れ（いてもＪ、く、折れ線あるい（ま曲線状に形成され
でもよい。
トげるようにしτいるが、これに限られるものではなく
、−次曲面あるいは二次曲面の如く泪かな面（滑面）に
４１１−けられていれば、いか（ｊるものでもよい。ま
た、空隙μｍ磁竹ングにり・１して斜め（４二形成−＼
れ（いてもＪ、く、折れ線あるい（ま曲線状に形成され
でもよい。
まｌ、二、第３３図に示１ように、空隙１をｔａｔｑ体
１の’Ａｔ Ｊｊ ｌ／］向に対して４５°の角１ｔｔ
（” ｎｕ ＬＪ ｋ’ｉ ’）をペア７ ’（゛
使用じ、かつ両ｔｒの空隙の方向がｌ／ｉ交ｊるＪ、う
（ＪしてもＪ、い。このＪ、うに伏れば、被試験＋４９
の捩れを測定づることｈ（できる。
１の’Ａｔ Ｊｊ ｌ／］向に対して４５°の角１ｔｔ
（” ｎｕ ＬＪ ｋ’ｉ ’）をペア７ ’（゛
使用じ、かつ両ｔｒの空隙の方向がｌ／ｉ交ｊるＪ、う
（ＪしてもＪ、い。このＪ、うに伏れば、被試験＋４９
の捩れを測定づることｈ（できる。
以−１の通り本発明で（よい透口ト軒の１１向竹の大き
い磁性１４利を用い−ｃ Ｔｌｌ ｔ’４リングを構成
し、かつ空隙のイ１１け１１払粕１ａを高めｌこので、
ゲージ率を人きクシ渇１ηドリフ１〜を小さりｌ゛きる
と共に、Ｍｉ磁性体被試験材に対しても適用できる電磁
形歪ゲージをＩＦｌることができる。これにＪ、って、
変換器側の種々の制約を緩和し、高粘１αの応力および
歪測定が実現できる。
い磁性１４利を用い−ｃ Ｔｌｌ ｔ’４リングを構成
し、かつ空隙のイ１１け１１払粕１ａを高めｌこので、
ゲージ率を人きクシ渇１ηドリフ１〜を小さりｌ゛きる
と共に、Ｍｉ磁性体被試験材に対しても適用できる電磁
形歪ゲージをＩＦｌることができる。これにＪ、って、
変換器側の種々の制約を緩和し、高粘１αの応力および
歪測定が実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示Ｊ斜祝図、第２図はでの
縦断面図、第３図は本発明の他の実施例＝ １１ − の平面図ぐある。 １・・・磁性リング、２・・・平面部、３・・・帰路部
、４・・・空隙、！：）・・・励磁コイル、６，８・・
・接着剤、７・・・フィルムベース、９・・・被試験４
Ａ、１０・・・凹部。
縦断面図、第３図は本発明の他の実施例＝ １１ − の平面図ぐある。 １・・・磁性リング、２・・・平面部、３・・・帰路部
、４・・・空隙、！：）・・・励磁コイル、６，８・・
・接着剤、７・・・フィルムベース、９・・・被試験４
Ａ、１０・・・凹部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透磁率の方向性が強い磁性体でなる無端リングの一
ヶ所を切断して所定間隔の空隙を形成し、この空隙の両
側部分の接地面をリングの長手方向に滑かな面に仕上げ
た磁性リングと、この磁性リングの接地面部分の両端を
ブリッジする磁束の帰路部分に巻回された励磁コイルと
、前記磁性リングの接地面を被試験材の表面に固着する
固着部材とを備える電磁形歪ゲージ。 ２、前記磁性リングの前記所定長さの接地面部分の両端
をブリッジする前記磁束の帰路部分を可撓構造にした特
許請求の範囲第１項記載の電磁形歪ゲージ。 ３、前記磁性リングの接地面部分の両端をブリッジする
前記磁束の帰路部分を可撓性の磁性材料で形成した特許
請求の範囲第１項記載の電磁形歪ゲージ。 ４、前記磁性リングの接地面部分の両端をブリッジする
前記磁束の帰路部分の長手方向剛性が、前記固着部材の
剛性より充分小さくなるようにした特許請求の範囲第１
項乃至第３項いずれかに記載の電磁形歪ゲージ。 ５、前記固着部材は、一方の面が磁性リングの接地面部
分を接着し、他方の面が前記被試験材料の表面に接着さ
れた平板状のベース部材である特許請求の範囲第１項乃
至第４項のいずれかに記載の電磁形歪ゲージ。 ６、前記ベース部材は、前記磁性リングの空隙部分対応
する部分の断面積がその両側の部分の断面積より小さく
なるように形成されている特許請求の範囲第５項記載の
電磁形歪ゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16986685A JPS6230901A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電磁形歪ゲ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16986685A JPS6230901A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電磁形歪ゲ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230901A true JPS6230901A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15894398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16986685A Pending JPS6230901A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電磁形歪ゲ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009109337A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Minebea Co Ltd | 曲げセンサ |
| JP2020511657A (ja) * | 2017-03-20 | 2020-04-16 | ヒルテンベルガー エンジニアド サーフェスィズ ゲーエムベーハー | 磁場センサ |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP16986685A patent/JPS6230901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009109337A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Minebea Co Ltd | 曲げセンサ |
| JP2020511657A (ja) * | 2017-03-20 | 2020-04-16 | ヒルテンベルガー エンジニアド サーフェスィズ ゲーエムベーハー | 磁場センサ |
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