JPS6230332A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6230332A JPS6230332A JP16883785A JP16883785A JPS6230332A JP S6230332 A JPS6230332 A JP S6230332A JP 16883785 A JP16883785 A JP 16883785A JP 16883785 A JP16883785 A JP 16883785A JP S6230332 A JPS6230332 A JP S6230332A
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- Japan
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- wafer
- gas
- mask data
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
直接描画による堆積（ｄｅｐｏｓ １ｔｉｏｎ）または
エツチングを、レーザと液晶遮蔽板を用いて行う方法で
ある。
エツチングを、レーザと液晶遮蔽板を用いて行う方法で
ある。
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、更に詳
しく言えばレーザと液晶遮蔽板を用いて配線パターンま
たは絶縁膜のパターンを形成する方法に関するものであ
る。
しく言えばレーザと液晶遮蔽板を用いて配線パターンま
たは絶縁膜のパターンを形成する方法に関するものであ
る。
第３図を参照して多結晶シリコン（ポリシリコン）配線
を絶縁膜上に形成する方法を説明すると、先ず同図（ａ
ｌに示される如く基板３１（例えばシリコンウェハ）上
に二酸化シリコン（５ｉＯｚ ）の絶縁１１ｆｆ３２を
作り、その上にポリシリコンを例えば化学気相成長（Ｃ
ＶＤ ”）法で堆積し、ポリシリコン膜３３を形成する
。
を絶縁膜上に形成する方法を説明すると、先ず同図（ａ
ｌに示される如く基板３１（例えばシリコンウェハ）上
に二酸化シリコン（５ｉＯｚ ）の絶縁１１ｆｆ３２を
作り、その上にポリシリコンを例えば化学気相成長（Ｃ
ＶＤ ”）法で堆積し、ポリシリコン膜３３を形成する
。
次いで同図（ｂｌに示される如くポリシリコン膜３３上
にホトレジスト（以下レジストという）を塗布してレジ
スト膜３４を形成する。
にホトレジスト（以下レジストという）を塗布してレジ
スト膜３４を形成する。
次に同図ｔｃ＋に示される如く、別途作成された所定の
パターンをもつマスク３５を通し紫外線３６をレジスト
膜３４に照射し、レジストを現像して得られるレジスト
パターンをマスクにしてポリシリコンをエツチングし、
レジストを除去すると、同図＋ｄ）に模式的に示される
ポリシリコン配線３７のパターンが作られる。
パターンをもつマスク３５を通し紫外線３６をレジスト
膜３４に照射し、レジストを現像して得られるレジスト
パターンをマスクにしてポリシリコンをエツチングし、
レジストを除去すると、同図＋ｄ）に模式的に示される
ポリシリコン配線３７のパターンが作られる。
他方、マスク３５の製造方法を第４図を参照して説明す
る。
る。
先ず、ガラス基板４１上にクロム（Ｃｒ）を例えば蒸着
で被着してクロム膜４２を作る。
で被着してクロム膜４２を作る。
次いで同図（ｂｌに示される如くクロム膜の上にレジス
トを塗布してレジスト膜４３を作る。
トを塗布してレジスト膜４３を作る。
次に、別途作成されたマスクデータを用いコンピュータ
で制御された電子ビーム（ＥＢビーム）４４でレジスト
を露光する（同図（Ｃ））。
で制御された電子ビーム（ＥＢビーム）４４でレジスト
を露光する（同図（Ｃ））。
次いでレジストを現像して得られるレジストパターンを
マスクにしてクロムをエツチングすると、同図ｆｄ＋に
模式的に示されるクロムパターン４５が得られる。
マスクにしてクロムをエツチングすると、同図ｆｄ＋に
模式的に示されるクロムパターン４５が得られる。
上記はポリシリコン配線の形成工程であるが、それには
多くの工程とマスクが必要となる。
多くの工程とマスクが必要となる。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたちので、レー
ザおよび液晶遮蔽板を用い直接描画によってパターンの
形成をなす方法を提供することを目的とする。
ザおよび液晶遮蔽板を用い直接描画によってパターンの
形成をなす方法を提供することを目的とする。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は第１図の液晶
遮蔽板の詳細を示す断面図である。
遮蔽板の詳細を示す断面図である。
第１図の装置を用いて試料例えばウェハ１１上にアルミ
ニウム（ｉ）配線を形成するには、減圧チャンバ１２内
にウェハ１１を配置し、チャンバ１２内には所定の成長
ガスとキャリアガスを導入し、他方レーザ光１３をマス
クデータ記憶装置２０のマスクデータに対応して駆動さ
れる液晶遮蔽板１４を通してウェハ１１に照射して前記
装置２０の記憶するパターンのＡ２配線をウェハ１１上
に形成する。
ニウム（ｉ）配線を形成するには、減圧チャンバ１２内
にウェハ１１を配置し、チャンバ１２内には所定の成長
ガスとキャリアガスを導入し、他方レーザ光１３をマス
クデータ記憶装置２０のマスクデータに対応して駆動さ
れる液晶遮蔽板１４を通してウェハ１１に照射して前記
装置２０の記憶するパターンのＡ２配線をウェハ１１上
に形成する。
前記した成長ガスをトリメチルアルミニウムのガス、キ
ャリアガスを水素（Ｈ２）ガスとし、前者と後者の混合
比を１：３としてチャンバ内に導入すると、トリメチル
アルミニウムがレーザ光を吸収し、光分解を起し、ウェ
ハ上の光の照射されたところにだけｉが成長し、光照射
部は所望のパターンを作成するマスクデータによって決
定されるので、所望のパターンのＡβ配線がウェハ上に
形成される。
ャリアガスを水素（Ｈ２）ガスとし、前者と後者の混合
比を１：３としてチャンバ内に導入すると、トリメチル
アルミニウムがレーザ光を吸収し、光分解を起し、ウェ
ハ上の光の照射されたところにだけｉが成長し、光照射
部は所望のパターンを作成するマスクデータによって決
定されるので、所望のパターンのＡβ配線がウェハ上に
形成される。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図に戻ると、ウェハ１１はＸＹステージ１５上に冷
却部１６を介して置かれたホントチャック１７上に配置
され、チャンバ１２は０．５ Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
、トリメチルアルミニウム：Ｈ２＝１：３の混合比のガ
スがチャンバ１２内に供給され、チャンバ１２にはレー
ザ光１３の透過のための窓１２ａが設けである。
却部１６を介して置かれたホントチャック１７上に配置
され、チャンバ１２は０．５ Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
、トリメチルアルミニウム：Ｈ２＝１：３の混合比のガ
スがチャンバ１２内に供給され、チャンバ１２にはレー
ザ光１３の透過のための窓１２ａが設けである。
エキシマレーザ１８から出てくるレーザ光１３は、液晶
遮蔽板１４、レンズ１９、窓１２ａを通してウェハ１１
を照射する。レンズはレーザ光１３ （ＫｒＦレーザ、
波長２４８ｎｍ ）を１／１００に縮小する。ウェハ１
１上のレーザ光１３が照射したところでは、トリメチル
アルミニウムの光分解によってＡ１が堆積する。
遮蔽板１４、レンズ１９、窓１２ａを通してウェハ１１
を照射する。レンズはレーザ光１３ （ＫｒＦレーザ、
波長２４８ｎｍ ）を１／１００に縮小する。ウェハ１
１上のレーザ光１３が照射したところでは、トリメチル
アルミニウムの光分解によってＡ１が堆積する。
レーザ光１３のウェハ上の照射領域はマスクデータ記憶
装置２０からの情報によって働くコンピュータ２１によ
って制御される駆動手段２２によって操作される液晶遮
蔽板１４によって制御されるので、マスクデータ記憶装
置２０の記憶する所望のパターンにＡ２配線がウェハ１
１上に形成される。
装置２０からの情報によって働くコンピュータ２１によ
って制御される駆動手段２２によって操作される液晶遮
蔽板１４によって制御されるので、マスクデータ記憶装
置２０の記憶する所望のパターンにＡ２配線がウェハ１
１上に形成される。
液晶遮光板１４は第２図に詳細に示される装置であり、
透明電極２３、ＡＣ電源２４、ＴＮ型液晶２５、偏光板
２６からなる。レーザ光１３はエキシマレーザ１８を出
るとき図に矢印■で示す如（偏光されており、ＡＣ電源
２４からＴＮ型液晶２５に加えられる交流電界がＯＦＩ
’のときには偏光面は９０°回転するため（図に矢印■
で示す）偏光板２６によりレーザ光は遮断され、電界が
ＯＮのときには液晶が配列変化をなし、偏光面は変化し
ない（図に矢印■で示す）ために光は偏光板２６を透過
する。
透明電極２３、ＡＣ電源２４、ＴＮ型液晶２５、偏光板
２６からなる。レーザ光１３はエキシマレーザ１８を出
るとき図に矢印■で示す如（偏光されており、ＡＣ電源
２４からＴＮ型液晶２５に加えられる交流電界がＯＦＩ
’のときには偏光面は９０°回転するため（図に矢印■
で示す）偏光板２６によりレーザ光は遮断され、電界が
ＯＮのときには液晶が配列変化をなし、偏光面は変化し
ない（図に矢印■で示す）ために光は偏光板２６を透過
する。
以上はへｅ配線の形成について説明したが、ポリシリコ
ン配線はシランガスを用いて同様に形成され、また５ｉ
０２Ｂ’Ａの所望の部分に窓開けをなすときはＨαガス
の鄭を同様に遊離させそれで５ｉ０２と反応させ窓開け
をなし、更にはシランと０２ガスを供給して所望の部分
に５ｉ０２膜を形成するなど、本発明の適用範囲は広範
囲にわたる。
ン配線はシランガスを用いて同様に形成され、また５ｉ
０２Ｂ’Ａの所望の部分に窓開けをなすときはＨαガス
の鄭を同様に遊離させそれで５ｉ０２と反応させ窓開け
をなし、更にはシランと０２ガスを供給して所望の部分
に５ｉ０２膜を形成するなど、本発明の適用範囲は広範
囲にわたる。
以上述べてきたように、本発明によれば、従来の多数の
工程が１工程に短縮され、半導体装置製造の作業性が向
上する効果がある。
工程が１工程に短縮され、半導体装置製造の作業性が向
上する効果がある。
第１図は本発明実施例の断面図、
第２図は第１図の液晶遮蔽板の断面図、第３図と第４図
は従来例の断面図である。 第１図と第２図において、 １１はウェハ、 １２はチャンバ、 １２ａは窓、 １３はレーザ光、 １４は液晶遮蔽板、 １５はＸＹステージ、 １６は冷却部、 １７はホットチャック、 １８はエキシマレーザ、 １９はレンズ、 ２０はマスクデータ記憶装置、 ２１はコンピュータ、 ２２は駆動手段、 ２３は透明電極、 ２４は屁電源、 ２５はＴＮ型液晶、 ２６は偏光板である。 第１図 才目Ｉｎｙｔ晶ｊよ飢面閃 第２図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）Ｕ釆伊り
４ｆｆｌＩ！！ 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）漫釆例錠
面！ 第４図
は従来例の断面図である。 第１図と第２図において、 １１はウェハ、 １２はチャンバ、 １２ａは窓、 １３はレーザ光、 １４は液晶遮蔽板、 １５はＸＹステージ、 １６は冷却部、 １７はホットチャック、 １８はエキシマレーザ、 １９はレンズ、 ２０はマスクデータ記憶装置、 ２１はコンピュータ、 ２２は駆動手段、 ２３は透明電極、 ２４は屁電源、 ２５はＴＮ型液晶、 ２６は偏光板である。 第１図 才目Ｉｎｙｔ晶ｊよ飢面閃 第２図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）Ｕ釆伊り
４ｆｆｌＩ！！ 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）漫釆例錠
面！ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 成長ガスが光吸収によって光分解を発生する条件のチャ
ンバ（１２）内に試料（１１）を配置し、前記試料（１
１）に対し、マスクデータ記憶装置（２０）により作動
する液晶遮蔽板（１４）を通してレーザ光（１３）を照
射し、 試料（１１）に対しマスクデータ記憶装置（２０）の記
憶するパターンを転写することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883785A JPH0722128B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883785A JPH0722128B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230332A true JPS6230332A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0722128B2 JPH0722128B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=15875441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16883785A Expired - Lifetime JPH0722128B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722128B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157791A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Komatsu Ltd | レーザ転写処理装置 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16883785A patent/JPH0722128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157791A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Komatsu Ltd | レーザ転写処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722128B2 (ja) | 1995-03-08 |
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