JPS6230219A - スメクテイツク液晶装置における液晶物質注入方法 - Google Patents
スメクテイツク液晶装置における液晶物質注入方法Info
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- JPS6230219A JPS6230219A JP16997385A JP16997385A JPS6230219A JP S6230219 A JPS6230219 A JP S6230219A JP 16997385 A JP16997385 A JP 16997385A JP 16997385 A JP16997385 A JP 16997385A JP S6230219 A JPS6230219 A JP S6230219A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、カイラルスメクティック液晶装置に適した液
晶物質の注入方法方法に関する。
晶物質の注入方法方法に関する。
（従来技術）
近年、カイラルスメクティックＣ相を使用した液晶装置
は、高速応答性と記憶保持性を持つためディスプレイ装
置や、カメラ用、プリンタ用の光シャッタとして注目さ
れている。
は、高速応答性と記憶保持性を持つためディスプレイ装
置や、カメラ用、プリンタ用の光シャッタとして注目さ
れている。
このカイラルスメクテイックＣ相を持つ強誘電性液晶化
合物としては、例えば、Ｐ−デシルオキシベンジリデン
−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメートが広く知ら
れており、その液晶分子は、第７図に示したように一定
の方位角０を持って層Ｌｌ 、Ｌ２．Ｌ３．Ｌ４毎に捩
れた螺旋構造を採って配列している。
合物としては、例えば、Ｐ−デシルオキシベンジリデン
−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメートが広く知ら
れており、その液晶分子は、第７図に示したように一定
の方位角０を持って層Ｌｌ 、Ｌ２．Ｌ３．Ｌ４毎に捩
れた螺旋構造を採って配列している。
ところで、このカイラルスメクテイックＣ相を持つ液晶
化合物をその螺旋周期（通常数ｇｍ）よりも小さい間隙
（例えばＩｇｍ程度）を持つ２枚の基板Ａ、Ｈの間に注
入して液晶セルを構成すると（第８図イ）、液晶分子は
、螺旋構造を消失して分子軸を基板Ａ、Ｈに平行にして
層の法線方向から時計回りに角度０傾いたドメインと、
反時計回りにθつまり−θ傾いたドメインを混存した状
態を持つとともに（同図口）、分子軸に垂直な方向の電
気双極子を備えている。
化合物をその螺旋周期（通常数ｇｍ）よりも小さい間隙
（例えばＩｇｍ程度）を持つ２枚の基板Ａ、Ｈの間に注
入して液晶セルを構成すると（第８図イ）、液晶分子は
、螺旋構造を消失して分子軸を基板Ａ、Ｈに平行にして
層の法線方向から時計回りに角度０傾いたドメインと、
反時計回りにθつまり−θ傾いたドメインを混存した状
態を持つとともに（同図口）、分子軸に垂直な方向の電
気双極子を備えている。
このため、一方のドメインが基板Ａ、Ｈに対して上向き
の電気双極子を持つと、他方のドメインは下向きの電気
双極子を持つことになり、したかって基板Ａ、Ｂ間に電
界を印加すると、全ての液晶分子は、層の法線方向から
十〇もしくは一〇のいずれか一方に傾いた位置に揃い、
また逆向きの電界を印加すると、液晶分子も反転して一
〇もしくは十〇傾いた位置に一斉に揃った状態で配列す
る。
の電気双極子を持つと、他方のドメインは下向きの電気
双極子を持つことになり、したかって基板Ａ、Ｂ間に電
界を印加すると、全ての液晶分子は、層の法線方向から
十〇もしくは一〇のいずれか一方に傾いた位置に揃い、
また逆向きの電界を印加すると、液晶分子も反転して一
〇もしくは十〇傾いた位置に一斉に揃った状態で配列す
る。
このパネルの両面に偏光板を配設して電界を印加すると
、液晶分子の移動により明状態や暗状態が生じて表示パ
ネルや光シャッタとしての機能を持たせることができる
（第９図）、このように構成した液晶パネルは、マイク
ロ秒台という非常に速い応答速度と、一旦表示したパタ
ーンを電界除去後も保持するという優れた特性を持って
いる。
、液晶分子の移動により明状態や暗状態が生じて表示パ
ネルや光シャッタとしての機能を持たせることができる
（第９図）、このように構成した液晶パネルは、マイク
ロ秒台という非常に速い応答速度と、一旦表示したパタ
ーンを電界除去後も保持するという優れた特性を持って
いる。
ところで、上述したように、２枚の基板間隙長が極めて
小さいため、微妙な間隙長差の影テを大きく受けて第１
０図に示したように液晶物質の注入時に液晶物質の流動
方向に大きな乱れを生じる。
小さいため、微妙な間隙長差の影テを大きく受けて第１
０図に示したように液晶物質の注入時に液晶物質の流動
方向に大きな乱れを生じる。
ところが、上述した優れた電気的特性を発揮させるため
に、一方の基板が一軸配向により液晶分子の配向方向を
規制されているとしても、他方の基板は、液晶分子が電
界の作用を受けたときに移動しやすいフリーな面となる
ようにランダム配向等の処理が行なわれている。このた
め、注入された液晶物質の基板表面の初期配向状態は、
注入された液晶の流入方向に支配されてしまい、好まし
いランダム配向状態を得ることができず光−電気特性に
バラつきを生じるという問題があった。
に、一方の基板が一軸配向により液晶分子の配向方向を
規制されているとしても、他方の基板は、液晶分子が電
界の作用を受けたときに移動しやすいフリーな面となる
ようにランダム配向等の処理が行なわれている。このた
め、注入された液晶物質の基板表面の初期配向状態は、
注入された液晶の流入方向に支配されてしまい、好まし
いランダム配向状態を得ることができず光−電気特性に
バラつきを生じるという問題があった。
（目的）
本発明はこのような問題に鑑み、一様な初期配向を得る
ことができる液晶物質の注入方法を提案することを目的
とする。
ことができる液晶物質の注入方法を提案することを目的
とする。
（問題を解決するための手段）
すなわち、本発明が特徴とするところは、液晶の流入速
度に合せて流入方向の温度勾配を変化させるようにした
点にある。
度に合せて流入方向の温度勾配を変化させるようにした
点にある。
（実施例）
そこで、以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明に使用する注入装置の一例を示すもの
であって、図中符号１は、切換弁２を介して大気開放口
３と真空ポンプ４に選択的に連通ずる真空容器５に収容
された液晶セル把持具で、液晶セルと後述するシート状
ヒータを交互に重ね合せて把持し１図示しない駆動機構
により上下動するように構成されている。６は１把持機
構１の下方に配置された液晶加熱槽で、スメクチック液
晶物質が液体相を保持する温度となるように構成されて
いる。
であって、図中符号１は、切換弁２を介して大気開放口
３と真空ポンプ４に選択的に連通ずる真空容器５に収容
された液晶セル把持具で、液晶セルと後述するシート状
ヒータを交互に重ね合せて把持し１図示しない駆動機構
により上下動するように構成されている。６は１把持機
構１の下方に配置された液晶加熱槽で、スメクチック液
晶物質が液体相を保持する温度となるように構成されて
いる。
第２図は、前述のシート状ヒータの一実施例を示すもの
であって、液晶物質を注入すべきパネル表面を覆う程度
の薄板７に発熱線８を蛇行させて配設する一方、等間隔
で給電端子を引出して発熱線８を５つに区分８ａ〜８ｆ
して使用できるように構成されている。
であって、液晶物質を注入すべきパネル表面を覆う程度
の薄板７に発熱線８を蛇行させて配設する一方、等間隔
で給電端子を引出して発熱線８を５つに区分８ａ〜８ｆ
して使用できるように構成されている。
第３図は、本発明に使用するスメクティック液晶パネル
を構成するセルの一実施例を示すものであって、図中符
号ｌＯは、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、透
明導電性材料によりセグメント電極１０ａ、１０ａ、１
０ａ・・・・が形成されたガラス等の電気絶縁性透明板
１０ｂの表面に印刷やディッピングによってポリイミド
の薄膜を設けて基板１０の面方向の全ての向きに均一な
配向性を持つランダム水平配向膜層１０ｃを形成して構
成されている。１２は、液晶表示パネルを構成する他方
の基板で、セグメント電極１０ａ、１０ａ、１０ａ・・
・・と直交するようにコモン電極１２ａ、１２ａ、１２
ａ・・・・が形成された電気絶縁性透明板１２ｂの表面
にポリイミドの薄膜を設け、この薄膜の表面を一方向に
ラビング処理を行なって一方向だけの配向を付与した一
軸配向膜層１２ｃを形成して構成されている。これら２
枚の基板１Ｏ１１２は、液晶化合物の螺旋ピッチよりも
小さい間隙を持ってランダム水平配向膜層１０ｃと一軸
配向膜層１２ｃを対向させて平行に配置するとともに、
−側に液晶注入口１４を設けるようにシール剤１６によ
り接合してパネルに構成されている。
を構成するセルの一実施例を示すものであって、図中符
号ｌＯは、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、透
明導電性材料によりセグメント電極１０ａ、１０ａ、１
０ａ・・・・が形成されたガラス等の電気絶縁性透明板
１０ｂの表面に印刷やディッピングによってポリイミド
の薄膜を設けて基板１０の面方向の全ての向きに均一な
配向性を持つランダム水平配向膜層１０ｃを形成して構
成されている。１２は、液晶表示パネルを構成する他方
の基板で、セグメント電極１０ａ、１０ａ、１０ａ・・
・・と直交するようにコモン電極１２ａ、１２ａ、１２
ａ・・・・が形成された電気絶縁性透明板１２ｂの表面
にポリイミドの薄膜を設け、この薄膜の表面を一方向に
ラビング処理を行なって一方向だけの配向を付与した一
軸配向膜層１２ｃを形成して構成されている。これら２
枚の基板１Ｏ１１２は、液晶化合物の螺旋ピッチよりも
小さい間隙を持ってランダム水平配向膜層１０ｃと一軸
配向膜層１２ｃを対向させて平行に配置するとともに、
−側に液晶注入口１４を設けるようにシール剤１６によ
り接合してパネルに構成されている。
次に、このように構成した装置の動作について説明する
。
。
注入口１４が形成された下端面に発熱線８が実行となる
ようにしてシート状ヒータ２０を液晶パネル２２に東ね
て把持機構に取付け（第４図）、また加熱槽６にスメク
チック液晶物質を充填して真空容雰５を所定の真空圧に
まで引く。
ようにしてシート状ヒータ２０を液晶パネル２２に東ね
て把持機構に取付け（第４図）、また加熱槽６にスメク
チック液晶物質を充填して真空容雰５を所定の真空圧に
まで引く。
このような準備を終えた時点でシート状ヒータの最下端
の発熱線に給電して第５図に示したように液晶パネル２
２の注入口直［一部分が水平方向に一様で、かつ液体相
を保持できる程度の温度となるように加熱する（第６図
工）。
の発熱線に給電して第５図に示したように液晶パネル２
２の注入口直［一部分が水平方向に一様で、かつ液体相
を保持できる程度の温度となるように加熱する（第６図
工）。
このような状態において、把持機構ｌを下方に移動させ
て液晶パネル２０の注入口１４を加熱槽６内の液晶物質
に浸漬させ、次いで切換弁２を大気開放「１３に連通さ
せると、加熱＋１９６内の液晶物質が大気圧を受けて注
入口１４からパネル２０内に徐々に入る。
て液晶パネル２０の注入口１４を加熱槽６内の液晶物質
に浸漬させ、次いで切換弁２を大気開放「１３に連通さ
せると、加熱＋１９６内の液晶物質が大気圧を受けて注
入口１４からパネル２０内に徐々に入る。
ところで、前述したようにパネルの下端部だけが水平方
向に一様に高温に加熱されているため、注入口１４から
流入する液晶は、高い流動性を持って速やかに水平方向
に広がって、先端が水平となり（ＴＩ）、ついで発熱線
８ａにより高温に加熱されている領域まで液晶物質の先
端を水平に保持した状態で上昇する（■）、この時ａで
、ｆ￥段の発熱線８ｂにも通電を行なうと、発熱線が水
ｆ方向に配設されているため、パネルの高温領域が原人
した液晶物質の直上に平行に拡大される。これにより、
パネル内の液晶は、先端を水平状態を維持しながら徐々
に上方に移動する（■）。
向に一様に高温に加熱されているため、注入口１４から
流入する液晶は、高い流動性を持って速やかに水平方向
に広がって、先端が水平となり（ＴＩ）、ついで発熱線
８ａにより高温に加熱されている領域まで液晶物質の先
端を水平に保持した状態で上昇する（■）、この時ａで
、ｆ￥段の発熱線８ｂにも通電を行なうと、発熱線が水
ｆ方向に配設されているため、パネルの高温領域が原人
した液晶物質の直上に平行に拡大される。これにより、
パネル内の液晶は、先端を水平状態を維持しながら徐々
に上方に移動する（■）。
以下、このようにして液晶の流入速度に合せながらその
先端の直上に配設されている発熱線に通電を行なうこと
により、液晶物質はその先端を水モに維持した状態でパ
ネル内をトｄしてパネル内を満たす（Ｖ）、これにより
、ランダム水平配向が施された基板側に接する液晶物質
が良６ｆなランダム配向を示し、全体としてパネル内に
注入された液晶物質は、一様な初期配向を形成すること
になる。
先端の直上に配設されている発熱線に通電を行なうこと
により、液晶物質はその先端を水モに維持した状態でパ
ネル内をトｄしてパネル内を満たす（Ｖ）、これにより
、ランダム水平配向が施された基板側に接する液晶物質
が良６ｆなランダム配向を示し、全体としてパネル内に
注入された液晶物質は、一様な初期配向を形成すること
になる。
なお、Ｌ述した実施例においては、複数の液晶パネルを
積層して同時に注入するようにしているが、１枚に対し
て実行しても同様の作用を奏することは云うまでもない
。また上述の実施例においでは、シート状ヒータをパネ
ルに密着させるようにしてパネルを加熱しているが、パ
ネルを収容できる胴状基体に発８線を巻回したヒータを
用いても同様の作用を槽する。
積層して同時に注入するようにしているが、１枚に対し
て実行しても同様の作用を奏することは云うまでもない
。また上述の実施例においでは、シート状ヒータをパネ
ルに密着させるようにしてパネルを加熱しているが、パ
ネルを収容できる胴状基体に発８線を巻回したヒータを
用いても同様の作用を槽する。
さらに、１−述した実施例においては、２−メチルブチ
ル−Ｐ（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリブアミノ）につい
て説明したが、 一般式 ％式％ により表わされるピリミジン系液晶化合物やＳ−４−０
（２−メチル）ブチル−レゾルシリガン−４−アルキル
ｎ−チクチルアニリンと Ｐ−ｎ−才クチルフェニル−Ｐ’−６−メチルブチルル
オキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性力イラルスメクティック液
晶化合物を使用した場合においても同様の作用を奏する
。
ル−Ｐ（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリブアミノ）につい
て説明したが、 一般式 ％式％ により表わされるピリミジン系液晶化合物やＳ−４−０
（２−メチル）ブチル−レゾルシリガン−４−アルキル
ｎ−チクチルアニリンと Ｐ−ｎ−才クチルフェニル−Ｐ’−６−メチルブチルル
オキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性力イラルスメクティック液
晶化合物を使用した場合においても同様の作用を奏する
。
さらに、Ｌ述の実施例においては基板として表面にポリ
イミドにより一軸配向膜層とラングＩ、水平配向膜層を
形成したものを用いたが、−軸配向膜をポリビニールア
ルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜やＳｉＯ２斜方
蒸着膜などにより形成した基板を、またランダム水平配
向膜をエポキシ、ポリビニールアルコール、弗素樹脂、
ポリウレタン、シラン、フェノール、尿素などの有機膜
、ＳｉＯ２やＭ ｇ Ｆ ２などを蒸着してなる無機膜
などにより形成してなる基板を用いた場合にも同様の作
用を奏することを確認した。
イミドにより一軸配向膜層とラングＩ、水平配向膜層を
形成したものを用いたが、−軸配向膜をポリビニールア
ルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜やＳｉＯ２斜方
蒸着膜などにより形成した基板を、またランダム水平配
向膜をエポキシ、ポリビニールアルコール、弗素樹脂、
ポリウレタン、シラン、フェノール、尿素などの有機膜
、ＳｉＯ２やＭ ｇ Ｆ ２などを蒸着してなる無機膜
などにより形成してなる基板を用いた場合にも同様の作
用を奏することを確認した。
（効果）
以１−１説明したように本発明においては、液晶パネル
内に流入したスメクチック液晶の先端の直上を水平方向
に＝一様な温度となるように加Ｑｆるようにしたので、
注入方向の乱れの影響を受ける原人先端を水平状態に矯
正した状態でパネル内を上昇させることができて、初期
配向が一様なスメクチック液晶パネルを構成することが
できる。
内に流入したスメクチック液晶の先端の直上を水平方向
に＝一様な温度となるように加Ｑｆるようにしたので、
注入方向の乱れの影響を受ける原人先端を水平状態に矯
正した状態でパネル内を上昇させることができて、初期
配向が一様なスメクチック液晶パネルを構成することが
できる。
第１図は、本発明に使用する注入装置の一例を示す装置
の側面図、第２図は、同上装置に使用するシート状ヒー
タの一実施例を示す一部断面図、第３図（イ）（ロ）は
、それぞれ本発明に使用する液晶パネルの一実施例を示
す装置の斜視断面図及び側面図、第４図は、液晶パネル
とシート状ヒータの関係を示す斜視図、第５図（イ）（
ロ）は、それぞれ液晶パネルの温度分布を示す説明図、
第６図ＣＩ）乃至（Ｖ）は、液晶物質の流入状態を示す
説明図、第７図は、カイラルスメクティック液晶の分子
配列を示す模式図、第８図（イ）（ロ）は、それぞれパ
ネル間隙を液晶分子の螺旋ピッチ以下にしたときの分子
の配列を示す模式図、第９図は、スメクティック液晶の
ドメインと偏光の関係を示す説明図、及び第１θ図は、
従来方法における液晶物質の流入状態を示す説明図であ
る。 １・・・・基板 １ａ・・・・電気絶縁性透明板
ＩＣ・・・・ランダム水平配向膜層 ２・・・・基板 ２ａ・・・・電気絶縁性透明板
２Ｃ・・・・−軸配向膜層 ３・・・・注入口 ４・・・・シール材出願人 セ
イコー電子工業株式会社 第１図 第２図 第３図 （イ） Ｃ口） 第４図 ！ｂ 第５図 （伺 （ロ） ワ淋 １昂第６図 第７図 電気〃柚子 第９図
の側面図、第２図は、同上装置に使用するシート状ヒー
タの一実施例を示す一部断面図、第３図（イ）（ロ）は
、それぞれ本発明に使用する液晶パネルの一実施例を示
す装置の斜視断面図及び側面図、第４図は、液晶パネル
とシート状ヒータの関係を示す斜視図、第５図（イ）（
ロ）は、それぞれ液晶パネルの温度分布を示す説明図、
第６図ＣＩ）乃至（Ｖ）は、液晶物質の流入状態を示す
説明図、第７図は、カイラルスメクティック液晶の分子
配列を示す模式図、第８図（イ）（ロ）は、それぞれパ
ネル間隙を液晶分子の螺旋ピッチ以下にしたときの分子
の配列を示す模式図、第９図は、スメクティック液晶の
ドメインと偏光の関係を示す説明図、及び第１θ図は、
従来方法における液晶物質の流入状態を示す説明図であ
る。 １・・・・基板 １ａ・・・・電気絶縁性透明板
ＩＣ・・・・ランダム水平配向膜層 ２・・・・基板 ２ａ・・・・電気絶縁性透明板
２Ｃ・・・・−軸配向膜層 ３・・・・注入口 ４・・・・シール材出願人 セ
イコー電子工業株式会社 第１図 第２図 第３図 （イ） Ｃ口） 第４図 ！ｂ 第５図 （伺 （ロ） ワ淋 １昂第６図 第７図 電気〃柚子 第９図
Claims (1)
- 液晶注入口が形成されたパネル構造体の内部を減圧して
、液体相となったスメクチック液晶物質に前記注入口側
を浸漬するとともに、前記パネル構造体の液晶物質先端
直上領域を水平方向に一様に加熱することを特徴とする
スメクティック液晶装置における液晶物質注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16997385A JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16997385A JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230219A true JPS6230219A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0245170B2 JPH0245170B2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=15896239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16997385A Expired - Lifetime JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245170B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0312028A2 (en) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method of manufacturing liquid crystal devices |
| JPH01275104A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリオレフィン系樹脂予備発泡粒子の内圧付与方法 |
| US5564479A (en) * | 1990-05-23 | 1996-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for producing liquid crystal panel |
| US6661608B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-12-09 | Funai Electric Co., Ltd. | Structure for mounting a magnetic head to a chassis |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP16997385A patent/JPH0245170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0312028A2 (en) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method of manufacturing liquid crystal devices |
| JPH01275104A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリオレフィン系樹脂予備発泡粒子の内圧付与方法 |
| US5564479A (en) * | 1990-05-23 | 1996-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for producing liquid crystal panel |
| US6661608B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-12-09 | Funai Electric Co., Ltd. | Structure for mounting a magnetic head to a chassis |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245170B2 (ja) | 1990-10-08 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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