JPS62297233A - 導波路基板の製造方法 - Google Patents
導波路基板の製造方法Info
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- JPS62297233A JPS62297233A JP14256586A JP14256586A JPS62297233A JP S62297233 A JPS62297233 A JP S62297233A JP 14256586 A JP14256586 A JP 14256586A JP 14256586 A JP14256586 A JP 14256586A JP S62297233 A JPS62297233 A JP S62297233A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B19/00—Other methods of shaping glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔概要〕
内付化学気相堆積法により、石英ガラス管の内壁に、石
英ガラス管よりは屈折率が大きいガラススートの層を形
成し、ガラススートをガラス化した後に、石英ガラス管
を切断して、所望の大きさの角平板状の導波路基板を製
造することにより、導波特性が良好で、且つ安価な導波
路基板を提供する。
英ガラス管よりは屈折率が大きいガラススートの層を形
成し、ガラススートをガラス化した後に、石英ガラス管
を切断して、所望の大きさの角平板状の導波路基板を製
造することにより、導波特性が良好で、且つ安価な導波
路基板を提供する。
本発明方法は、表面に所望の導波路を形成する導波路基
板の製造方法の改良に関する。
板の製造方法の改良に関する。
光部品は、光ファイバーを導波路として、光フアイバー
、レンズ、プリズム、或いは光合分波機能を有するガラ
ス板を、基台上に光結合させて組合わせた、所謂バルク
形光部品から、導光性材料よりなる導波路基板を、エツ
チングして表面にチャンネル形の導波路を形成した平板
形光部品゛に変轡しつつある。
、レンズ、プリズム、或いは光合分波機能を有するガラ
ス板を、基台上に光結合させて組合わせた、所謂バルク
形光部品から、導光性材料よりなる導波路基板を、エツ
チングして表面にチャンネル形の導波路を形成した平板
形光部品゛に変轡しつつある。
このような平板形光部品は、小形で、構成素子が少なく
て低コストであり、さらに光結合損失が少ない等という
利点がある。
て低コストであり、さらに光結合損失が少ない等という
利点がある。
第2図は平板形光部品の斜視図であって、平板形光部品
の母材は、導波路基板20である。
の母材は、導波路基板20である。
導波路基板20は、幅Bが例えば3鶴乃至71mのガラ
ス等よりなる基板の表面の全面に、クラッド層31を形
成し、クラッド層31の上面に、クラッド層31よりも
屈折率の大きいコア層32を、コア層32の上面にコア
層32よりも屈折率の小さいクラッド層33を形成して
、鎖線で示すように鉤子形に形成されている。
ス等よりなる基板の表面の全面に、クラッド層31を形
成し、クラッド層31の上面に、クラッド層31よりも
屈折率の大きいコア層32を、コア層32の上面にコア
層32よりも屈折率の小さいクラッド層33を形成して
、鎖線で示すように鉤子形に形成されている。
そして、導波路基板20の表面を、チャンネル形にエツ
チングして、クラッドN31.コア層32.クランド層
33を帯状に残したパターンを設けて、さらに、内付気
相堆積法や低屈折率樹脂により側面クランド層34を設
け、幅dが、例えば100μm程度のチャンネル形の導
波路30を形成している。
チングして、クラッドN31.コア層32.クランド層
33を帯状に残したパターンを設けて、さらに、内付気
相堆積法や低屈折率樹脂により側面クランド層34を設
け、幅dが、例えば100μm程度のチャンネル形の導
波路30を形成している。
なお、クラフト層33は、側面クラッド層34と同時に
形成しても良い。
形成しても良い。
このような導波路30は、コア層32の周囲にコア層3
2よりは屈折率の小さいクラッド131.33.34が
形成されているので、コア層32内を光が進み、光導波
路の機能を備えている。
2よりは屈折率の小さいクラッド131.33.34が
形成されているので、コア層32内を光が進み、光導波
路の機能を備えている。
なお、第2図に示す平板形光部品は、光合分岐器である
。
。
上述のように平板形光部品の母材となる導波路基板には
、導波特性が良好で、且つ安価のことが要望されている
。
、導波特性が良好で、且つ安価のことが要望されている
。
第3図は従来方法の工程を示す図であって、(a)は製
造装置の構成図、(b)は製造時の断面図、(C1は得
られた導波路基板の斜視図である。
造装置の構成図、(b)は製造時の断面図、(C1は得
られた導波路基板の斜視図である。
従来の導波路基板はまず、(a)に示すようなガラス旋
盤4を用い、ガラス旋盤4に石英ガラス管1を装着し、
石英ガラス管1内に設置した支持板14上にシリコンウ
ェハ15を載せ、シリコンウェハ15の表面に内付化学
気相堆積法により所望のガラススート30Aを堆積させ
て、導波路基板20を製造している。
盤4を用い、ガラス旋盤4に石英ガラス管1を装着し、
石英ガラス管1内に設置した支持板14上にシリコンウ
ェハ15を載せ、シリコンウェハ15の表面に内付化学
気相堆積法により所望のガラススート30Aを堆積させ
て、導波路基板20を製造している。
内付化学気相堆積法とは、ガラスの原料である5iCL
4. GeCL4+ POCl2及びBCL、等のガス
を酸素とともに加熱された石英ガラス管内に送り込み、
熱酸化反応を行わせて、石英ガラス管の内面壁に、コア
或いはクラッドとなるガラススート(ガラス微粉体物)
を付着・堆積させ、このガラススートを加熱して、ガラ
ス化させて、石英ガラス管の内壁に所望の屈折率を有す
るガラス層を形成する方法を言う。
4. GeCL4+ POCl2及びBCL、等のガス
を酸素とともに加熱された石英ガラス管内に送り込み、
熱酸化反応を行わせて、石英ガラス管の内面壁に、コア
或いはクラッドとなるガラススート(ガラス微粉体物)
を付着・堆積させ、このガラススートを加熱して、ガラ
ス化させて、石英ガラス管の内壁に所望の屈折率を有す
るガラス層を形成する方法を言う。
石英ガラス管1は中空円筒形であって、ガラス旋盤4に
装着可能とするために、石英ガラス管lの一方の開口部
に、ガラス旋盤4のベッド上に設置された駆動側チャッ
クに支持される排気側サポート管3を連結し、他方の開
口部に、従動側チャックに支持される吸気側サポート管
2を連結しである。
装着可能とするために、石英ガラス管lの一方の開口部
に、ガラス旋盤4のベッド上に設置された駆動側チャッ
クに支持される排気側サポート管3を連結し、他方の開
口部に、従動側チャックに支持される吸気側サポート管
2を連結しである。
そして吸気側サポート管2の端末を絞り、回転ジヨイン
ト(第1図に示す回転ジヨイント6)を介して、原料ガ
ス供給装置lOに連結しである。
ト(第1図に示す回転ジヨイント6)を介して、原料ガ
ス供給装置lOに連結しである。
この原料ガス供給装置10は、ガラススート30^の原
料である5iCLa、 GeCL4+ poct、!
、 BCL3等のガス、及び酸素を蓄え、切換えパルプ
(第1図に示す切換えバルブ9)を介して、これらのガ
スを選択して、石英ガラス管l内に供給するように構成
されている。
料である5iCLa、 GeCL4+ poct、!
、 BCL3等のガス、及び酸素を蓄え、切換えパルプ
(第1図に示す切換えバルブ9)を介して、これらのガ
スを選択して、石英ガラス管l内に供給するように構成
されている。
酸水素バーナ−5は、ベッド上を石英ガラス管1の軸心
に平行して、往復運動する如くに構成され、石英ガラス
管1を下方より約1300℃に加熱し、原料ガスを石英
ガラス管1内で熱酸化反応を行はしめるものである。
に平行して、往復運動する如くに構成され、石英ガラス
管1を下方より約1300℃に加熱し、原料ガスを石英
ガラス管1内で熱酸化反応を行はしめるものである。
従来方法の段取りは、石英ガラス管1を回転しないよう
に、ガラス旋盤4に装着して、石英ガラス管1内に、例
えば石英ガラス板よりざ細長い支持板14を、水平に設
置し、支持板14の上面に所望の大きさのシリコンウェ
ハ15を、水平に並列させいる。
に、ガラス旋盤4に装着して、石英ガラス管1内に、例
えば石英ガラス板よりざ細長い支持板14を、水平に設
置し、支持板14の上面に所望の大きさのシリコンウェ
ハ15を、水平に並列させいる。
この状態で、石英ガラス管1内にシリコンウェハ15よ
りは屈折率が大きくなる添加物を含んだ原料ガス、例え
ば5iCL41POCL:l 、 BCLI等と酸素を
送り込み、酸水素バーナ−5で加熱して、第3図(b)
の如くに、シリコンウェハ15の上面に、ガラススート
30Aの第1層であるクラッドスート31Aを平らに堆
積させている。
りは屈折率が大きくなる添加物を含んだ原料ガス、例え
ば5iCL41POCL:l 、 BCLI等と酸素を
送り込み、酸水素バーナ−5で加熱して、第3図(b)
の如くに、シリコンウェハ15の上面に、ガラススート
30Aの第1層であるクラッドスート31Aを平らに堆
積させている。
次に、クラッドスート31Aよりもさらに屈折率の大き
くなる添加物を含んだ原料ガス、例えば5tCL4.
GaCl2. POCl2等を酸素とともに、石英ガラ
ス管1に送り込み、酸水素バーナ−5で加熱して、クラ
ッドスート31Aの表面に、ガラススート30Aの第2
層である平らなコアスート32Aを堆積させている。
くなる添加物を含んだ原料ガス、例えば5tCL4.
GaCl2. POCl2等を酸素とともに、石英ガラ
ス管1に送り込み、酸水素バーナ−5で加熱して、クラ
ッドスート31Aの表面に、ガラススート30Aの第2
層である平らなコアスート32Aを堆積させている。
そして、コアスート32^の表面に、タラッドス−)3
1Aとほぼ同一の屈折率を有する添加物を含んだ原料ガ
スを、酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5で加熱
して、コアスート32Aの上面に、ガラススート30A
の第3層である平らなクラッドスート33Aを堆積させ
ている。
1Aとほぼ同一の屈折率を有する添加物を含んだ原料ガ
スを、酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5で加熱
して、コアスート32Aの上面に、ガラススート30A
の第3層である平らなクラッドスート33Aを堆積させ
ている。
なお上記のクラッドスート31A 、 コアスート32
^、クラッドスート33Aは、シリコンウェハ15の上
面のみならず、石英ガラス管1の内壁の全面、及び支持
板14の全周面に付着堆積する。
^、クラッドスート33Aは、シリコンウェハ15の上
面のみならず、石英ガラス管1の内壁の全面、及び支持
板14の全周面に付着堆積する。
所望のガラススート30Aを堆積形成した後に、原料ガ
スの供給を停止し、石英ガラス管1の外側より酸水素バ
ーナ−5で加熱して、ガラススート30Aを、1400
℃乃至1600℃の所望の温度に加熱し、ガラススート
30Aをガラス化して、それぞれのクラッドスート31
Aをクラッド層31に、コアスート32Aをコア層32
に、クラッドスート33Aをクラッド層33にしている
。
スの供給を停止し、石英ガラス管1の外側より酸水素バ
ーナ−5で加熱して、ガラススート30Aを、1400
℃乃至1600℃の所望の温度に加熱し、ガラススート
30Aをガラス化して、それぞれのクラッドスート31
Aをクラッド層31に、コアスート32Aをコア層32
に、クラッドスート33Aをクラッド層33にしている
。
このような状態で、石英ガラス管1よりシリコンウェハ
15を取り外して、第3図(C)の如くに、所望の板厚
の角板状のシリコンウェハ15の上表面に、クラッド層
31.コア層32.クラッド層33が積層されてなるチ
ャンネル形の導波路基板20を製造している。
15を取り外して、第3図(C)の如くに、所望の板厚
の角板状のシリコンウェハ15の上表面に、クラッド層
31.コア層32.クラッド層33が積層されてなるチ
ャンネル形の導波路基板20を製造している。
しかしながら上記従来方法は、石英ガラス管1内に、支
持板14、及び支持板14上に突出してシリコンウェハ
15が配列されているので、原料ガスの流れが乱れ、ま
た温度分布が一様とならない。
持板14、及び支持板14上に突出してシリコンウェハ
15が配列されているので、原料ガスの流れが乱れ、ま
た温度分布が一様とならない。
このことに起因してシリコンウェハ15上に堆積するク
ラッドスー)31A 、コアスート32A、クラッドス
ート33Aの厚さが均一でなくなる。したがって、ガラ
ス化されたクラッド層31とコアIJ32の境界面、コ
ア層32とクラッド層33の境界面が波打ち状態になり
、光伝送損失が増加するという問題点がある。
ラッドスー)31A 、コアスート32A、クラッドス
ート33Aの厚さが均一でなくなる。したがって、ガラ
ス化されたクラッド層31とコアIJ32の境界面、コ
ア層32とクラッド層33の境界面が波打ち状態になり
、光伝送損失が増加するという問題点がある。
また、原料ガスは石英ガラス管1内で反応して、石英ガ
ラス管lの内壁、及び支持板14の全面にスートとして
堆積するが、このスートのうち、導波路基板20に有効
のものは、シリコンウェハ15上に堆積したものだけで
ある。
ラス管lの内壁、及び支持板14の全面にスートとして
堆積するが、このスートのうち、導波路基板20に有効
のものは、シリコンウェハ15上に堆積したものだけで
ある。
したがって、原料ガスの有効化効率が低くて、得られる
導波路基板がコスト高であるという問題点がある。
導波路基板がコスト高であるという問題点がある。
上記従来の問題点を解決するため本発明方法は第1図に
示すように、多角形石英ガラス管LA、或いは多角形石
英ガラス管1八からなる石英ガラス管1を、ガラス旋盤
4に装着し、石英ガラス管1を回転しつつ、管内に所望
の原料ガスと酸素とを送りこみ、外部より酸水素バーナ
−5で加熱して、所謂内付化学気相堆積法により、石英
ガラス管1の内壁に、石英ガラス管1よりは屈折率が大
きくなる添加物を含んだ所望のガラススート30Aの層
を、付着・堆積させる。
示すように、多角形石英ガラス管LA、或いは多角形石
英ガラス管1八からなる石英ガラス管1を、ガラス旋盤
4に装着し、石英ガラス管1を回転しつつ、管内に所望
の原料ガスと酸素とを送りこみ、外部より酸水素バーナ
−5で加熱して、所謂内付化学気相堆積法により、石英
ガラス管1の内壁に、石英ガラス管1よりは屈折率が大
きくなる添加物を含んだ所望のガラススート30Aの層
を、付着・堆積させる。
次に、所望の温度に石英ガラス管1を加熱してガラスス
ート30^をガラス化する。
ート30^をガラス化する。
この状態で、石英ガラス管1を切断して、所望の大きさ
の角平板状の導波路基板20を得るようにした、導波路
基板の製造方法である。
の角平板状の導波路基板20を得るようにした、導波路
基板の製造方法である。
なお、ガラススート30Aがコアスートの単一層でなく
、クラッドスート31A、コアスート32A。
、クラッドスート31A、コアスート32A。
クラッドスート33Aをこの順序に層状に積層するよう
にした方法でも良く、また、円形石英ガラス管1Bの場
合には、単に切断するばかりでなく、切断後に、平板化
する工程を附加しても良いものである。
にした方法でも良く、また、円形石英ガラス管1Bの場
合には、単に切断するばかりでなく、切断後に、平板化
する工程を附加しても良いものである。
上記本発明方法によれば、石英ガラス管1は中空であっ
て、管内に、原料ガス、及び酸素の流れを乱すものが何
等ないので、これらの流れが層流であり、且つ石英ガラ
ス管lが回転しているので、管内の温度分布が一様であ
る。
て、管内に、原料ガス、及び酸素の流れを乱すものが何
等ないので、これらの流れが層流であり、且つ石英ガラ
ス管lが回転しているので、管内の温度分布が一様であ
る。
したがって、クラッドスート31A 、コアスート32
A、クラッドスート33Aのそれぞれの厚さが均一であ
って、ガラス化されたクラッド層31とコア層32の境
界面、コア層32とクラッド層33の境界面が平坦であ
るので、得られる導波路30の光伝送損失が小さくて、
導波特性が良好である。
A、クラッドスート33Aのそれぞれの厚さが均一であ
って、ガラス化されたクラッド層31とコア層32の境
界面、コア層32とクラッド層33の境界面が平坦であ
るので、得られる導波路30の光伝送損失が小さくて、
導波特性が良好である。
また、原料ガスは石英ガラス管1内で反応して、石英ガ
ラス管lの内壁の全面に付着・堆積したガラススート3
0^が有効に使用されるので、原料ガスの有効化効率が
高くて、得られる導波路基板が低コストである。
ラス管lの内壁の全面に付着・堆積したガラススート3
0^が有効に使用されるので、原料ガスの有効化効率が
高くて、得られる導波路基板が低コストである。
〔実施例〕
以下図を参照しながら、本発明方法を具体的に説明する
。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第1図は本発明方法の工程を示す図であって、(alは
製造装置の構成図、(b−1)、(b −2)はそれぞ
れ異なる石英ガラス管の切断前の断面図 、(C)はは
得られた導波路基板の斜視図である。
製造装置の構成図、(b−1)、(b −2)はそれぞ
れ異なる石英ガラス管の切断前の断面図 、(C)はは
得られた導波路基板の斜視図である。
本発明方法は、第1図(alに示すように、多角形石英
ガラス管1A、又は円形石英ガラス管1Bよりなる石英
ガラス管1の一方の開口部に、ガラス旋盤4のベッド上
に設置された駆動側チャックに支持される排気側サポー
ト管3を連結し、他方の開口部に、従動側チャックに支
持される吸気側サポート管2を連結して、石英ガラス管
lをガラス旋盤4に回転可能に装着する。
ガラス管1A、又は円形石英ガラス管1Bよりなる石英
ガラス管1の一方の開口部に、ガラス旋盤4のベッド上
に設置された駆動側チャックに支持される排気側サポー
ト管3を連結し、他方の開口部に、従動側チャックに支
持される吸気側サポート管2を連結して、石英ガラス管
lをガラス旋盤4に回転可能に装着する。
石英ガラス管1は、例えば外側寸法が50龍、壁厚が3
mm、長さが500 tm程度の中空角筒形、または
中空円筒形である。
mm、長さが500 tm程度の中空角筒形、または
中空円筒形である。
吸気側サポート管2の絞られた端末部を、回転ジヨイン
ト6と切換えパルプ9を介して、原料ガス供給装置10
に連結しである。
ト6と切換えパルプ9を介して、原料ガス供給装置10
に連結しである。
この原料ガス供給装置lOは、ガラススート30Aの原
料であるstcし、、、 GeCLi、 POCl2
、 BCl2等のガス、及び酸素を蓄え、切換えパルプ
9により、これらのガスを選択して、石英ガラス管1内
に供給するように構成しである。
料であるstcし、、、 GeCLi、 POCl2
、 BCl2等のガス、及び酸素を蓄え、切換えパルプ
9により、これらのガスを選択して、石英ガラス管1内
に供給するように構成しである。
そして、石英ガラス管lを回転しつつ、石英ガラス管1
内に、石英ガラス原料ガス、又は石英ガラス管1よりは
屈折率が小さい添加物を含んだ原料ガス、例えばBCl
2等を酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5で加熱
して、まず、ガラススート30Aの第1層であるタラッ
ドスー1−31Aの層を、石英ガラス管1の内壁の全面
に付着・堆積させる。
内に、石英ガラス原料ガス、又は石英ガラス管1よりは
屈折率が小さい添加物を含んだ原料ガス、例えばBCl
2等を酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5で加熱
して、まず、ガラススート30Aの第1層であるタラッ
ドスー1−31Aの層を、石英ガラス管1の内壁の全面
に付着・堆積させる。
次に、切換えパルプ9を切り換えて、クラッドスート3
1Aよりもさらに屈折率の大きくなる添加物を含んだ原
料ガス、例えばGeCL4+ POCl2等を酸素とと
もに、石英ガラス管1に送り込み、酸水素バーナ−5で
加熱して、クラッドスート31Aの表面に、ガラススー
ト30Aの第2層であるコアスート32Aの層を付着・
堆積させる。
1Aよりもさらに屈折率の大きくなる添加物を含んだ原
料ガス、例えばGeCL4+ POCl2等を酸素とと
もに、石英ガラス管1に送り込み、酸水素バーナ−5で
加熱して、クラッドスート31Aの表面に、ガラススー
ト30Aの第2層であるコアスート32Aの層を付着・
堆積させる。
そしてさらに、コアスート32Aの表面に、クラッドス
ート31八とほぼ同一の屈折率を有する添加物を含んだ
原料ガスを、酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5
で加熱して、コアスート32Aの上面に、ガラススート
30Aの第3層であるクラッドスート33Aの層を付着
・堆積させる。
ート31八とほぼ同一の屈折率を有する添加物を含んだ
原料ガスを、酸素とともに送り込み、酸水素バーナ−5
で加熱して、コアスート32Aの上面に、ガラススート
30Aの第3層であるクラッドスート33Aの層を付着
・堆積させる。
次に、原料ガスの供給を停止し、石英ガラス管1を回転
しつつ、外側より酸水素バーナ−5で加熱して、ガラス
スート30Aを、1400℃乃至1600℃の所望の温
度に加熱する。
しつつ、外側より酸水素バーナ−5で加熱して、ガラス
スート30Aを、1400℃乃至1600℃の所望の温
度に加熱する。
このように加熱すると、石英ガラス管1が多角形石英ガ
ラス管1Aの場合は、第1図(b−1)の如くに、内壁
の各平坦な面にそれぞれのクラッドスート31Aがクラ
ッド層31に、コアスート32Aがコア層32に、クラ
ッドスート33Aがクランド層33にガラス化されて、
一様の厚さで積層される。
ラス管1Aの場合は、第1図(b−1)の如くに、内壁
の各平坦な面にそれぞれのクラッドスート31Aがクラ
ッド層31に、コアスート32Aがコア層32に、クラ
ッドスート33Aがクランド層33にガラス化されて、
一様の厚さで積層される。
また、石英ガラス管1が円形石英ガラス管1Bの場合は
、第1図(b−2)の如くに、円筒状の内壁面にそれぞ
れのクラッドスート31Aがクラッド層31に、コアス
ート32AがコアJW32に、クラッドスート33Aが
クランド層33にガラス化されて、一様の厚さで積層さ
れる。
、第1図(b−2)の如くに、円筒状の内壁面にそれぞ
れのクラッドスート31Aがクラッド層31に、コアス
ート32AがコアJW32に、クラッドスート33Aが
クランド層33にガラス化されて、一様の厚さで積層さ
れる。
次に多角形石英ガラス管1Aの場合は、各稜線に沿って
、縦に多角形石英ガラス管1^を切断し、さらに切断さ
れたそれぞれの短冊形の板材を所望の大きさの角板状に
切断・分離して、第1図TC)のように導波路基板20
を製造する。
、縦に多角形石英ガラス管1^を切断し、さらに切断さ
れたそれぞれの短冊形の板材を所望の大きさの角板状に
切断・分離して、第1図TC)のように導波路基板20
を製造する。
したがって、このようにして得られた導波路基板20は
、角板状の石英板11の上面に、クラッド層31、コア
層32.クラッド層33が積層されている。
、角板状の石英板11の上面に、クラッド層31、コア
層32.クラッド層33が積層されている。
このようにして得られた、導波路基板20は、多角形石
英ガラス管1Aの管内の原料ガス、及び酸素の流れが層
流であり、且つ管内の温度分布が一様であったので、ク
ラッドスート31A、コアスート32A、タラッドスー
) 33Aのそれぞれの厚さが均一で、ガラス化された
それぞれのガラス層の厚さが均一となる。よって、クラ
フト層31とコアN32との境界面、コア層32とクラ
ッド層33との境界面は、それぞれ平坦となり、光伝送
損失が小さくて導波特性が良好である。
英ガラス管1Aの管内の原料ガス、及び酸素の流れが層
流であり、且つ管内の温度分布が一様であったので、ク
ラッドスート31A、コアスート32A、タラッドスー
) 33Aのそれぞれの厚さが均一で、ガラス化された
それぞれのガラス層の厚さが均一となる。よって、クラ
フト層31とコアN32との境界面、コア層32とクラ
ッド層33との境界面は、それぞれ平坦となり、光伝送
損失が小さくて導波特性が良好である。
また、内壁の全面に付着・堆積したガラススート30A
が有効に使用されるので、原料ガスの有効化効率が高く
、導波路基板20は低コストである。
が有効に使用されるので、原料ガスの有効化効率が高く
、導波路基板20は低コストである。
一方、円形石英ガラス管1Bの場合は、所望の導波路基
板20の幅、例えば50龍の円弧幅に、縦方向に円形石
英ガラス管1Bを切断し、さらに切断されたそれぞれの
断面弧形の板部材を所望の長さに切断・分離する。
板20の幅、例えば50龍の円弧幅に、縦方向に円形石
英ガラス管1Bを切断し、さらに切断されたそれぞれの
断面弧形の板部材を所望の長さに切断・分離する。
このように石英板11の底面が大きい曲率の導波路基板
20の侭でも、使用可能であるが、取付は性等を良好に
するために、導波路基板2oの石英板11の底面を研磨
等して平坦化するか、或いは、導波路基板20を平坦の
基板上に載せた後に、導波路基板20を加熱・軟化させ
て、導波路基板20の全体を平坦な仮にする。
20の侭でも、使用可能であるが、取付は性等を良好に
するために、導波路基板2oの石英板11の底面を研磨
等して平坦化するか、或いは、導波路基板20を平坦の
基板上に載せた後に、導波路基板20を加熱・軟化させ
て、導波路基板20の全体を平坦な仮にする。
なおまた、本発明方法は、ガラススート30Aを、クラ
ッドスート31A 、コアスート32A、クラッドスー
ト33Aより構成することなく、単にコアスートの一層
を付着・堆積させて、石英板11の上面に、コア層だけ
を設けても良いものである。
ッドスート31A 、コアスート32A、クラッドスー
ト33Aより構成することなく、単にコアスートの一層
を付着・堆積させて、石英板11の上面に、コア層だけ
を設けても良いものである。
このような、コア層のみの場合は、導波路基板をエツチ
ングして、チャンネル形の導波路を形成して後に、コア
層よりは屈折率の小さい、例えば合成樹脂よりなる皮膜
で、導波路を覆うと、伝送損失の少ない平板形光部品を
得ることができる。 ゛〔発明の効果〕 以上説明したように本発明方法は、内付化学気相堆積法
により、石英ガラス管の内壁に、石英ガラス管よりは屈
折率が大きいガラススートの層を形成し、ガラススート
をガラス化した後に、石英ガラス管を切断して、所望の
大きさの角平板状の導波路基板を製造する方法であって
、光伝送損失が小さくて、導波特性が良好であり、且つ
原料ガスの有効化効率が高くて、低コストである等、実
用上で優れた効果がある。
ングして、チャンネル形の導波路を形成して後に、コア
層よりは屈折率の小さい、例えば合成樹脂よりなる皮膜
で、導波路を覆うと、伝送損失の少ない平板形光部品を
得ることができる。 ゛〔発明の効果〕 以上説明したように本発明方法は、内付化学気相堆積法
により、石英ガラス管の内壁に、石英ガラス管よりは屈
折率が大きいガラススートの層を形成し、ガラススート
をガラス化した後に、石英ガラス管を切断して、所望の
大きさの角平板状の導波路基板を製造する方法であって
、光伝送損失が小さくて、導波特性が良好であり、且つ
原料ガスの有効化効率が高くて、低コストである等、実
用上で優れた効果がある。
第1図は本発明方法の工程を示す図で、(alは製造装
置の構成図、 (b −1)、(b −2)はそれぞれ異なる石英ガラ
ス管の切断前の断面図、 (C1導波路基板の斜視図、 第2図は平板形光部品の斜視図、 第3図は従来方法の工程を示す図で、 (alは製造装置の構成図、 (blは製造時の石英ガラス管の断面図、(C)は4波
路基板の斜視図である。 図において、 1は石英ガラス管、 LAは多角形石英ガラス管、 1Bは円形石英ガラス管、 4°はガラス旋盤、 5は酸水素バーナ−、 10は原料ガス供給装置、 11は石英板、 20は導波路基板、 30は導波路、 30Aはガラススート、 31、33はクラッド層、 32はコア層、 32Aはコアスート、 31A 、 33Aはタララドスートを示す。
置の構成図、 (b −1)、(b −2)はそれぞれ異なる石英ガラ
ス管の切断前の断面図、 (C1導波路基板の斜視図、 第2図は平板形光部品の斜視図、 第3図は従来方法の工程を示す図で、 (alは製造装置の構成図、 (blは製造時の石英ガラス管の断面図、(C)は4波
路基板の斜視図である。 図において、 1は石英ガラス管、 LAは多角形石英ガラス管、 1Bは円形石英ガラス管、 4°はガラス旋盤、 5は酸水素バーナ−、 10は原料ガス供給装置、 11は石英板、 20は導波路基板、 30は導波路、 30Aはガラススート、 31、33はクラッド層、 32はコア層、 32Aはコアスート、 31A 、 33Aはタララドスートを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、石英ガラス管(1)を回転しつつ、内付化学気相堆
積法により該石英ガラス管(1)の内壁に、該石英ガラ
ス管(1)よりは屈折率が大きくなる添加物を含んだガ
ラススート(30A)の層を形成し、該ガラススート(
30A)をガラス化した後に、該石英ガラス管(1)を
切断して、所望の大きさの角平板状の導波路基板(20
)を得ることを特徴とする導波路基板の製造方法。 2、前記ガラススート(30A)が前記石英ガラス管(
1)の内壁側より、クラッドスート(31A)、コアス
ート(32A)、クラッドスート(33A)の順に層状
に形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
載の導波路基板の製造方法。 3、前記石英ガラス管(1)が多角形石英ガラス管(1
A)であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
載の導波路基板の製造方法。 4、前記石英ガラス管(1)が円形石英ガラス管(1B
)で、該円形石英ガラス管(1B)を切断後に、平板化
することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の導
波路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14256586A JPS62297233A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14256586A JPS62297233A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62297233A true JPS62297233A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15318283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14256586A Pending JPS62297233A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62297233A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227917A (en) * | 1990-05-25 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Lens and method for producing the same |
WO2000055100A1 (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Corning Incorporated | Projection lithography photomask substrate and method of making |
WO2002046113A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | University Of Southampton | Fabrication of substrates for planar waveguide devices and planarwaveguide devices |
WO2008035067A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | University Of Southampton | Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides |
US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14256586A patent/JPS62297233A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227917A (en) * | 1990-05-25 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Lens and method for producing the same |
WO2000055100A1 (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Corning Incorporated | Projection lithography photomask substrate and method of making |
WO2002046113A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | University Of Southampton | Fabrication of substrates for planar waveguide devices and planarwaveguide devices |
GB2369820B (en) * | 2000-12-08 | 2003-04-23 | Univ Southampton | Fabrication of substrates for planar waveguide devices and planar waveguide devices |
WO2008035067A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | University Of Southampton | Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides |
US8218933B2 (en) | 2006-09-22 | 2012-07-10 | University Of Southampton | Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides |
US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
US8186077B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-05-29 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
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