JPS62296351A - 荷電ビ−ム装置 - Google Patents

荷電ビ−ム装置

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JPS62296351A
JPS62296351A JP61140621A JP14062186A JPS62296351A JP S62296351 A JPS62296351 A JP S62296351A JP 61140621 A JP61140621 A JP 61140621A JP 14062186 A JP14062186 A JP 14062186A JP S62296351 A JPS62296351 A JP S62296351A
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auxiliary
hole
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JP61140621A
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Yoshihiro Tamura
田村 好宏
Tetsuo Ishida
哲夫 石田
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Canon Anelva Corp
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Anelva Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) この発明は、荷電ビームを試料等に照射する荷電ビーム
装置に関するものである。
(従来の技術) 第3図に示した従来の装置は、荷電ビーム発生源l、開
孔径を異にした複数の絞り孔4a〜4c(その開口径は
例えば10〜100 am )を形成した絞り部材5(
その厚さは例えばJogm ) 、集束レンズ6、偏向
器7、二次電子検出器9、偏向アンプ10.CRTディ
スプレイ11によって構成されている。
なお1図中符号3は光軸、8は試料である。
そして、上記絞り部材5は水平方向に移動可能にし、上
記絞り孔のうちの一つを荷電ビーム発生源1の下方に位
置させる。
しかして、荷電ビーム発生源1から出力された荷電ビー
ム2は、上記のようにして選択された所望の絞り孔を通
過し、集束レンズ6、偏向器7を経て試料8に照射され
る。そして、この偏向器7には偏向アンプ10を接続し
ているので、偏向アンプlOを制御することによって、
荷電ビーム2を試料8上に走査させることができる。ま
た、集束レンズ6は制御電源12の信号に基づいて集束
強度が制御される。
上記のように試料8に荷電ビーム2を照射すると、試料
8から二次電子が発生するが、この二次電子は二次電子
検出器9で検出される。そして。
この検出信号をCRTディスプレイ11に送って。
偏向アンプ10の走査信号と同期させれば、上記ディス
プレイ11に試料8の走査二次電子像が写し出される。
このときの試料8に照射される荷電ビーム2のビーム径
および電流量は、絞り部材5上の絞り孔4a〜4Cの径
に依存している。
したがって、所望のビーム径、あるいは電流量の荷電ビ
ームを得ようとする場合には、絞り部材5を水平移動さ
せて適切な開孔径を有する絞り孔4a〜4Cのいずれか
一つを荷電ビーム発生源1の下方に位置させる必要があ
る。
しかし、高品質の荷電ビームを得ようとする場合には絞
り孔の中心と光軸3を一致させなければならない、もし
、光軸3と絞り孔の中心が一致していないと、荷電ビー
ム2の軌道が光軸3から外れ、収差の影響が大きくなる
が、この収差の影響が大きくなると、荷電ビームの断面
が非対称に歪んだり、ビーム径を必要以上に大きくした
りして、荷電ビームの品質を低下させてしまう。
そこで、従来は、絞り孔の中心と光軸を一致させる作業
(以下光軸調整と称する)を、次のようにしていた。
まず、所望の絞り孔を単に荷電ビーム発生源1の下に位
置させる。このように絞り孔を荷電ビーム発生源1の下
方に位置させれば、たとえ光軸3と絞り孔中心とが一致
していなくても、当該荷電ビーム2は試料8に到達する
。そこで、上記偏向アンプlOを動作させれば、CRT
ディスプレイ11で走査二次電子像を観察することがで
きる。
このとき集束レンズの強度を変化させると、光軸3と絞
り孔の中心とを一致させる光軸調整が正確にされていな
い状態では、走査二次電子像がCRTディスプレイ11
の画面上で流れる現象が見られる。
したがって、集束レンズの強度を変化させるとともに、
CRTディスプレイ11の画面上で走査二次電子像が流
れなくなるまで、光軸3に対する絞り孔の相対位置を制
御すれば、光軸調整ができることになる。
(本発明が解決しようとする問題点) 選択した絞り孔の開孔径が大きければ、ビーム径もそれ
に対応して大きくなるが、このようにビーム径が大きく
なればなるほど得られる走査二次電子像の分解能は悪く
なる。走査二次電子像の分解能が悪くなると、前記の走
査二次電子像を基準にした正確な光軸調整ができなくな
る。
そのために従来の装置では、絞り孔の開孔径が大きくな
ればなるほど、当該光軸調整の精度が落ちてしまうとい
う問題があった。
この発明は、絞り部材と荷電ビーム発生源との間に、小
径の補助絞り孔を有する補助絞り部材を設けて、絞り部
材に形成した絞り孔の開孔径にかかわらず一定の精度で
前記絞り孔の光軸を合わせを正確に行なうことのできる
荷電ビーム装置を提供することを目的とする。
(問題点を解決する手段) (本発明の実施例) 本発明の実施例を第1〜2図に示す。
第1図において、51は荷電ビーム発生源lと絞り部材
5との間に設けた補助絞り部材で、この補助絞り部材5
1には、絞り部材5の最小径の絞り孔4aと同径かある
いはそれよりも小径(例えば9 p、m )にした補助
絞り孔41を形成している。
上記の補助絞り部材51は駆動装置13によって水平移
動させて、補助絞り孔41の中心が光軸3と一致する作
用位置aと荷電ビーム2の照射位置より外れる不作用位
置すとの2位置に切り換え可能としている。そして、こ
の駆動装置13は中央制御装置17の出力信号によって
制御される。
また、絞り部材5は、それに接続し駆動装置14の駆動
力で、少なくとも2方向に水平移動可能にしている。そ
して、この駆動装置14も上記駆動装置13と同様に、
中央制御装置17の出力信号によって制御される。
さらに、絞り部材5には電流計15.試料8には電流計
18が電気的に接続され、これら二つの電流計15.1
8の信号は中央制御袋417に送られる。
上記以外の構成については、従来装膜の説明とほぼ同様
である。
しかして、絞り部材5上の絞り孔4a〜4Cのいずれか
一つ、例えば絞り孔4aを選択し、それを荷電ビーム発
生源1の下方に位置させる。これとともに補助絞り部材
51を作用位置aにセットして、荷電ビーム発生源1よ
り荷電ビーム2を照射する。
この状態で駆動装!114を駆動して絞り部材5を水平
移動させ、荷電ビーム2と絞り部材5とを相対移動させ
る。このようにすれば、当該荷電ビーム2を絞り孔4a
のある直径方向に走査したのと同様の結果が得られる。
そして、この荷電ビーム2が絞り孔4a内を照射してい
るときには、絞り部材5に当該荷電ビーム2の照射によ
る電流が流れないが、当該荷電ビーム2が絞り孔4aか
ら外れ、絞り部材5を直接照射しているときには、絞り
部材5に電流が流れる。
したがって、当該荷電ビーム2を絞り孔4aのある一つ
の直径方向に走査させれば第2図に示すように、当該絞
り孔4aの直径線の一端X位Mから電流が減少してゼロ
となり、直径線の他端Yから再び電流が増加する。この
電流変化を電流計15で検出し、中央制御装置17へそ
の信号を送る。
このように電流計15からの信号を受ける中央制御装置
17では上記の電流が変化する位置X、Yを記憶すると
ともに、この位置X、Y間の距離を2で割り、絞り孔4
aのある一つの直径方向の中心を求め、それを記憶する
。そして、この走査を複数方向について、行なえば絞り
孔4aの開孔径に関係なく、その中心位置を精度よく特
定するとともに、その精度よく特定した当該絞り孔4a
の中心位置を、中央制御袋R17に記憶させることがで
きる。
このようにして、絞り部材5の他の絞り孔につども可能
である。各絞り孔の中心位置を全て中央制御装置17に
記憶させておけば、例えば、荷電ビームで試料を加工し
ている途中で、絞り孔を替えて別のビーム径で加工を続
けるような場合、加工途中で絞り孔を替えても、あらか
じめ絞り孔の中心位置を特定しであるので、その都度光
軸調整をしなくてもよくなるという利点がある。
以上の説明は、絞り部材5に流れる電流を電流計15に
よって検出しながら、当該絞り孔の中心を求めるように
したが、試料8に接続した電流計IBを用いて、当該絞
り孔の中心を求めるようにしてもよい。
そして、電流計16を用いて光軸調整を行なう場合には
次のようになる。すなわち、補助絞り孔41を通過した
小径の荷電ビームが絞り孔4aの孔内にあるときは、そ
の荷電ビームが試料8に照射されるので、当該試料8に
電流が流れる。逆に、上記荷電ビームが絞り孔から外れ
ているときは、絞り部材5によりこの荷電ビームは遮断
されるので、試料8には電流は流れない、したがって、
電流計16の出力信号は前記第2図に示した特性に対し
て、it流の高低が逆の特性となる。
上記のようにした電流計16に替えて二次電子検出器9
あるいは二次イオン検出器19を用いてもよいし、これ
らt流計18、二次電子検出器9あるいは二次イオン検
出器18を組み合わせて用いてもよい。
さらに、絞り部材5の駆動装置14.補助絞り部材51
の駆動装置13を少なくとも2方向の微動を可能にした
周知の圧電素子利用装置(J、J、APPL。
P)IYs、24(1985)P152〜P155参照
)をもって構成すれば、その絞り部材、あるいは補助絞
り部材と光軸との相対位置の制御を高精度で行なうこと
ができるし、レーザー測長器を併用するものでは、更に
絞り部材位置の測長の精度は向上する。
なお、前記補助絞り孔41および絞り孔4a〜4Cの形
状は円形に限らず四角形等のような他の形状でもよい。
また、本発明は絞り部材を有する全ての荷電ビーム装置
に対して有効である。
【図面の簡単な説明】
図面第1.2図はこの発明の実施例を示すもので、第1
図は概略図、第2図は絞り部材の移動量に対する電流変
化の状況を示すグラフ、第3図は従来の装置の概略図で
ある。 1・・・荷電ビーム発生源、2・・・荷電ビーム、3・
・・光軸、4a〜4C・・・絞り孔、5絞り部材、13
.14・・・駆動装置、17・・・制御装置、41・・
・補助孔、51・・・補助絞り部材。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絞り部材に形成した絞り孔と荷電ビームの光軸と
    の相対位置を制御する手段を有し、その絞り部材に設け
    たそれぞれ開孔形状と開孔寸法、もしくはどちらか一方
    が異なる複数の絞り孔の内の一つを選定し、該絞り孔で
    荷電ビーム発生源から発生する荷電ビームを絞り、この
    絞られた荷電ビームを試料に照射する荷電ビーム装置に
    おいて、前記荷電ビーム発生源と前記絞り部材との間に
    補助絞り部材を設け、この補助絞り部材には補助絞り孔
    を形成し、かつ、この補助絞り部材は作用位置と不作用
    位置の切り換えが可能であり、その作用位置では前記補
    助絞り孔の中心が荷電ビームの光軸と一致し、不作用位
    置では前記荷電ビームの照射部分より外れて該荷電ビー
    ムに作用をもたらさない構成にしたことを特徴とした荷
    電ビーム装置。
  2. (2)前記補助絞り孔が円形孔で、その寸法が、前記絞
    り孔の一番小さいものと同径かあるいはそれよりも小径
    である特許請求の範囲第1項記載の荷電ビーム装置。
  3. (3)特許請求範囲第1項に記載の荷電ビーム装置にお
    いて、絞り部材の位置の切り変え、および絞り孔と荷電
    ビーム光軸の相対位置の制御が駆動機構により行なわれ
    ることを特徴とした荷電ビーム装置。
  4. (4)特許請求の範囲第2項記載の荷電ビーム装置にお
    いて、駆動機構が少なくとも2方向以上の微動を可能と
    する圧電素子によって構成されていることを特徴とした
    荷電ビーム装置。
  5. (5)特許請求の範囲第2項又は第3項の荷電ビーム装
    置において、駆動機構を制御する制御装置を設けたこと
    を特徴とした荷電ビーム装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10134746A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Seiko Instr Inc 集束イオンビームの光軸調整方法および集束イオンビーム装置
CN114975048A (zh) * 2021-02-19 2022-08-30 中国科学院微电子研究所 光阑组件及具有其的扫描电子显微镜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54170767U (ja) * 1978-05-22 1979-12-03
JPS5578453A (en) * 1978-12-06 1980-06-13 Jeol Ltd Aperture stop for electron microscope

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