JPS62296332A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPS62296332A JPS62296332A JP61138092A JP13809286A JPS62296332A JP S62296332 A JPS62296332 A JP S62296332A JP 61138092 A JP61138092 A JP 61138092A JP 13809286 A JP13809286 A JP 13809286A JP S62296332 A JPS62296332 A JP S62296332A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma Technology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン源に係り、特に1反応性のイオンを作る
のに好適なイオン源の構造に関する。
のに好適なイオン源の構造に関する。
特開昭56−79900号公報に示すように、永久磁石
をその極性が交互に反転するように設けたカスプ磁場を
利用し、直流アーク放電により生じたプラズマを閉じ込
め、有効にプラズマを利用するイオン源が知られている
。しかし、CFa等の、電離したときに絶縁性の生成物
が生じるガスをプラズマ化する点については考慮されて
いなかった。
をその極性が交互に反転するように設けたカスプ磁場を
利用し、直流アーク放電により生じたプラズマを閉じ込
め、有効にプラズマを利用するイオン源が知られている
。しかし、CFa等の、電離したときに絶縁性の生成物
が生じるガスをプラズマ化する点については考慮されて
いなかった。
この様な従来装置では、プラズマ器内に配したフィラメ
ントを陰極とし、プラズマ容器の壁を陽極としてアーク
放電を行い導入ガスをプラズマ化している。一般には、
永久磁石の磁気性能の劣化を防止するために、プラズマ
容器を冷却し永久磁石の温度上昇が過大にならないよう
にしている。
ントを陰極とし、プラズマ容器の壁を陽極としてアーク
放電を行い導入ガスをプラズマ化している。一般には、
永久磁石の磁気性能の劣化を防止するために、プラズマ
容器を冷却し永久磁石の温度上昇が過大にならないよう
にしている。
この様なイオン源でCF4等の化合物ガスを電離すると
、プラズマ重合反応等により、絶縁性の生成物がIIJ
)極表面に堆積し、放電が不安定になるという問題があ
った。
、プラズマ重合反応等により、絶縁性の生成物がIIJ
)極表面に堆積し、放電が不安定になるという問題があ
った。
本発明の目的は、CF4等の化合物ガスを導入した場合
にも、アーク放電を維持し、安定なプラズマを作るイオ
ン源を提供することにある。
にも、アーク放電を維持し、安定なプラズマを作るイオ
ン源を提供することにある。
上記目的は、陽極の電流流入部の温度を十分に高温とし
1反応生成物の堆積を防止することにより達成される。
1反応生成物の堆積を防止することにより達成される。
カスプ磁場によってプラズマを閉じ込めたプラズマ室で
は、フィラメントから飛び出した電子は途中ガス分子を
電離し、大多数は陽極のカスプライン上に流入する。陽
極のカスプライン上に、陽極と電気的に導通した突起を
設けると、突起の先端に電子電流が集中し、電子ボンバ
ード及びジュール加熱にされ高温となる。突起は、平板
に比べ横方向への熱伝導がなく、より効果的に高温に保
たれる。それによって、CFa等のガスを導入してもそ
の分解生成物が突起の先端に堆積せず、電子の流入が妨
げられないので、安定したアーク放電となる。
は、フィラメントから飛び出した電子は途中ガス分子を
電離し、大多数は陽極のカスプライン上に流入する。陽
極のカスプライン上に、陽極と電気的に導通した突起を
設けると、突起の先端に電子電流が集中し、電子ボンバ
ード及びジュール加熱にされ高温となる。突起は、平板
に比べ横方向への熱伝導がなく、より効果的に高温に保
たれる。それによって、CFa等のガスを導入してもそ
の分解生成物が突起の先端に堆積せず、電子の流入が妨
げられないので、安定したアーク放電となる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
ガス導入口9より、CFa、あるいは、CF4とArの
混合ガス等の化合物を含むガスを導入する。
混合ガス等の化合物を含むガスを導入する。
円筒のプラズマ発生容器1の内部に設けたフィラメント
を利用した陰極4と容器1の間に直流電圧を印加し、陰
極4から放出された熱電子により上述のガスを電離し、
プラズマを作る。プラズマからイオンを引き出すための
多数の小孔を開けた引き出し電piA7と8に適切な電
位を与え、イオンビームを引き出す、多数の永久磁石2
は、プラズマ発生容器1の外周に沿ってN極とSIiが
交互に容器1の中心に向くように設け、ラインカスプ磁
界をプラズマ発生容器1の内側に作る。水冷パイプ10
を永久磁石2の周囲に配置し、永久磁石の温度上昇によ
る性能の劣化を防止する。
を利用した陰極4と容器1の間に直流電圧を印加し、陰
極4から放出された熱電子により上述のガスを電離し、
プラズマを作る。プラズマからイオンを引き出すための
多数の小孔を開けた引き出し電piA7と8に適切な電
位を与え、イオンビームを引き出す、多数の永久磁石2
は、プラズマ発生容器1の外周に沿ってN極とSIiが
交互に容器1の中心に向くように設け、ラインカスプ磁
界をプラズマ発生容器1の内側に作る。水冷パイプ10
を永久磁石2の周囲に配置し、永久磁石の温度上昇によ
る性能の劣化を防止する。
永久磁石2を配置した近傍の容器1の内側に。
容器1に電気的に導通した陽極突起3を設ける。
陰極4をでた電子は、ガスを電離しつつ陽極である容器
1の内壁に向う、そして永久磁石2の作るカスプ磁界1
9によりらせん回転運動をし、大多数は、磁束の出入力
であり、かつ、電界の集中した突起3の先端部に集中し
て流れ込む、従って、突起の先端は電子ボンバード及び
ジュール加熱により高温に加熱され続け、絶縁性の反応
生成物の堆積を防止することができ、安定したアーク放
電が得られる。
1の内壁に向う、そして永久磁石2の作るカスプ磁界1
9によりらせん回転運動をし、大多数は、磁束の出入力
であり、かつ、電界の集中した突起3の先端部に集中し
て流れ込む、従って、突起の先端は電子ボンバード及び
ジュール加熱により高温に加熱され続け、絶縁性の反応
生成物の堆積を防止することができ、安定したアーク放
電が得られる。
従来品、および1本発明品の放電特性の一例を第7図、
第8図に示す、これはCF4ガス中でフィラメント4に
一定電流を流し、アーク電源15の電圧とアーク電流の
関係を示したものである。
第8図に示す、これはCF4ガス中でフィラメント4に
一定電流を流し、アーク電源15の電圧とアーク電流の
関係を示したものである。
第7図は従来品の放電特性である。プラズマ生成室内が
汚れていない放電開始時には、約30Vの電圧でアーク
放電が開始している。しかし、アーク電圧80vで12
0分間放電した後には、プラズマ生成室の内壁にCF4
の反応生成物が堆積しアーク電圧を75Vに下げるとア
ーク放電が停止してしまい、再び、アーク放電を開始す
るには95Vまでアーク電圧を上げる必要がある。
汚れていない放電開始時には、約30Vの電圧でアーク
放電が開始している。しかし、アーク電圧80vで12
0分間放電した後には、プラズマ生成室の内壁にCF4
の反応生成物が堆積しアーク電圧を75Vに下げるとア
ーク放電が停止してしまい、再び、アーク放電を開始す
るには95Vまでアーク電圧を上げる必要がある。
一方1本発明品では、第8図に示すように、120分間
放電後も、放電開始時と同様、20V程度から放電が始
まり、50V以上のアーク電圧で安定なアーク放電が得
られる。
放電後も、放電開始時と同様、20V程度から放電が始
まり、50V以上のアーク電圧で安定なアーク放電が得
られる。
第2図は本発明の他の実施例である。この場合には、永
久磁石2を配置した容器1の内側に導電性の支持部材2
2を配置し、これに導電性の線21を張ったものである
。この場合にも、電子は線21に集中して流れ込み、!
21を高温にすることができる。
久磁石2を配置した容器1の内側に導電性の支持部材2
2を配置し、これに導電性の線21を張ったものである
。この場合にも、電子は線21に集中して流れ込み、!
21を高温にすることができる。
これまでの実施例は、いずれも容器に、直接、突起ある
いは線を取り付けたものであるが、突起を持つか、ある
いは、線を張った陽極をプラズマ容器内に設置してもよ
い。
いは線を取り付けたものであるが、突起を持つか、ある
いは、線を張った陽極をプラズマ容器内に設置してもよ
い。
第3図は突起を持つ陽極の一例で、突起32をリング3
1で固定している。この陽極を、突起32の位置を容器
外部に配した永久磁石の位置におおむね合わせて設置す
れば、前述の効果が得られる。
1で固定している。この陽極を、突起32の位置を容器
外部に配した永久磁石の位置におおむね合わせて設置す
れば、前述の効果が得られる。
また、第4図は導体線を張った陽極の例で、支持部材4
3で支えられたリング41の間に導体線42を張ったも
のである。導体線42を容器外部に配した永久磁石の位
置におおむね合わせて設置する。
3で支えられたリング41の間に導体線42を張ったも
のである。導体線42を容器外部に配した永久磁石の位
置におおむね合わせて設置する。
第3図、第4図に示した実施例では、陽極部を容器外に
取り出すことができるので、陽極の消耗等に対する保守
が容易となる。
取り出すことができるので、陽極の消耗等に対する保守
が容易となる。
第5図、第6図はさらに他の陽極の実施例である。第5
図は、導電性の円筒52の内側に突起部51を設けたも
のである。第6図は、導電性の円筒61の内側に支持部
材62を介して導体!63を張ったものである。突起5
1.あるいは、導体線62をプラズマ容器外部に配した
永久磁石の位置に合わせて、容器内に設置すれば、前述
の理由により、安定したアーク放電を得ることができる
。
図は、導電性の円筒52の内側に突起部51を設けたも
のである。第6図は、導電性の円筒61の内側に支持部
材62を介して導体!63を張ったものである。突起5
1.あるいは、導体線62をプラズマ容器外部に配した
永久磁石の位置に合わせて、容器内に設置すれば、前述
の理由により、安定したアーク放電を得ることができる
。
さらに、プラズマ生成室内壁が円筒によって覆われてい
るため、放電によってプラズマ生成室内壁が汚れること
がない、従って、放電ガスの種類を変える場合、陽極を
交換することにより、前ガスの影響を排除することがで
きる。
るため、放電によってプラズマ生成室内壁が汚れること
がない、従って、放電ガスの種類を変える場合、陽極を
交換することにより、前ガスの影響を排除することがで
きる。
以上の実施例はプラズマ生成物の円筒部に突起等を設け
る例であるが、円筒側面のみでなく、端板にも永久磁石
を配したプラズマの閉じ込め効率を良くするときには、
その磁石の近傍の真空容器内にも突起を設ければさらに
効果的である。又。
る例であるが、円筒側面のみでなく、端板にも永久磁石
を配したプラズマの閉じ込め効率を良くするときには、
その磁石の近傍の真空容器内にも突起を設ければさらに
効果的である。又。
この突起部を銅よりも導電率の悪い材料にするとジュー
ル熱がきいて効果的である。さらに、この突起部を磁性
体にするとカスプ磁界の磁極と電子入射位置とが完全に
一致して非常に効果的である。
ル熱がきいて効果的である。さらに、この突起部を磁性
体にするとカスプ磁界の磁極と電子入射位置とが完全に
一致して非常に効果的である。
本発明によれば、CFa等のプラズマ化したときに絶縁
性の化合生成物を生じるガスに対しても、安定な放電を
行うイオン源を提供することができる。
性の化合生成物を生じるガスに対しても、安定な放電を
行うイオン源を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
他の実施例の断面図、第3図、第4図。 第5図、第6図は本発明のさらに他の実施例の陽極部の
斜視図、第7図は従来の放電特性図、第8図は本発明の
放電特性図である。 3・・・陽極の突起。
他の実施例の断面図、第3図、第4図。 第5図、第6図は本発明のさらに他の実施例の陽極部の
斜視図、第7図は従来の放電特性図、第8図は本発明の
放電特性図である。 3・・・陽極の突起。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空容器の外周に複数個の永久磁石を交互に極性を
変えて配列し、前記真空容器内に陰極を配し、前記真空
容器の壁を陽極としたイオン源において、 前記永久磁石を配した近傍の前記陽極の一部を、前記真
空容器の内部に突出させたことを特徴とするイオン源。 2、特許請求の範囲第1項において、 前記永久磁石を配した近傍の前記真空容器の内部に前記
陽極と電気的に導通を保つて導体線を設けたことを特徴
とするイオン源。 3、特許請求の範囲第1項において、 前記永久磁石を配した近傍の前記陽極の一部を、前記真
空容器の内部に突出させ、且つ、突出部の材料を磁性体
としたことを特徴とするイオン源。 4、特許請求の範囲第1項において、 前記永久磁石を配した磁極近傍の前記陽極の一部を前記
真空容器の内部に突出させ、且つ、前記突出部の材料を
純銅より導電率の悪い材料で構成したことを特徴とする
イオン源。5、前記突出部以外の前記真空容器の内部壁
には、絶縁物被覆を施したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のイオン源。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61138092A JPS62296332A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | イオン源 |
EP86117505A EP0249658B1 (en) | 1986-06-16 | 1986-12-16 | Ion source device |
DE86117505T DE3689232T2 (de) | 1986-06-16 | 1986-12-16 | Ionenquelle. |
US06/942,635 US4847476A (en) | 1986-06-16 | 1986-12-17 | Ion source device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61138092A JPS62296332A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62296332A true JPS62296332A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15213763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61138092A Pending JPS62296332A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | イオン源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4847476A (ja) |
EP (1) | EP0249658B1 (ja) |
JP (1) | JPS62296332A (ja) |
DE (1) | DE3689232T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019186104A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5105123A (en) * | 1988-10-27 | 1992-04-14 | Battelle Memorial Institute | Hollow electrode plasma excitation source |
US5089746A (en) * | 1989-02-14 | 1992-02-18 | Varian Associates, Inc. | Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids |
US5198677A (en) * | 1991-10-11 | 1993-03-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Production of N+ ions from a multicusp ion beam apparatus |
US5473165A (en) * | 1993-11-16 | 1995-12-05 | Stinnett; Regan W. | Method and apparatus for altering material |
JPH08102279A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ生成装置 |
US6037587A (en) * | 1997-10-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Chemical ionization source for mass spectrometry |
AUPP479298A0 (en) * | 1998-07-21 | 1998-08-13 | Sainty, Wayne | Ion source |
JP2001056395A (ja) * | 1999-06-11 | 2001-02-27 | Ramuda:Kk | マイナスイオン放射方法及びその装置 |
US7023128B2 (en) * | 2001-04-20 | 2006-04-04 | Applied Process Technologies, Inc. | Dipole ion source |
ATE496388T1 (de) * | 2001-04-20 | 2011-02-15 | Gen Plasma Inc | Penningentladungsplasmaquelle |
GB0131097D0 (en) * | 2001-12-31 | 2002-02-13 | Applied Materials Inc | Ion sources |
JP2013020737A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 防着板支持部材およびこれを備えたイオン源 |
KR20180066575A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | (주)트리플코어스코리아 | 아크 방전을 이용하는 플라즈마 토치용 양극 구조물 및 이를 구비하는 플라즈마 토치 |
CN111681936B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-06-14 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种高能离子注入机用的尖端场形负氢离子源装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4277939A (en) * | 1979-04-09 | 1981-07-14 | Hughes Aircraft Company | Ion beam profile control apparatus and method |
JPS5679900A (en) * | 1979-12-05 | 1981-06-30 | Hitachi Ltd | Ion source |
US4431062A (en) * | 1980-01-09 | 1984-02-14 | Robert Bosch Gmbh | Rotating drive for impact hammer |
JPS6014040B2 (ja) * | 1980-07-07 | 1985-04-11 | 財団法人 微生物化学研究会 | ベスタチン新誘導体及びその製造法 |
US4383177A (en) * | 1980-12-24 | 1983-05-10 | International Business Machines Corporation | Multipole implantation-isotope separation ion beam source |
US4491735A (en) * | 1982-04-05 | 1985-01-01 | The Perkin-Elmer Corporation | Restricted ion source of high current density |
US4481062A (en) * | 1982-09-02 | 1984-11-06 | Kaufman Harold R | Electron bombardment ion sources |
US4529571A (en) * | 1982-10-27 | 1985-07-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Single-ring magnetic cusp low gas pressure ion source |
JPS60202649A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 二重格子陽極電子衝撃型イオン源 |
EP0169744A3 (en) * | 1984-07-26 | 1987-06-10 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Ion source |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP61138092A patent/JPS62296332A/ja active Pending
- 1986-12-16 EP EP86117505A patent/EP0249658B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-16 DE DE86117505T patent/DE3689232T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-17 US US06/942,635 patent/US4847476A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019186104A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3689232T2 (de) | 1994-02-24 |
EP0249658B1 (en) | 1993-10-27 |
DE3689232D1 (de) | 1993-12-02 |
EP0249658A2 (en) | 1987-12-23 |
EP0249658A3 (en) | 1988-11-17 |
US4847476A (en) | 1989-07-11 |
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