JPS62294182A - 表面処理装置システム - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はメッキ、洗浄等表面処理に用いる表面処理装置
に関する。
に関する。
〔従来の技1ネi〕
従来の表面処理装置は第2図断面図に示すように槽本体
4の底板19の中央に表面処理液2の導入口1を設け、
導入口1の前面に小孔を設けた多孔板3を置き、槽本体
4の開口部6の周囲にオーバーフロ一部5を設ける。更
にオーバーフロ一部5の下部端にオーバーフロー戻り管
17を取り付け、他の一端を加熱クンク15に接続する
。加熱タンク15の中には熱交fA器16が表面処理液
2中に浸漬され、側面からパイプ20が引出されポンプ
All、フィルターlO1導入管9、導入口1に連なる
。
4の底板19の中央に表面処理液2の導入口1を設け、
導入口1の前面に小孔を設けた多孔板3を置き、槽本体
4の開口部6の周囲にオーバーフロ一部5を設ける。更
にオーバーフロ一部5の下部端にオーバーフロー戻り管
17を取り付け、他の一端を加熱クンク15に接続する
。加熱タンク15の中には熱交fA器16が表面処理液
2中に浸漬され、側面からパイプ20が引出されポンプ
All、フィルターlO1導入管9、導入口1に連なる
。
このような(jζ成においてまず導入口lから導入され
た表面処理液2は多孔板3の小孔を通過して更に上昇し
開口部6に達する。更に4人口1から導入される表面処
理液2の増加により開口部6から溢れ出た表面処理液2
は開口部6の周囲に設けられたオーバーフロ一部5に流
れ落ちるとともにオーバーフロー戻り管17を伝わって
加i1−タンク15に戻り熱交換器16により温度調整
された後ポンプAllによりパイプ20から吸引された
表面処理力2はフィルター10を経て4入管9、更に導
入口1から槽本体4の中へ導入される。
た表面処理液2は多孔板3の小孔を通過して更に上昇し
開口部6に達する。更に4人口1から導入される表面処
理液2の増加により開口部6から溢れ出た表面処理液2
は開口部6の周囲に設けられたオーバーフロ一部5に流
れ落ちるとともにオーバーフロー戻り管17を伝わって
加i1−タンク15に戻り熱交換器16により温度調整
された後ポンプAllによりパイプ20から吸引された
表面処理力2はフィルター10を経て4入管9、更に導
入口1から槽本体4の中へ導入される。
前記の状態において被表面処理物7は治具8に引掛けら
れて多孔Uj、3と開口部Gの間に投入、浸清、引き上
げられることにより表面処理が行なわれることが知られ
ている。
れて多孔Uj、3と開口部Gの間に投入、浸清、引き上
げられることにより表面処理が行なわれることが知られ
ている。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかし従来の表面処理装置は被表面処理物7に対する表
面処IT!!液2は表面処理液流18に示す通りまず導
入口lから導入された表面処理液2は多孔板3のために
導入口1の真正面ばかりでなく多孔板3全体に広がり、
更に多孔板3の小孔を1ill過し上昇するが、槽本体
4に近い外周部分は壁面流と言われているように槽本体
4の壁面に添って表面処理液流18は順調に上昇するも
のの槽本体4の中央部分の表面処理液流18は開口部6
付近で外側から中央部分へ入り込むこととなり、下降流
となって多孔板3の近くへ戻り、再度槽本体4の壁面に
添って上昇する回遊流となる。また導入口1からの導入
量を増加、減少させた場合は多孔板3の小孔から噴出す
る表面処理液、2のスピードが速(又は遅くなるため前
記の様な壁面流、中央部分での下降流は著しく混乱した
状態となり表面処理液流18は安定したパターンになら
ず槽本体4の中の表面処理液2の流速、液温は一定にな
らない、このため表面処理液2として無電解メッキ液、
エツチング液、洗浄のための酸、アルカリ液等の場合は
被表面処理物7の表面とのi11過速度が即品貿にツ響
を与えるため、メッキ厚み、エツチング深さ、洗浄程度
のバラツキが大きくなってしまう。
面処IT!!液2は表面処理液流18に示す通りまず導
入口lから導入された表面処理液2は多孔板3のために
導入口1の真正面ばかりでなく多孔板3全体に広がり、
更に多孔板3の小孔を1ill過し上昇するが、槽本体
4に近い外周部分は壁面流と言われているように槽本体
4の壁面に添って表面処理液流18は順調に上昇するも
のの槽本体4の中央部分の表面処理液流18は開口部6
付近で外側から中央部分へ入り込むこととなり、下降流
となって多孔板3の近くへ戻り、再度槽本体4の壁面に
添って上昇する回遊流となる。また導入口1からの導入
量を増加、減少させた場合は多孔板3の小孔から噴出す
る表面処理液、2のスピードが速(又は遅くなるため前
記の様な壁面流、中央部分での下降流は著しく混乱した
状態となり表面処理液流18は安定したパターンになら
ず槽本体4の中の表面処理液2の流速、液温は一定にな
らない、このため表面処理液2として無電解メッキ液、
エツチング液、洗浄のための酸、アルカリ液等の場合は
被表面処理物7の表面とのi11過速度が即品貿にツ響
を与えるため、メッキ厚み、エツチング深さ、洗浄程度
のバラツキが大きくなってしまう。
更に前記の様な表面処理液流18の上昇流、下降流、回
遊流のために被表面処理物7、治具8、または開口部6
から表面処理液2中へ持ち込まれた微細なゴミ、チリ等
は速やかにオーバーフロ一部5へ排出されず槽本体4の
中を回遊し被表面処理物7へ付着するため、表面処理液
2として無電解メツ;1−液を用いた場合は被表面処理
物7の表面に白物が成形され、エツチング液の場合はエ
ツチング残り、洗浄液の場合は異物の付着となって顕在
化し、安定した表面処理品質が得られない、更に表面処
理液2として無′rrLMメッキ液を用いた場合は無電
解メッキ液中の微細なゴミ、チリ、微粒子金属等は各々
を核として金属の析出が始まり、当初は無電解メッキ液
中を浮遊しているが徐々に重量を増すために析出物の下
降が始まり多孔板3の上面、または多孔板3の小孔を通
過して底板19上にたい積し、無電解メッキ液の寿命を
著しく短かくする等の問題点がありだ。
遊流のために被表面処理物7、治具8、または開口部6
から表面処理液2中へ持ち込まれた微細なゴミ、チリ等
は速やかにオーバーフロ一部5へ排出されず槽本体4の
中を回遊し被表面処理物7へ付着するため、表面処理液
2として無電解メツ;1−液を用いた場合は被表面処理
物7の表面に白物が成形され、エツチング液の場合はエ
ツチング残り、洗浄液の場合は異物の付着となって顕在
化し、安定した表面処理品質が得られない、更に表面処
理液2として無′rrLMメッキ液を用いた場合は無電
解メッキ液中の微細なゴミ、チリ、微粒子金属等は各々
を核として金属の析出が始まり、当初は無電解メッキ液
中を浮遊しているが徐々に重量を増すために析出物の下
降が始まり多孔板3の上面、または多孔板3の小孔を通
過して底板19上にたい積し、無電解メッキ液の寿命を
著しく短かくする等の問題点がありだ。
そこで本発明は従来のこのような問題点を解決するため
少なくとも被表面処理物を浸漬する範囲内の表面処理液
流速、流れ方向を一定にし回遊流を無くすとともに析出
金属、微細なゴミ、チリ等を速やかに槽本体外に排出す
ることを目的とする。
少なくとも被表面処理物を浸漬する範囲内の表面処理液
流速、流れ方向を一定にし回遊流を無くすとともに析出
金属、微細なゴミ、チリ等を速やかに槽本体外に排出す
ることを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明の表面処理装置は開
口部直近に表面処理液の4人口を設け、前記開口部から
のオーバーフローと表面処理液中に設番ノた多孔1rj
、の小孔から前記表面処理液を吸引することを特徴とす
る。
口部直近に表面処理液の4人口を設け、前記開口部から
のオーバーフローと表面処理液中に設番ノた多孔1rj
、の小孔から前記表面処理液を吸引することを特徴とす
る。
上記のように構成された表面処理装置の導入口から表面
処理液を導入すると多孔板の小孔から吸引される闇より
導入量の方が多いために表面処理液は開口部からオーバ
ーフローが始まり、表面処理液中の多孔板の小孔からの
吸引とオーバーフローが同時に行なわれる状態となる。
処理液を導入すると多孔板の小孔から吸引される闇より
導入量の方が多いために表面処理液は開口部からオーバ
ーフローが始まり、表面処理液中の多孔板の小孔からの
吸引とオーバーフローが同時に行なわれる状態となる。
したがって開口部から持ち込まれる微細なゴミ、チリ等
はオーバーフローにより槽外へ排出され清浄な表面処理
液の維持が、また多孔板の小孔から常に一定の表面処理
液が吸引、槽外へ持ち出されるために一定の下降流、均
一な液温の確保ができる他、析出金属等は下降流により
速やかに槽外に排出することができるのである。
はオーバーフローにより槽外へ排出され清浄な表面処理
液の維持が、また多孔板の小孔から常に一定の表面処理
液が吸引、槽外へ持ち出されるために一定の下降流、均
一な液温の確保ができる他、析出金属等は下降流により
速やかに槽外に排出することができるのである。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図断面図のように槽本体4の上部に開口部6を設け、
その周囲にオーバーフロ一部5を取りつける。開口部G
の下には槽本体4の周囲に均等の間隔で4人口lを設け
る。更に1a本体4の下部には小孔を多数設けた多孔板
3を置き、最下部の底板19の中心部分から吸引管A1
2、ポンプl313、戻り管14の順に接続され戻り管
】4の先端は加熱槽15に開口する。前記と同様にオー
バーフロ一部5の一部分に取り付けられたオーバーフロ
ー戻り管17は加熱槽15に開口する。
1図断面図のように槽本体4の上部に開口部6を設け、
その周囲にオーバーフロ一部5を取りつける。開口部G
の下には槽本体4の周囲に均等の間隔で4人口lを設け
る。更に1a本体4の下部には小孔を多数設けた多孔板
3を置き、最下部の底板19の中心部分から吸引管A1
2、ポンプl313、戻り管14の順に接続され戻り管
】4の先端は加熱槽15に開口する。前記と同様にオー
バーフロ一部5の一部分に取り付けられたオーバーフロ
ー戻り管17は加熱槽15に開口する。
一方加熱槽15から引出されたパイプ20は、ポンプA
ll、フィルター10..R人管9を経て槽本体4の導
入口1へ接続する。加熱槽15の中へは熱交tA器16
を投入する。
ll、フィルター10..R人管9を経て槽本体4の導
入口1へ接続する。加熱槽15の中へは熱交tA器16
を投入する。
上記のような構成において加熱旧15に投入された表面
処理液2は熱交換器16で調温されパイプ20を通りポ
ンプAllに入る。ポンプAllに入った表面処理液は
加圧吐出されフィルター10に入り微細なゴミ、チリ等
の粒子を補集した後導入管9を通って導入口lから1f
f本体4内へ吐出され、大部分は下降流となって槽本体
4の下方にある多孔板3の小孔を通過しポンプB13の
吸引口に接続された吸引管A12から吸引され戻り管1
4から加熱槽15へ戻る。一方導入口1から導入された
表面処理液の一部は開口部6に上昇しオーバーフローし
た後オーバーフロ一部5からオーバーフロー戻り管17
を通り加熱槽15へ戻る。
処理液2は熱交換器16で調温されパイプ20を通りポ
ンプAllに入る。ポンプAllに入った表面処理液は
加圧吐出されフィルター10に入り微細なゴミ、チリ等
の粒子を補集した後導入管9を通って導入口lから1f
f本体4内へ吐出され、大部分は下降流となって槽本体
4の下方にある多孔板3の小孔を通過しポンプB13の
吸引口に接続された吸引管A12から吸引され戻り管1
4から加熱槽15へ戻る。一方導入口1から導入された
表面処理液の一部は開口部6に上昇しオーバーフローし
た後オーバーフロ一部5からオーバーフロー戻り管17
を通り加熱槽15へ戻る。
このように導入口1から!IiI温された表面処理液2
が導入され下降流となってポンプB13を経由して加熱
槽15へ、他方上昇流となって開口部6からオーバーフ
ローしオーバーフロー戻り管17から加熱槽15へ戻る
状態が表面処理加工が可能となった通常稼動時で、その
時の表面処理液中の流れは表面処理液流18に示す通り
となる。まず導入口1から導入された表面処理液2はそ
のまま導入口1の延長線上を進むこととなるが、多孔板
3をii1遇して吸引される表面処理液2と見合う量が
下方向に下降を始める。この場合多孔板3の小孔が多孔
板3の平面に均等に分11にシであるため表面処理液2
はどの部分でも均一な吸引が行なわれる。
が導入され下降流となってポンプB13を経由して加熱
槽15へ、他方上昇流となって開口部6からオーバーフ
ローしオーバーフロー戻り管17から加熱槽15へ戻る
状態が表面処理加工が可能となった通常稼動時で、その
時の表面処理液中の流れは表面処理液流18に示す通り
となる。まず導入口1から導入された表面処理液2はそ
のまま導入口1の延長線上を進むこととなるが、多孔板
3をii1遇して吸引される表面処理液2と見合う量が
下方向に下降を始める。この場合多孔板3の小孔が多孔
板3の平面に均等に分11にシであるため表面処理液2
はどの部分でも均一な吸引が行なわれる。
この結果導入口lから導入された表面処理液2は導入[
11をやや下がった位置から多孔板3までの間を殆んど
’aSの差の無い整然とした下降流となる。一方導入口
1から導入された表面処理液2の中で下l!siとなら
なかった分は開口部6に向けて上昇し、やがてオーバー
フローすることによりオーバーフロ一部5に流れ落ちる
。この様な状態を造り出すための条件としてはポンプA
ll吐出量−ポンプB13吸引量+オーバーフロー量が
必要で各々の値は正の値でなければならない地表面処理
液2の下降流、上昇流の調整は各々ポンプA11、ポン
プB13の吐出または吸引量を調整することにより行な
うことができる。
11をやや下がった位置から多孔板3までの間を殆んど
’aSの差の無い整然とした下降流となる。一方導入口
1から導入された表面処理液2の中で下l!siとなら
なかった分は開口部6に向けて上昇し、やがてオーバー
フローすることによりオーバーフロ一部5に流れ落ちる
。この様な状態を造り出すための条件としてはポンプA
ll吐出量−ポンプB13吸引量+オーバーフロー量が
必要で各々の値は正の値でなければならない地表面処理
液2の下降流、上昇流の調整は各々ポンプA11、ポン
プB13の吐出または吸引量を調整することにより行な
うことができる。
前記のような稼動状態の中へ治具8に引掛けら姓た被表
面処理物7を開口部6から投入し、導入口1よりやや下
がった所から多孔板3の直近までの間に浸漬し表面処理
加工を行なう、治具8及び表面処理物7が表面処理?&
、2中に浸漬された時の表面処理液流は治具8、被表面
処理物7が投入される前の状態と殆んど差がなく、前記
表面処理液中工8そのものの状態を維持することとなる
0以上の実施例において導入口Iと?1表面処理物7ま
での−し下方向の路間を大きくとることは被表面処理物
7の表面を1lll遇する下降流の速度、方向をより安
定した均一なものとするために有効な方法で、その場合
にはオーバーフロ一部5の位置を下方向へ下げ、導入口
1を上方向へ上げる。即ちオーバーフロ一部5の中に導
入口Iを設けることにより容易に実現できるほか、導入
口重を槽本体4の側面に設けるかわりに、開ロ部6内周
部へ上方向からパイプを突き入れることにより行なうこ
とができる。
面処理物7を開口部6から投入し、導入口1よりやや下
がった所から多孔板3の直近までの間に浸漬し表面処理
加工を行なう、治具8及び表面処理物7が表面処理?&
、2中に浸漬された時の表面処理液流は治具8、被表面
処理物7が投入される前の状態と殆んど差がなく、前記
表面処理液中工8そのものの状態を維持することとなる
0以上の実施例において導入口Iと?1表面処理物7ま
での−し下方向の路間を大きくとることは被表面処理物
7の表面を1lll遇する下降流の速度、方向をより安
定した均一なものとするために有効な方法で、その場合
にはオーバーフロ一部5の位置を下方向へ下げ、導入口
1を上方向へ上げる。即ちオーバーフロ一部5の中に導
入口Iを設けることにより容易に実現できるほか、導入
口重を槽本体4の側面に設けるかわりに、開ロ部6内周
部へ上方向からパイプを突き入れることにより行なうこ
とができる。
本発明は以上説明したように開口部直近に導入口を設け
、開口部から表面処理液をオーバーフローするとともに
多孔板小孔から吸引するという構造により被表面処理物
を浸漬する範囲の表面処理液の流速、流れ方向を均一に
、しかも多孔板3部分から吸引する下降流により表面処
理液中の析出金属粒等を槽本体外に搬出する、さらにオ
ーバーフローにより敞細なゴミ、ケバ等を槽外に速やか
にυL出するこ止により被表面処理物の表面品質の−向
上、表面処理液の寿命の向上等著しい効果がある。
、開口部から表面処理液をオーバーフローするとともに
多孔板小孔から吸引するという構造により被表面処理物
を浸漬する範囲の表面処理液の流速、流れ方向を均一に
、しかも多孔板3部分から吸引する下降流により表面処
理液中の析出金属粒等を槽本体外に搬出する、さらにオ
ーバーフローにより敞細なゴミ、ケバ等を槽外に速やか
にυL出するこ止により被表面処理物の表面品質の−向
上、表面処理液の寿命の向上等著しい効果がある。
第1図は本発明にかかる表面処理装置の断面図。
第2図は従来の表面処理装置の断面図である。
I・・・・・・導入口
2・・・・・・表面処理液
3・・・・・・多孔板
4・・・・・・槽本体
6・・・・・・開口部
7・・・・・・被表面処理物
18・・・・・・表面処理液流
以上
Claims (1)
- 開口部直近に表面処理液の導入口を設け、前記開口部か
らのオーバーフローと表面処理液中に設けた多孔板の小
孔から前記表面処理液を吸引することを特徴とした表面
処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61136792A JP2590319B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 表面処理装置システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61136792A JP2590319B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 表面処理装置システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS62294182A true JPS62294182A (ja) | 1987-12-21 |
JP2590319B2 JP2590319B2 (ja) | 1997-03-12 |
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JP61136792A Expired - Fee Related JP2590319B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 表面処理装置システム |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011256444A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板の処理方法および処理装置 |
JP2012046770A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290875A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61136792A patent/JP2590319B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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JPS62290875A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011256444A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板の処理方法および処理装置 |
JP2012046770A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
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JP2590319B2 (ja) | 1997-03-12 |
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