JPS62291979A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS62291979A JPS62291979A JP61134908A JP13490886A JPS62291979A JP S62291979 A JPS62291979 A JP S62291979A JP 61134908 A JP61134908 A JP 61134908A JP 13490886 A JP13490886 A JP 13490886A JP S62291979 A JPS62291979 A JP S62291979A
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- Japan
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換装置に係り、特に半導体温度センサを
有する光電変換装置に関する。
有する光電変換装置に関する。
［従来技術］
従来の光電変換装置、例えばＣＣＤ型。
ＭＯＳ型等の固体撮像装置は、その出力が温度によって
変化する為に、温度補正手段を設ける必要があり、外部
に温度センサを設けていた。
変化する為に、温度補正手段を設ける必要があり、外部
に温度センサを設けていた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記の方法では、固体撮像装置の光セン
サセルの温度と外部温度センサの温度は一致したものと
はなりに〈＜、また一致する場合においても温度勾配の
為に、時間的なズレを生じてしまい、正確な実時間での
温度補正を行うことができないという欠点があった。又
外部に温度補正用の素子があるために、温度補正回路も
外部に設ける必要があり、この為システムが複雑になる
という問題点があった。
サセルの温度と外部温度センサの温度は一致したものと
はなりに〈＜、また一致する場合においても温度勾配の
為に、時間的なズレを生じてしまい、正確な実時間での
温度補正を行うことができないという欠点があった。又
外部に温度補正用の素子があるために、温度補正回路も
外部に設ける必要があり、この為システムが複雑になる
という問題点があった。
本発明の目的は、光センサセルの温度を実時間で、正確
に検出し、光センサセルにフィードバックをかけること
で正確に温度補正された光センサセル出力を得ることの
可能な光電変換装置を提供することにあり、また更に光
電変換装置を用いたシステムを簡略化し、システムの生
産性及び信頼性を向上させようとするものである。
に検出し、光センサセルにフィードバックをかけること
で正確に温度補正された光センサセル出力を得ることの
可能な光電変換装置を提供することにあり、また更に光
電変換装置を用いたシステムを簡略化し、システムの生
産性及び信頼性を向上させようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
上記の問題点は、光センサセル部と遮光部とを有する光
電変換装置において、前記遮光部に半導体温度センサを
設けたことを特徴とする本発明の光電変換装置によって
解決される。
電変換装置において、前記遮光部に半導体温度センサを
設けたことを特徴とする本発明の光電変換装置によって
解決される。
［作用］
本発明は、遮光部に半導体温度センサｌｔ ２２ ｉｔ
、各光センサセルの温度変化を近傍で検知することによ
り、温度誤差が少なく、且つ時間的な遅れが少ない温度
補正を行わんとするものである。
、各光センサセルの温度変化を近傍で検知することによ
り、温度誤差が少なく、且つ時間的な遅れが少ない温度
補正を行わんとするものである。
［実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の光電変換装置を示す一実施例の説明図
であり、第２図は上記光電変換装置に用いるダイオード
温度センサの説明図である。
であり、第２図は上記光電変換装置に用いるダイオード
温度センサの説明図である。
第１図において、２は光センサセル部であり。
光センサセル２１〜２ｎから構成される。１は遮光部の
一部を示し、半導体温度センサ（ここでは、ダイオード
温度センサとする）の設けられた領域を示す（以下、遮
光部１と記す）、なお一般に遮光部とは、光センサセル
部以外の半導体領域に設けられる配線部、増幅回路、信
号処理回路等の周辺回路部に光が照射されるとキャリヤ
が発生して誤動作の原因となるために、アルミ層等を設
けて遮光が行われる領域を言う０本発明はこの遮光部の
一部に半導体温度センサ部を設け、光センサセル部の温
度変化を近傍で検知し、温度誤差が少なく、且つ時間的
な遅れが少ない温度補正を行わんとするものである。な
お、配線部、増幅回路、信号処理回路等の不図示の周辺
回路部がチップ上に設けられれば、その温度補正も同時
に行うことができる。
一部を示し、半導体温度センサ（ここでは、ダイオード
温度センサとする）の設けられた領域を示す（以下、遮
光部１と記す）、なお一般に遮光部とは、光センサセル
部以外の半導体領域に設けられる配線部、増幅回路、信
号処理回路等の周辺回路部に光が照射されるとキャリヤ
が発生して誤動作の原因となるために、アルミ層等を設
けて遮光が行われる領域を言う０本発明はこの遮光部の
一部に半導体温度センサ部を設け、光センサセル部の温
度変化を近傍で検知し、温度誤差が少なく、且つ時間的
な遅れが少ない温度補正を行わんとするものである。な
お、配線部、増幅回路、信号処理回路等の不図示の周辺
回路部がチップ上に設けられれば、その温度補正も同時
に行うことができる。
第２図において、３は遮光部１に設けられたダイオード
温度センサであり、１ａはＮ十拡散領域、２ａはＰ十拡
散領域、３ａはＮ十拡散領域ｌａ、Ｐ＋拡散領域２ａか
ら構成されるダイオードを光センサセル部２と分離する
為のアイソレーション領域、４ａは基板６ａへのギヤリ
ヤのリークを防ぐ埋め込み層、５ａはエピタキシャル層
である。
温度センサであり、１ａはＮ十拡散領域、２ａはＰ十拡
散領域、３ａはＮ十拡散領域ｌａ、Ｐ＋拡散領域２ａか
ら構成されるダイオードを光センサセル部２と分離する
為のアイソレーション領域、４ａは基板６ａへのギヤリ
ヤのリークを防ぐ埋め込み層、５ａはエピタキシャル層
である。
上記のように、遮光部ｌにダイオード温度センサ部を設
ければ、第３図に示すように、光センサセル部２．ダイ
オード温度センサ部３．アンプ４、温度補正回路部５を
一チップ上に設けることができ、システムを簡易化する
ことができる。
ければ、第３図に示すように、光センサセル部２．ダイ
オード温度センサ部３．アンプ４、温度補正回路部５を
一チップ上に設けることができ、システムを簡易化する
ことができる。
第４図は本発明の光電変換装置を示す他の実施例の説明
図であり、各々のセンサセルから独立に出力を取り出す
場合の実施例である。
図であり、各々のセンサセルから独立に出力を取り出す
場合の実施例である。
本実施例においては、各光センサセル部２の近傍に各々
遮光部１を設け、ダイオード温度センサ部を形成する。
遮光部１を設け、ダイオード温度センサ部を形成する。
すなわち、光センサセルの数が多くなった場合には、各
ダイオード温度センサ部によって、温度補正を行い、各
光センサセル部２に対応した、より正確な温度補正を行
うことができる。
ダイオード温度センサ部によって、温度補正を行い、各
光センサセル部２に対応した、より正確な温度補正を行
うことができる。
上記実施例において、半導体温度センサとしてダイオー
ド温度センサを用いたが、これに限定されず、例えばト
ランジスタ温度センサ等を用いることも可能である。
ド温度センサを用いたが、これに限定されず、例えばト
ランジスタ温度センサ等を用いることも可能である。
し発明の効果］
以上詳細に説明したように、末完１月の光電変換装置に
よれば、遮光部に半導体温度センサを設け、光センサセ
ルの温度変化を近傍で検知することにより１、温度誤差
が少なく、且つ時間的な遅れが少ない温度補正を行うこ
とができ、さらに温度補正回路も一チップ上に設けるこ
とができるので、システムを簡易化することができ、生
産性及び信頼性を向上させることかで・きる。
よれば、遮光部に半導体温度センサを設け、光センサセ
ルの温度変化を近傍で検知することにより１、温度誤差
が少なく、且つ時間的な遅れが少ない温度補正を行うこ
とができ、さらに温度補正回路も一チップ上に設けるこ
とができるので、システムを簡易化することができ、生
産性及び信頼性を向上させることかで・きる。
第１図は本発明の光電変換装置を示す一実施例の説明図
である。 第２図は上記光電変換装置に用いるダイオード温度セン
サ部の説明図である。 第３図は本発明の光電変換装置を用いたシステムの一例
である。 第４図は本発明の光電変換装置を示す他の実施例の説明
図である。 １・・・・・・遮光部 ２・・・・・−光センサセル部 ２１〜２ｏ １１１１１１・・光センサセル３・・・・
・Φダイオード温度センサ部４１１＠・・・・アンプ ５壷・・・・・温度補正回路 ｌａ ・φφ・・・Ｎ十拡散領域 ２ａ・・令曝も・Ｐ十拡ｒ１１．領域 ３ａ・・・・・・アイソレーション領域４ａ ａ・・・
・・埋め込み層 ５ａ・・・・・・エピタキシャル層 ６ａ・・・・・・基板 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図 第２図 第３閃 第４図 □□
である。 第２図は上記光電変換装置に用いるダイオード温度セン
サ部の説明図である。 第３図は本発明の光電変換装置を用いたシステムの一例
である。 第４図は本発明の光電変換装置を示す他の実施例の説明
図である。 １・・・・・・遮光部 ２・・・・・−光センサセル部 ２１〜２ｏ １１１１１１・・光センサセル３・・・・
・Φダイオード温度センサ部４１１＠・・・・アンプ ５壷・・・・・温度補正回路 ｌａ ・φφ・・・Ｎ十拡散領域 ２ａ・・令曝も・Ｐ十拡ｒ１１．領域 ３ａ・・・・・・アイソレーション領域４ａ ａ・・・
・・埋め込み層 ５ａ・・・・・・エピタキシャル層 ６ａ・・・・・・基板 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図 第２図 第３閃 第４図 □□
Claims (1)
- 光センサセル部と遮光部とを有する光電変換装置におい
て、前記遮光部に半導体温度センサを設けたことを特徴
とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134908A JPS62291979A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134908A JPS62291979A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291979A true JPS62291979A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15139341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61134908A Pending JPS62291979A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
| JP2020181850A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及び光半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61134908A patent/JPS62291979A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
| JP2020181850A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及び光半導体装置 |
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