JPS6229182A - フオトカプラ - Google Patents
フオトカプラInfo
- Publication number
- JPS6229182A JPS6229182A JP60167171A JP16717185A JPS6229182A JP S6229182 A JPS6229182 A JP S6229182A JP 60167171 A JP60167171 A JP 60167171A JP 16717185 A JP16717185 A JP 16717185A JP S6229182 A JPS6229182 A JP S6229182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- receiving element
- main surface
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、一つの透光性絶縁基板上に発光素子と受光
素子とが設けられたフォトカプラに関する。
素子とが設けられたフォトカプラに関する。
従来のフォトカプラを第3図及び第4図を参照しながら
説明する。端子部1a、 6aを有する独立した一対の
フレーム1と6のうち、フレーム1に発光素子2を、フ
レーム6に受光素子3をそれぞれ導電性接着剤でグイボ
ンドし1画素子2.3を光軸が一致するよう対向させる
。
説明する。端子部1a、 6aを有する独立した一対の
フレーム1と6のうち、フレーム1に発光素子2を、フ
レーム6に受光素子3をそれぞれ導電性接着剤でグイボ
ンドし1画素子2.3を光軸が一致するよう対向させる
。
発光素子2と受光素子3の間及びこの周囲は。
透光性絶縁樹脂4でエンキャップされており。
さらに上記端子部1a、 6aを除いた全体が不透光絶
縁性樹脂5で覆われている。
縁性樹脂5で覆われている。
この従来のフォトカプラでは、当初一体となったフレー
ム1と6において5フレーム1の基端に発光素子2を、
フレーム6の基端に受光素子3をグイボンドし、その後
上記フレーム1と6を折り曲げて発光素子2と受光素子
3とを対向させると共に、これらの光軸を合わせなけれ
ばならない。ところが、光軸にズレをおこしたり各素子
2,3の間隔がばらつき易いため1歩留りが悪い。
ム1と6において5フレーム1の基端に発光素子2を、
フレーム6の基端に受光素子3をグイボンドし、その後
上記フレーム1と6を折り曲げて発光素子2と受光素子
3とを対向させると共に、これらの光軸を合わせなけれ
ばならない。ところが、光軸にズレをおこしたり各素子
2,3の間隔がばらつき易いため1歩留りが悪い。
また、素子2と3の間の空間部に流動性の透光性絶縁樹
脂4を充填し、これを硬化させるので、所定の状態に透
光性絶縁樹脂4を形成することが困難であり1作業性が
悪い。
脂4を充填し、これを硬化させるので、所定の状態に透
光性絶縁樹脂4を形成することが困難であり1作業性が
悪い。
この発明は、従来のフォトカプラの構造に起因する上記
の問題を解決するためなされたもので9組み立て時の光
軸合わせや透光性絶縁樹脂4の充填等を必要としない構
成のフォトカプラを提供することを目的とする。
の問題を解決するためなされたもので9組み立て時の光
軸合わせや透光性絶縁樹脂4の充填等を必要としない構
成のフォトカプラを提供することを目的とする。
c問題を解決するための手段〕
この発明の構成を第1図と第2図の符号を引用しながら
説明すると、透光性絶縁基板16を挟んで、その一方の
主面に太陽電池からなる受光素子13を設け、他方の主
面に発光素子12を設ける。そして1発光素子12を反
射面14aで覆う。
説明すると、透光性絶縁基板16を挟んで、その一方の
主面に太陽電池からなる受光素子13を設け、他方の主
面に発光素子12を設ける。そして1発光素子12を反
射面14aで覆う。
(作 用〕
上記フォトカプラにおいて1発光素子12から発せられ
た光は、光反射面14aで反射され、透光性絶縁基板1
6を通り、受光素子13で受光される。換言すれば、こ
のフォトカプラでは1発光素子12から発射された光が
光反射面14aで反射し1 これが透光絶縁基板16を
通過して受光素子13に入射するという光学的な位置関
係があればよく、従来のフォトカプラのように1発光素
子12と受光素子13との対向状態及びその光軸の一致
といった光学的な位置関係は必ずしも必要ではない。
た光は、光反射面14aで反射され、透光性絶縁基板1
6を通り、受光素子13で受光される。換言すれば、こ
のフォトカプラでは1発光素子12から発射された光が
光反射面14aで反射し1 これが透光絶縁基板16を
通過して受光素子13に入射するという光学的な位置関
係があればよく、従来のフォトカプラのように1発光素
子12と受光素子13との対向状態及びその光軸の一致
といった光学的な位置関係は必ずしも必要ではない。
また発光素子12と受光素子13は、互いに独立したフ
レーム等に設けられるのではなく、1枚の透光性絶縁基
板16の両生面に設けられることから、これらの相対的
な位置関係は自ずと定まり、いわば固定的なものである
。
レーム等に設けられるのではなく、1枚の透光性絶縁基
板16の両生面に設けられることから、これらの相対的
な位置関係は自ずと定まり、いわば固定的なものである
。
次にこの発明の実施例について、第1図と第2図を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
透光性絶縁基板16として石英ガラス基板を使用し、こ
の一方の主面に、厚膜法で金パターンを印刷し、グイラ
ンド8aとボンディングランド8bを設けた。透光性絶
縁基板16には、上記石英ガラス基板の他、これとは別
のガラス基板或いは透光性セラミクス基板等を使用する
ことができる。
の一方の主面に、厚膜法で金パターンを印刷し、グイラ
ンド8aとボンディングランド8bを設けた。透光性絶
縁基板16には、上記石英ガラス基板の他、これとは別
のガラス基板或いは透光性セラミクス基板等を使用する
ことができる。
次に、スプレィ法により、透光性絶縁基板16の他方の
主面に、ITOからなる透明な電極13aを設けた。プ
ラズマCVD法により、この上にp型アモルファスシリ
コン層13b;を型アモルファスシリコン層13c、
n型アモルファスシリコン層:J13dを順次設けた。
主面に、ITOからなる透明な電極13aを設けた。プ
ラズマCVD法により、この上にp型アモルファスシリ
コン層13b;を型アモルファスシリコン層13c、
n型アモルファスシリコン層:J13dを順次設けた。
さらに真空蒸着法により、この上にアルミニウム膜を設
けて、電極13eを作製し、受光素子13として薄膜太
陽電池を形成した。
けて、電極13eを作製し、受光素子13として薄膜太
陽電池を形成した。
一方、導電性接着剤9を用い9発光素子12として発光
ダイオード(GaAIAs、 λp = 660m)
を上記グイランド8aにグイボンドし、この電極とワイ
ヤボンディングランド8bをワイヤ10でボンディング
した。なお2発光素子12がグイボンドされた位置は、
透光性絶縁基板16の主面のは一中央である。発光素子
16には、上記発光ダイオードの他、CdSセル等の光
導電素子等を使用することもできる。
ダイオード(GaAIAs、 λp = 660m)
を上記グイランド8aにグイボンドし、この電極とワイ
ヤボンディングランド8bをワイヤ10でボンディング
した。なお2発光素子12がグイボンドされた位置は、
透光性絶縁基板16の主面のは一中央である。発光素子
16には、上記発光ダイオードの他、CdSセル等の光
導電素子等を使用することもできる。
次いで、グイランド8aとボンディングランド8bに端
子11a、llaを半田17.17付けした。その後2
発光素子12の周りを透光性絶縁樹脂14で半球形状に
覆った。また、上記受光素子13側の電極13aと同1
3eにも端子11b、 llbをそれぞれ半田17.1
7付けした。
子11a、llaを半田17.17付けした。その後2
発光素子12の周りを透光性絶縁樹脂14で半球形状に
覆った。また、上記受光素子13側の電極13aと同1
3eにも端子11b、 llbをそれぞれ半田17.1
7付けした。
そして最後に、端子11a、 lla、 llb、 l
lbの先端部を除いて、デバイス全体を不透光性絶縁樹
脂15で覆った。これに伴い、不透光性絶縁樹脂15と
上記透光性絶縁樹脂14との界面は1発光素子12側に
おいて半球形状の反射面14aとなる。透光性絶縁樹脂
としては、透明なシリコン樹脂等を、また不透光性絶縁
樹脂15には白色エポキシ樹脂等を用いることができる
。
lbの先端部を除いて、デバイス全体を不透光性絶縁樹
脂15で覆った。これに伴い、不透光性絶縁樹脂15と
上記透光性絶縁樹脂14との界面は1発光素子12側に
おいて半球形状の反射面14aとなる。透光性絶縁樹脂
としては、透明なシリコン樹脂等を、また不透光性絶縁
樹脂15には白色エポキシ樹脂等を用いることができる
。
なお、この発明のフォトカプラは、上記実施例のように
2発光素子12と受光素子13を1つずつ対応させるだ
けでなく、透光性絶縁基板16の一方の主面に複数の発
光素子12.12線を取り付けて、これらを1つの受光
素子13に対応させることもできる。これによって1幾
つかの信号を1つの信号にまとめて伝達するのに利用す
ることができる。
2発光素子12と受光素子13を1つずつ対応させるだ
けでなく、透光性絶縁基板16の一方の主面に複数の発
光素子12.12線を取り付けて、これらを1つの受光
素子13に対応させることもできる。これによって1幾
つかの信号を1つの信号にまとめて伝達するのに利用す
ることができる。
以上説明した通り、この発明のフォト力プラは2発光素
子12から発射された光を受光素子13で直接受光する
形式ではなく1反射面14aで反射した光を受光する形
式のものであるから2発光素子12と受光素子13の光
軸合わせや位置合わせを必要としない。
子12から発射された光を受光素子13で直接受光する
形式ではなく1反射面14aで反射した光を受光する形
式のものであるから2発光素子12と受光素子13の光
軸合わせや位置合わせを必要としない。
また1組み立てに際し1発光素子12と受光素子13と
の間の空間への樹脂の充填といった工程が一切不要とな
る。従って、従来これらの工程において生じていた問題
を全て解消することができる。
の間の空間への樹脂の充填といった工程が一切不要とな
る。従って、従来これらの工程において生じていた問題
を全て解消することができる。
第1図はこの発明の実施例を示すフォトカプラの概念図
、第2図は同フォトカプラの透視図。 第3図は従来例を示すフォトカプラの透視図。 第4図と同フォトカプラの縦断側面図である。 12−発光素子 13・−受光素子 14a −光発射面 16−・透光性絶縁基板
、第2図は同フォトカプラの透視図。 第3図は従来例を示すフォトカプラの透視図。 第4図と同フォトカプラの縦断側面図である。 12−発光素子 13・−受光素子 14a −光発射面 16−・透光性絶縁基板
Claims (1)
- 発光素子12と受光素子13を有するフォトカプラにお
いて、透光性絶縁基板16の一方の主面に、太陽電池か
らなる受光素子13が設けられ、他方の主面に発光素子
12が設けられ、発光素子12が反射面14aで覆われ
ていることを特徴とするフォトカプラ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60167171A JPS6229182A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | フオトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60167171A JPS6229182A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | フオトカプラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6229182A true JPS6229182A (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=15844734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60167171A Pending JPS6229182A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | フオトカプラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6229182A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0333062U (ja) * | 1989-08-03 | 1991-04-02 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5314587A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Toshiba Corp | Photo coupler |
JPS58201381A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光結合装置 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167171A patent/JPS6229182A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5314587A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Toshiba Corp | Photo coupler |
JPS58201381A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光結合装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0333062U (ja) * | 1989-08-03 | 1991-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2557324B2 (ja) | 反射光障壁およびその製造方法 | |
JP5148045B2 (ja) | オプトカプラおよびオプトカプラ製造方法 | |
US4124860A (en) | Optical coupler | |
US6964886B2 (en) | Methods of fabrication for flip-chip image sensor packages | |
EP0164834A1 (en) | Improvements relating to the fabrication of optical devices | |
KR20050010003A (ko) | 수광 또는 발광용 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2003008065A (ja) | Smd型光素子モジュールの製造方法 | |
EP1811579A1 (en) | Galvanic optocoupler structure and corresponding hybrid integration process | |
JP3638328B2 (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
JPS6229182A (ja) | フオトカプラ | |
JPH05218491A (ja) | 光結合装置 | |
JP2008091671A (ja) | 光結合装置 | |
JPS60126874A (ja) | 光結合半導体装置 | |
KR100317397B1 (ko) | 자유공간 광연결 모듈 구조 | |
JPS58118175A (ja) | フオトカプラ | |
JP3172630B2 (ja) | フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法 | |
JP2601426Y2 (ja) | 光結合装置 | |
JPH0713239Y2 (ja) | 半導体集積回路の入出力構造 | |
JPH065906A (ja) | モノリシック型光結合装置の製造方法 | |
JP2001168377A (ja) | フォトカプラ | |
JPH11163391A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS5994886A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5895878A (ja) | 光結合型半導体スイツチの製造方法 | |
JPS59175172A (ja) | フオトカプラ装置 | |
JPS5832477A (ja) | 光起電力素子モジユ−ル |