JPS6228790Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6228790Y2 JPS6228790Y2 JP1981168284U JP16828481U JPS6228790Y2 JP S6228790 Y2 JPS6228790 Y2 JP S6228790Y2 JP 1981168284 U JP1981168284 U JP 1981168284U JP 16828481 U JP16828481 U JP 16828481U JP S6228790 Y2 JPS6228790 Y2 JP S6228790Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- array
- laser array
- laser
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体レーザアレイから出射する複
数本のレーザ光の光出力をそれぞれ独立にモニタ
する機能を備えた半導体レーザアレイ装置に関す
るものである。
数本のレーザ光の光出力をそれぞれ独立にモニタ
する機能を備えた半導体レーザアレイ装置に関す
るものである。
半導体レーザの光出力は不安定であり、劣化ま
たは温度によつて光出力は大幅に変化する。その
ために、特開昭50−11695号、特開昭50−60182号
に記載のように、半導体レーザの発光端面の近傍
に光検出器を設けて光出力をモニタし、これを半
導体レーザの駆動電流に帰還して光出力を制御し
ている。このような光出力のモニタは、半導体レ
ーザアレイの場合も必要である。
たは温度によつて光出力は大幅に変化する。その
ために、特開昭50−11695号、特開昭50−60182号
に記載のように、半導体レーザの発光端面の近傍
に光検出器を設けて光出力をモニタし、これを半
導体レーザの駆動電流に帰還して光出力を制御し
ている。このような光出力のモニタは、半導体レ
ーザアレイの場合も必要である。
第１図は従来の半導体レーザアレイ装置を示
す。
す。
半導体レーザアレイ１は一列にモノリシツクに
作成された半導体レーザ（図中１−１，１−２，
１−３で示す）からなる。個々の半導体レーザか
らは前方、後方にレーザ光を出射しており後方に
出射するレーザ光はレーザ光強度をモニタするの
に用いられる。半導体レーザアレイにおいても、
個々の半導体レーザから出射するレーザ光の光出
力は光検知アレイ２上の対応する光検知素子（図
中、２−１，２−２，２−３で示す。）でモニタ
される。第２図は第１図の半導体レーザアレイ装
置を上から見た平面図を示す。個々の半導体レー
ザから出射するレーザ光は図に示すように大きな
拡き角αで出射する。このため、個々の光検知素
子には対応するレーザからのレーザ光以外に隣に
ある半導体レーザからのレーザ光がもれて入つて
くることになり正確なレーザ光出力がモニタでき
ない欠点があつた。光検知アレイを半導体レーザ
アレイに近接させ、たとえば第２図に示すＬまで
近づけると正確なレーザ光出力がモニタできるこ
とになるが、一般にこの距離ｘは非常に小さくな
り装置作成が困難である。たとえばα＝30゜と
し、半導体レーザアレイの配列ピツチを0.1mmと
すると、少なくともｘは０．１mm／２ｔａｎ（α／２）
＝0.18mm以下 に設定する必要がある。
作成された半導体レーザ（図中１−１，１−２，
１−３で示す）からなる。個々の半導体レーザか
らは前方、後方にレーザ光を出射しており後方に
出射するレーザ光はレーザ光強度をモニタするの
に用いられる。半導体レーザアレイにおいても、
個々の半導体レーザから出射するレーザ光の光出
力は光検知アレイ２上の対応する光検知素子（図
中、２−１，２−２，２−３で示す。）でモニタ
される。第２図は第１図の半導体レーザアレイ装
置を上から見た平面図を示す。個々の半導体レー
ザから出射するレーザ光は図に示すように大きな
拡き角αで出射する。このため、個々の光検知素
子には対応するレーザからのレーザ光以外に隣に
ある半導体レーザからのレーザ光がもれて入つて
くることになり正確なレーザ光出力がモニタでき
ない欠点があつた。光検知アレイを半導体レーザ
アレイに近接させ、たとえば第２図に示すＬまで
近づけると正確なレーザ光出力がモニタできるこ
とになるが、一般にこの距離ｘは非常に小さくな
り装置作成が困難である。たとえばα＝30゜と
し、半導体レーザアレイの配列ピツチを0.1mmと
すると、少なくともｘは０．１mm／２ｔａｎ（α／２）
＝0.18mm以下 に設定する必要がある。
したがつて、本考案の目的は上記した問題点を
なくし、半導体レーザアレイ内の個々の半導体レ
ーザからの光出力を正確にモニタする半導体レー
ザアレイ装置を提供することにある。
なくし、半導体レーザアレイ内の個々の半導体レ
ーザからの光出力を正確にモニタする半導体レー
ザアレイ装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために本考案の半導体レ
ーザアレイ装置では、半導体レーザアレイと光検
知アレイ間に円筒レンズをそう入し、光検知素子
に隣りの半導体レーザからのレーザ光がもれこむ
ことがないようにしている。
ーザアレイ装置では、半導体レーザアレイと光検
知アレイ間に円筒レンズをそう入し、光検知素子
に隣りの半導体レーザからのレーザ光がもれこむ
ことがないようにしている。
以下、実施例により詳しく説明する。
第３図は本考案の半導体レーザアレイ装置を示
す。レーザアレイと光検知アレイ間に円筒レンズ
３をそう入している。第４図は第３図の半導体レ
ーザアレイ装置の円筒レンズの動作原理を図示し
たものである。レーザアレイ内の半導体レーザか
ら出力するレーザ光はそれぞれ円筒レンズで結像
され、対応する光検知素子でモニタされているた
め、上述したレーザ光のもれこみによる影響は完
全に除去される。
す。レーザアレイと光検知アレイ間に円筒レンズ
３をそう入している。第４図は第３図の半導体レ
ーザアレイ装置の円筒レンズの動作原理を図示し
たものである。レーザアレイ内の半導体レーザか
ら出力するレーザ光はそれぞれ円筒レンズで結像
され、対応する光検知素子でモニタされているた
め、上述したレーザ光のもれこみによる影響は完
全に除去される。
本考案によれば、隣りの半導体レーザからのレ
ーザ光がもれこむことがないので、半導体レーザ
アレイ内の個々の半導体レーザからの光出力を正
確にモニタすることができる。
ーザ光がもれこむことがないので、半導体レーザ
アレイ内の個々の半導体レーザからの光出力を正
確にモニタすることができる。
第１図は、半導体レーザアレイ装置の概略構成
を示す図、第２図は、その動作を説明するための
図、第３図は、本考案の一実施例の構成を示す
図、第４図は、その動作を説明するための図であ
る。
を示す図、第２図は、その動作を説明するための
図、第３図は、本考案の一実施例の構成を示す
図、第４図は、その動作を説明するための図であ
る。
Claims (1)
- 複数個の半導体レーザ素子を一列に配列した半
導体レーザアレイと該半導体レーザアレイの個々
の半導体レーザ素子から後方に出射するレーザ光
それぞれを光検知する光検知器アレイとからなる
半導体レーザアレイ装置において、上記半導体レ
ーザアレイと上記光検知器アレイの間に、上記半
導体レーザ素子の配列方向に曲率を有する単一の
レンズを配置したことを特徴とする半導体レーザ
アレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16828481U JPS5874359U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16828481U JPS5874359U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874359U JPS5874359U (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6228790Y2 true JPS6228790Y2 (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=29960336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16828481U Granted JPS5874359U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874359U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04224496A (ja) * | 1990-04-04 | 1992-08-13 | Shell Internatl Res Maatschappij Bv | ばら積み貨物を輸送するタンカー |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680538B2 (ja) * | 1984-06-08 | 1994-10-12 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ光源装置 |
| JPH0453013Y2 (ja) * | 1986-12-19 | 1992-12-14 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145387A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP16828481U patent/JPS5874359U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145387A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04224496A (ja) * | 1990-04-04 | 1992-08-13 | Shell Internatl Res Maatschappij Bv | ばら積み貨物を輸送するタンカー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5874359U (ja) | 1983-05-19 |
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