JPS62284094A - 水素発生用陰極の製造方法 - Google Patents
水素発生用陰極の製造方法Info
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- JPS62284094A JPS62284094A JP61127260A JP12726086A JPS62284094A JP S62284094 A JPS62284094 A JP S62284094A JP 61127260 A JP61127260 A JP 61127260A JP 12726086 A JP12726086 A JP 12726086A JP S62284094 A JPS62284094 A JP S62284094A
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Landscapes
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
1発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は食塩の電解、水の電解等の陰極として用いられ
る新規な水素発生用陰極の効率的な製造方法に関するも
のである。
る新規な水素発生用陰極の効率的な製造方法に関するも
のである。
従来、アルカリ金属塩水溶液の電解、特にイオン交換膜
法による塩化ナトリウム水溶液の電解により塩素と水酸
化ナトリウムとを得る技術等の開発が進み、益々高い電
流効率と低い電圧による電解、即ち電力原単位の向上が
図られている。これらの技術動向のうち、電流効率の向
上は主としてイオン交換膜の改良として、また電圧の低
下にらいては、イオン交換膜の改良と並行して電極にお
ける電解時の過電圧を低下させる検討が行なわれている
。このうち陽極にあってはすでに種々の優れた提案がな
されておシ、はとんど陽極過電圧が問題とならない電極
が工業的に用いられている。
法による塩化ナトリウム水溶液の電解により塩素と水酸
化ナトリウムとを得る技術等の開発が進み、益々高い電
流効率と低い電圧による電解、即ち電力原単位の向上が
図られている。これらの技術動向のうち、電流効率の向
上は主としてイオン交換膜の改良として、また電圧の低
下にらいては、イオン交換膜の改良と並行して電極にお
ける電解時の過電圧を低下させる検討が行なわれている
。このうち陽極にあってはすでに種々の優れた提案がな
されておシ、はとんど陽極過電圧が問題とならない電極
が工業的に用いられている。
しかるに陰極、即ち水素発生用陰極にあっては、一般に
軟鉄或いはニッケル製のものが工業的に使用されており
、例えば400 ミリ&ル) (tnV)程度の高い水
素過電圧を許容しているため、その改善の必要性が指摘
されている。近年、水素過電圧の低減を目的とした陰極
について、種々の特許出願がなされている。例えば特開
昭55−164491号、特開昭55−131188号
、特開昭56−93885号、特開昭58−16778
8号公報などに示された電極にあっては電極基体上にニ
ッケル、コバルト、銀等の粒子またはこれらの金属とア
ルミニウムその他の金属との合金の粒子を溶着あるいは
銀、亜鉛、マグネシウム、スズなどの保持用金属層中に
一部露出するように埋没させ、場合によっては保持用金
属層の一部を化学的に浸食させて多孔化した微粒子固定
形の電極、また特開昭54−60293号の如く、含硫
黄ニッケル塩を含むメッキ浴を用いて電極基体上に電気
メッキを行なう活性金属の電析法により水素過電圧を低
くさせた水素発生用陰極が提案されている。
軟鉄或いはニッケル製のものが工業的に使用されており
、例えば400 ミリ&ル) (tnV)程度の高い水
素過電圧を許容しているため、その改善の必要性が指摘
されている。近年、水素過電圧の低減を目的とした陰極
について、種々の特許出願がなされている。例えば特開
昭55−164491号、特開昭55−131188号
、特開昭56−93885号、特開昭58−16778
8号公報などに示された電極にあっては電極基体上にニ
ッケル、コバルト、銀等の粒子またはこれらの金属とア
ルミニウムその他の金属との合金の粒子を溶着あるいは
銀、亜鉛、マグネシウム、スズなどの保持用金属層中に
一部露出するように埋没させ、場合によっては保持用金
属層の一部を化学的に浸食させて多孔化した微粒子固定
形の電極、また特開昭54−60293号の如く、含硫
黄ニッケル塩を含むメッキ浴を用いて電極基体上に電気
メッキを行なう活性金属の電析法により水素過電圧を低
くさせた水素発生用陰極が提案されている。
これらの提案により比較的低い水素過電圧の陰極を得る
ことは可能であるが、より低い過電圧とすること及び陰
極性能の持続性を大きくすること、或いはより廉価にす
ることなど種々改良の必要性が工業的には望まれる。例
えば前記した微粒子固定形の陰極にあっては、微粒子金
属自体が高価であったり、その調製が容易でない等に加
えて、一般に製法が複雑であり、得られた製品である陰
極の性能がバラツキやすいなど性能安定性に欠ける傾向
にある。また後者の含硫黄のニッケル浴による電気メッ
キにあっては、水素過電圧を十分に低くすることに難が
あシ、場合によっては耐久性が小さいなどの欠点がある
。
ことは可能であるが、より低い過電圧とすること及び陰
極性能の持続性を大きくすること、或いはより廉価にす
ることなど種々改良の必要性が工業的には望まれる。例
えば前記した微粒子固定形の陰極にあっては、微粒子金
属自体が高価であったり、その調製が容易でない等に加
えて、一般に製法が複雑であり、得られた製品である陰
極の性能がバラツキやすいなど性能安定性に欠ける傾向
にある。また後者の含硫黄のニッケル浴による電気メッ
キにあっては、水素過電圧を十分に低くすることに難が
あシ、場合によっては耐久性が小さいなどの欠点がある
。
したがって、本発明の目的は比較的安価な原材料を用い
、極めて容易な手段で水素過電圧の低い例えば30A/
dm”の電流密度において水素過電圧が200 mV以
下、特に110 mV以下であり、しかも長期間安定し
て持続される水素発生用陰極を提供することにある。
、極めて容易な手段で水素過電圧の低い例えば30A/
dm”の電流密度において水素過電圧が200 mV以
下、特に110 mV以下であり、しかも長期間安定し
て持続される水素発生用陰極を提供することにある。
本発明者らは、上記に鑑み鋭意研究の結果、導電性電極
基体に特定した活性物質を%足した電気メッキ手段によ
り存在させることにより、目的とする水素発生用陰極が
容易に得られることを見出し、本発明を提案するに至っ
たものである。即ち、本発明は陰イオン交換膜により陽
極を分離した陰極室において、ニッケルイオンおよびク
ロムイオンを主成分として含有するメッキ浴を用いて、
導電性電極基体の表面にクロム含有率が16〜65重量
−の割合のニッケル−クロム合金を電析させることを特
徴とする水素発生用陰極の製造方法である。
基体に特定した活性物質を%足した電気メッキ手段によ
り存在させることにより、目的とする水素発生用陰極が
容易に得られることを見出し、本発明を提案するに至っ
たものである。即ち、本発明は陰イオン交換膜により陽
極を分離した陰極室において、ニッケルイオンおよびク
ロムイオンを主成分として含有するメッキ浴を用いて、
導電性電極基体の表面にクロム含有率が16〜65重量
−の割合のニッケル−クロム合金を電析させることを特
徴とする水素発生用陰極の製造方法である。
本発明に用いる電極基体は、導電性物質であればよく、
一般に水素発生用陰極として使用する環境下に耐久性の
ある金属を用いる。従ってアルカリ金属塩、特にハロダ
ン化アルカリ金属の電解や水の電解に用いる場合には電
極基体として軟鉄やニッケルを用いるのが好ましい。し
かしながら、銅或いは銅合金の如き良導電性金属、場合
によってはチタン等も使用することができる。また、電
極形状は、電極基体の形状によって定まるものであり該
形状は本発明において特に限定されるものではなく、一
般に電解槽における陰極として使用される形状のものが
用いられる。例えば平板状、網状、パンチトメタル、エ
キスノ母ンドメタル、スダレ状等である。該電極基体は
電気メッキを施すに先立って脱脂、エツチング等の前処
理を施すことが好ましく、その方法は通常のメッキ時に
行われる公知の方法が特に制限なく用いられる。
一般に水素発生用陰極として使用する環境下に耐久性の
ある金属を用いる。従ってアルカリ金属塩、特にハロダ
ン化アルカリ金属の電解や水の電解に用いる場合には電
極基体として軟鉄やニッケルを用いるのが好ましい。し
かしながら、銅或いは銅合金の如き良導電性金属、場合
によってはチタン等も使用することができる。また、電
極形状は、電極基体の形状によって定まるものであり該
形状は本発明において特に限定されるものではなく、一
般に電解槽における陰極として使用される形状のものが
用いられる。例えば平板状、網状、パンチトメタル、エ
キスノ母ンドメタル、スダレ状等である。該電極基体は
電気メッキを施すに先立って脱脂、エツチング等の前処
理を施すことが好ましく、その方法は通常のメッキ時に
行われる公知の方法が特に制限なく用いられる。
本発明において電極基体の表面に被覆させる活性物質で
あるニッケルおよびクロムのIf!f足割合から成る合
金層は、必ずしも電極基体の全表面を覆っていることは
必須ではないが、電極の有効面積を増大させる意味から
は全表面を覆う法が有利である。また、電極基体が例え
ば銅などを用い、それ自体陰極の使用環境下に腐蝕の恐
れのある場合には、当然に該基体の全面(溶液中に浸漬
される部分の全面)を被覆するべきである。また本発明
において、電極基体の表面に被覆させる活性層の組成は
、水素過電圧に対して極めて重要な意味を有し少なくと
もニッケルとクロムよりなる合金であシ、特にニッケル
およびクロム、場合によってその他に表面積を増すため
の第三の成分を加えることも有効であり、さらに不可避
的に混入される他の元素又は化合物を含むことも可能で
ある。この活性層中におけるニッケル(Ni)とクロム
(Cr)との割合、即ち一身−×100は16〜65(
重Ni + Cr 量チ)の範囲である必要がある。クロムの含有率がこの
範囲をはずれると驚く程に水素過電圧が増大する。この
ように、ニッケルとクロムの特定割合の合金に限って何
故に斯くも水素過電圧が低くなるのか本発明者等も十分
に説明しないが、電気メッキ手段によりニッケルとクロ
ムとを特定の比率の範囲内に共析させるとき、特殊な結
晶あるいは形態をとって基体上に付着し、微結晶或いは
結晶の歪をもたらすことにより、触媒能を向上させるた
めでかいかと推察している。実際、該共析物′tl−X
線回析において分析すると、非常にブロードなピークが
得られ、それが活性と関連しているのではないかとも考
えられる。
あるニッケルおよびクロムのIf!f足割合から成る合
金層は、必ずしも電極基体の全表面を覆っていることは
必須ではないが、電極の有効面積を増大させる意味から
は全表面を覆う法が有利である。また、電極基体が例え
ば銅などを用い、それ自体陰極の使用環境下に腐蝕の恐
れのある場合には、当然に該基体の全面(溶液中に浸漬
される部分の全面)を被覆するべきである。また本発明
において、電極基体の表面に被覆させる活性層の組成は
、水素過電圧に対して極めて重要な意味を有し少なくと
もニッケルとクロムよりなる合金であシ、特にニッケル
およびクロム、場合によってその他に表面積を増すため
の第三の成分を加えることも有効であり、さらに不可避
的に混入される他の元素又は化合物を含むことも可能で
ある。この活性層中におけるニッケル(Ni)とクロム
(Cr)との割合、即ち一身−×100は16〜65(
重Ni + Cr 量チ)の範囲である必要がある。クロムの含有率がこの
範囲をはずれると驚く程に水素過電圧が増大する。この
ように、ニッケルとクロムの特定割合の合金に限って何
故に斯くも水素過電圧が低くなるのか本発明者等も十分
に説明しないが、電気メッキ手段によりニッケルとクロ
ムとを特定の比率の範囲内に共析させるとき、特殊な結
晶あるいは形態をとって基体上に付着し、微結晶或いは
結晶の歪をもたらすことにより、触媒能を向上させるた
めでかいかと推察している。実際、該共析物′tl−X
線回析において分析すると、非常にブロードなピークが
得られ、それが活性と関連しているのではないかとも考
えられる。
本発明は、特定した組成割合のニッケルおよびクロムよ
りなる活性物質を電気メツキ手段により電極基体の表面
に被覆させて、目的とする水素過電圧の低い水素発生用
陰極を得るために、陰イオン交換膜で陽極を分離した陰
極室において該電気メッキを実施することが極めて重要
である。即ち、本発明の製造方法によれば、陰イオン交
換膜を用いることのない(陽極を分離することなく)通
常の電気メツキ法に比べて、電極基体とメッキ層との密
着性(耐久性)が良好で水素過電圧が低い水素発生用陰
極を得ることが出来るばかりでなく。
りなる活性物質を電気メツキ手段により電極基体の表面
に被覆させて、目的とする水素過電圧の低い水素発生用
陰極を得るために、陰イオン交換膜で陽極を分離した陰
極室において該電気メッキを実施することが極めて重要
である。即ち、本発明の製造方法によれば、陰イオン交
換膜を用いることのない(陽極を分離することなく)通
常の電気メツキ法に比べて、電極基体とメッキ層との密
着性(耐久性)が良好で水素過電圧が低い水素発生用陰
極を得ることが出来るばかりでなく。
またメッキ浴の寿命が向上するため、目的の水素発生用
陰極を効率よく多量に得ることが出来る。
陰極を効率よく多量に得ることが出来る。
このような本発明において発揮される作用効果は、1陽
極が陰イオン交換膜により分離されているため、該陽極
で発生する酸素及び陽極によって陰極室におけるメッキ
浴のクロムイオンCTS+がCr に酸化されないこ
と、またメッキ浴中のジメチルホルムアミド(DMF
)など非水溶媒が酸化されないことなどに起因すると推
察される。
極が陰イオン交換膜により分離されているため、該陽極
で発生する酸素及び陽極によって陰極室におけるメッキ
浴のクロムイオンCTS+がCr に酸化されないこ
と、またメッキ浴中のジメチルホルムアミド(DMF
)など非水溶媒が酸化されないことなどに起因すると推
察される。
本発明において用いる陽極としては、一般に例えばチタ
ン、チタンーノぐラジウム合金などによりなる不溶性陽
極が好ましく用いられる。また、陰イオン交換膜として
は、陰イオン選択透過性を有する公知のイオン交換膜が
特に制限なく用いられる。
ン、チタンーノぐラジウム合金などによりなる不溶性陽
極が好ましく用いられる。また、陰イオン交換膜として
は、陰イオン選択透過性を有する公知のイオン交換膜が
特に制限なく用いられる。
本発明に用いるメッキ浴の主成分であるニッケルイオン
としては、例えば塩化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニ
ッケル、臭化ニッケル等で、またクロムイオンとしては
例えば塩化クロム、硫酸クロム、フッ化クロム、硝酸ク
ロム等である。
としては、例えば塩化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニ
ッケル、臭化ニッケル等で、またクロムイオンとしては
例えば塩化クロム、硫酸クロム、フッ化クロム、硝酸ク
ロム等である。
電気メッキは、上記した電気メツキ装置の陰、陽極室に
、ニッケルイオン及びクロムイオンを含有するメッキ浴
を供給し、クロム含有率が16〜65重tチの割合でニ
ッケル−クロム合金を電析させることにより行なわれる
。 、 この際、 一般にニッケルイオンとクロムイオンは析出
(還元)電位に差があるため、通常両イオンの存在下で
基体上に電析を行うとクロムtittとんど析出しない
。従って、このとき得られるものを陰極として用いた場
合には、水素過電圧は250rnV以上で極めて高い値
となる。
、ニッケルイオン及びクロムイオンを含有するメッキ浴
を供給し、クロム含有率が16〜65重tチの割合でニ
ッケル−クロム合金を電析させることにより行なわれる
。 、 この際、 一般にニッケルイオンとクロムイオンは析出
(還元)電位に差があるため、通常両イオンの存在下で
基体上に電析を行うとクロムtittとんど析出しない
。従って、このとき得られるものを陰極として用いた場
合には、水素過電圧は250rnV以上で極めて高い値
となる。
従って、ニッケルとクロムの合金メッキを行うためには
、両者の還元電位を接近させることが必要となる。ニッ
ケルとクロムの合金メッキ浴については種々の研究が行
われているが、実用化されたものはほとんどないといっ
てよい。これらの合金メッキ浴としては、[ジャーナル
・オブ・エレクトロケミカル・ ソ・サエ“ティJ (
J、 El@etro −ch@m、 Boa−)誌1
18巻1563頁(1971)に示されているようにア
セトアミド−ホルムアミド浴がありその他にも「トラン
ス・インスト・メタルーフ4 二yシングJ (Tra
nce、In5t、Metal。
、両者の還元電位を接近させることが必要となる。ニッ
ケルとクロムの合金メッキ浴については種々の研究が行
われているが、実用化されたものはほとんどないといっ
てよい。これらの合金メッキ浴としては、[ジャーナル
・オブ・エレクトロケミカル・ ソ・サエ“ティJ (
J、 El@etro −ch@m、 Boa−)誌1
18巻1563頁(1971)に示されているようにア
セトアミド−ホルムアミド浴がありその他にも「トラン
ス・インスト・メタルーフ4 二yシングJ (Tra
nce、In5t、Metal。
Finishing )誌148巻(1971)に示さ
れているようにジメチルホルムアミド浴、その他メタノ
ール浴、ホウフッ化浴、硫酸浴等がある。その他にも種
々存在するが、特に水溶液系では析出物中のクロム含有
率は一般に低い。したがって、クロムの含有率を高める
ためには、メッキ浴中にジメチルホルムアミド等の非水
溶媒を添加して析出物中のクロム含有率を高めることが
好ましい。
れているようにジメチルホルムアミド浴、その他メタノ
ール浴、ホウフッ化浴、硫酸浴等がある。その他にも種
々存在するが、特に水溶液系では析出物中のクロム含有
率は一般に低い。したがって、クロムの含有率を高める
ためには、メッキ浴中にジメチルホルムアミド等の非水
溶媒を添加して析出物中のクロム含有率を高めることが
好ましい。
本発明においては、析出物中のクロム含有率を16〜6
5重量−近くまで高められる浴であればよく、特に限定
される本のではなく第1表に示すものなどが用いられる
。尚、第1表における溶媒は、水ニジメチルホルムアミ
ド= 1 : 1 (D 混合物である。
5重量−近くまで高められる浴であればよく、特に限定
される本のではなく第1表に示すものなどが用いられる
。尚、第1表における溶媒は、水ニジメチルホルムアミ
ド= 1 : 1 (D 混合物である。
第1表
本発明において特定した所望のクロム含有率を得るため
には、一般にメッキ浴中のニッケルイオンとクロムとの
割合を変化させたり、或いは電流密度を変化させること
により達成される。即ち、基体上に電析させる被覆物中
のクロム含有量を多くしたい場合には、浴中のクロムイ
オン濃度を高くすればよい。浴組成と電着物中のクロム
含有率の関係は、用いる浴の種類によって異なるが、例
えばジメチルホルムアミド浴においてニッケルとクロム
の重量比を変えた場合には、メッキ浴中のロム含有率(
%)とはほぼ比例関係となる。このほか浴中の声、温度
、電流密度によりても多少の相違は生ずるが、実施する
にあたシ予備的に調べることにより、容易にそれらの関
係を知ることができる。例えば他の条件が一定の場合、
電流密度が小さいほど電析物中のニッケル含有率が増す
傾向にある。従って電流密度は0.1〜30 A/dm
”の範囲を用いればよいが、浴中のニッケルイオンとク
ロムイオンのモル比(Cr/Ni)が少さい場合には電
流密度を高くシ、前記モル比が大きい場合には電流密度
を小さくして実施すれば好結果をもたらす。また、メッ
キ時の−、温度は、例えば−12、温度25℃付近で行
なわれることが一般的であるが、該条件もメッキ浴の種
類等により適宜選定される。
には、一般にメッキ浴中のニッケルイオンとクロムとの
割合を変化させたり、或いは電流密度を変化させること
により達成される。即ち、基体上に電析させる被覆物中
のクロム含有量を多くしたい場合には、浴中のクロムイ
オン濃度を高くすればよい。浴組成と電着物中のクロム
含有率の関係は、用いる浴の種類によって異なるが、例
えばジメチルホルムアミド浴においてニッケルとクロム
の重量比を変えた場合には、メッキ浴中のロム含有率(
%)とはほぼ比例関係となる。このほか浴中の声、温度
、電流密度によりても多少の相違は生ずるが、実施する
にあたシ予備的に調べることにより、容易にそれらの関
係を知ることができる。例えば他の条件が一定の場合、
電流密度が小さいほど電析物中のニッケル含有率が増す
傾向にある。従って電流密度は0.1〜30 A/dm
”の範囲を用いればよいが、浴中のニッケルイオンとク
ロムイオンのモル比(Cr/Ni)が少さい場合には電
流密度を高くシ、前記モル比が大きい場合には電流密度
を小さくして実施すれば好結果をもたらす。また、メッ
キ時の−、温度は、例えば−12、温度25℃付近で行
なわれることが一般的であるが、該条件もメッキ浴の種
類等により適宜選定される。
電極基体上に電析させる被覆層の厚さは1%に限定され
ないが、あまりに薄い場合は当然効果は減少する。従っ
て1通常10〜150μの範囲、好ましくは15〜10
0μ程度とするのがよい。
ないが、あまりに薄い場合は当然効果は減少する。従っ
て1通常10〜150μの範囲、好ましくは15〜10
0μ程度とするのがよい。
それ以上厚くしても性能は変わらない。
上述の方法によってクロム含有率16〜65重量%、好
ましくは30〜60重量%、中でも35〜50重量−の
クロム含有率において驚異的に水素過電圧の低い陰極が
得られる。
ましくは30〜60重量%、中でも35〜50重量−の
クロム含有率において驚異的に水素過電圧の低い陰極が
得られる。
本発明によれば、導電性を有する物質、好ましくは鉄、
ニッケル或いはこれらの金属を一成分とする合金等の金
楓よりなる電極基体の表面にクロム含有率16〜65重
量−のニッケル−クロム合金よりなる活性物質を被覆す
るため、得られる陰極は極めて低い水素過電圧、例えば
30 A/ dm”の電流密度における水素過電圧を1
00mV以下とすることも可能で且つ耐久性にも優れる
。かかる作用効果を生ずる理由は必ずしも明らかではな
いが、前記したように陰イオン交換膜を用いることによ
りメッキ時にりロムイオンCr +DMF等の非水溶
媒が酸化されることが防止され、ニッケルにクロムが混
入することにより、ニッケルの結晶に歪が生じたシ、或
いは微細な結晶の生成をもたらし、これが陰極とじ穴場
合に水素過電圧の驚異的な低下という作用効果を生ずる
ものと推察される。
ニッケル或いはこれらの金属を一成分とする合金等の金
楓よりなる電極基体の表面にクロム含有率16〜65重
量−のニッケル−クロム合金よりなる活性物質を被覆す
るため、得られる陰極は極めて低い水素過電圧、例えば
30 A/ dm”の電流密度における水素過電圧を1
00mV以下とすることも可能で且つ耐久性にも優れる
。かかる作用効果を生ずる理由は必ずしも明らかではな
いが、前記したように陰イオン交換膜を用いることによ
りメッキ時にりロムイオンCr +DMF等の非水溶
媒が酸化されることが防止され、ニッケルにクロムが混
入することにより、ニッケルの結晶に歪が生じたシ、或
いは微細な結晶の生成をもたらし、これが陰極とじ穴場
合に水素過電圧の驚異的な低下という作用効果を生ずる
ものと推察される。
また、本発明によれば陽極で発生する酸素及び陽極によ
ってOr が酸化することによるCr の蓄積やD
MF等の非水溶媒が酸化されることが防止されるため、
メッキ浴の寿命も長< 、 c r5 + 、Ns 2
+の不足分を補うことにより電着物の付着強度を低下さ
せることなく、効率的に陰極を製造することが出来る。
ってOr が酸化することによるCr の蓄積やD
MF等の非水溶媒が酸化されることが防止されるため、
メッキ浴の寿命も長< 、 c r5 + 、Ns 2
+の不足分を補うことにより電着物の付着強度を低下さ
せることなく、効率的に陰極を製造することが出来る。
陰イオン交換膜を使用しない場合は、クロムの3価イオ
ン(Cr”)の量は、電析した分の他に、陽極及び陽極
で発生する酸素によってCr に酸化された分も減少
する。従って、陰イオン交換膜を使用しないとメッキ本
数を重ねるにつれてCr が蓄積し、同一の電気量を
流しても電着量が減少するし、電着物中のNiとCrの
比も不安定となシやすい。
ン(Cr”)の量は、電析した分の他に、陽極及び陽極
で発生する酸素によってCr に酸化された分も減少
する。従って、陰イオン交換膜を使用しないとメッキ本
数を重ねるにつれてCr が蓄積し、同一の電気量を
流しても電着量が減少するし、電着物中のNiとCrの
比も不安定となシやすい。
ま九、DMF等の非水溶媒も酸化されて蓄積するため、
電析物の付着強度が低下する。そのため、電析物中のN
iとCrの比が16〜65重量%であっても、メッキ本
数を重ねるにつれて、電析物の付着強度が低下するため
、水素過電圧が上昇し。
電析物の付着強度が低下する。そのため、電析物中のN
iとCrの比が16〜65重量%であっても、メッキ本
数を重ねるにつれて、電析物の付着強度が低下するため
、水素過電圧が上昇し。
耐久性も低下する。
以下、本発明の実施例を示すが本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
実施例1
第2表に示すメッキ浴を1!調整し、陰イオン交換膜を
介して陽極室と陰極室を有する電気メツキ装置の陰極室
及び陽極室に入れた。
介して陽極室と陰極室を有する電気メツキ装置の陰極室
及び陽極室に入れた。
陰イオン交換膜としては徳山1達■製陰イオン交換膜、
NEO8EPTA@ ACLE−5P 、陽極にはTl
−Pt電極を用いて、0.5 dm”の大きさの軟鋼製
エキスバンドメタル(8W3關、LW6mm、板厚1.
5關)にNi−Cr合金メッキを施した。電流密度は5
A/dm”で電気量は20,0OOQとした。この場合
のメッキ本数と陰極室中のN12+、Cr” 、 Cr
’+の濃度変化の関係を第1図、又、メッキ本数と合金
組成(Cr含有率)、電析量および得られた電極の、水
素過電圧(90℃、IIN NaOH130A/dm”
時)の関係を第3表に示した。更にこのようにして得ら
れた1本目と5本目の電極の上記環境下(90°C1I
INNaOR,30A/ dm”時)における耐久性試
験結果を第2図に示した。
NEO8EPTA@ ACLE−5P 、陽極にはTl
−Pt電極を用いて、0.5 dm”の大きさの軟鋼製
エキスバンドメタル(8W3關、LW6mm、板厚1.
5關)にNi−Cr合金メッキを施した。電流密度は5
A/dm”で電気量は20,0OOQとした。この場合
のメッキ本数と陰極室中のN12+、Cr” 、 Cr
’+の濃度変化の関係を第1図、又、メッキ本数と合金
組成(Cr含有率)、電析量および得られた電極の、水
素過電圧(90℃、IIN NaOH130A/dm”
時)の関係を第3表に示した。更にこのようにして得ら
れた1本目と5本目の電極の上記環境下(90°C1I
INNaOR,30A/ dm”時)における耐久性試
験結果を第2図に示した。
第 2 表
第 3 表
比較例1
陰イオン交換膜を用いない事以外は実施例1と同様にし
て行なった。
て行なった。
メッキ本数とメッキ浴中のNi 、 Cr 、 C
r の関係を第3図に、又、メッキ本数と合金組成、
電析量及び得られた陰極の水素過電圧(90℃、11N
NaOH、30A/d一時)の関係を第4表に示す。更
にこのようにして得られた1本目と2本目の電極を実施
例1と同様な方法で耐久性試験を行なった。
r の関係を第3図に、又、メッキ本数と合金組成、
電析量及び得られた陰極の水素過電圧(90℃、11N
NaOH、30A/d一時)の関係を第4表に示す。更
にこのようにして得られた1本目と2本目の電極を実施
例1と同様な方法で耐久性試験を行なった。
その結果を第2図に示した。
第 4 表
陰イオン交換膜を使用しない場合 (2r5+の量は電
析した分の他にCr6+に代わった分も減少するため、
電着物中のNiとC10比も陰イオン交換膜を使用する
場合と異なること、またCr6+が増すと。
析した分の他にCr6+に代わった分も減少するため、
電着物中のNiとC10比も陰イオン交換膜を使用する
場合と異なること、またCr6+が増すと。
同じ電気量を流しても電着量が減少すること、その他D
MF等が陽極で酸化され電析物の付着強度も低下する。
MF等が陽極で酸化され電析物の付着強度も低下する。
したがって電析物のN1とCrの比がほぼ同じでも水素
過電圧の値が異がるのは、電析量と付着強度が異なるた
めであると推定される。
過電圧の値が異がるのは、電析量と付着強度が異なるた
めであると推定される。
第1図、第2図および第3図は、実施例及び比較例の方
法によって得られた電極性能を示す図である。
法によって得られた電極性能を示す図である。
Claims (1)
- 1)陰イオン交換膜により陽極を分離した陰極室におい
て、ニッケルイオンおよびクロムイオンを主成分として
含有するメッキ浴を用いて、導電性電極基体の表面にク
ロム含有率が16〜65重量%のニッケル−クロム合金
を電析させることを特徴とする水素発生用陰極の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61127260A JPH0633485B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 水素発生用陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61127260A JPH0633485B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 水素発生用陰極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62284094A true JPS62284094A (ja) | 1987-12-09 |
JPH0633485B2 JPH0633485B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=14955638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61127260A Expired - Lifetime JPH0633485B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 水素発生用陰極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0633485B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5524970A (en) * | 1978-08-14 | 1980-02-22 | Tokuyama Soda Co Ltd | Cathode production |
JPS55100987A (en) * | 1979-01-26 | 1980-08-01 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Manufacture of cathode for electrolysis |
JPS55131190A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-11 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Preparation of cathode for electrolysis |
JPS57114678A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Cathode for electrolysis |
JPS58153793A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Tokuyama Soda Co Ltd | 電極の製造方法 |
JPS6046387A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-13 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 活性電極の再活性化法 |
JPS6092496A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 低水素過電圧陰極の製造法 |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61127260A patent/JPH0633485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5524970A (en) * | 1978-08-14 | 1980-02-22 | Tokuyama Soda Co Ltd | Cathode production |
JPS55100987A (en) * | 1979-01-26 | 1980-08-01 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Manufacture of cathode for electrolysis |
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JPS6046387A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-13 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 活性電極の再活性化法 |
JPS6092496A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 低水素過電圧陰極の製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0633485B2 (ja) | 1994-05-02 |
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