JPS62281862A - Tcnq錯体 - Google Patents
Tcnq錯体Info
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- JPS62281862A JPS62281862A JP12193886A JP12193886A JPS62281862A JP S62281862 A JPS62281862 A JP S62281862A JP 12193886 A JP12193886 A JP 12193886A JP 12193886 A JP12193886 A JP 12193886A JP S62281862 A JPS62281862 A JP S62281862A
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- tcnq
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- butylisoquinolinium
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性材料等として有用な新規TCNQ(7,
7,8,8−テトラシアノキノジメタン)錯体に関する
。
7,8,8−テトラシアノキノジメタン)錯体に関する
。
T CNQ錯体は、有機半導体として知られる電荷移動
型錯化合物であ)、その構成成分であるTCNQが電子
を受は入れやすく、陽イオンと極めて安定なラジカル塩
を作シ、TCNQ自身が独自に積み重なるという構造的
特徴を有することに起因して高導電性を示す。
型錯化合物であ)、その構成成分であるTCNQが電子
を受は入れやすく、陽イオンと極めて安定なラジカル塩
を作シ、TCNQ自身が独自に積み重なるという構造的
特徴を有することに起因して高導電性を示す。
TCNQ錯体は、軽量、電導の異方性、溶融性、フィル
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質を金属として活かすことができる有利な点を
有し、このため、高機能導電性分子膜、非線形光学材料
、帯電防止剤、分子素子。
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質を金属として活かすことができる有利な点を
有し、このため、高機能導電性分子膜、非線形光学材料
、帯電防止剤、分子素子。
生物素子への応用、電子機能をもつ高秩序分子集合体の
設計に、或は電解コンデンサや電池の固体電解質等、様
々な有機半導体分野に、その利用が大いに期待されてい
る化合物である。
設計に、或は電解コンデンサや電池の固体電解質等、様
々な有機半導体分野に、その利用が大いに期待されてい
る化合物である。
TCNQ錯体に関しては、これまでに多数の含窒素複素
環化合物カチオンTCNQ錯体が合成されているが、用
途をコンデンサに限定した場合、従来検討されてきたT
CNQ錯体はいずれも耐熱性の点で問題を抱えている。
環化合物カチオンTCNQ錯体が合成されているが、用
途をコンデンサに限定した場合、従来検討されてきたT
CNQ錯体はいずれも耐熱性の点で問題を抱えている。
即ち、コンデンサの製造処理過程に於て、ハンダ処理等
の熱に曝される機会が多いこと及び電源回路に於てトラ
ンスの近くに配置されること等の点からコンデンサは熱
的に安定でなくてはならないが、従来の錯体はいずれも
この点で不安要素がある。従って、固体電解コンデンサ
用として有効に使用し得るより耐熱性に優れたTCNQ
錯体の出現が待ち望まれていた。
の熱に曝される機会が多いこと及び電源回路に於てトラ
ンスの近くに配置されること等の点からコンデンサは熱
的に安定でなくてはならないが、従来の錯体はいずれも
この点で不安要素がある。従って、固体電解コンデンサ
用として有効に使用し得るより耐熱性に優れたTCNQ
錯体の出現が待ち望まれていた。
本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので、有
機導電性化合物であシ、種々の電子化学的、或は光化学
的成果が期待できる新規なTCNQ錯体であって、特に
、熱安定性を要求されるコジデンサへの応用価値の高い
、耐熱性に優れたT CNQ錯体を提供することを目的
とする。
機導電性化合物であシ、種々の電子化学的、或は光化学
的成果が期待できる新規なTCNQ錯体であって、特に
、熱安定性を要求されるコジデンサへの応用価値の高い
、耐熱性に優れたT CNQ錯体を提供することを目的
とする。
本発明は、2−(3−メチル)ブチルイソキノリニウム
カチオン(D+)と、7,7.8.8−テトラシアノキ
ノジメタンアニオンラジカル(TCNQo)及び中性T
CNQ (TCNQ’ )とを構成成分とするTCNQ
錯体D+・りTCNQo)・(TCNQo)n(但し、
nは0.5≦n≦2.0なる数を表わす。)の発明であ
る。
カチオン(D+)と、7,7.8.8−テトラシアノキ
ノジメタンアニオンラジカル(TCNQo)及び中性T
CNQ (TCNQ’ )とを構成成分とするTCNQ
錯体D+・りTCNQo)・(TCNQo)n(但し、
nは0.5≦n≦2.0なる数を表わす。)の発明であ
る。
本発明のTCNQ錯体は、例えば下記の如く表わされる
。
。
上式に於て、nは0.5≦n≦2.0 なる任意の数
でよいが、通常は1前後の値をとる。
でよいが、通常は1前後の値をとる。
本発明のTCNQ錯体は、ヨーPイオンI−の還元性T
CNQとを例えばアセトニトリル、ジクロルメタン等適
当な溶媒の存在下で反応させる方法、或は同カチオンの
ハロゲン化物とT CNQのLi塩とをメタンにより容
易に合成することができる。
CNQとを例えばアセトニトリル、ジクロルメタン等適
当な溶媒の存在下で反応させる方法、或は同カチオンの
ハロゲン化物とT CNQのLi塩とをメタンにより容
易に合成することができる。
合成された本発明のT CNQ錯体は、電荷移動錯体特
有の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することが
でき、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトル
の測定から決定することができる。
有の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することが
でき、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトル
の測定から決定することができる。
電気的性質、例えば比抵抗値は、試料粉末をベレットに
成型し二端子法で電流電圧を測定して抵抗値Rを算出し
、次式から求めることができる。
成型し二端子法で電流電圧を測定して抵抗値Rを算出し
、次式から求めることができる。
ρ= R−k/l 0但し、ρは比抵抗値(Ω・cMl
)、Rは抵抗(Ω)、Aは電極接触面積(α2)、tは
試料の厚さくcrn)である。又、熱的性質は、示差走
査熱量(DSC)測定等の熱分析で測定することができ
る。
)、Rは抵抗(Ω)、Aは電極接触面積(α2)、tは
試料の厚さくcrn)である。又、熱的性質は、示差走
査熱量(DSC)測定等の熱分析で測定することができ
る。
本発明のTCNQ錯体は、DSC測定による吸熱点が約
230℃と、固体電解コンデンサ用TCNQ錯体として
もっとも汎用されているn−ブチルイソキノリニウムT
CNQ錯体のそれ(220℃)よシも約10℃高い。こ
れによ、9n−ブチルイソキノリニウムT CNQ錯体
を固体電解コンデンサ用として用いた場合の問題点、即
ち、ハンダ処理等で220℃(n−プチルイソキノリニ
ウムTCNQ錯体の吸熱点)近くになることがあるが、
そうした場合に、電極の酸化アルミ皮膜が剥離し易くな
り、時として電気が流れショートすることがあるという
ような点は全く解消される。即ち、本発明のTCNQ錯
体はn−ブチルイソキノリニウムTCNQ錯体と比べて
吸熱点が約10℃高いことによりハンダ処理等で融解せ
ず、従って酸化アルミ皮膜が剥離するようなことがなく
、コンデンサの寿命が保てる。
230℃と、固体電解コンデンサ用TCNQ錯体として
もっとも汎用されているn−ブチルイソキノリニウムT
CNQ錯体のそれ(220℃)よシも約10℃高い。こ
れによ、9n−ブチルイソキノリニウムT CNQ錯体
を固体電解コンデンサ用として用いた場合の問題点、即
ち、ハンダ処理等で220℃(n−プチルイソキノリニ
ウムTCNQ錯体の吸熱点)近くになることがあるが、
そうした場合に、電極の酸化アルミ皮膜が剥離し易くな
り、時として電気が流れショートすることがあるという
ような点は全く解消される。即ち、本発明のTCNQ錯
体はn−ブチルイソキノリニウムTCNQ錯体と比べて
吸熱点が約10℃高いことによりハンダ処理等で融解せ
ず、従って酸化アルミ皮膜が剥離するようなことがなく
、コンデンサの寿命が保てる。
本発明の新規T CNQ錯体は、n−ブチルインキノリ
ニウムTCNQ錯体同様その単独又は混合品の導電性、
加工及び成形性に優れているので、高機能導電性分子膜
、非線形光学材料、これらめ分子素子。
ニウムTCNQ錯体同様その単独又は混合品の導電性、
加工及び成形性に優れているので、高機能導電性分子膜
、非線形光学材料、これらめ分子素子。
生物素子への応用など電子機能をもつ高秩序分子集合体
の設計に或は電解コンデンサや電池の固体電解質として
等様々な有機半導体分野に於て有効に用い得ることが期
待できるが、特に、熱安定性を要求される電解コンデン
サ用として応用価値の高いTCNQ錯体である。
の設計に或は電解コンデンサや電池の固体電解質として
等様々な有機半導体分野に於て有効に用い得ることが期
待できるが、特に、熱安定性を要求される電解コンデン
サ用として応用価値の高いTCNQ錯体である。
以下に実施例を示す。
〔実施°例〕
実施例1゜
(1) 2− (3−メチル)ブチルイソキノリニウム
アイオダイドの合成 ヨウ化3−メチルブチル25!iとインキノリン16.
3Fを100〜120℃で1時間加熱反応し、冷却後、
固化物をアセトンよシ結晶化させて、黄色粉末晶33.
([’を得た。mp、 117.5〜118.5℃m+
aromatic C3〜CB) + 10.97(I
H,s raromatic C,) 元素分析値(C14H18■N) 計算値:0%51.39.H係5.54.N%4.28
実測値二〇%51.33.H%5.52.N%4.33
(2) 2− (3−メチル)ブチルイソキノリニウム
T CNQ錯体の合成 アセトニトリル150m1にTCNQ 3.06 Fを
加温溶解し、これに(1)で得た2−(3−メチル)ブ
チルイソキノリニウムアイオダイド3.70Flを溶解
したアセトニトリル溶液を滴下して1時間還流を行った
。冷却後析出した結晶を戸数し、アセトニトリルよシ再
結晶してTCNQCN上黒紫色短針状晶4.09を得た
。
アイオダイドの合成 ヨウ化3−メチルブチル25!iとインキノリン16.
3Fを100〜120℃で1時間加熱反応し、冷却後、
固化物をアセトンよシ結晶化させて、黄色粉末晶33.
([’を得た。mp、 117.5〜118.5℃m+
aromatic C3〜CB) + 10.97(I
H,s raromatic C,) 元素分析値(C14H18■N) 計算値:0%51.39.H係5.54.N%4.28
実測値二〇%51.33.H%5.52.N%4.33
(2) 2− (3−メチル)ブチルイソキノリニウム
T CNQ錯体の合成 アセトニトリル150m1にTCNQ 3.06 Fを
加温溶解し、これに(1)で得た2−(3−メチル)ブ
チルイソキノリニウムアイオダイド3.70Flを溶解
したアセトニトリル溶液を滴下して1時間還流を行った
。冷却後析出した結晶を戸数し、アセトニトリルよシ再
結晶してTCNQCN上黒紫色短針状晶4.09を得た
。
比抵抗値:14Ω・αTCNQ’/TCNQ ’比=1
.OO元素分析値(C38H26N? ) 計算値:0%74.98 、 )(%4.31 、 N
チ20.71実測値:0%74.59.N%4.33
、 Nチ21.08DSC:吸熱点、229℃;発熱分
解点、270℃〔発明の効果〕 本発明は、これまでT CNQ錯体に用いられていなか
った2−(3−メチル)ブチルイソキノリニウムカチオ
ンをドナーとして用いた点に特徴を有する発明であり、
従来にない種々の電子化学的、或は光学的成果が期待で
きる新規なTCNQCN上提供し得るものであって、特
に、熱安定性を要求される電解コンデンサ用として応用
価値が高いものである点に顕著な効果を奏するものであ
る。
.OO元素分析値(C38H26N? ) 計算値:0%74.98 、 )(%4.31 、 N
チ20.71実測値:0%74.59.N%4.33
、 Nチ21.08DSC:吸熱点、229℃;発熱分
解点、270℃〔発明の効果〕 本発明は、これまでT CNQ錯体に用いられていなか
った2−(3−メチル)ブチルイソキノリニウムカチオ
ンをドナーとして用いた点に特徴を有する発明であり、
従来にない種々の電子化学的、或は光学的成果が期待で
きる新規なTCNQCN上提供し得るものであって、特
に、熱安定性を要求される電解コンデンサ用として応用
価値が高いものである点に顕著な効果を奏するものであ
る。
特許出願人 和光純薬工業株式会社
Claims (1)
- 2−(3−メチル)ブチルイソキノリニウムカチオン
(D^+)と、7、7、8、8−テトラシアノキノジメ
タンアニオンラジカル(TCNQ^■)及び中性TCN
Q(TCNQ^0)とを構成成分とするTCNQ錯体D
^+・(TCNQ^■)・(TCNQ^0)_n。(但
し、nは0.5≦n≦2.0なる数を表わす。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12193886A JPS62281862A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Tcnq錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12193886A JPS62281862A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Tcnq錯体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281862A true JPS62281862A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14823646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12193886A Pending JPS62281862A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Tcnq錯体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62281862A (ja) |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12193886A patent/JPS62281862A/ja active Pending
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