JPS6263574A - 新規なｔｃｎｑ錯体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電性材ｔ−ｌ等としてイ！用な新規ＴＣＮ
Ｑ錯体に関する。

〔発明の背５；（〕 Ｔ　ＣＮ　Ｑ　２Ｒ体は、イ］機）Ｆ導体として知られ
る電荷移動型錆化合物であり、その構成成分であるＴＣ
ＮＱが電子を受は入れやすく、陽イ才〉′と極めて安定
なラジカルｌＪ！を作り、Ｔ　ＣＮ　Ｑ　１１　！Ａか
独自に積み屯なるという構造的特徴を有することに起因
して高導電性をボす。

ＴＣＮＱ錯体は、軽１−１電導の異方性、溶融性、フィ
ルム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のも
つ特徴的性質を金属として活かすことができるイｉ利な
点を右し、このため、高機能導電性分子ＩＩ９、非線形
光学材料、これらの分Ｆ’　ＪＹ、生物、に子への応用
など、・ｔ２７−機能をもつ高秩［９・分子−集合体の
設二１に、或いは′・し解コンデンサや電池の固体電解
質等、様々な有機半導体分野に、その利用が大いに期待
されている化合物である。

ＴＣＮＱ錯体に関しては、これまでに多数の含窒素複素
−化合物カチオンＴＣＮＱ錯体が合成されているが、本
来ＴＣＮＱ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずη）ずつ構造や性質
を変化させていくことができるので、これによって導’
＋ｈ体として要求される様々な性質の最適化を目的に応
じてはかることがｉｉ（能なため、それら各種ニーズに
対応し得る更に新たなＴＣＮＱ錯体の開発が望まれてい
る。

〔発明の目的〕

本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので電解
重合やエネルギー照射等により重合可能な二重結合をそ
の分子中に導入することにより、これまでにない種々の
展開が期待できる新規なＴＣＮＱ錯体を提供することを
その目的とする。

ゝ　　・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
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１　　　　“　　　　°　　　　。

′−ｐ　　　　　　　　　　　： 〔発明の構成〕 本発明は、ド記（１）〜（８）から成る群より選ばれた
Ｎ−アルケニル置換含窒素複素環化合物のカチオ／（Ｄ
＋）と、？、７，８．８−テトラシアノキノジメタンア
ニオンラジカル（ＴＣＮＱ”）及び中性ＴＣＮＱ（ＴＣ
ＮＱ’）とを構成成分とするＴＣＮＱ錯体（Ｄ”−Ｔ　
ＣＮ　Ｑ″・ＴＣＮＱ”）（但し、式（１）〜（８）中
、Ｒは−ＣＨ２−Ｃ：Ｈ＝ＣＨ２又は−ＣＩ４２ＣＨ２
−ＣＨ＝ＣＨ２を表わす。）の発明である。

本発明の新規ＴＣＮＱ錯体は、ヨードイオンＩ−の原元
性を利用し上記（１）〜（８）から成る群より選ばれた
含窒素複素環化合物カチオンのアイオダイドＤ”Ｉ−と
中性ＴＣＮＱとをモル比３：４で反応させる方法、或い
は同カチオンＤ　のハロゲン化物とＴＣＮＱのＬｉ塩と
を反応させてＤ″ＴＣＮＱ”を得、これに中性ＴＣＮＱ
をドーピングさせる方法等、自体公知の方法により容易
に合成することができる。

合成された本発明ＴＣＮＱ錯体は、電荷移動錯体特有の
色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することができ
、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの測
定から決定することができる。電気的性質、例えば比抵
抗（＋＋’ｉは、試料粉末をペレットに成型し、二端子
法で電旋電圧を測定して、抵抗値Ｒを算出し、次式から
求めることができる。ρ＝　Ｒ−Ａ　／　ｌ。イ１し、
ρは比抵抗イ〆１（Ω・ｃｍ）　、Ｒは抵抗（Ω）、Ａ
は電極接触面積（ｃｍ’）、文は試料の厚さく　ｃｍ）
である。又、熱的性質は、示差走査熱ｆｌ（ＤＳＣ）ｉ
ｌｌｌｌ定等の熱分析で′Ａ１１定することができる。

本発明の新規ＴＣＮＱ錯体は、その分子中に。

電解重合やエネルギτ照射（例えば、電子線照射、紫外
線照射等）等により重合可能な二重結合を有している為
に、用途として種々の展開が考えられ、これまでにない
種々の電子化学的、或は光学的成果が期待でき、これを
高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これらの分子素
子、生物素ｒへの応用など電子機能をもつ高秩序分子集
合体の設計に、或いは電解コンデンサや電池の固体電解
質として１様々な有機半導体分野に於て有効に用い得る
ことが期待できる。

以下に実施例及び参考例を示すが、本発明はこれらの実
施例、参考例によって何等の制約を受けるものではない
。

〔実施例〕

、ｌＪ５例　Ｎ−フルケニル第４級アンモニウムアイオ
ダイド（含窒素複素環化合物カチオンのアイオダイド）
の合成 等モルの４１機塩基及びアルケニルアイオグイドを無ｅ
奴ヌは要すれば適当な４１機溶媒中でｊｔｈ合し、溶媒
の沸点〜１２０℃で反！ａ’；、　０．５−１０１１！
ｉ間イｒな）た。冷却後反応液を処理し、Ｎ−アル太ニ
ル第４級アンモニウムアイオダイ［・が結晶の場合は再
結晶し、又、油状物の場合はカラＪ、々ロマト分＃法に
て精製した。

得られたＮ−アルケニル第４級アンモニウＪ１アイオダ
イドの物性値について表１　（ａ）〜（ｂ）に示す６ 以下余白 実施例　ＴＣＮＱ錯体の合成 アセトニトリル１５０ｍＡ！にＴ　ＣＮ　Ｑ３．０６ｇ
（１５ｍｍｏｌ）を加温溶解し、これに参考例で得たＮ
−アルケニル第４級アンモニウムアイオダイド（１１，
２５ｍ１Ｉｌｏｌ）を溶解したアセトニトリル溶液を滴
ドし、１時間還流を行なった。冷却後析出した結晶を枦
取し、アセトニトリルより再結晶してＴＣＮＱ錯体を得
た。

得られたＴＣＮＱ錯体についての実施結果を表２（ｄ）
〜（ｂ）に示す。

表中、中性ＴｃＮＱ　（−ｆ”ｃＮＱ’と表示）　と７
ニオンラジカルＴＣＮＱ（ＴＣＮＱ”と表示）の錯体構
成比（ＴＣＮＱ’　／ＴＣＮＱ？）は文献（Ａ、　Ｒｅ
ｍｂａｕｍ　ｅｔｃ、。

Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｌｌ、　Ｓａｃ、、　９３．２５
３２　（１９７１））に従い紫外線吸収スペクトルＪｌ
ｌ！定方法で求めた。又、吸熱点及び発熱分解点につい
ては示差走査熱１　　（ＤＳＣ）ｆｉｌｌ＋定で求めた
。Ｄ　Ｓ　ＣＩＩＩ定で吸熱については２つ以−４−の
吸熱点を有する錯体があるが、これはその温度で結晶状
態が変化（相転移）したと考えられる。電気的特性値に
ついては錯体をベレットとし、以下常法に従って試料作
製の後２５°Ｃで電流電圧測定（一端子法）を行ない、
前記計算式に基づいて比抵抗値ρ　（−Ω・ｃｍ）を求
めた。

以丁余白 〔発明の効果〕 以１．慮へた如く、本発明は、これまでＴＣＮＱ錯体に
用いられていなかった前記（１）〜（８）で示される含
窒素複素環化合物のカチオンをドナーとして用いた点に
特徴を有する発明であり、特に１分子中に、電解東金や
エネルギー照射（例えば電子線ｊｊ４ｊ、財、紫外線照
射等）等により東金Ｃ＋７能な二重結合を導入したこと
により、用途として種々の展開が考えられ、従来にない
種々の電子化学的、或いは光化学的成果が期待できる点
にｗＪ箸な効果を奏するものであって、斯業にｓｌ献す
るところ↓１−．だ大なる発明である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記（１）〜（８）から成る群より選ばれたＮ−アルケ
   ニル置換含窒素複素環化合物のカチオン（Ｄ＾＋）と、
   ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンアニオンラ
   ジカル（ＴＣＮＱ＾■）及び中性ＴＣＮＱ（ＴＣＮＱ°
   ）とを構成成分とするＴＣＮＱ錯体（Ｄ＾＋・ＴＣＮＱ
   ＾■・ＴＣＮＱ°）。 （１）▲数式、化学式、表等があります▼（２）▲数式
   、化学式、表等があります▼　 （３）▲数式、化学式、表等があります▼（４）▲数式
   、化学式、表等があります▼ （５）▲数式、化学式、表等があります▼（６）▲数式
   、化学式、表等があります▼ （７）▲数式、化学式、表等があります▼（８）▲数式
   、化学式、表等があります▼ （但し、式（１）〜（８）中、Ｒは−ＣＨ＿２−ＣＨ＝
   ＣＨ＿２又は−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−ＣＨ＝ＣＨ＿２を表
   わす。）