JPS63216868A - Tcnq錯体 - Google Patents
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- JPS63216868A JPS63216868A JP62050565A JP5056587A JPS63216868A JP S63216868 A JPS63216868 A JP S63216868A JP 62050565 A JP62050565 A JP 62050565A JP 5056587 A JP5056587 A JP 5056587A JP S63216868 A JPS63216868 A JP S63216868A
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Landscapes
- Pyridine Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、導電性材料等として有用な新規TCNQ錯体
に関する。
に関する。
TCNQ錯体は、有機半導体として知られる電荷移動型
錯化合物であり、その構成成分であるTCNQが電子を
受は入れ紡く、陽イオンと極めて安定なラジカル塩を作
り、TCNQ自身が独自に積み+(5なるという構造的
特徴を有することに起因して高導電性を示す。
錯化合物であり、その構成成分であるTCNQが電子を
受は入れ紡く、陽イオンと極めて安定なラジカル塩を作
り、TCNQ自身が独自に積み+(5なるという構造的
特徴を有することに起因して高導電性を示す。
TCNQ錯体は、軽量、電導の異方性、溶融性、フィル
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質と金属の性質を併せ有するという有利な点を
有し、この為、高機能導電性分子膜、非線形光学材料、
帯電防出剤、分子素子、生物素子への応用、電f機能を
もつ高検B分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや
電池の固体電解質等、様々な有機半導体分野に、その利
用が大いに期待されている化合物である。
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質と金属の性質を併せ有するという有利な点を
有し、この為、高機能導電性分子膜、非線形光学材料、
帯電防出剤、分子素子、生物素子への応用、電f機能を
もつ高検B分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや
電池の固体電解質等、様々な有機半導体分野に、その利
用が大いに期待されている化合物である。
TCNQ錯体に関しては、これまでに多数の含窒素複素
環化合物カチオンTCNQ錯体が合成されているが、本
来TCNQ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずかずつ構造や性質を
変化させてい〈ことができるので、これによって導電体
として要求される扛々な性質の最適化を目的に応じて図
ることが可能な為、それら各種ニーズに対応し得る史に
新たなTCNQ錯体の開発か望まれている。
環化合物カチオンTCNQ錯体が合成されているが、本
来TCNQ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずかずつ構造や性質を
変化させてい〈ことができるので、これによって導電体
として要求される扛々な性質の最適化を目的に応じて図
ることが可能な為、それら各種ニーズに対応し得る史に
新たなTCNQ錯体の開発か望まれている。
(発明の14的〕
本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので、4
■機導電性化合物であり、種々の電子化学的、或は光化
学的成果が期待できる新規なTCNQ錯体を提供するこ
とを[1的とする。
■機導電性化合物であり、種々の電子化学的、或は光化
学的成果が期待できる新規なTCNQ錯体を提供するこ
とを[1的とする。
本発明は、式
(但し、R1は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基
を示し、R2は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し
、nは1〜3の整数を示す。)で表わされる置換ピリジ
ニウムカチオンと、7,7,8.8−テトラシアノキノ
ジメタンアニオンラジカル(TCNQつ及び中性TCN
Q (TCNQつとを構成成分とするTCNQ錯体の発
明である。
を示し、R2は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し
、nは1〜3の整数を示す。)で表わされる置換ピリジ
ニウムカチオンと、7,7,8.8−テトラシアノキノ
ジメタンアニオンラジカル(TCNQつ及び中性TCN
Q (TCNQつとを構成成分とするTCNQ錯体の発
明である。
本発明のTCNQ錯体は、例えばF記の如く表わされる
。
。
(式中、kは0.5≦に≦2.0なる任意の数を表わす
。) ムカチオンのR1は水素原子又は、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基環炭素数1〜4の直zn
状若しくは分枝状のアルキル基を示し、R2は例えばシ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
環炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し、nは1〜3
の任1位の整数を示す。
。) ムカチオンのR1は水素原子又は、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基環炭素数1〜4の直zn
状若しくは分枝状のアルキル基を示し、R2は例えばシ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
環炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し、nは1〜3
の任1位の整数を示す。
本発明のTCNQ錯体は、自体公知の方法、例えば置換
ピリジニウムカチオンのハロゲン化物とTCNQのLi
塩とを反応させて NQをドーピングさせる方法により容易に合成し得る。
ピリジニウムカチオンのハロゲン化物とTCNQのLi
塩とを反応させて NQをドーピングさせる方法により容易に合成し得る。
置換ピリジニウムカチオンのハロゲン化物は、例えば化
合物X −(C11,)、−H” (式中、Xはハロゲ
ン原子を示し、R2及びnは前記と同じ。)を、要すれ
ば適当な溶媒の存在′ド、ピリジン若しくは置換ピリジ
ンと反応させることにより容易に得ることができるので
、この様にして得たものを用いることで足りる。また、
本発明のTCNQ錯体は、ヨードイオン 1−の還元力
を利用し、置換ビ3:4で反応させる方法によっても同
様に合成し1することは言うまでもない。
合物X −(C11,)、−H” (式中、Xはハロゲ
ン原子を示し、R2及びnは前記と同じ。)を、要すれ
ば適当な溶媒の存在′ド、ピリジン若しくは置換ピリジ
ンと反応させることにより容易に得ることができるので
、この様にして得たものを用いることで足りる。また、
本発明のTCNQ錯体は、ヨードイオン 1−の還元力
を利用し、置換ビ3:4で反応させる方法によっても同
様に合成し1することは言うまでもない。
合成された本発明のTCNQ錯体は、電荷移動錯体特有
の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することがで
き、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの
測定から決定することができる。電気的性質、例えば比
抵抗値は、試料粉末をベレットに成型し二端子法で電流
電圧を測定して抵抗値Rを算出し、次式から求めること
ができる。ρ= R−A / 1 、但し、ρは比抵抗
値(Ω・cm)、 Rは抵抗(Ω)、Aは電極接触面積
(cm″)。
の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することがで
き、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの
測定から決定することができる。電気的性質、例えば比
抵抗値は、試料粉末をベレットに成型し二端子法で電流
電圧を測定して抵抗値Rを算出し、次式から求めること
ができる。ρ= R−A / 1 、但し、ρは比抵抗
値(Ω・cm)、 Rは抵抗(Ω)、Aは電極接触面積
(cm″)。
Uは試料の厚さくcm)である。また、熱的性質は、示
差走査熱!1t(DSC)測定等の熱分析で測定するこ
とができる。
差走査熱!1t(DSC)測定等の熱分析で測定するこ
とができる。
本発明の新規なTCNQ錯体は、特にその単独又は混合
品の導電性、加工及び成形性及び耐熱性に優れているの
で、これを高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これ
らの分子素子、生物素子への応用など電子機能をもつ高
秩序分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや電池の
固体電解質としで等線々な有機半導体分野に於て有効に
用い得ることが期待できる。
品の導電性、加工及び成形性及び耐熱性に優れているの
で、これを高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これ
らの分子素子、生物素子への応用など電子機能をもつ高
秩序分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや電池の
固体電解質としで等線々な有機半導体分野に於て有効に
用い得ることが期待できる。
以下に実施例を示すが、本発明はこわら実施例により何
隻制約を受けるものではない。
隻制約を受けるものではない。
(実施例)
参考例1. 1−シクロヘキシルメチルピリジニウムブ
ロマイドの合成 ピリジン6、:1g (80ミリモル)と臭化シクロヘ
キシルメチル(アルドリッチ社J) 14.2g(80
ミリモル)を115〜125℃で10時間反応させた後
、反応液に酢酸エチルを加えて1時間還流させた。冷却
後、デカンテーションにより酢酸エチル層を除去し油状
物を得た。これを酢酸エチルにより再度イ浄した後、減
圧濃縮して橙赤色粘稠油状物20.1 gを得た(収率
98.0%)。
ロマイドの合成 ピリジン6、:1g (80ミリモル)と臭化シクロヘ
キシルメチル(アルドリッチ社J) 14.2g(80
ミリモル)を115〜125℃で10時間反応させた後
、反応液に酢酸エチルを加えて1時間還流させた。冷却
後、デカンテーションにより酢酸エチル層を除去し油状
物を得た。これを酢酸エチルにより再度イ浄した後、減
圧濃縮して橙赤色粘稠油状物20.1 gを得た(収率
98.0%)。
元素分析値(CI28 +aB r N )理論値(%
;)C: 56.26.H: 7.08. N : 5
.47実測値 (%;)C: 55.97.H: 7.
[:l、 N : 5.4+。
;)C: 56.26.H: 7.08. N : 5
.47実測値 (%;)C: 55.97.H: 7.
[:l、 N : 5.4+。
’HNMRδppm (CDα3) : 0.7:l〜
2.60 (IE。
2.60 (IE。
■、シクDAキシル環水素)、4.89 (2H,d
、J−7112,5N”−C112−)。
、J−7112,5N”−C112−)。
8.12〜9.10(311,m、 ピリジン環−(
:3.(:4.(:5)、 9.61(211,d、
J−5tlx、 ピリジン 環−02,(16)
。
:3.(:4.(:5)、 9.61(211,d、
J−5tlx、 ピリジン 環−02,(16)
。
参考例2〜6.置換ピリジニウムハライド化合物の合成
種々のシクロアルキルハライドとピリジン又は置換とリ
ジンとを用いて、参考例1と同様に反応及び後処理を行
い、対応する置換ピリジニウムハライドを表−1の如く
得た。尚、各化合物は適当な溶媒で再結晶又は十分に洗
浄して積装した。
ジンとを用いて、参考例1と同様に反応及び後処理を行
い、対応する置換ピリジニウムハライドを表−1の如く
得た。尚、各化合物は適当な溶媒で再結晶又は十分に洗
浄して積装した。
参考例7.TCNQ−Li塩の合成
TCNQ [和光純薬T業■製] 20.4g (0,
1モル)をアセトニトリル1.5J2に加温溶解し、こ
れにヨウ化リチウム26.0g(0,2モル)をアセト
ニトリル200m1に溶解した溶液を滴下して還流下1
時間反応させた。反応後、冷却して結晶を枦取し、乾燥
して、紫色粉末品20.0gを得た(収率94.8%)
。
1モル)をアセトニトリル1.5J2に加温溶解し、こ
れにヨウ化リチウム26.0g(0,2モル)をアセト
ニトリル200m1に溶解した溶液を滴下して還流下1
時間反応させた。反応後、冷却して結晶を枦取し、乾燥
して、紫色粉末品20.0gを得た(収率94.8%)
。
参考例8.1−シクロヘキシルメチルピリジニウムTC
NQ単塩の合成 参考例1で得られた1−シクロヘキシルメチルピリジニ
ウムブロマイド3.84 gを、参考例7で得られたT
CNQのLi塩3.17g(15ミリモル)のメタノー
ル180−溶液に加え、還流下2時間反応させた。反応
後、反応液を冷却して結晶を枦取し、洗浄、乾燥して、
!−シクロヘキシルメチルピリジニウムTCNQ単塩3
.6gを黒紫色針状晶として得た(収率 63.0%)
。
NQ単塩の合成 参考例1で得られた1−シクロヘキシルメチルピリジニ
ウムブロマイド3.84 gを、参考例7で得られたT
CNQのLi塩3.17g(15ミリモル)のメタノー
ル180−溶液に加え、還流下2時間反応させた。反応
後、反応液を冷却して結晶を枦取し、洗浄、乾燥して、
!−シクロヘキシルメチルピリジニウムTCNQ単塩3
.6gを黒紫色針状晶として得た(収率 63.0%)
。
元素分析値(C24H2□N6)
理論値 (%)C: 75.76、H: 5.83.
N :I8.41実測値(!l1)C: 75.74.
H: 5.85. N :18.4+。
N :I8.41実測値(!l1)C: 75.74.
H: 5.85. N :18.4+。
DSC:吸熱点188℃:発熱分解点253℃。
参考例9〜13 置換ピリジニウムTCNQ単塩の合
成 参考例2〜6で得られた各種置換ピリジニウムハライド
化合物と参考例7で得られたTCNQ【、i塩を用いて
参考例8と同様に反応及び後処理を行い、対応する置換
ピリジニウムT CN Q ’li塩を得た。結果を表
−2に示す。
成 参考例2〜6で得られた各種置換ピリジニウムハライド
化合物と参考例7で得られたTCNQ【、i塩を用いて
参考例8と同様に反応及び後処理を行い、対応する置換
ピリジニウムT CN Q ’li塩を得た。結果を表
−2に示す。
以下余白
実施例1.1−シクロヘキシルメチルピリジニウムT’
CN Q錯体の合成 参考例8で1ilられたl−シクロヘキシルメチルピリ
ジニウムTCNQ単塩2.66g(7ミリモル)とTC
NQ 1.42g(7ミリモル)をアセトニトリル2
10dに加温溶解し、逼流下2時間反応させた。反応後
、冷却して結晶を枦取し、アセトニトリルよりiIf結
晶して2.94gの黒紫色針状晶を得た く収+
72.0%)。
CN Q錯体の合成 参考例8で1ilられたl−シクロヘキシルメチルピリ
ジニウムTCNQ単塩2.66g(7ミリモル)とTC
NQ 1.42g(7ミリモル)をアセトニトリル2
10dに加温溶解し、逼流下2時間反応させた。反応後
、冷却して結晶を枦取し、アセトニトリルよりiIf結
晶して2.94gの黒紫色針状晶を得た く収+
72.0%)。
元素分析値(C、aH26N O)
理論値 (!l、)C: 7]、96.H: 4.48
. N :21.56実測値 (!ti)C: 7:1
.91.H: 4.5fi、 N :21.53゜比抵
抗値:3Ω・cm。
. N :21.56実測値 (!ti)C: 7:1
.91.H: 4.5fi、 N :21.53゜比抵
抗値:3Ω・cm。
DSC:吸熱点228℃;発熱分解点277℃。
’l’(:N(1’/TCNQ ?比: 1.02゜実
施例 2〜7.各種TCNQ錯体の合成参考例9〜13
で1ilられた種々の置換ピリジニウムTCNQ単塩と
TCNQを用いて、実施例1と同様に反応及び後処理を
行い、対応するTCNQ錯体を得た。結果を表−3に示
す。
施例 2〜7.各種TCNQ錯体の合成参考例9〜13
で1ilられた種々の置換ピリジニウムTCNQ単塩と
TCNQを用いて、実施例1と同様に反応及び後処理を
行い、対応するTCNQ錯体を得た。結果を表−3に示
す。
尚、中性TCNQ(TCNQ’と表示)とアニオンラジ
カルTCNQ(TCNQ”と表示)との錯体構成比(T
CNQ’/TCNQ”)は文献(A、RembauII
Ct al、。
カルTCNQ(TCNQ”と表示)との錯体構成比(T
CNQ’/TCNQ”)は文献(A、RembauII
Ct al、。
、1、Am、 Chem、 Soc、、 ■、 25:
12 (+971))に従い紫外線吸収スペクトル測定
方法で求めた。また、吸熱点及び発熱分解点については
示差走査熱量(OSC)測定で求めた。電気的特性値に
ついては錯体をベレットとし、以下常法に従って試料作
製の後25℃で電流電圧測定(二端子法)を行い、jl
f記計見計算式ついて比抵抗値ρ(Ω・cm )を求め
た。
12 (+971))に従い紫外線吸収スペクトル測定
方法で求めた。また、吸熱点及び発熱分解点については
示差走査熱量(OSC)測定で求めた。電気的特性値に
ついては錯体をベレットとし、以下常法に従って試料作
製の後25℃で電流電圧測定(二端子法)を行い、jl
f記計見計算式ついて比抵抗値ρ(Ω・cm )を求め
た。
(発明の効果〕
以上述べた如く、本発明は、これまでTCNQ錯体に用
いられていなかった置換ピリジニウムカチオンをドナー
として用いた点に特徴を有する発明であり、従来にない
柿々の電子化学的或は光学的成果が期待できる新規なT
CNQ錯体を提供し得るものである点に顕著な効果を奏
するものであり、斯業に貢献するところ大なる発明であ
る。
いられていなかった置換ピリジニウムカチオンをドナー
として用いた点に特徴を有する発明であり、従来にない
柿々の電子化学的或は光学的成果が期待できる新規なT
CNQ錯体を提供し得るものである点に顕著な効果を奏
するものであり、斯業に貢献するところ大なる発明であ
る。
特許出願人相光純薬工業株式会社
手続補正書
昭和63年1ユ日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^1は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル
基を示し、R^2は炭素数3〜6のシクロアルキル基を
示し、nは1〜3の整数を示す。)で表わされる置換ピ
リジニウムカチオンと、7,7,8,8−テトラシアノ
キノジメタンアニオンラジカル(TCNQ■)及び中性
TCNQ(TCNQ■)とを構成成分とするTCNQ錯
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62050565A JPS63216868A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | Tcnq錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62050565A JPS63216868A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | Tcnq錯体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63216868A true JPS63216868A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12862526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62050565A Pending JPS63216868A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | Tcnq錯体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63216868A (ja) |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62050565A patent/JPS63216868A/ja active Pending
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