JPS63216868A - Tcnq錯体 - Google Patents

Tcnq錯体

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Publication number
JPS63216868A
JPS63216868A JP62050565A JP5056587A JPS63216868A JP S63216868 A JPS63216868 A JP S63216868A JP 62050565 A JP62050565 A JP 62050565A JP 5056587 A JP5056587 A JP 5056587A JP S63216868 A JPS63216868 A JP S63216868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tcnq
complex
formula
substituted pyridinium
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP62050565A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikiaki Tanaka
田中 幹晃
Fumiyoshi Urano
文良 浦野
Masaaki Nakahata
中畑 正明
Mamoru Nagoya
名古屋 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Wako Pure Chemical Corp
Original Assignee
Wako Pure Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Wako Pure Chemical Industries Ltd filed Critical Wako Pure Chemical Industries Ltd
Priority to JP62050565A priority Critical patent/JPS63216868A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、導電性材料等として有用な新規TCNQ錯体
に関する。
〔発明の背景〕
TCNQ錯体は、有機半導体として知られる電荷移動型
錯化合物であり、その構成成分であるTCNQが電子を
受は入れ紡く、陽イオンと極めて安定なラジカル塩を作
り、TCNQ自身が独自に積み+(5なるという構造的
特徴を有することに起因して高導電性を示す。
TCNQ錯体は、軽量、電導の異方性、溶融性、フィル
ム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ
特徴的性質と金属の性質を併せ有するという有利な点を
有し、この為、高機能導電性分子膜、非線形光学材料、
帯電防出剤、分子素子、生物素子への応用、電f機能を
もつ高検B分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや
電池の固体電解質等、様々な有機半導体分野に、その利
用が大いに期待されている化合物である。
TCNQ錯体に関しては、これまでに多数の含窒素複素
環化合物カチオンTCNQ錯体が合成されているが、本
来TCNQ錯体は有機化合物であり、置換基や構成して
いる元素を代えることによってわずかずつ構造や性質を
変化させてい〈ことができるので、これによって導電体
として要求される扛々な性質の最適化を目的に応じて図
ることが可能な為、それら各種ニーズに対応し得る史に
新たなTCNQ錯体の開発か望まれている。
(発明の14的〕 本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので、4
■機導電性化合物であり、種々の電子化学的、或は光化
学的成果が期待できる新規なTCNQ錯体を提供するこ
とを[1的とする。
〔発明の構成〕
本発明は、式 (但し、R1は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基
を示し、R2は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し
、nは1〜3の整数を示す。)で表わされる置換ピリジ
ニウムカチオンと、7,7,8.8−テトラシアノキノ
ジメタンアニオンラジカル(TCNQつ及び中性TCN
Q (TCNQつとを構成成分とするTCNQ錯体の発
明である。
本発明のTCNQ錯体は、例えばF記の如く表わされる
(式中、kは0.5≦に≦2.0なる任意の数を表わす
。) ムカチオンのR1は水素原子又は、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基環炭素数1〜4の直zn
状若しくは分枝状のアルキル基を示し、R2は例えばシ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
環炭素数3〜6のシクロアルキル基を示し、nは1〜3
の任1位の整数を示す。
本発明のTCNQ錯体は、自体公知の方法、例えば置換
ピリジニウムカチオンのハロゲン化物とTCNQのLi
塩とを反応させて NQをドーピングさせる方法により容易に合成し得る。
置換ピリジニウムカチオンのハロゲン化物は、例えば化
合物X −(C11,)、−H” (式中、Xはハロゲ
ン原子を示し、R2及びnは前記と同じ。)を、要すれ
ば適当な溶媒の存在′ド、ピリジン若しくは置換ピリジ
ンと反応させることにより容易に得ることができるので
、この様にして得たものを用いることで足りる。また、
本発明のTCNQ錯体は、ヨードイオン 1−の還元力
を利用し、置換ビ3:4で反応させる方法によっても同
様に合成し1することは言うまでもない。
合成された本発明のTCNQ錯体は、電荷移動錯体特有
の色や電荷移動吸収帯の出現によって識別することがで
き、錯体組成比は元素分析及び紫外線吸収スペクトルの
測定から決定することができる。電気的性質、例えば比
抵抗値は、試料粉末をベレットに成型し二端子法で電流
電圧を測定して抵抗値Rを算出し、次式から求めること
ができる。ρ= R−A / 1 、但し、ρは比抵抗
値(Ω・cm)、 Rは抵抗(Ω)、Aは電極接触面積
(cm″)。
Uは試料の厚さくcm)である。また、熱的性質は、示
差走査熱!1t(DSC)測定等の熱分析で測定するこ
とができる。
本発明の新規なTCNQ錯体は、特にその単独又は混合
品の導電性、加工及び成形性及び耐熱性に優れているの
で、これを高機能導電性分子膜、非線形光学材料、これ
らの分子素子、生物素子への応用など電子機能をもつ高
秩序分子集合体の設計に、或は電解コンデンサや電池の
固体電解質としで等線々な有機半導体分野に於て有効に
用い得ることが期待できる。
以下に実施例を示すが、本発明はこわら実施例により何
隻制約を受けるものではない。
(実施例) 参考例1. 1−シクロヘキシルメチルピリジニウムブ
ロマイドの合成 ピリジン6、:1g (80ミリモル)と臭化シクロヘ
キシルメチル(アルドリッチ社J) 14.2g(80
ミリモル)を115〜125℃で10時間反応させた後
、反応液に酢酸エチルを加えて1時間還流させた。冷却
後、デカンテーションにより酢酸エチル層を除去し油状
物を得た。これを酢酸エチルにより再度イ浄した後、減
圧濃縮して橙赤色粘稠油状物20.1 gを得た(収率
 98.0%)。
元素分析値(CI28 +aB r N )理論値(%
;)C: 56.26.H: 7.08. N : 5
.47実測値 (%;)C: 55.97.H: 7.
[:l、 N : 5.4+。
’HNMRδppm (CDα3) : 0.7:l〜
2.60 (IE。
■、シクDAキシル環水素)、4.89 (2H,d 
、J−7112,5N”−C112−)。
8.12〜9.10(311,m、  ピリジン環−(
:3.(:4.(:5)、  9.61(211,d、
  J−5tlx、  ピリジン 環−02,(16)
参考例2〜6.置換ピリジニウムハライド化合物の合成 種々のシクロアルキルハライドとピリジン又は置換とリ
ジンとを用いて、参考例1と同様に反応及び後処理を行
い、対応する置換ピリジニウムハライドを表−1の如く
得た。尚、各化合物は適当な溶媒で再結晶又は十分に洗
浄して積装した。
参考例7.TCNQ−Li塩の合成 TCNQ [和光純薬T業■製] 20.4g (0,
1モル)をアセトニトリル1.5J2に加温溶解し、こ
れにヨウ化リチウム26.0g(0,2モル)をアセト
ニトリル200m1に溶解した溶液を滴下して還流下1
時間反応させた。反応後、冷却して結晶を枦取し、乾燥
して、紫色粉末品20.0gを得た(収率94.8%)
参考例8.1−シクロヘキシルメチルピリジニウムTC
NQ単塩の合成 参考例1で得られた1−シクロヘキシルメチルピリジニ
ウムブロマイド3.84 gを、参考例7で得られたT
CNQのLi塩3.17g(15ミリモル)のメタノー
ル180−溶液に加え、還流下2時間反応させた。反応
後、反応液を冷却して結晶を枦取し、洗浄、乾燥して、
!−シクロヘキシルメチルピリジニウムTCNQ単塩3
.6gを黒紫色針状晶として得た(収率 63.0%)
元素分析値(C24H2□N6) 理論値 (%)C: 75.76、H: 5.83. 
N :I8.41実測値(!l1)C: 75.74.
H: 5.85. N :18.4+。
DSC:吸熱点188℃:発熱分解点253℃。
参考例9〜13  置換ピリジニウムTCNQ単塩の合
成 参考例2〜6で得られた各種置換ピリジニウムハライド
化合物と参考例7で得られたTCNQ【、i塩を用いて
参考例8と同様に反応及び後処理を行い、対応する置換
ピリジニウムT CN Q ’li塩を得た。結果を表
−2に示す。
以下余白 実施例1.1−シクロヘキシルメチルピリジニウムT’
 CN Q錯体の合成 参考例8で1ilられたl−シクロヘキシルメチルピリ
ジニウムTCNQ単塩2.66g(7ミリモル)とTC
NQ  1.42g(7ミリモル)をアセトニトリル2
10dに加温溶解し、逼流下2時間反応させた。反応後
、冷却して結晶を枦取し、アセトニトリルよりiIf結
晶して2.94gの黒紫色針状晶を得た  く収+  
72.0%)。
元素分析値(C、aH26N O) 理論値 (!l、)C: 7]、96.H: 4.48
. N :21.56実測値 (!ti)C: 7:1
.91.H: 4.5fi、 N :21.53゜比抵
抗値:3Ω・cm。
DSC:吸熱点228℃;発熱分解点277℃。
’l’(:N(1’/TCNQ ?比: 1.02゜実
施例 2〜7.各種TCNQ錯体の合成参考例9〜13
で1ilられた種々の置換ピリジニウムTCNQ単塩と
TCNQを用いて、実施例1と同様に反応及び後処理を
行い、対応するTCNQ錯体を得た。結果を表−3に示
す。
尚、中性TCNQ(TCNQ’と表示)とアニオンラジ
カルTCNQ(TCNQ”と表示)との錯体構成比(T
CNQ’/TCNQ”)は文献(A、RembauII
Ct al、。
、1、Am、 Chem、 Soc、、 ■、 25:
12 (+971))に従い紫外線吸収スペクトル測定
方法で求めた。また、吸熱点及び発熱分解点については
示差走査熱量(OSC)測定で求めた。電気的特性値に
ついては錯体をベレットとし、以下常法に従って試料作
製の後25℃で電流電圧測定(二端子法)を行い、jl
f記計見計算式ついて比抵抗値ρ(Ω・cm )を求め
た。
(発明の効果〕 以上述べた如く、本発明は、これまでTCNQ錯体に用
いられていなかった置換ピリジニウムカチオンをドナー
として用いた点に特徴を有する発明であり、従来にない
柿々の電子化学的或は光学的成果が期待できる新規なT
CNQ錯体を提供し得るものである点に顕著な効果を奏
するものであり、斯業に貢献するところ大なる発明であ
る。
特許出願人相光純薬工業株式会社 手続補正書 昭和63年1ユ日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^1は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル
    基を示し、R^2は炭素数3〜6のシクロアルキル基を
    示し、nは1〜3の整数を示す。)で表わされる置換ピ
    リジニウムカチオンと、7,7,8,8−テトラシアノ
    キノジメタンアニオンラジカル(TCNQ■)及び中性
    TCNQ(TCNQ■)とを構成成分とするTCNQ錯
    体。
JP62050565A 1987-03-05 1987-03-05 Tcnq錯体 Pending JPS63216868A (ja)

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