JPS62280377A - 磁気記録媒体の剥離方法 - Google Patents
磁気記録媒体の剥離方法Info
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- JPS62280377A JPS62280377A JP12413886A JP12413886A JPS62280377A JP S62280377 A JPS62280377 A JP S62280377A JP 12413886 A JP12413886 A JP 12413886A JP 12413886 A JP12413886 A JP 12413886A JP S62280377 A JPS62280377 A JP S62280377A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 cerium ion Chemical class 0.000 claims 1
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 229910002514 Co–Co Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化剤を成分とする溶液を用いて磁性層と保
護膜をff1l+離する石i1気記録媒体の剥離方法に
関する。
護膜をff1l+離する石i1気記録媒体の剥離方法に
関する。
従来、磁気ディスク装置で使用できない磁気記録媒体の
再利用法には、非磁性層までの研磨と、または硝酸等に
より強力に磁気記録媒体上の非磁性層の一部までエツチ
ングする方法とがあった。
再利用法には、非磁性層までの研磨と、または硝酸等に
より強力に磁気記録媒体上の非磁性層の一部までエツチ
ングする方法とがあった。
しかしながら、非磁性層まで再研磨する方法では、非磁
性層の膜厚を再研磨することを考慮して、非磁性層の膜
厚を厚めに管理する必要がある。また、強力にエツチン
グする方法では、非磁性基板もエツチングしてしまうた
め、表面粗さが悪化し再研磨が必要になるという問題点
を有する。
性層の膜厚を再研磨することを考慮して、非磁性層の膜
厚を厚めに管理する必要がある。また、強力にエツチン
グする方法では、非磁性基板もエツチングしてしまうた
め、表面粗さが悪化し再研磨が必要になるという問題点
を有する。
そこで本発明は11以上の問題点を解決することを目的
とするものであり、その目的は、不良の磁気記録媒体の
再研磨を行なうことなく、また初めに研磨した非磁性基
板の表面粗さを磁性層と保8W゛膜を!?11離した後
でも同じ水率に維持し、再利用可能な基板を製造すると
ころにある。
とするものであり、その目的は、不良の磁気記録媒体の
再研磨を行なうことなく、また初めに研磨した非磁性基
板の表面粗さを磁性層と保8W゛膜を!?11離した後
でも同じ水率に維持し、再利用可能な基板を製造すると
ころにある。
本発明の剥離方法は、酸化剤、例えばCe”イオンを含
む水溶液、または、Mn”イオンを含む水溶液に、めっ
き型磁気記録媒体を20分間以内浸漬することを特徴と
する。
む水溶液、または、Mn”イオンを含む水溶液に、めっ
き型磁気記録媒体を20分間以内浸漬することを特徴と
する。
本発明で用いる、酸化剤を含む水溶液に20分より長く
浸漬すると、6■性層の下の非磁性層をかなりエツチン
グして表面粗さが劣化し、その状態では再研磨しなけれ
ば再利用できない、そのため上述の範囲が望ましい。
浸漬すると、6■性層の下の非磁性層をかなりエツチン
グして表面粗さが劣化し、その状態では再研磨しなけれ
ば再利用できない、そのため上述の範囲が望ましい。
磁性めっき皮膜は、主にコバルトやニッケルにより形成
されていて、その皮膜を溶解させるにはそれぞれの金属
の還元電位の絶対値よりも大きい酸化電位を持った酸化
剤によって酸化させることが必要である。そこでコバル
ト、ニッケルの還元電位、セリウムやマンガンの塩酸溶
〆夜中の酸化電位を水素電極を基準に25℃の液温で測
定すると次のとおりになる。
されていて、その皮膜を溶解させるにはそれぞれの金属
の還元電位の絶対値よりも大きい酸化電位を持った酸化
剤によって酸化させることが必要である。そこでコバル
ト、ニッケルの還元電位、セリウムやマンガンの塩酸溶
〆夜中の酸化電位を水素電極を基準に25℃の液温で測
定すると次のとおりになる。
酸化・還元電位
Co−Co”+2e−−0,277V
Ni→Ni”+ 2 e−−0,250VCe”+e−
4Ce” +1. 6 10VMn”+e−
Mn”° +1. 510Vこのように、セリ
ウムやマンガンの酸化電位はコバルトやニッケルの還元
電位よりも大きく、磁性層はヱII離が可能である。
4Ce” +1. 6 10VMn”+e−
Mn”° +1. 510Vこのように、セリ
ウムやマンガンの酸化電位はコバルトやニッケルの還元
電位よりも大きく、磁性層はヱII離が可能である。
また保護膜は、通常これらの酸化剤でも溶解されること
が難しい。しかし、この保護膜はピンホールが情無であ
ることはなく、保護膜の膜厚がコくなればなるほどピン
ホールが増加する。そしてこのピンホールから剥離液中
のイオンが磁性層を攻撃して溶解させることになり、そ
の結果として保護膜と磁性層との密着性が無くなり、磁
性層と保護膜が同時に剥離できるのである。
が難しい。しかし、この保護膜はピンホールが情無であ
ることはなく、保護膜の膜厚がコくなればなるほどピン
ホールが増加する。そしてこのピンホールから剥離液中
のイオンが磁性層を攻撃して溶解させることになり、そ
の結果として保護膜と磁性層との密着性が無くなり、磁
性層と保護膜が同時に剥離できるのである。
硫酸セリウムまたは硝酸セリウムアンモニウムを0 、
1 m o 1 / l i8解させた溶液に、非磁
性層がアルミニウムとニッケルーリン合金で構成させた
M+ffl上に、コバルト−ニッケルーリン合金と有機
系保護膜を形成させた磁気記録媒体を、1分〜30分間
浸漬させた。その基板は磁性の有無を試料振動型磁力計
で調べ、表面粗さは剥離前後の非磁性基板を、触針径2
.5μmのタリサーフにより測定し、中心線平均粗さ:
RaCμm)、最大粗さ:’Rmax(μm)を、サン
プル数を10として平均値を求め第1表に示す。
1 m o 1 / l i8解させた溶液に、非磁
性層がアルミニウムとニッケルーリン合金で構成させた
M+ffl上に、コバルト−ニッケルーリン合金と有機
系保護膜を形成させた磁気記録媒体を、1分〜30分間
浸漬させた。その基板は磁性の有無を試料振動型磁力計
で調べ、表面粗さは剥離前後の非磁性基板を、触針径2
.5μmのタリサーフにより測定し、中心線平均粗さ:
RaCμm)、最大粗さ:’Rmax(μm)を、サン
プル数を10として平均値を求め第1表に示す。
第1表
以上のように、浸漬時間を20分以内にllTlえれば
表面tUさを悪化させることなく、再利用できる基板が
製造できた。
表面tUさを悪化させることなく、再利用できる基板が
製造できた。
〔実施例2〕
過マンガン酸カリウムを0.1mo1/i!溶解させた
溶液に、実施例1と同様に磁気記録媒体を浸漬させ、評
価した。その結果を第2表に示す。
溶液に、実施例1と同様に磁気記録媒体を浸漬させ、評
価した。その結果を第2表に示す。
第2表
以上のように過マンガン酸カリウムでも、実施例1と同
様に、20分間以内の浸漬で再利用可能な基板が製造で
きた。
様に、20分間以内の浸漬で再利用可能な基板が製造で
きた。
以上述べてきたように、本発明により不良になった磁気
記録媒体の再利用が短時間で、また余分な工程を用いな
いで可能になる。
記録媒体の再利用が短時間で、また余分な工程を用いな
いで可能になる。
以 上
Claims (3)
- (1)酸化剤を成分とする溶液に、めっき型磁気記録媒
体を浸漬して磁性層と保護膜を剥離することを特徴とす
る磁気記録媒体の剥離方法。 - (2)酸化剤をセリウムイオン(Ce^4^+)とし、
浸漬時間を20分以内とすることを特徴とする特許請求
の範囲第1項の磁気記録媒体の剥離方法。 - (3)酸化剤をマンガンイオン(Mn^3^+)とし、
浸漬時間を20分以内とすることを特徴とする特許請求
の範囲第1項の磁気記録媒体の剥離方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12413886A JPS62280377A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 磁気記録媒体の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12413886A JPS62280377A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 磁気記録媒体の剥離方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62280377A true JPS62280377A (ja) | 1987-12-05 |
Family
ID=14877860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12413886A Pending JPS62280377A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 磁気記録媒体の剥離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62280377A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5447596A (en) * | 1993-03-10 | 1995-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor wafers |
JP6031159B1 (ja) * | 2015-06-15 | 2016-11-24 | 株式会社Nsc | 磁気記録媒体用再生ガラス基板の生産方法 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP12413886A patent/JPS62280377A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5447596A (en) * | 1993-03-10 | 1995-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor wafers |
JP6031159B1 (ja) * | 2015-06-15 | 2016-11-24 | 株式会社Nsc | 磁気記録媒体用再生ガラス基板の生産方法 |
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