JPS62278507A - 光フイルタおよびそれを用いた光波長多重伝送デバイス - Google Patents
光フイルタおよびそれを用いた光波長多重伝送デバイスInfo
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- JPS62278507A JPS62278507A JP12101086A JP12101086A JPS62278507A JP S62278507 A JPS62278507 A JP S62278507A JP 12101086 A JP12101086 A JP 12101086A JP 12101086 A JP12101086 A JP 12101086A JP S62278507 A JPS62278507 A JP S62278507A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、波長選択性を有する光フィルタおよびその光
フィルタを用いた光波長多重伝送デバイスに関するもの
である。
フィルタを用いた光波長多重伝送デバイスに関するもの
である。
光フアイバ通信における光波長多重伝送技術は通信シス
テムの経済化をはかる上で重要であり。
テムの経済化をはかる上で重要であり。
上記光波長多重伝送において、光合分波器は必須のデバ
イスである。
イスである。
従来、光合分波器の1つに干渉膜フィルタを用いる構成
がある。この干渉膜フィルタを用いた光合分波器は1通
過域、阻止域損失特性1通過帯域幅とも良好な特性が得
られており、広く用いられようとしている(柳井、光通
信ハンドブック、朝倉書店刊、P324〜P331.1
982) 、またこの干渉膜フィルタ構造を応用し、導
波路構造で実現させようとする光フィルタを本発明は先
に提案した(特願昭60−259760号)。これは第
10図に示すように、スラブあるいは3次元光導波路の
導波路層に、所望周期間隔、所望幅で、上記導波路層の
厚さよりも深い溝を光伝搬方向に沿って複数個形成し、
上記溝に導波路層の屈折率と異る屈折率を有する材質の
膜を埋込んだ光フィルタである。
がある。この干渉膜フィルタを用いた光合分波器は1通
過域、阻止域損失特性1通過帯域幅とも良好な特性が得
られており、広く用いられようとしている(柳井、光通
信ハンドブック、朝倉書店刊、P324〜P331.1
982) 、またこの干渉膜フィルタ構造を応用し、導
波路構造で実現させようとする光フィルタを本発明は先
に提案した(特願昭60−259760号)。これは第
10図に示すように、スラブあるいは3次元光導波路の
導波路層に、所望周期間隔、所望幅で、上記導波路層の
厚さよりも深い溝を光伝搬方向に沿って複数個形成し、
上記溝に導波路層の屈折率と異る屈折率を有する材質の
膜を埋込んだ光フィルタである。
上記従来の個別部品型光合分波器の構成では、干渉膜フ
ィルタをガラス平板に蒸着し、上記干渉膜フィルタ付ガ
ラス平板をガラスブロックに接着剤で貼付けており、接
着による貼付けの際に精密な光軸合わせを必要とし、ま
た接着剤の厚さによってガラスブロックへのガラス平板
貼付は角度が変化するため、光を励振しながら精密な位
置や角度を調整する必要がある。また組立て加工時間も
かかりすぎるため、低コスト化が雅しい。さらにガラス
ブロックを鏡面研摩し1寸法精度、角度精度を高めなけ
ればならないため、非常に高価なものとなり量産性が悪
い。また半導体発光素子、受光素子を上記光合分波器と
組合わせて双方向伝送用ハイブリッド光モジュールを構
成しようとすると、組立て加工や光軸調整により時間が
かかり、非常に高価になり、量産がむずかしいという問
題があった。
ィルタをガラス平板に蒸着し、上記干渉膜フィルタ付ガ
ラス平板をガラスブロックに接着剤で貼付けており、接
着による貼付けの際に精密な光軸合わせを必要とし、ま
た接着剤の厚さによってガラスブロックへのガラス平板
貼付は角度が変化するため、光を励振しながら精密な位
置や角度を調整する必要がある。また組立て加工時間も
かかりすぎるため、低コスト化が雅しい。さらにガラス
ブロックを鏡面研摩し1寸法精度、角度精度を高めなけ
ればならないため、非常に高価なものとなり量産性が悪
い。また半導体発光素子、受光素子を上記光合分波器と
組合わせて双方向伝送用ハイブリッド光モジュールを構
成しようとすると、組立て加工や光軸調整により時間が
かかり、非常に高価になり、量産がむずかしいという問
題があった。
第10図の構成は、従来の半導体発光素子や受光素子を
構成するプロセスを用いて、より簡易化。
構成するプロセスを用いて、より簡易化。
経済化がはかれる1チツプモノリシツク型の光フィルタ
が得られるという特徴を有している。しがし、種々の理
論計算を進めていった結果、低屈折率層4の屈折率n(
、を基板の屈折率nsよりも低く設定した場合には光が
基板に漏れ出してしまうため損失が大きくなってしまう
ので、導波路層3の屈折率nHとnLの差を大きく選ぶ
ことが難しいという問題点があった。
が得られるという特徴を有している。しがし、種々の理
論計算を進めていった結果、低屈折率層4の屈折率n(
、を基板の屈折率nsよりも低く設定した場合には光が
基板に漏れ出してしまうため損失が大きくなってしまう
ので、導波路層3の屈折率nHとnLの差を大きく選ぶ
ことが難しいという問題点があった。
本発明の目的は、上記のようにnt、<nsの場合でも
放射損失を少なく抑えることのできる新規構造を提供す
ることにある。
放射損失を少なく抑えることのできる新規構造を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成に
したものである。すなわち、スラブあるいは3次元光導
波路の導波路層に、所望周期間隔。
したものである。すなわち、スラブあるいは3次元光導
波路の導波路層に、所望周期間隔。
所望幅で上記導波路層の厚さよりも深い溝を光伝搬方向
に沿って複数個形成し、上記溝に導波路層の屈折率と異
る屈折率を有する第1の材質の膜を埋込み、鎮護の上に
鎮護の屈折率よりも高い第2の材質の導波路層を形成す
る膜を埋込んで光フィルタを形成したものである。そし
て上記光フィルタを光導波路に少なくとも1個設け、上
記光フィルタを透過した光信号側に、半導体発光素子ま
たは受光素子のいずれか一方、あるいはそれら両方を配
置してモノリシック状に形成することにより。
に沿って複数個形成し、上記溝に導波路層の屈折率と異
る屈折率を有する第1の材質の膜を埋込み、鎮護の上に
鎮護の屈折率よりも高い第2の材質の導波路層を形成す
る膜を埋込んで光フィルタを形成したものである。そし
て上記光フィルタを光導波路に少なくとも1個設け、上
記光フィルタを透過した光信号側に、半導体発光素子ま
たは受光素子のいずれか一方、あるいはそれら両方を配
置してモノリシック状に形成することにより。
光波長多重伝送デバイスを構成したものである。
本発明の光フィルタは導波路上に設けられた反射部を低
屈折率層4及びクラッド、)i15の2層構造で構成し
た点に最大の特徴がある。図10に示した従来の構造で
は、これが単層構造となっており、反射部に入った光の
かなりの部分が基板の側へ漏れ出してしまい大きな損失
を生じてしまう、これに対し、本発明の光フィルタの場
合では反射部に入った光は低屈折率層4とクラッド層5
の境界面で全反射されるので基板に漏れ出さず、損失も
受けない6また、導波路層と反射部との境界面で生じる
放射損失についても、低屈折率層の厚み及びクラッド層
の屈折率を適当に調整することにより十分に小さくする
ことが可能となる。なお、この場合の調整方法として正
規化周波数整合という方法を新しく導入し、簡単な計算
だけで十分な精度の調整が行えるようにしている。
屈折率層4及びクラッド、)i15の2層構造で構成し
た点に最大の特徴がある。図10に示した従来の構造で
は、これが単層構造となっており、反射部に入った光の
かなりの部分が基板の側へ漏れ出してしまい大きな損失
を生じてしまう、これに対し、本発明の光フィルタの場
合では反射部に入った光は低屈折率層4とクラッド層5
の境界面で全反射されるので基板に漏れ出さず、損失も
受けない6また、導波路層と反射部との境界面で生じる
放射損失についても、低屈折率層の厚み及びクラッド層
の屈折率を適当に調整することにより十分に小さくする
ことが可能となる。なお、この場合の調整方法として正
規化周波数整合という方法を新しく導入し、簡単な計算
だけで十分な精度の調整が行えるようにしている。
第1図に本発明の光フィルタの実施例を示す。
(a)は上面図、(b)は(a)のA−A’面での断面
図、(c)は側面図である。1は基板であり、その材質
は半導体、誘電体あるいは磁性体など任意に選んでよい
。3は屈折率rLHをもつ導波路層であり、2はnHよ
りも低い屈折率rlBをもつバッファ層である。4は低
屈折率層であり、nHよりも低い屈折率nしをもってい
る。5はクラッド層であり、その屈折率はnLよりも低
く選ばねばならない。低屈折率層4の下にクラッド層5
を設けた構造は本発明の光フィルタの重要な特徴であり
、これを設けることにより基板1の屈折率nsに無関係
に低屈折率層の屈折率nLを設定することが可能になる
。5のクラッド層を設けない構造では、nLをnsより
も低く設定した場合には光が基板に漏れ出してしまうた
め損失が大きくなってしまうので、nHとn[、の差を
大きく選ぶことが難しかった。図2はクラッド層5を設
けた導波路の損失の計算値を示したものであるが、これ
から解るようにクラッド層5の厚みを増やしてやること
で損失を指数関数的に減少させることが出来る。従って
nしをnsよりも小さく選んだ場合でもクラッド層5を
厚くすることで損失を十分に小さく出来るので、nHと
nしの差を任意に大きくすることが可能となる。nHと
nLの差とフィルタの段数の間には反比例の関係があり
、nllとnLの差を大きくすることが出来るならば少
ない段数でフィルタを構成することが出来るので素子を
大幅に小型化することが可能となる。−例として、1に
InP基板、2にInP、l(低ドーピング)、3にI
nGaAsP層、4及び5にSiO2にTi1tをドー
プした層(4は5よりも高濃度でドープ)をそれぞれ想
定した場合のフィルタ特性の計算値を第3及び第4図に
示す。dHは導波路が単一モードとなるように選んでい
る。QL。
図、(c)は側面図である。1は基板であり、その材質
は半導体、誘電体あるいは磁性体など任意に選んでよい
。3は屈折率rLHをもつ導波路層であり、2はnHよ
りも低い屈折率rlBをもつバッファ層である。4は低
屈折率層であり、nHよりも低い屈折率nしをもってい
る。5はクラッド層であり、その屈折率はnLよりも低
く選ばねばならない。低屈折率層4の下にクラッド層5
を設けた構造は本発明の光フィルタの重要な特徴であり
、これを設けることにより基板1の屈折率nsに無関係
に低屈折率層の屈折率nLを設定することが可能になる
。5のクラッド層を設けない構造では、nLをnsより
も低く設定した場合には光が基板に漏れ出してしまうた
め損失が大きくなってしまうので、nHとn[、の差を
大きく選ぶことが難しかった。図2はクラッド層5を設
けた導波路の損失の計算値を示したものであるが、これ
から解るようにクラッド層5の厚みを増やしてやること
で損失を指数関数的に減少させることが出来る。従って
nしをnsよりも小さく選んだ場合でもクラッド層5を
厚くすることで損失を十分に小さく出来るので、nHと
nしの差を任意に大きくすることが可能となる。nHと
nLの差とフィルタの段数の間には反比例の関係があり
、nllとnLの差を大きくすることが出来るならば少
ない段数でフィルタを構成することが出来るので素子を
大幅に小型化することが可能となる。−例として、1に
InP基板、2にInP、l(低ドーピング)、3にI
nGaAsP層、4及び5にSiO2にTi1tをドー
プした層(4は5よりも高濃度でドープ)をそれぞれ想
定した場合のフィルタ特性の計算値を第3及び第4図に
示す。dHは導波路が単一モードとなるように選んでい
る。QL。
Q H、は通常の干渉膜フィルタの場合と同じく、4
ro、 4 nt。
ro、 4 nt。
と選べば良い。但しλ1はフィルタの中心波長である。
図より、この構造が中心波長1.]、75μmの帯域阻
止フィルタとなっていることが解る。阻止域の減衰量は
段数に比例して増加するが、nHとnLの差を大きくと
っているために通常の干渉膜フィルタの半分以下の段数
で十分な減衰量が得られている。又第4図から解るよう
に帯域幅は先のαL+uHの設定時のnt 、n2を増
やすことで任意に狭くしていくことが可能である。
止フィルタとなっていることが解る。阻止域の減衰量は
段数に比例して増加するが、nHとnLの差を大きくと
っているために通常の干渉膜フィルタの半分以下の段数
で十分な減衰量が得られている。又第4図から解るよう
に帯域幅は先のαL+uHの設定時のnt 、n2を増
やすことで任意に狭くしていくことが可能である。
第5図は本発明の光フィルタの別の実施例を示したもの
である。同図(a)は上面図、(b)は(a)のA−A
’面での断面図、また(c)は側面図をそれぞれ示して
いる1図中の記号のなかで第1図と共通なものは共通す
る機能を有していることを意味している。この実施例は
導波路をリブ型と呼ばれる構造にしたもので、3の両側
に厚さdRのスラブ部6を有する点が特徴である。この
リブ型導波路は第1図の矩形導波路に比べて製作時の加
工精度条件を緩和することが出来るので実用性が高い。
である。同図(a)は上面図、(b)は(a)のA−A
’面での断面図、また(c)は側面図をそれぞれ示して
いる1図中の記号のなかで第1図と共通なものは共通す
る機能を有していることを意味している。この実施例は
導波路をリブ型と呼ばれる構造にしたもので、3の両側
に厚さdRのスラブ部6を有する点が特徴である。この
リブ型導波路は第1図の矩形導波路に比べて製作時の加
工精度条件を緩和することが出来るので実用性が高い。
第1図は第5図においてdR→0となったものと考える
ことが出来る6またdo+0の極限では図5の構造はス
ラブ型の2次元導波構造に移行する。
ことが出来る6またdo+0の極限では図5の構造はス
ラブ型の2次元導波構造に移行する。
第6図は本発明の光フィルタの別の実施例であり、第5
図の構造にカバ一層7を積層した構造になっている。第
1図及び第5図のように導波層が直接に外気と接してい
る様な構造では、光は一部分外気中にしみ出して伝搬し
ているために外乱の影響を受けやすい。カバ一層7はこ
れを防ぐために設けられたものである。またカバ一層7
は導波層の材質が空気中の酸素等の活性気体により変質
を受けることを防ぐ役目も果している。ただしカバ一層
7の屈折率ncはnH及びnLよりも小さく選ぶ必要が
ある。
図の構造にカバ一層7を積層した構造になっている。第
1図及び第5図のように導波層が直接に外気と接してい
る様な構造では、光は一部分外気中にしみ出して伝搬し
ているために外乱の影響を受けやすい。カバ一層7はこ
れを防ぐために設けられたものである。またカバ一層7
は導波層の材質が空気中の酸素等の活性気体により変質
を受けることを防ぐ役目も果している。ただしカバ一層
7の屈折率ncはnH及びnLよりも小さく選ぶ必要が
ある。
本発明の光フィルタは導波部に大きな屈折率差を有する
反射部(4及び5)を設けることを最大の特徴としてい
る。この特徴により、少ない段数でフィルタを構成する
ことが可韻になっているのであるが、これは同時に反射
部一段当たりで生じる放射損失もまた大きくなり得ると
いうことを意味している。第3図及び第4図での計算値
に現れている2〜3dai度の損失のほとんどは、この
導波路不連続面での放射損失であり、フィルタの低損失
化のためには、この放射損失を出来る限り小さくしなけ
ればならない。このためには導波層3及びバッファ層2
の中における導波光の電磁界分布と反射部での導波光の
電磁界分布を整合させる必要があるが、これを詳細な電
磁界解析を基に行うことは煩雑であるばかりでなく、必
ずしも見通しの良い解を与えない、そこで、ここでは導
波路の正規化周波数というパラメータを考え、これを一
致させることで導波光の電磁界分布の整合を近似的に満
足させるという方法を用いる。正規化周波数(V)°は
以下の式で与えられるパラメータであり、導波路中の光
の導波状態を示すパラメータとして一般に用いられてい
るものである。
反射部(4及び5)を設けることを最大の特徴としてい
る。この特徴により、少ない段数でフィルタを構成する
ことが可韻になっているのであるが、これは同時に反射
部一段当たりで生じる放射損失もまた大きくなり得ると
いうことを意味している。第3図及び第4図での計算値
に現れている2〜3dai度の損失のほとんどは、この
導波路不連続面での放射損失であり、フィルタの低損失
化のためには、この放射損失を出来る限り小さくしなけ
ればならない。このためには導波層3及びバッファ層2
の中における導波光の電磁界分布と反射部での導波光の
電磁界分布を整合させる必要があるが、これを詳細な電
磁界解析を基に行うことは煩雑であるばかりでなく、必
ずしも見通しの良い解を与えない、そこで、ここでは導
波路の正規化周波数というパラメータを考え、これを一
致させることで導波光の電磁界分布の整合を近似的に満
足させるという方法を用いる。正規化周波数(V)°は
以下の式で与えられるパラメータであり、導波路中の光
の導波状態を示すパラメータとして一般に用いられてい
るものである。
V =(nH”(j) −na”(b))do(+−)
k (h・=光の自由空間波数)第7図は1段当り
の放射損失を縦軸に正規化周波数差をとってグラフ化し
たものであるが、これを見ると正規化周波数差が零とな
る点と損失が最小となる点はほぼ一致しており、正規化
周波数を用いる手法の妥当性が確認されている。
k (h・=光の自由空間波数)第7図は1段当り
の放射損失を縦軸に正規化周波数差をとってグラフ化し
たものであるが、これを見ると正規化周波数差が零とな
る点と損失が最小となる点はほぼ一致しており、正規化
周波数を用いる手法の妥当性が確認されている。
第8図は光フィルタの製造工程の一例を示したものであ
る。同図(a)は基板1の上にバッファ層2.導波路層
3を形成する工程である。(b)は反射部を埋め込むた
めの溝を形成する工程であり、用いる工法としてはドラ
イエツチングを想定している。導波路が単一モードとな
る様に各店の厚みを決めた場合には溝の深さは2〜3μ
m程度となる。(C)は溝にクラッド層5を埋込む工程
であり、(d)は同じく低屈折率層4を埋込む工程であ
る。用いる技術としては現状ではCVDが最も適当であ
ると思われる。
る。同図(a)は基板1の上にバッファ層2.導波路層
3を形成する工程である。(b)は反射部を埋め込むた
めの溝を形成する工程であり、用いる工法としてはドラ
イエツチングを想定している。導波路が単一モードとな
る様に各店の厚みを決めた場合には溝の深さは2〜3μ
m程度となる。(C)は溝にクラッド層5を埋込む工程
であり、(d)は同じく低屈折率層4を埋込む工程であ
る。用いる技術としては現状ではCVDが最も適当であ
ると思われる。
図9は本発明の光集積回路の実施例を示したものである
。これは波長多重伝送デバイスであり、多重数は3 (
1,2μm 、1.3μmの光を受光、1.55μmの
光を発光)としている。8は光導波路であり、9.10
はそれぞれ中心波長1.2μm、1.33μmの帯域阻
止特性を有する光フィルタである。光フィルタ9,10
は導波路に対して角度を付けて設けられており、これに
よって入射光と反射光の進行方向を分け、分波を行う。
。これは波長多重伝送デバイスであり、多重数は3 (
1,2μm 、1.3μmの光を受光、1.55μmの
光を発光)としている。8は光導波路であり、9.10
はそれぞれ中心波長1.2μm、1.33μmの帯域阻
止特性を有する光フィルタである。光フィルタ9,10
は導波路に対して角度を付けて設けられており、これに
よって入射光と反射光の進行方向を分け、分波を行う。
従って矢印16−2に従って入射された光は波長1.2
μmのものだけが光フィルタ9で反射されて受光素子1
2へと導波される。波長1.3μmの光は光フィルタ9
は通過するが、光フィルタ10で反射されて受光素子1
3へと導波される。
μmのものだけが光フィルタ9で反射されて受光素子1
2へと導波される。波長1.3μmの光は光フィルタ9
は通過するが、光フィルタ10で反射されて受光素子1
3へと導波される。
入射光に1.2μm、1.3μm以外の波が含まれてい
た場合には、それらの波は発光素子11に導波され、受
光素子に達することはない・また発光素子11から出た
波長1.55μmの光は光フィルタ9,10を通過して
矢印16−1方向へ出射される。1.55μmの光の一
部分は導波路の分岐点で受光素子12.13の方向へ漏
れ出すが、この光は導波路に設けた14.15の低屈折
率部の影響でカットオフ波となるので、導波路外に出て
行くので受光素子には達しない、なお低屈折率部14.
15はイオン打ち込み等の手法で作ることを想定してい
るが、光フィルタと同様の工程で一括して作ることも可
能である。なお第9図におい寸、11を受光素子、12
.13を発光素子としてもよい、また本発明は上記実施
例に限定されない、たとえばnHを低屈折率層とし、r
H,を高屈折率層としてもよい、この場合、n H>
n a tnt、>nr を満足するように選ぶ。
た場合には、それらの波は発光素子11に導波され、受
光素子に達することはない・また発光素子11から出た
波長1.55μmの光は光フィルタ9,10を通過して
矢印16−1方向へ出射される。1.55μmの光の一
部分は導波路の分岐点で受光素子12.13の方向へ漏
れ出すが、この光は導波路に設けた14.15の低屈折
率部の影響でカットオフ波となるので、導波路外に出て
行くので受光素子には達しない、なお低屈折率部14.
15はイオン打ち込み等の手法で作ることを想定してい
るが、光フィルタと同様の工程で一括して作ることも可
能である。なお第9図におい寸、11を受光素子、12
.13を発光素子としてもよい、また本発明は上記実施
例に限定されない、たとえばnHを低屈折率層とし、r
H,を高屈折率層としてもよい、この場合、n H>
n a tnt、>nr を満足するように選ぶ。
本発明によれば、膜を埋込んで部分での放射損失を最少
となるように導波路構造を最適化することができる。そ
の結果、低損失、広帯域光フィルタおよびその光フィル
タを用いた光波長多重伝送デバイスを実現することがで
き、1チツプモジユール化により、製造コスト、信頼性
を大幅に改善することが可能である。
となるように導波路構造を最適化することができる。そ
の結果、低損失、広帯域光フィルタおよびその光フィル
タを用いた光波長多重伝送デバイスを実現することがで
き、1チツプモジユール化により、製造コスト、信頼性
を大幅に改善することが可能である。
第1図、第5図及び第6図は本発明の光フィルタの実施
例を示す図、第9図は本発明の光波長多重伝送デバイス
の実施例を示す図、第2図はクラッド層を付加した導波
路の伝搬損失特性を示す図。 第3図及び第4図は本発明の光フィルタの波長特性を示
す図、第7図は反射部での結合損失特性を示す図、第8
図は本発明の光フィルタの製造工程を示す図、第10図
は先に本発明者が提案した光フィルタの構成を示す図で
ある。 1・・・基板、2・・・バッファ層、3・・・導波路層
、4・・・低屈折率層、5・・・クラッド層、6・・・
スラブ層、7・・・カバ一層、8・・・導波路、9,1
0・・・光フィルタ、11・・・発光素子、12.13
・・・受光素子、14゜15・・・低屈折率部、16・
・・光の伝搬方向を示す矢印。 f l 図 (Lン (b) (ω 第 2 辺 ■ 3 図 ス 長(j帆ジ 第 4I21 J焚 −1ε (バノ ′fJ5図 ((L) γ 6 図 (^) 7 刀バー1 Vz −V”i ■ 3 図 tC) 川 Y q 図 Uす (b) 篤 // コ (九〇 (I)ン
例を示す図、第9図は本発明の光波長多重伝送デバイス
の実施例を示す図、第2図はクラッド層を付加した導波
路の伝搬損失特性を示す図。 第3図及び第4図は本発明の光フィルタの波長特性を示
す図、第7図は反射部での結合損失特性を示す図、第8
図は本発明の光フィルタの製造工程を示す図、第10図
は先に本発明者が提案した光フィルタの構成を示す図で
ある。 1・・・基板、2・・・バッファ層、3・・・導波路層
、4・・・低屈折率層、5・・・クラッド層、6・・・
スラブ層、7・・・カバ一層、8・・・導波路、9,1
0・・・光フィルタ、11・・・発光素子、12.13
・・・受光素子、14゜15・・・低屈折率部、16・
・・光の伝搬方向を示す矢印。 f l 図 (Lン (b) (ω 第 2 辺 ■ 3 図 ス 長(j帆ジ 第 4I21 J焚 −1ε (バノ ′fJ5図 ((L) γ 6 図 (^) 7 刀バー1 Vz −V”i ■ 3 図 tC) 川 Y q 図 Uす (b) 篤 // コ (九〇 (I)ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の上に設けられた2次元または3次元光導波路
に複数個の溝を光伝搬方向に周期的に有し、その溝に導
波路と屈折率の異なる少なくとも2種の材質が埋め込ま
れていることを特徴とする光フィルタ。 2、特許請求の範囲第1項において、上記溝部に埋め込
まれる材質よりもわずかに屈折率の低い材質が溝部の底
に埋め込まれていることを特徴とする光フィルタ。 3、基板上に設けられた2次元または3次元の光導波路
に複数個の溝を光伝搬方向に周期的に有し、その溝に導
波路と異なる屈折率を有する少なくとも2種の材質が埋
め込まれ、上記溝が光伝搬方向に対し導波路内の伝搬光
を分離させるような角度で形成されていることを特徴と
する光波長多重伝送デバイス。 4、特許請求の範囲第3項において、上記溝で分離され
た光の伝搬方向に発光または受光素子を有することを特
徴とする光波長多重伝送デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12101086A JPH0672965B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光フイルタおよびそれを用いた光波長多重伝送デバイス |
US06/929,911 US4790614A (en) | 1985-11-21 | 1986-11-13 | Optical filter and optical device using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12101086A JPH0672965B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光フイルタおよびそれを用いた光波長多重伝送デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278507A true JPS62278507A (ja) | 1987-12-03 |
JPH0672965B2 JPH0672965B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=14800560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12101086A Expired - Lifetime JPH0672965B2 (ja) | 1985-11-21 | 1986-05-28 | 光フイルタおよびそれを用いた光波長多重伝送デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0672965B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07191223A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路部品 |
US7110170B2 (en) | 2003-08-20 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor optical amplifier having photo detector and method of fabricating the same |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12101086A patent/JPH0672965B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07191223A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路部品 |
US7110170B2 (en) | 2003-08-20 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor optical amplifier having photo detector and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0672965B2 (ja) | 1994-09-14 |
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