JPS62277691A - ライトパ−ビツトスタテイツクram - Google Patents

ライトパ−ビツトスタテイツクram

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Publication number
JPS62277691A
JPS62277691A JP61121807A JP12180786A JPS62277691A JP S62277691 A JPS62277691 A JP S62277691A JP 61121807 A JP61121807 A JP 61121807A JP 12180786 A JP12180786 A JP 12180786A JP S62277691 A JPS62277691 A JP S62277691A
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JP
Japan
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write
input
circuit
output
read
Prior art date
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Pending
Application number
JP61121807A
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English (en)
Inventor
Junzo Umeda
梅田 純三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はスタティックランダムアクセスメモリ集積回路
(以下、rsRAMIcJという。)における書込み読
出し制御回路に関する。
(従来の技術) SRAMICを用いてメモリ装置を構成する場合、形状
をできるだけ小さくするためには、ICの入出力ピンの
数を抑える必要がある。しかし、複数ビット構成のIC
において、個々に書込みを可能とするためには、入出力
ピンの数を増加せざるを得す、そのため同時各地みとい
う制限をつけて入出力ピンの数の削減を計っていた。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、SRAM  ICを使用するメモリ装置では
、SRAM  ICの複数ビットが同時に故障する場合
を考慮する必要があり、そのために装置構成上、SRA
M  ICが同一アドレスに対して単独ビットとなるよ
うに回路構成をとるか、または複数ビット不良時の対策
としてSRAM  IC出力ビット分をブロックとする
ブロック誤υチェック機能をもつエラー修正コード(以
下、FCC)ビットを付加する回路構成を採用する必要
があった。しかし、前者はビット幅を広げることができ
ないという欠点があり、後者はすでに一般に使用されて
いる1ビツト誤シ修正/2ピツト誤シ検出コードに対し
、ブロック誤りチェックコードの使用するビット数が多
いため、使用SRAM数と周辺回路が多くなるという欠
点があった。
本発明の目的は、複数ビット入出力データラインを有し
、かつ、同時書込み可能なICにおいて、ICピン数を
増加させることなく、複数ピット同時誤シの障害を防止
することができるライトパービットスタティックRAM
を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 前記目的を達成するために本発明によるライトパービッ
トスタティックRAMは、複数のメモリセルと、アドレ
ス入力を解読し9て前記複数のメモリセルの特定セルを
選択するアドレスバッファ回路と、前記複数のメモリセ
ル対応毎に設けられ、書込みイネーブル入力の前縁をク
ロック入力とし、後続する書込みデータ入力の沓込みが
有効であるか否かを示す情報をラッチする書込み制御ラ
ッチ回路、書込みイネーブル入力を遅延させる査込みイ
ネーブルディレー制御回路、前記書込みイネーブルディ
レー制御回路出力によって前記書込み制御ラッチ回路の
出力をゲートするゲート回路およびチップイネーブル入
力によってアクティブとなプ、前記ゲート出力にデータ
有効を示す信号が出力されているとき後続する書込みデ
ータを取込み、対応のメモリセルに出力する書込み読出
しバッファ回路とからなる書込み読出し制御回路とから
構成されている。 ゛ (実施例) 以下、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明によるSRAMの実施例を示すブロック
回路図である。この実施例は薔込みおよび読出しデータ
入出力がn + 1ブロツクある場合の回路図の例でア
シ、本発明は2ブロツク以上の場合に適用される。
第2図は第1図における書込み読出し制御回路の詳細を
示すブロック図である。
第8図は書込みサイクル時の各信号の関係を示すタイミ
ングチャートである。
第1図において、アドレス人力勾子群91に入力したア
ドレスは、アドレスバッファ回路31に導びかれる。ア
ドレスバッファ回路31は、アドレスをデコードし、複
数のメモリセル11.12゜13のうち特定セルを選択
する信号を出力する。
チップイネーブル入力端子71に入力したチップイネー
ブル信号は書込み読出し制御回路21゜22.23に導
びかれ、当該ICの書込み読出し動作を有効とする。書
込み動作時に書込みイネーブル入力端子81に入力した
書込みタイミングパルスは、書込み読出し制御回路21
.22.23に導びかれ、各書込み読出し制御回路は書
込み動作を行う。書込みイネーブル入力前縁波形は、当
該回路の一部を構成する書込み制御ラッチ回路のクロッ
ク入力として利用される。この書込み制御ラッチ回路の
出力状態によって書込み動作が禁止される。一方、薔込
みタイミングパルスの入力がなければ、読出し動作とな
り、メモリセル11゜12.13より選択されたセルの
内容は書込み読出し制御回路21.22.23でバッフ
ァされ、読出しデータ出力端子61,62.63へ出力
される。
次に、第2図によって第1図の省込み読出し制御回路2
1.22.23の詳細を説明する。
チップイネーブル入カフ0は書込み読出しバッファ回路
103tl−アクティブ状態とする。
書込みイネーブル人力aoii、書込+制御ラッチ回路
101に入力され、前縁エツジ部分が書込み制御ラッチ
回路101のクロック入力になるとトモに書込みイネー
ブルディレー制御回路104に人力される。
書込みイネーブルディレー制御回路104は、第3図に
示すように書込みイネーブル入力の前縁部よりDL分だ
け遅延した内部書込みパルスを発生する。この出力は害
込み制御ラッチ回路101の出力上ともにゲート回路1
02に入力さ1を論理積がとられ、書込み読出しバッフ
ァ回路103の内部書込みタイミングパルスとなる。
書込みデータ人力50は第8図に示すように、書込みが
有効か否かを示す書込み有効情報(Lレベルの場合有効
)と書込みデータに分けて入力される。書込みイネーブ
ル入力の前縁エツジ部分入力時、書込み有効情報が書込
み制御ラッチ回路5101のデータ入力となる。また、
内部書込みタイミングパルス有効時は後続する書込みデ
ータが書込み読出しバッファ回路103に入力され、メ
モリセルの書込みデータとして処理される。
書込みイネーブル入力80が入力されないか、または書
込み制御ラッチ回路101がリセット状態のときは読出
し動作が実行され読出されたデータが書込み読出しバッ
ファ回路103に一時格納され、読出しデータ出力60
に出力される。
第3図は第1図・第2図を用いて説明した内容をタイミ
ングチャートに示したもので、書込みサイクル時の各入
出力波形を示している。ここで、書込みイネーブル前縁
エツジをクロック入力とした書込み制御ラッチ回路の出
力で書込みタイミングチャートを制御するため、内部書
込みパルスとしてDL分だけ遅延させた波形を作成して
いる。
(発明の効果) 以上、詳しく説明したように本発明によるSRAMIC
は書込みイネーブル入力前縁部分でデータ入力ラインの
データ入力が有効か否かを示す信号を書込み制御ラッチ
回路でラッチするとともに、書込みイネーブル信号を一
定時間遅延させた信号で書込み制御ラッチ回路出力をゲ
ートし、このゲート出力を書込み読出しバッファ回路の
内部書込みパルスとしてデータ入力を取込み、メモリセ
ルに出力するように構成てれているので、ICピン数の
増加を防止しつつデータビットを各メモリセル対応毎に
独立に書込むことができる。したがって、複数ビット同
時誤シの障害をなくすことができるとともに、ブロック
誤υチェックFCC等の付加によるRAM  IC数増
加や周辺回路増を抑える効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるSRAMの実施例を示すブロック
図、第2図はSRAMのブロック内書込み読出し制御回
路の詳細ブロック図、第8図は書込みサイクル時の各入
出力波形を示すタイミングチャートである。 l・・・SRAM  IC 11・・・メモリセル0 12−@φメモリセル1 13φ・・メモリセルn 20−・・書込み読出し制御回路 21・・・書込み読出し制御回路0 22・・・曹込み読出し制御回路1 2311・・書込み読出し制御回路n 31・・・アドレスバッファ回路 50・・・書込みデータ入力 51・・・書込みデータ入力端子0 52・・・書込みデータ入力端子1 53・・・書込みデータ入力端子n 60・拳・読出しデータ出力 61・・・読出しデータ出力端子O 62・・・読出しデータ出力端子1 63・・・読出しデータ出力端子n フ0・・・チップイネーブル入力 フ1・・拳チップイネーブル入力端子 80ψ・・書込みイネーブル入力 8111・・賽込みイネーブル入力端子91・・・アド
レス入力端子群 101・曇・書込み制御ラッチ回路 1G2・・・ゲート回路 103・・・畳込み読出しバッファ回路104・・・書
込みイネーブルディレー制御回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のメモリセルと、アドレス入力を解読して前記複数
    のメモリセルの特定セルを選択するアドレスバッファ回
    路と、前記複数のメモリセル対応毎に設けられ、書込み
    イネーブル入力の前縁をクロック入力とし、後続する書
    込みデータ入力の書込みが有効であるか否かを示す情報
    をラッチする書込み制御ラッチ回路、書込みイネーブル
    入力を遅延させる書込みイネーブルディレー制御回路、
    前記書込みイネーブルディレー制御回路出力によつて前
    記書込み制御ラッチ回路の出力をゲートするゲート回路
    およびチップイネーブル入力によつてアクティブとなり
    、前記ゲート出力にデータ有効を示す信号が出力されて
    いるとき後続する書込みデータを取込み、対応のメモリ
    セルに出力する書込み読出しバッファ回路とからなる書
    込み読出し制御回路とから構成したことを特徴とするラ
    イトパービツトスタテイツクRAM。
JP61121807A 1986-05-27 1986-05-27 ライトパ−ビツトスタテイツクram Pending JPS62277691A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61121807A JPS62277691A (ja) 1986-05-27 1986-05-27 ライトパ−ビツトスタテイツクram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61121807A JPS62277691A (ja) 1986-05-27 1986-05-27 ライトパ−ビツトスタテイツクram

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62277691A true JPS62277691A (ja) 1987-12-02

Family

ID=14820414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61121807A Pending JPS62277691A (ja) 1986-05-27 1986-05-27 ライトパ−ビツトスタテイツクram

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JP (1) JPS62277691A (ja)

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