JPS62275224A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS62275224A JPS62275224A JP11800786A JP11800786A JPS62275224A JP S62275224 A JPS62275224 A JP S62275224A JP 11800786 A JP11800786 A JP 11800786A JP 11800786 A JP11800786 A JP 11800786A JP S62275224 A JPS62275224 A JP S62275224A
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- liquid crystal
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- ferroelectric liquid
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
３、発明の詳細な説明
本発明は、代表的にはテレビジョン受像礪の画像表示装
置などに使用される液晶表示素子に関するものであり、
特にメモリー性を有することで、複雑な駆動回路を廃し
て表示の品位を高めることの出来る強誘電性液晶表示素
子の製造方法に係るものである。
置などに使用される液晶表示素子に関するものであり、
特にメモリー性を有することで、複雑な駆動回路を廃し
て表示の品位を高めることの出来る強誘電性液晶表示素
子の製造方法に係るものである。
【従来の技術１
従来この種の強誘電性液晶の配向制御の方法としては、
シャーリング法、スペーサーエツジ＋４度勾配法、配向
膜＋ラビング法等が提案されていて、一部では実施され
ている。 に発明が解決しようとする問題点】 しかしながら、前記従来の配向制御の方法は夫々に問題
点を有するもので、シャーリング法、スペーサーエツジ
＋４度勾配法の三方法においては、現状では未だ実験室
段階のもので、微小面積での配向制御は行なえるが、前
記したテレビジョン画像の表示を行なうほどの大きさの
表示面には適合できないものであり、また、例えばシャ
ーリング法においては、この処理は液晶表示素子の表面
の１０ミクロン毎に行なわなければならないなど、とて
も工業的な量産ベースに乗せられる状態のものではなく
、この点はスペーサーエツジ法＋温度勾配法でも略同様
である。 最後の配向膜＋ラビング法は確かに製造の容
易性では優る方法であるがこの方法で製造した液晶表示
素子はメモリ性を失い、強誘電性液晶を使用した効果が
全くに発揮出来ずいずれの方法でも目的とする液晶表示
素子が得られない問題点を生ずるものである。 Ｋ問題点を解決するための手段１ 本発明は前記した従来の問題点を解決するための具体的
な手段として、透明導電膜を設けた二枚のガラス基板の
夫々に、液晶が該ガラス基板と平行になるような同種の
ホモジニアス配向処理を行ない、一方の前記ガラス基板
の側のみに一軸配向処理が行われて、強誘電性液晶を封
止して配向制御したことを特徴とする液晶表示素子の製
造方法を提供することで、メモリー性を有し、充分な表
示面積を持つ液晶表示素子を工業的に製造可能なものと
して、前記従来の問題点を解決するものである。
シャーリング法、スペーサーエツジ＋４度勾配法、配向
膜＋ラビング法等が提案されていて、一部では実施され
ている。 に発明が解決しようとする問題点】 しかしながら、前記従来の配向制御の方法は夫々に問題
点を有するもので、シャーリング法、スペーサーエツジ
＋４度勾配法の三方法においては、現状では未だ実験室
段階のもので、微小面積での配向制御は行なえるが、前
記したテレビジョン画像の表示を行なうほどの大きさの
表示面には適合できないものであり、また、例えばシャ
ーリング法においては、この処理は液晶表示素子の表面
の１０ミクロン毎に行なわなければならないなど、とて
も工業的な量産ベースに乗せられる状態のものではなく
、この点はスペーサーエツジ法＋温度勾配法でも略同様
である。 最後の配向膜＋ラビング法は確かに製造の容
易性では優る方法であるがこの方法で製造した液晶表示
素子はメモリ性を失い、強誘電性液晶を使用した効果が
全くに発揮出来ずいずれの方法でも目的とする液晶表示
素子が得られない問題点を生ずるものである。 Ｋ問題点を解決するための手段１ 本発明は前記した従来の問題点を解決するための具体的
な手段として、透明導電膜を設けた二枚のガラス基板の
夫々に、液晶が該ガラス基板と平行になるような同種の
ホモジニアス配向処理を行ない、一方の前記ガラス基板
の側のみに一軸配向処理が行われて、強誘電性液晶を封
止して配向制御したことを特徴とする液晶表示素子の製
造方法を提供することで、メモリー性を有し、充分な表
示面積を持つ液晶表示素子を工業的に製造可能なものと
して、前記従来の問題点を解決するものである。
【実 施 例】
つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づいて詳細に説
明する。 第１図に符号１ａ、１ｂで示すものは液晶表示素子のガ
ラス基板であり、このガラス基板１ａ、１ｂには、例え
ば酸化インジウムなどの透明で導電性を持つ部材で蒸着
、スパッタなどの方法により形成した透明ＩＪｉ２ａ、
２ｂが設けられ、さらに、この透明電極２ａ、２ｂを夫
々に覆うように、従来性われていたものと同様な有様ま
たは無線の適宜の部材をもって、液晶６の分子が前記ガ
ラス基板１ａ、１ｂと平行になるようにホモジニアス配
向処理が行われた配向膜３がガラス基板１ａの側に、同
様に同じ配向膜４がガラス基板１ｂの側に設けられる。 以上のようにして得られた二枚の前記ガラス基板の一
方のガラス基板１ａの前記配向膜３には、更にラビング
などの方法で一軸配向処理が行われ、シール材５でセル
状に組立てが行われて、その内部に強誘電性液晶６が注
入される。 その後に、前記強誘電性液晶６には配向制
御が行われるが、このときに強誘電性液晶６は予めに４
度を９０〜１００℃とされ等方性状態、即ち、結晶的性
質を持たない液体状の状態とされ、−軸配向処理が行わ
れた配向膜３がある前記ガラス基板１ａ側を伯の一方の
ガラス基板１ｂよりも温度が低くなるように温度勾配を
付けたままの状態で徐々に全体の温度を下げていく。
この様にすることで前記強誘電性液晶６は前記ガラス基
板１ａに行われた一軸配向の方向に従って結晶成長と憬
だ状態で前記ガラスＬＨ１ｉｌｂの方向に配向が行われ
ていくものとなる。 以上説明したような配向制御の方
法は従来の配向制御の方法である、例えばシャーリング
法などのように外部応力による強制的なものでないので
配向ムラち少なく、また大面積においても配向制御が可
能であり、メモリー性も１１６度と比較的に大きな値を
Ｎ侍するものである。 尚、図中に符号７ａ、７ｂで示
すものは偏光板である。 次いで、本発明の液晶表示素子の動作を実用例により説
明する。 この液晶表示素子はテレビジョン画像などの
表示に適するように多数の画素が縦横に整列した所謂ド
ツトマトリクス状に形成され、夫々の画素はダイナミッ
クドライブと呼ばれる順次選択（スキャニング−走査）
して駆動されるように成っている。 このときに前記透
明電極２ａと透明電極２ｂとの適宜の位置のものを選択
し、駆動電圧を印加すると、前記強誘電性液晶６は印加
された電圧の極性による電界方向にしたがって、正負い
ずれかの方向に理論値として２３度の旋回を行う。 通
常の液晶であれば、前記駆動電圧が無くなったときには
液晶は元の状態に戻るので、テレビジョン画像のように
走査されるもの、即ちダイナミックドライブでは極度に
画質が悪化するものとなり、電子回路でスタチックドラ
イブ化することが理想的とされていたが、本発明の強誘
電性液晶６を使用した液晶表示素子は駆動電圧が無くな
った後にも、該液晶の持つメモリー性により、次の駆動
電圧が印加されるまで、略その状態を保つしのであり、
前記したダイナミックドライブで、恰もスタチックドラ
イブ化した効果のある液晶表示素子が得られるものとな
る。 【発明の効果１ 以上に詳細に説明したように本発明により、透明導電膜
を設けた二枚のガラス基板の夫々に液晶が該ガラス基板
と平行になるような同種のホモジニアス配向処理を行な
い、一方の前記ガラス基板の側のみに一軸配向処理が行
われて、強誘電性液晶を封止して配向制御したことを特
徴とする液晶表示素子の製造方法としたことで、従来は
極めて小規模のものが得られたに過ぎない、この種の強
誘電性液晶を使用した液晶表示素子に、実用化が可能な
程度な大きさのものを製造することが出来るようにして
、例えばテレビジョン画像、コンピュータデスプレイな
どの表示をスタチックドライブ等の複雑な駆動方法を用
いること無く、高い画質での表示を可能とするという極
めて優れた効果を奏するものである。
明する。 第１図に符号１ａ、１ｂで示すものは液晶表示素子のガ
ラス基板であり、このガラス基板１ａ、１ｂには、例え
ば酸化インジウムなどの透明で導電性を持つ部材で蒸着
、スパッタなどの方法により形成した透明ＩＪｉ２ａ、
２ｂが設けられ、さらに、この透明電極２ａ、２ｂを夫
々に覆うように、従来性われていたものと同様な有様ま
たは無線の適宜の部材をもって、液晶６の分子が前記ガ
ラス基板１ａ、１ｂと平行になるようにホモジニアス配
向処理が行われた配向膜３がガラス基板１ａの側に、同
様に同じ配向膜４がガラス基板１ｂの側に設けられる。 以上のようにして得られた二枚の前記ガラス基板の一
方のガラス基板１ａの前記配向膜３には、更にラビング
などの方法で一軸配向処理が行われ、シール材５でセル
状に組立てが行われて、その内部に強誘電性液晶６が注
入される。 その後に、前記強誘電性液晶６には配向制
御が行われるが、このときに強誘電性液晶６は予めに４
度を９０〜１００℃とされ等方性状態、即ち、結晶的性
質を持たない液体状の状態とされ、−軸配向処理が行わ
れた配向膜３がある前記ガラス基板１ａ側を伯の一方の
ガラス基板１ｂよりも温度が低くなるように温度勾配を
付けたままの状態で徐々に全体の温度を下げていく。
この様にすることで前記強誘電性液晶６は前記ガラス基
板１ａに行われた一軸配向の方向に従って結晶成長と憬
だ状態で前記ガラスＬＨ１ｉｌｂの方向に配向が行われ
ていくものとなる。 以上説明したような配向制御の方
法は従来の配向制御の方法である、例えばシャーリング
法などのように外部応力による強制的なものでないので
配向ムラち少なく、また大面積においても配向制御が可
能であり、メモリー性も１１６度と比較的に大きな値を
Ｎ侍するものである。 尚、図中に符号７ａ、７ｂで示
すものは偏光板である。 次いで、本発明の液晶表示素子の動作を実用例により説
明する。 この液晶表示素子はテレビジョン画像などの
表示に適するように多数の画素が縦横に整列した所謂ド
ツトマトリクス状に形成され、夫々の画素はダイナミッ
クドライブと呼ばれる順次選択（スキャニング−走査）
して駆動されるように成っている。 このときに前記透
明電極２ａと透明電極２ｂとの適宜の位置のものを選択
し、駆動電圧を印加すると、前記強誘電性液晶６は印加
された電圧の極性による電界方向にしたがって、正負い
ずれかの方向に理論値として２３度の旋回を行う。 通
常の液晶であれば、前記駆動電圧が無くなったときには
液晶は元の状態に戻るので、テレビジョン画像のように
走査されるもの、即ちダイナミックドライブでは極度に
画質が悪化するものとなり、電子回路でスタチックドラ
イブ化することが理想的とされていたが、本発明の強誘
電性液晶６を使用した液晶表示素子は駆動電圧が無くな
った後にも、該液晶の持つメモリー性により、次の駆動
電圧が印加されるまで、略その状態を保つしのであり、
前記したダイナミックドライブで、恰もスタチックドラ
イブ化した効果のある液晶表示素子が得られるものとな
る。 【発明の効果１ 以上に詳細に説明したように本発明により、透明導電膜
を設けた二枚のガラス基板の夫々に液晶が該ガラス基板
と平行になるような同種のホモジニアス配向処理を行な
い、一方の前記ガラス基板の側のみに一軸配向処理が行
われて、強誘電性液晶を封止して配向制御したことを特
徴とする液晶表示素子の製造方法としたことで、従来は
極めて小規模のものが得られたに過ぎない、この種の強
誘電性液晶を使用した液晶表示素子に、実用化が可能な
程度な大きさのものを製造することが出来るようにして
、例えばテレビジョン画像、コンピュータデスプレイな
どの表示をスタチックドライブ等の複雑な駆動方法を用
いること無く、高い画質での表示を可能とするという極
めて優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明に係る液晶表示素子の製造方法の一実施
例を示す断面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・ガラス基板 ２ａ１２ｂ・・・・・・透明電極 ３・・・・・・−軸配向処理された配向膜４・・・・・
・配向膜 ５・・・・・・シール材６・・・・・
・強誘電性液晶
例を示す断面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・ガラス基板 ２ａ１２ｂ・・・・・・透明電極 ３・・・・・・−軸配向処理された配向膜４・・・・・
・配向膜 ５・・・・・・シール材６・・・・・
・強誘電性液晶
Claims (2)
- （１）透明導電膜を設けた二枚のガラス基板の夫々に、
液晶が該ガラス基板と平行になるような同種のホモジニ
アス配向処理を行ない、一方の前記ガラス基板の側のみ
に一軸配向処理が行われて、強誘電性液晶を封止して配
向制御したことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - （２）前記配向制御は、前記二枚のガラス基板の間に温
度勾配を設けた温度勾配法による配向制御であることを
特徴とする特許請求の範囲（１）項記載の液晶表示素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11800786A JPS62275224A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11800786A JPS62275224A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275224A true JPS62275224A (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=14725740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11800786A Pending JPS62275224A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62275224A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5949518A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Toyo Suchiiruberuto Kogyo Kk | モノドメインを形成する液晶セル |
| JPS59131911A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS6031117A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 光学変調素子およびその製法 |
| JPS60115915A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Canon Inc | 液晶の配向制御法及びその方法で用いる素子 |
| JPS6125128A (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-04 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
| JPS6240428A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | 液晶素子の製造方法 |
| JPS62502635A (ja) * | 1985-04-26 | 1987-10-08 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 液晶デバイスの配向技術 |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11800786A patent/JPS62275224A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5949518A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Toyo Suchiiruberuto Kogyo Kk | モノドメインを形成する液晶セル |
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| JPS62502635A (ja) * | 1985-04-26 | 1987-10-08 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 液晶デバイスの配向技術 |
| JPS6240428A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | 液晶素子の製造方法 |
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