JP2003015162A - 強誘電性液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

強誘電性液晶表示素子の製造方法

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JP2003015162A
JP2003015162A JP2002133862A JP2002133862A JP2003015162A JP 2003015162 A JP2003015162 A JP 2003015162A JP 2002133862 A JP2002133862 A JP 2002133862A JP 2002133862 A JP2002133862 A JP 2002133862A JP 2003015162 A JP2003015162 A JP 2003015162A
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いコントラスト比、高解像度及び陰/陽の
印加電位について対称の表示特性を有する強誘電性液晶
表示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 強誘電性液晶表示素子は基板、電極層、
配向膜が順次に形成された下部構造体及び上部構造体を
それぞれ形成する段階と、下部構造体と上部構造体のう
ちいずれか一つの構造体に液晶注入用セルを形成させる
段階と、下部構造体と上部構造体を接合させる段階と、
下部構造体と上部構造体との間に形成されたセルに所定
の強誘電性液晶をイソトロピック状態で注入して封入す
る段階と、強誘電性液晶がブックシェルフ構造に対応す
る相転移が得られるよう降温させながら電極層に所定周
波数の交流電位を印加する段階とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は強誘電性液晶表示素
子の製造方法に係り、さらに詳しくは強誘電性液晶が結
晶化時ブックシェルフ構造の微細なドメインを有させて
解像度を高められるマイクロドメインを有する強誘電性
液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は平板型ディスプレイであ
って、携帯用機器を中心に幅広く普及され使用中であ
り、大型化技術の発達に背負って大型ディスプレイ機器
分野においても従来のブラウン管ディスプレイ(ＣＲＴ)
を急速に代替しつつある。
【０００３】液晶表示素子に適用される液晶材料の種類
は多様である。
【０００４】一般に多用されている液晶材料としてＴＮ
(twisted nematic)液晶は液晶分子の誘電率異方性(diel
ectric anisotropy)と電場間の相互作用(interaction)
を用いるため反応時間が数十ｍｓに遅れて動映像を表示
し難く、視野角が狭く、一定距離以内ではピクセル間の
クロストーク(cross−talk)が発生してピクセルサイズ
を一定サイズ以下に縮め難い問題点がある。
【０００５】一方、強誘電性液晶表示素子(ＦＬＣＤ; f
erroelectric liquid crystal display)は強誘電性液晶
の自発分極と電場間の相互作用を用い、１ｍｓ以下の早
い応答特性を提供して動映像表示に困難さがなく、広い
視野角を提供し、分子間の強い相互作用によりクロスト
ークが発生しないピクセルサイズがさらに縮まって高解
像度を具現できて、次世代表示装置として研究が盛んに
なされている。
【０００６】現在多用されている強誘電性液晶は双安定
特性を有し、シェブロン(chevron)構造を有するキラル
スメクチックＣ相(ＳｍＣ＊)の液晶材料がある。
【０００７】この液晶材料を用いる強誘電性液晶表示素
子は、製造工程上で融点以上に維持された液晶を基板間
のセル内に注入し、温度を下げればキラルネマチック
(Ｎ＊)相を経てラビング方向に垂直な層構造を有するス
メクチックＡ相になり、再びキラルスメクチックＣ相に
変る。この過程において液晶層内の液晶分子の長軸方向
がラビング方向について特定角度に傾きながらスメクチ
ック層間の間隔が縮まり、その結果体積の変化を補うた
めに液晶層内におけるスメクチック層の曲げが発生す
る。このように曲げられた層構造をシェブロン構造と称
し、曲げの方向により液晶の長軸方向が相異なるドメイ
ンが形成され、その境界面にジグザグ欠陥、ヘアピン欠
陥、マウンティン欠陥などが存する不均一な配向が得ら
れる。
【０００８】このような配向特性により液晶表示素子の
コントラスト比が著しく劣化し、これを防ぐために強制
に直流電圧を印加する場合、液晶層内のイオンが配向膜
の表面に積もったり吸着され現在表示状態から他の表示
状態に転換される際以前の表示パターンが鈍く表示され
る残影現象が発生する問題点がある。
【０００９】その他、スレショルド制約を緩和させたＡ
ＦＬＣ(Anti ferroelectric liquidcrystal)モードを提
供する強誘電性液晶素材が活発に研究されているが、自
発分極が１００ｎＣ/ｃｍ２以上に逆分極電界によるイ
オンの移動によりやはり残像が発生する場合がある。ま
た、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)を用いて各画素毎に独立
的に液晶を駆動させる方式であるアクチブマトリックス
駆動方式を適用する場合、大きい自発分極により漏洩電
流が発生する場合もある。漏洩電流を抑えるためにはキ
ャパシタの容量を極めて大きくすべきであるが、この場
合開口率が減少して表示装置として利用し難い問題点を
抱えている。
【００１０】一方、交流駆動が可能であり残像が抑えら
れるブックシェルフ構造を有する強誘電性液晶素材に対
する研究が盛んになされつつあるが、降温により結晶化
された強誘電性液晶は陰(−)の電位についてはブラック
を、陽(＋)の電位についてはホワイトを表示するため、
残像を防止するための交流駆動時輝度が１/２に減少
し、陰(−)の電位印加時漏洩光により完璧なブラックが
表示されない短所を抱えている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述したよう
な問題点を解決するために案出されたもので、その目的
は高いコントラスト比、高解像度及び陰/陽の印加電位
について対称の表示特性を有する強誘電性液晶表示素子
の製造方法を提供するところにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために本発明に係る強誘電性液晶表示素子の製造方法
は、基板、電極層、配向膜が順次に形成された下部構造
体及び上部構造体をそれぞれ形成する段階と、前記下部
構造体と前記上部構造体のうちいずれか一つの構造体に
液晶注入用セルを形成させる段階と、前記下部構造体と
前記上部構造体を接合させる段階と、前記下部構造体と
上部構造体との間に形成された前記セルに所定の強誘電
性液晶を注入して封入する段階と、前記強誘電性液晶が
ブックシェルフ構造に対応する相転移が得られるよう降
温させながら前記電極層に所定周波数の交流電位を印加
する段階と、を備える。
【００１３】前記強誘電性液晶は降温時キラルネマチッ
ク相からキラルスメクチックＣ相に相転移する素材が適
用される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の望ましい実施例に係る強誘電性液晶表示素子の製造
方法をさらに詳しく説明する。
【００１５】図１は本発明に係る強誘電性液晶表示素子
を示した断面図である。強誘電性液晶表示素子１０は、
下部基板１１、下部電極層１２、下部配向膜１３、液晶
層１４、上部配向膜１５、上部電極層１６、上部基板１
７、シーリング部材１８及びスぺ−サ１９と、を備え
る。下部基板１１の底部と上部基板１７の上部には偏光
軸が所定角度に交差配置された偏光板(図示せず)が配さ
れる。参照符号２０は液晶層１４内に注入された強誘電
性液晶の結晶化過程において交流電位を所定周波数に印
加するための交流駆動源である。
【００１６】下部及び上部基板１１、１７はガラスまた
は透明合成樹脂のような透明素材が適用される。
【００１７】下部及び上部電極層１２、１６は公知の透
明導電素材、例えばＩＴＯ素材で形成される。望ましく
は、下部電極層１２と上部電極層１６は相互直交される
方向に沿って並んで形成された多数の電極を備える。
【００１８】下部及び上部配向膜１３、１５は公知の多
様な配向素材で形成される。配向素材の例としてはポリ
イミド、ポリビニルアルコール、ナイロン、ＰＶＡ系な
どがある。
【００１９】配向膜１３、１５は布のようなラビング素
材で所定角度にラビング処理される。
【００２０】スぺ−サ１９は液晶層１４のギャップを一
定に維持するために設けられたものである。
【００２１】液晶層１４は本発明に係る結晶化過程を通
して生成されたブックシェルフ(bookshelf)構造及びマ
イクロドメインを有する強誘電性液晶素材で充填されて
いる。
【００２２】ブックシェルフ構造及びマイクロドメイン
を有する強誘電性液晶層１４は、結晶化過程を経て微細
に区画されたマイクロドメイン上に垂直状に配されたス
メクチック層内における液晶分子が曲がらず並んで列を
なす構造を有する。このようなブックシェルフ構造及び
マイクロドメインを有する強誘電性液晶素子は、該当液
晶を溶融状態で注入し温度を下げながら交流電位を印加
すれば、キラルネマチック(Ｎ＊)相からキラルスメクチ
ックＣ(ＳｍＣ＊)相に相転移しつつ所望の構造の組織が
得られる。
【００２３】ブックシェルフ構造を有する液晶素材、す
なわちキラルネマチック(Ｎ＊)相からキラルスメクチッ
クＣ(ＳｍＣ＊)相に相転移する液晶素材は、日本国特開
平６−１２２８７５号、日本国特開平６−２５０６０
号、日本国特開平６−４０９８５号、日本国特開平６−
２２８０５７号、アメリカ特許第４５８５５７５号、韓
国公開特許公報１９９７−１３３２号などに多様に公知
されている。
【００２４】以下、本発明に係る強誘電性液晶表示素子
の製造過程を図２及び図３に基づき説明する。
【００２５】まず、上部及び下部構造体を形成する(段
階１００)。
【００２６】下部構造体は下部基板１１、下部電極層１
２、下部配向膜１３が順次に形成された構造を指し、上
部構造体は上部基板１７、上部電極層１６、上部配向膜
１５が順次に形成された構造を指す。下部配向膜１３及
び上部配向膜１５のそれぞれは設定された方向に沿って
布が巻かれたローラのように知られているラビング素材
でラビング処理する。
【００２７】次いで、ラビング処理された下部構造体及
び上部構造体のうちいずれか一つの構造体の基板１１、
１７にシラントのようなシーリング素材で形成しようと
するパターンに対応するシーリング部材であるセル１８
を形成する(段階１１０)。すなわち、図２に示した通
り、シーリング素材１８ａは下部基板１１に縁部に沿っ
て注入口１８ｂを有するようセル１８を形成させる。そ
して、セル隙間を維持させるためのスぺ−サ１９を設け
る。
【００２８】その後、下部構造体と上部構造体を接合さ
せる(段階１２０)。
【００２９】接合後にシーリング素材１８ａにより形成
されたセル１８の注入口１８ｂを通して結晶化時キラル
ネマチック(Ｎ＊)相からキラルスメクチックＣ(ＳｍＣ
＊)相に相転移する強誘電性液晶をイソトロピック(Isot
ropic)状態である溶融状態で注入した後セル１８の注入
口１８ｂを封入する(段階１３０)。
【００３０】それから、マイクロドメイン及びブックシ
ェルフ構造を有するキラルスメクチック相を得るための
結晶化過程を行う(段階１４０)。
【００３１】結晶化過程では融点以上に加熱されセルの
注入口１８ｂを通して注入された液晶がキラルネマチッ
ク(Ｎ＊)相を経てキラルスメクチックＣ(ＳｍＣ＊)相に
直接に相転移することができるよう降温させ、下部及び
上部電極層１２、１６を通して交流電位を印加する。
【００３２】交流電位は降温時からまたはキラルスメク
チックＣ(ＳｍＣ＊)相転移温度より数℃ないし数十℃高
い液晶温度で印加する。
【００３３】このような結晶化過程を通して製造された
液晶表示素子はブックシェルフ構造及びマイクロドメイ
ンを有する液晶層１４が生成される。
【００３４】以下、本発明により製造された液晶表示素
子と従来の方式により製造された液晶表示素子とを実験
例を通して比較説明する。
【００３５】まず、キラルネマチック(Ｎ＊)相を経てキ
ラルスメクチックＣ(ＳｍＣ＊)相に直接に相転移する強
誘電性液晶材料を従来の方式により降温処理だけ行って
結晶化した場合について説明する。
【００３６】キラルネマチック(Ｎ＊)相を経てキラルス
メクチックＣ(ＳｍＣ＊)相に直接に相転移する強誘電性
液晶材料をイソトロピック状態で降温率(cooling rate)
を１分当たり１℃(１℃/ｍｉｎ)ずつ適用してキラルス
メクチックＣ相(Ｓｍ＊Ｃ)遷移温度(例えば６４℃)以下
まで冷却された時偏光軸が直交するよう両基板１１、１
７の外側に配された二枚の偏光板を通して表示された状
態が図４に示されている。
【００３７】同図によれば、表示画面は明るい部分と暗
い部分の二つのドメインが一定間隔を開けて繰り返して
現れる。二種のドメインはそれぞれキラルスメクチック
層の法線方向がラビング方向について所定の陽(＋)及び
陰(−)角度を有する。図面において丸づけ部分はスぺ−
サである。各ドメインにおいて液晶分子の方向はラビン
グ方向と一致するが、偏光板間で明暗に区別されること
はキラルスメクチックＣ相の２軸性により二つのドメイ
ンの光軸方向が一致しないからである。
【００３８】これを図式化した図５を参照するに、光軸
方向Ｏ．Ａはラビング方向について２ないし３°の角度
に外れている。二つのドメインＡ、Ｂのそれぞれにおい
て液晶分子の回動自在なコーン(cone)の軌跡は相異なる
方向に傾いている。これは、コーン軸が層の法線方向に
並行になるべきという条件によることである。また、各
ドメインＡ、Ｂにおいて液晶分子の方向はラビング方向
と一致するが、自発分極(Ps)の方向は反対である。従っ
て、このような配列構造を有する液晶に直流電場を液晶
試料に印加すれば、印加された電場の方向と並んだ自発
分極を有するドメインがさらに緊密になってモノドメイ
ンへの配向が可能である。このように配向されたモノド
メインを用いて表示する方式を通常ＦＬＣ ＣＤＲ(cont
inuous director rotation)モードと称し、前述したよ
うに強誘電性液晶は陰(−)の電位についてはブラック
を、陽(＋)の電位についてはホワイトを表示するため、
残像を防ぐための交流駆動時輝度が１/２に減少し、陰
(−)の電位印加時漏洩光により完璧なブラックが表示さ
れない短所を抱えている。
【００３９】一方、降温時交流電位を印加した場合、キ
ラルスメクチックＣ相転移温度(前述した例の場合６４
℃)より多少高い温度である約６６℃から相転移が部分
的に始まってキラルネマチック相とキラルスメクチック
Ｃ相が共存し、６４℃において完璧にキラルスメクチッ
クＣ相に相転移がなされた。
【００４０】相転移時外部から液晶に加える外部パラメ
ータである降温率、交流電位の電圧及び周波数を相違に
適用する場合の液晶配向状態を図６Ａないし図８Ｆを参
照して説明する。
【００４１】図６Ａは降温率を１℃/ｍｉｎに適用しつ
つ、４００Ｈｚ/５Ｖ交流電位を印加して配向された液
晶をキラルスメクチック相転移温度以下である４０℃で
偏光板を通して得た表示状態を撮った写真である。
【００４２】図から分かる通り、図４に示したような二
つのドメインは消え去り、綺麗なブラックのモノドメイ
ンに配向されたことが分かる。参考に、図６Ｂは交流電
位を印加しつつキラルスメクチックＣ相転移温度より高
い７０℃におけるキラルネマチック相における表示状態
を撮った写真であって、図６Ａに比べて多少明るいブラ
ックが現れている。
【００４３】このように交流電位を印加しつつ相転移さ
せる場合、結晶化過程においてどのような作用を引き起
こすかについて調べるため、相転移過程を終えた液晶を
４０℃で＋５Ｖ及び−５Ｖをそれぞれ印加した場合、図
７Ａ及び図７Ｂのようにそれぞれホワイト状態を表示し
た。これを通して分かる通り、電位非印加時(ブラック
表示)を基準にして陰(−)及び(＋)陽の電位について対
称のホワイト状態を得た。すなわち、陽/陰の印加電位
対透過率が電位非印加時についてＶ字状の曲線を有する
望ましい液晶構造を提供することが分かる。
【００４４】一方、印加電位と周波数を可変させる場合
について調べるため、降温率(１℃/ｍｉｎ)及び交流印
加電位(５Ｖ)は前述した実験例のようにそのまま維持し
つつ周波数を可変させて見た。
【００４５】交流電位印加周波数を１Ｈｚ、１００Ｈ
ｚ、２００Ｈｚ、３００Ｈｚ、４００Ｈｚ、５００Ｈｚ
をそれぞれ印加して結晶化させた後４０℃で偏光子を通
して得た画面が図８Ａないし図８Ｆにそれぞれ示されて
いる。
【００４６】これらの図から分かる通り、交流電位の周
波数を次第に高めるほど図４に示した二種のドメイン間
隔が次第に狭くなってから、４００Ｈｚに印加した時一
番綺麗なブラック画面が得られた。
【００４７】このような結果は、二つのドメインのサイ
ズが印加される交流周波数の増加により段々緻密になる
ことが分かる。つまり、視覚的には緻密になった二つの
ドメインが空間的に平均化され、あたかもドメイン間隔
がなくなったように見える。
【００４８】図においてスペースの間隔がそれぞれ３０
０μｍ、１００μｍであることを考慮すれば、各ドメイ
ンの間隔が極めて緻密なマイクロ単位のドメインで形成
されたことが分かる。
【００４９】これを図式的に示した図９Ａないし図９Ｃ
を参照してさらに詳しく説明する。
【００５０】まず、図９Ａに示した通り、表示装置にお
いて最終的に感じられる解像度である距離ｄ内にマイク
ロドメインが形成されていると、空間的に平均化された
光軸方向はラビング方向と一致するため、偏光軸が９０
°に交差配置された偏光板間で入射光は遮断されブラッ
クに現れる。また、＋５電場を加えると、ドメイン(Ｂ)
部分がスイッチングし、よって図９Ｂに示した通り、平
均光軸がチルトされ光が通過するようになってホワイト
に表示される。同様に、−５Ｖが印加された場合はドメ
イン(Ａ)部分がスイッチングし、よって図９Ｃに示した
ように平均光軸が逆方向にチルトされ光が通過するよう
になってホワイトに表示される。
【００５１】このようにマイクロドメインが形成される
ことは交流相で印加する外部電場によりキラルネマチッ
ク相からキラルスメクチックC相に相転移が瞬間的に起
ることではなく、６６℃ないし６４℃間の温度範囲で長
く起こるので、交流電位が陽(＋)の時はドメイン(Ａ)
が、陰(−)の時はドメイン(Ｂ)が１/２ｆｓｅｃ(ｆは交
流電位の周波数)、例えば１００Ｈｚに印加される場
合、５ｍｓの時間中選択的に核形成及び成長を繰り返し
ながらマイクロドメインが形成されることと判断でき
る。
【００５２】従って、印加する電場の周波数が大きくな
れば各ドメインが成長できる時間が短縮されるため、ド
メインが長く成長できずさらに細密なマイクロドメイン
が形成されることが分かる。
【００５３】ところが、印加される交流電位の周波数が
強誘電性液晶の緩和周波数を越えれば液晶分子が反応で
きなくなって、図８Ｆに示した通りマイクロドメインが
形成されない。
【００５４】従って、印加する交流電位の周波数は適用
される強誘電性液晶の反応特性により適切な範囲内で決
めることが望ましい。
【００５５】一方、印加する交流電場の電位レベルの影
響を調べるために降温時電場の周波数を４００Ｈｚに
し、電圧の大きさを３Ｖ、５Ｖ、１０Ｖ、２０Ｖにそれ
ぞれ違って印加した結果が図１０Ａないし図１０Ｄに示
されている。
【００５６】図から分かる通り、３Ｖ印加時は液晶分子
の自発分極が十分反応できなくて５Ｖ印加時よりドメイ
ン間隔が多少広く形成されることが分かる。また、１０
Ｖ印加時はマイクロドメインは有するもののループ欠陥
が現れ、２０Ｖ印加時はドット欠陥が現れる。このよう
な欠陥は印加される電場が層歪みを引き起こすと判断す
ることができる。
【００５７】結局、印加する交流電位は層歪曲を引き起
こさず自発分極が十分反応できる範囲で決めることが望
ましい。
【００５８】図１１は本実験例において５Ｖ、４００Ｈ
ｚ、１℃/ｍｉｎ降温率を適用して生成された液晶表示
素子について印加電圧と透過率を示したグラフである。
【００５９】これを通して分かる通り、陽電位及び陰電
位について光透過率が対称性を有するＶ字状の電位−透
過率特性を示している。
【００６０】
【発明の効果】今まで述べた通り、本発明により生成さ
れた強誘電性液晶表示素子はブックシェルフ構造のマイ
クロドメインを有する液晶層により交流駆動が可能であ
り、広い視野角を提供し綺麗な白黒状態を提供すること
ができる。
【００６１】以上では本発明の望ましい実施例について
示しかつ説明したが、本発明は前述した特定の望ましい
実施例に限らず、請求の範囲で請求する本発明の要旨を
逸脱せず当該発明の属する技術分野において通常の知識
を持つ者ならば誰でも多様な変形実施が可能なことは勿
論、そのような変更は記載された請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る強誘電性液晶表示素子を示した断
面図である。
【図２】図１の液晶表示素子の基板に液晶注入用セルを
形成させる過程を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る強誘電性液晶表示素子の製造過程
を示したフローチャートである。
【図４】キラルネマチック(Ｎ＊)相からキラルスメクチ
ックＣ相に変る強誘電性液晶を従来の製造方式により降
温処理後生成された液晶表示素子の電位非印加時の表示
状態を示した写真である。
【図５】図４の強誘電性液晶の配列状態を図式的に示し
た図である。
【図６Ａ】本発明に係る液晶表示素子の製造過程を経て
生成された液晶表示素子について電位非印加時の表示状
態を示した写真である。
【図６Ｂ】本発明に係る液晶表示素子の製造工程のうち
キラルネマチック(Ｎ＊)相からキラルスメクチックＣ相
に相転移する前の温度で表示状態を撮った写真である。
【図７Ａ】本発明に係る製造過程を経て生成された液晶
表示素子について陽の電位を印加時表示状態を示した写
真である。
【図７Ｂ】本発明に係る製造過程を経て生成された液晶
表示素子について陰の電位を印加時表示状態を示した写
真である。
【図８Ａ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図８Ｂ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図８Ｃ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図８Ｄ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図８Ｅ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図８Ｆ】降温過程において印加する交流電位の周波数
を相違に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を
示した写真である。
【図９Ａ】本発明に係る製造過程を経て生成された液晶
表示素子について電位非印加時の表示状態を説明するた
めに液晶の配列状態を図式的に示した図である。
【図９Ｂ】本発明に係る製造過程を経て生成された液晶
表示素子について陽の電位印加時の表示状態を説明する
ために液晶の配列状態を図式的に示した図である。
【図９Ｃ】本発明に係る製造過程を経て生成された液晶
表示素子について陰の電位印加時の表示状態を説明する
ために液晶の配列状態を図式的に示した図である。
【図１０Ａ】降温過程において印加する交流電位を相違
に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を示した
写真である。
【図１０Ｂ】降温過程において印加する交流電位を相違
に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を示した
写真である。
【図１０Ｃ】降温過程において印加する交流電位を相違
に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を示した
写真である。
【図１０Ｄ】降温過程において印加する交流電位を相違
に適用して生成された液晶表示素子の表示状態を示した
写真である。
【図１１】本発明に係る製造過程を経て生成された強誘
電性液晶表示素子の印加電位に対する光透過率を示した
グラフである。
【符号の説明】
１０ 強誘電性液晶表示素子 １１ 下部基板 １２ 下部電極層 １３ 下部配向膜 １４ 強誘電性液晶層 １５ 上部配向膜 １６ 上部電極層 １７ 上部基板 １８ シーリング部材 １８ａ シーリング素材 １８ｂ 注入口 １９ スペーサ ２０ 交流駆動源

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板、電極層、配向膜が順次に形成され
    た下部構造体及び上部構造体をそれぞれ形成する段階
    と、 前記下部構造体と前記上部構造体のうちいずれか一つの
    構造体に液晶注入用セルを形成させる段階と、 前記下部構造体と前記上部構造体を接合させる段階と、 前記下部構造体と上部構造体との間に形成された前記セ
    ルに所定の強誘電性液晶を注入して封入する段階と、 前記強誘電性液晶がブックシェルフ構造に対応する相電
    位が得られるよう降温させながら前記電極層に所定周波
    数の交流電位を印加する段階とを備えることを特徴とす
    るマイクロドメインを有する強誘電性液晶表示素子の製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記強誘電性液晶は、降温時キラルネマ
    チック相からキラルスメクチックＣ相に相転移する素材
    であることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性液晶
    表示素子の製造方法。
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