JPS62272152A - 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置 - Google Patents

反応槽中のガス分解率の測定方法および装置

Info

Publication number
JPS62272152A
JPS62272152A JP61114546A JP11454686A JPS62272152A JP S62272152 A JPS62272152 A JP S62272152A JP 61114546 A JP61114546 A JP 61114546A JP 11454686 A JP11454686 A JP 11454686A JP S62272152 A JPS62272152 A JP S62272152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction tank
reaction
decomposition rate
reaction vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61114546A
Other languages
English (en)
Inventor
Eisuke Nishitani
英輔 西谷
Susumu Tsujiku
都竹 進
Masaaki Sato
正昭 佐藤
Mitsuo Nakatani
中谷 光雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61114546A priority Critical patent/JPS62272152A/ja
Publication of JPS62272152A publication Critical patent/JPS62272152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、反応槽中のガス分解率の測定方法および装置
に係り、%にプラズマなどの気相反応中の安定分子の分
解率を知るために好適な測定方法と、この測定方法を実
施する装置に関する。
〔従来の技術〕
プラズマドライプロセスの研究においては、プラズマを
作るための1[コ〕気的入力、ガス流量、ガス圧などの
外部的プラズマパラメータに対して、薄膜の堆積速度や
エツチング速度、電気特性などが測定され、定性的に成
膜機構やエツチング機構、膜質等が調べられてきた。し
かし、これらの機構や膜質等をより詳細に、定量的に調
べるためには、プラズマの電子やイオンの種類や密度、
中性糧の種類や密度、反応ガ込の分解率等の内部パラメ
ータに基づき検討しなければならない。
このうち、反応ガスの分析率を測定する方法は、「真空
」第27巻第9号718〜725頁において論じられて
いる。この方法によれば、基板の動径方向における反応
ガスの分解率を測定できる反面、グローブをプラズマ中
に挿入し、基板に向かうカスの流れを乱すため、実際の
フロセスのモニタリングに適用するという点については
配慮されていなかった。また、分解率を得るために、プ
ラズマOFF’ 時とプラズマON時を比較するという
手法をとっているため、08時の長時間における見かけ
上の分解率の変化か、プラズマによるものか、ガス流量
の経時変化等の他の要因によるものか解らないという欠
点が夛・つた〇 〔発明が解決しようとする問題点〕 前記it分析法によるガス分解率の測定方法では、プラ
ズマON時とOFF 時を比較するため、実際の長時間
のプロセス中での経時変化は配慮されておらず、実際の
プロセスモニタリングには適用できる方法ではなかった
本発明の目的は、プロセス中でのガス分解率を測定でき
、実際のプロセスモニタリングに適用することが可能な
反応槽中のガス分解率の測定方法を提供することにあり
、本発明の他の目的は前記測定方法を的確に笑施し得る
測定装置tを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的は、従来技術での反応ガスの励起手段をONさ
せ走時とOFF  させた時のlt較Jこ対し、08時
でもOFF時と同様のものを常に用意し、比較できるよ
うにすることにより、達成される。
すなわち、本発明にかかる測定方法は希ガスと反応ガス
の混合ガスを励起して分解させる反応槽における反応ガ
スの分解率を、反応槽に導入する前のガスと反応槽から
採取したガスを各別に質量分析し、規格化することによ
って得られた質量パターンを比較して求めるようにして
いる。
また、本発明にかかる測定装置は希ガスと反応ガスの混
合ガスを直接質量分析計に導入する配管と、前記希ガス
と反応ガスの混合ガスを励起して分解させる反応槽から
採取したガスを質量分析計に導入する配管と、前記二つ
の配管を選択的Iこ開閉させる手段とを備えて構成して
いる。
〔作用〕
本発明では、反応Nζこ導入する前の反応ガスを質量分
析計に採取することにより、励起手段をOFF した時
と同等の質量パターンを得ることができ、反応槽から採
取したガスの質量パターンといつでも比較することが′
53能となる。この時、反応ガスの質量ピークをその一
14比較することは、質量分析計に採取するガス流量に
よって大幅に変化するため、反応ガスの分解率は得られ
ない。希ガスは、励起手段をONさせた領域を通過した
後も安定なため、殆ど他の原子・分子と反応せず、量的
変化はない。したがって、反応ガスを希ガスで希釈し、
反応槽に導入する前の反応ガスを採取した質量パターン
と、反応槽から採取した質量パターンを、希ガスの質量
ピークを規格化した後、比較することにより反応ガスの
分解率を測定することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する〇第1図
は本発明にがかるガヌ分Pp4率のmllll法を実施
するための測定装置の一例を示す系統崗、第2図は第1
図に示す測定装置における反応槽への導入前と導入後の
反応ガスのi−1パターンを示−r図、第3図は第2図
において得られた希ガスの* a−ピークを規格化し、
罪科ガスの分解率を求めた時のプラズマ投入電力と分解
率の1係を示す図である。
その第1図に示す実施例の6111定装置は、反応ガス
ボンベ1と、希カスポンベ2と、流量調整装置6.4を
有する配管5と、反応ガス励起手段(図示せず)を持っ
た反応槽6と、質量分析計7と、前記配管5から反応ガ
スと希ガスの混合ガスを反応m6へ導入する配管8と、
前記配管5から反応カスと希ガスの混合ガスを直接質量
分析計7へ導入する配管9と、前記反応槽6から採取し
たガスを前記質量分析計7へ導入する配管10と、前記
配管9.10に設けられかつ二つの配管9.10を選択
的に開閉させる手段としてのストップバルブ11゜12
と、前記配!9.10に設けられたニードルバルブ1!
J、 14とを備えて1P成されている。
なお、第1図中Aは排気系、Bは(N号出力を示す0 次に、前記実施例の測定装置の作用に関連して、本発明
測定方法を説明する。
いま、一実施例として、マイクロ波放電によるエッチン
クガス(CF4)の分解率の測定方法を示す0 第1図において、反応ガスポンベ1にはCFa102 
(025チ添加)、希ガスポンベ2にはArがそれぞれ
充填されている。前記ガスは、それぞれの流量調整装#
3,4により流量調整された後、配管5で合流され、混
合ガスとして配管8を通じて反応槽6に導入される。
反応槽6には、マイクロ波放電管が備え付けられ、共振
器にマイクロ波電力を投入することにより反応ガスが放
電励起され、分解する。実際のプロセスでは、Siウェ
ハ等の基板が反応槽6内に設置され、エツチングが行わ
れるが、ここでは本発明によりCF4の分解率を測定す
ることを明らかlこすること2目的とし、基板は設置き
していない。
そして、反応槽6に導入する前の反応ガスと希ガスとの
混合ガスを、ストップパルプ11とニー ドルバルブ1
6を有する配管9を通じて質量分析計7に採取し、反応
4!16中の反応ガスを、ストップパルプ12とニード
ルバルブ14を有する配管10を通じて買を分析計7に
採取する。
反応槽6に導入する前および反応槽6中の反応ガスのそ
れぞれの質セスベクトルを得るため(こ、二つのストッ
プパルプ11.12のうち一方は開、他方は閉にし、て
質量分析計71こ採取ガスを導入する。
得られた質量スペクトルからCFaの分解率を求めるた
め、Arの質量ピークで規格化する必要があるが、Ar
の貿竜ピークを等しくするため、ニードルバルブ13.
14を調整して採取ガス量を変えることによって行う。
第2図は、反応槽6に導入する前の反応ガスおよび反応
用6中の反応ガスの質量スペクトルであり、CFaの量
を表すCF3+ ピークが反応−6中のピークの方が低
いことを示している。反応ガスの分解率は、反応槽6中
のCFJ4 ピーク高さを反応槽6に導入する前のCF
3+ピーク高さで除算した値である。
第3図は、流量tA整装ft3.4によりCF’410
2およびArをそれぞれ20.30secm  とし、
反応槽6に接続し7た排気糸Aによって全圧を10〜1
00Paにしfc時の、マイクロ波放電に投入する電力
変化に対するC F4の分S*変化を示【7たものであ
る。
ここに示した実施例では、反応ガス励起手段としてマイ
クロ波放亀励起手段を例示しているが、これに限らず、
ヒータ加熱、ランフ照射加熱等の熱的励起手段、直流、
交流を含む放電励起手段、紫外線による@液分解や光増
感反応を用いた分解等の光〃i起手段でもよい。
また、配管9,10を選択的に開閉する手段は、ストッ
プパルプ11.12に限らず、電磁バルブ等の応答速度
の速いバルブを用いることもできる。
さらに、本発明では質量スペクトルの信号をコンピュー
タ処理することによって、殆ど実時間に近い速度で反応
ガス分解率を得ることが可能である0 〔発明の効果〕 以上説明した本発明測定方法によれば、希ガスと反応ガ
スの混合ガスを励起して分解させる反応槽における反応
ガスの分解率を、反応槽に導入する前のガスと反応槽か
ら採取したガスを各別に質量分析し、規格化することに
よって得られた實睦パターンを比較して求めるようにし
ており、プラズマエツチングやプラズマCVD等のドラ
イプロセスにおける反応ガス分解率をプロセスと同時に
測定でき、プロセスモニタリングとして使用できるため
、プロセス中の適正なガス流蓋、ガス圧。
投入電力からの変動を検知し、フィードバックすること
により、安定的にプロセスを持続させ得る効果があり、
ひいては半導体製造における歩留まり向上、製品の信頼
性向上lこ寄与するところ犬なる効果がある。
また、本発明測定装置によれば、希ガスと反応ガスの混
合ガスを直接質量分析計に導入する配管と、前記希ガス
と反応ガスの混合ガスを励起して分解させる反応槽から
採取したガスを質量分析計に導入する配管と、前詰二つ
の配管を選択的に開閉させる手段とを備えて構成してい
るので、前記本発明測定方法を的確に実施し得る効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
81図は本発明測定方法を実施するための装置の一例を
示す系統図、第2図はCF’4102ガスをマイクロ波
放電反応槽に導入する前と後の質量スペクトルを示す図
、第3図はマイクロ波の投入電力を変化させた時のCF
4の分解率の変化を示す図である。 1・・・反応ガスボンベ 2・・・希ガスボンベ3.4
・・・流量調整装置 5・・・反応ガスと希ガスの配管 6・・・反応ガス励起手段を持った反応槽7・・・質量
分析計 8.9・・・反応ガスと希ガスの混合ガスの配管10・
・・反応槽からの採取ガスの配管11.12・・・二つ
の配管を選択的に開閉する手段としてのストップバルブ 13、14・・・ニードルパルプ A・・・排気系     B・・・信号出力、/−゛ 1−゛ 代理人 弁理士 小 川 勝 男・、 も1図 111L スト、76ノψ鵡フ゛ 11、 +4 第2図 質量数(己4)− (1)夏応f@喜入も 、2)一応播集入復

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、希ガスと反応ガスの混合ガスを励起して分解させる
    反応槽における反応ガスの分解率を、反応槽に導入する
    前のガスと反応槽から採取したガスを各別に質量分析し
    、規格化することによって得られた質量パターンを比較
    して求めることを特徴とする反応槽中のガス分解率の測
    定方法。 2、特許請求の範囲第1項において、前記質量分析し、
    規格化することによって得られた質量パターンを比較し
    て求める工程は、反応槽から採取した反応ガスと希ガス
    の質量ピークの比の値を、反応槽に導入する前の反応ガ
    スと希ガスの質量ピークの比の値で除算して求めるよう
    にしたことを特徴とする反応槽中のガス分解率の測定方
    法。 3、希ガスと反応ガスの混合ガスを直接質量分析計に導
    入する配管と、前記希ガスと反応ガスの混合ガスを励起
    して分解させる反応槽から採取したガスを質量分析計に
    導入する配管と、前記二つの配管を選択的に開閉させる
    手段とを備えて構成していることを特徴とする反応槽中
    のガス分解率の測定装置。
JP61114546A 1986-05-21 1986-05-21 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置 Pending JPS62272152A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61114546A JPS62272152A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61114546A JPS62272152A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62272152A true JPS62272152A (ja) 1987-11-26

Family

ID=14640488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61114546A Pending JPS62272152A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62272152A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010038867A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology プラズマ装置の供給ガス分解率測定装置及び測定方法
JP2011002345A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology プラズマ近傍およびプラズマ中でのガス分解率測定装置及び測定方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010038867A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology プラズマ装置の供給ガス分解率測定装置及び測定方法
JP2011002345A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology プラズマ近傍およびプラズマ中でのガス分解率測定装置及び測定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jen et al. Electron spin resonance of atomic and molecular free radicals trapped at liquid helium temperature
US10304672B2 (en) Mass spectrometer, use thereof, and method for the mass spectrometric examination of a gas mixture
US3837856A (en) Method for removing photoresist in manufacture of semiconductor devices
KR20050001793A (ko) 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법
JPH07169590A (ja) 電子密度の測定方法及びその装置及び電子密度の制御装置及びプラズマ処理装置
JP2003536268A (ja) プラズマプロセスにおける欠陥識別方法
Wang et al. Noninvasive, real-time measurements of plasma parameters via optical emission spectroscopy
KR100690144B1 (ko) 플라즈마를 이용한 가스분석장치
Sode et al. Surface loss probability of atomic hydrogen for different electrode cover materials investigated in H2-Ar low-pressure plasmas
JPS62272152A (ja) 反応槽中のガス分解率の測定方法および装置
JPH1012601A (ja) Cvd装置及びcvd成膜方法
US7094614B2 (en) In-situ monitoring of chemical vapor deposition process by mass spectrometry
US20060228815A1 (en) Inductively coupled plasma chamber attachable to a processing chamber for analysis of process gases
CN112837990B (zh) 一种低温电喷雾电离装置及质谱检测方法
JPH03181129A (ja) エッチングの終点検知方法
JP2001257197A (ja) 半導体デバイスの製造方法および製造装置
Mikkelä et al. Free silver nanoparticles doped by potassium: Work-function change in experiment and theory
JPH0955185A (ja) 校正ガス系統を備えたマスフィルター型ガス分析計及びその操作方法
KR20190068836A (ko) 반도체 공정 챔버 및 가스라인의 가스분석을 위한 tof ms 가스질량분석 모니터링 시스템
Möller et al. Analysis of the chemistry in CH4∕ O2 plasmas by means of absorption spectroscopy and a simple numerical model
JP2002122570A (ja) ガス中の微量不純物の分析方法及び装置
CN117813496A (zh) 使用质谱法检测自由基的方法
JPH01227048A (ja) 粒子組成分析装置
Irie et al. A new atmospheric pressure ionization mass spectrometer for the analysis of trace gas impurities in silicon source gases used for semiconductor fabrication
JPH02183140A (ja) 微粒子測定装置