JPS62270462A - 半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法 - Google Patents
半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62270462A JPS62270462A JP61112122A JP11212286A JPS62270462A JP S62270462 A JPS62270462 A JP S62270462A JP 61112122 A JP61112122 A JP 61112122A JP 11212286 A JP11212286 A JP 11212286A JP S62270462 A JPS62270462 A JP S62270462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor ceramic
- ceramic dielectric
- mol
- tio
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 10
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910017583 La2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 T a 205 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021318 lanthanum strontium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体
及び該誘電体の製造方法に係り、特に、高い面積容量を
有し、かつ静電容量の温度変化率が小さく、誘電損失、
絶縁抵抗にも優れた特性を有する半導体磁器誘電体を提
供する組成物及びそれを用いた半導体磁器誘電体、並び
にそのお電体な製造する方法に関する。
及び該誘電体の製造方法に係り、特に、高い面積容量を
有し、かつ静電容量の温度変化率が小さく、誘電損失、
絶縁抵抗にも優れた特性を有する半導体磁器誘電体を提
供する組成物及びそれを用いた半導体磁器誘電体、並び
にそのお電体な製造する方法に関する。
［従来の技術］
従来より、温度係数の小さい絶縁体磁器誘電体としては
、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウ
ム等のチタン酸塩よりなるものが知られており、温度補
償用磁器組成物として利用されている。
、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウ
ム等のチタン酸塩よりなるものが知られており、温度補
償用磁器組成物として利用されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、従来より提案されているこれらの絶縁体
磁器誘電体では、十分に満足し得る誘電特性が得られず
、誘電率を高くしようとすると温度係数が大きくなって
しまうという問題点があり、そのため誘電率が高く、ま
た誘電損失が小さく、しかも、温度係数が０〜−６００
ｐ ｐ ｍ ／ ℃程度であるような高特性磁器誘電
体を得ることは、非常に困難であった。
磁器誘電体では、十分に満足し得る誘電特性が得られず
、誘電率を高くしようとすると温度係数が大きくなって
しまうという問題点があり、そのため誘電率が高く、ま
た誘電損失が小さく、しかも、温度係数が０〜−６００
ｐ ｐ ｍ ／ ℃程度であるような高特性磁器誘電
体を得ることは、非常に困難であった。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は上記
従来の問題点を解決し、面積容量が２００ ｐ Ｆ ／
ｃ ｍ’以上と極めて高く、静電容量の温度変化率及
び誘電損失が小さい半導体磁器誘電体を提供するべくな
されたのであって、ｘ Ｍ ｇ ＯＩＴ ｉ Ｏ２ を主成分とし、Ｎｂ２０ａ 、Ｌａ２Ｏ３及びＴａ２０
５よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．０２〜
０．３モル％、並びに、５ｔ０２を０．２モル％以下含
有することを特徴とする半導体磁器誘電体組成物、 ｘＭｇ０１ＴｉＯ２ を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２０ａ及びＴａ２０５
よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．０２〜０
．３モル％、並びに、５ｊ０２を０．２モル％以下含有
する組成物の焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂ１２０ｓ、Ｍ
ｎ、０２、ｐｂｏ及びＢｔｏ３よりなる群から選ばれる
少なくとも１種以上（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除
く）を含む絶縁層を形成したことを特徴とする半導体磁
器誘電体、 及び ｘＭｇＯ−Ｔｉ０２ を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３及びＴａ２０５
よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０，０２〜０
．３モル％、並びに、Ｓ ｉ、 ０２を０．２モル％以
下含有する組成物を中性ないし還元性雰囲気中で焼成し
、得られた焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂ１２０ｓ％ Ｍ
ｎＯ２、ｐｂｏ及びＢ２Ｏ３よりなる群から選ばれる少
なくとも１種以上（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除く
）を付着させた後、該焼結体を酸化雰囲気中で熱処理し
て絶縁層を形成することを特徴とする半導体磁器誘電体
の製造方法、 を要旨とするものである。
従来の問題点を解決し、面積容量が２００ ｐ Ｆ ／
ｃ ｍ’以上と極めて高く、静電容量の温度変化率及
び誘電損失が小さい半導体磁器誘電体を提供するべくな
されたのであって、ｘ Ｍ ｇ ＯＩＴ ｉ Ｏ２ を主成分とし、Ｎｂ２０ａ 、Ｌａ２Ｏ３及びＴａ２０
５よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．０２〜
０．３モル％、並びに、５ｔ０２を０．２モル％以下含
有することを特徴とする半導体磁器誘電体組成物、 ｘＭｇ０１ＴｉＯ２ を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２０ａ及びＴａ２０５
よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．０２〜０
．３モル％、並びに、５ｊ０２を０．２モル％以下含有
する組成物の焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂ１２０ｓ、Ｍ
ｎ、０２、ｐｂｏ及びＢｔｏ３よりなる群から選ばれる
少なくとも１種以上（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除
く）を含む絶縁層を形成したことを特徴とする半導体磁
器誘電体、 及び ｘＭｇＯ−Ｔｉ０２ を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３及びＴａ２０５
よりなる群から選ばれる少なくとも１種を０，０２〜０
．３モル％、並びに、Ｓ ｉ、 ０２を０．２モル％以
下含有する組成物を中性ないし還元性雰囲気中で焼成し
、得られた焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂ１２０ｓ％ Ｍ
ｎＯ２、ｐｂｏ及びＢ２Ｏ３よりなる群から選ばれる少
なくとも１種以上（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除く
）を付着させた後、該焼結体を酸化雰囲気中で熱処理し
て絶縁層を形成することを特徴とする半導体磁器誘電体
の製造方法、 を要旨とするものである。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明の半導体磁器誘電体組成物の主成分であるｘＭｇ
Ｏ−ＴｉＯ２の、ＴｉＯ２に対するＭｇＯのモル添加量
を示ずＸの値が０．４０＜ｘ≦０．６０の範囲では緻密
な焼結体を得ることが困難であり、また０、４０＜ｘの
範囲では得られる誘電体の温度係数の絶対値は小さくな
るが、半導体部分の抵抗率が大きくなってしまうため、
誘電損失が大きくなる。一方、ｘ＜０．０１では静電容
量及び誘電損失のバラツキが太きくるなる。
Ｏ−ＴｉＯ２の、ＴｉＯ２に対するＭｇＯのモル添加量
を示ずＸの値が０．４０＜ｘ≦０．６０の範囲では緻密
な焼結体を得ることが困難であり、また０、４０＜ｘの
範囲では得られる誘電体の温度係数の絶対値は小さくな
るが、半導体部分の抵抗率が大きくなってしまうため、
誘電損失が大きくなる。一方、ｘ＜０．０１では静電容
量及び誘電損失のバラツキが太きくるなる。
このため、Ｘは０．０１≦Ｘ≦０．４０とする。
また、半導体化剤として添加するＮｂｐＯａ、Ｌａ２ｏ
ａ及びＴａ２０５のうち少なくとも１種の量が０．０２
モル％未満では添加の効果が現れず、０．３モル％を超
えると、得られる誘電体の誘電損失が大きくなる。更に
、５ｉ０２は絶縁抵抗を高くするのに効果があるが、０
．２モル％を超えて添加すると、お電体の製造工程にお
いて、焼成する際に中性雰囲気ないし還元性雰囲気中で
の焼成で半導体化させることが困難となる。
ａ及びＴａ２０５のうち少なくとも１種の量が０．０２
モル％未満では添加の効果が現れず、０．３モル％を超
えると、得られる誘電体の誘電損失が大きくなる。更に
、５ｉ０２は絶縁抵抗を高くするのに効果があるが、０
．２モル％を超えて添加すると、お電体の製造工程にお
いて、焼成する際に中性雰囲気ないし還元性雰囲気中で
の焼成で半導体化させることが困難となる。
このため、本発明の半導体磁器誘電体組成物は主成分で
あるｘＭｇｏ−Ｔｉｏ２に列し、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ
３及びＴａ２０５の少なくとも１種を０．０２〜０．３
モル％、５１０２を０．２モル％以下含有したものとす
る。
あるｘＭｇｏ−Ｔｉｏ２に列し、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ
３及びＴａ２０５の少なくとも１種を０．０２〜０．３
モル％、５１０２を０．２モル％以下含有したものとす
る。
本発明の半導体磁器お電体は、このような本発明の組成
物の焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂｉ２０３．ＭｎＯ２、
ｐｂｏ及びＢ２０３よりなる群から選ばれる少なくとも
１種板」＝（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除く）を含
む絶縁層を形成したものである。
物の焼結体の表面に、ＣｕＯ１Ｂｉ２０３．ＭｎＯ２、
ｐｂｏ及びＢ２０３よりなる群から選ばれる少なくとも
１種板」＝（ただし、Ｂ２Ｏ３単独の場合を除く）を含
む絶縁層を形成したものである。
Ｃｕｂ、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＰｂＯ及びＢ２Ｏ３よ
りなる群から選ばれる少なくとも１ Ｆ１以上（ただし
、８２０３単独の場合を除く）の金属酸化物の付着量は
、得られる誘電体の使用目的や絶縁層を構成する物質等
に応じても異なるが、一般には半導体磁器重量の０．５
〜１０重量％程度とする。
りなる群から選ばれる少なくとも１ Ｆ１以上（ただし
、８２０３単独の場合を除く）の金属酸化物の付着量は
、得られる誘電体の使用目的や絶縁層を構成する物質等
に応じても異なるが、一般には半導体磁器重量の０．５
〜１０重量％程度とする。
このような本発明の半導体磁器誘電体は、以下に説明す
る本発明の製造方法により容易に製造される。
る本発明の製造方法により容易に製造される。
即ち、本発明の方法においては、まずＭｇＯ。
Ｔ １０２ ％ Ｎ ｂ ２０５、Ｌ ａ ａ Ｏ３
、Ｔ ａ ２０５、ＳｉＯ２あるいは加熱によりこれら
の酸化物を生じる化合物、例えばＭｇＣ０，等の粉末を
それぞれ所望の組成となるように秤量し、湿式ボールミ
ル等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥し
た後、必要に応じ、１０００〜１２００℃の範囲で数時
間仮焼成する。この仮焼成は必ずしも行う必要はないが
、これを行うことにより組成がより均一化され、誘電特
性が向上する傾向がある。仮焼成を行った場合には、仮
焼成物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、ポリ
ビニルアルコールなどの適当なバインダを加えて、顆粒
を作り、これを所定の形状にプレス成形した後、本焼成
を行う。この本焼成は、中性ないし還元性雰囲気中にて
、１２００〜１５００℃、好ましくは１３００〜１４０
０℃の温度範囲で数時間行う。
、Ｔ ａ ２０５、ＳｉＯ２あるいは加熱によりこれら
の酸化物を生じる化合物、例えばＭｇＣ０，等の粉末を
それぞれ所望の組成となるように秤量し、湿式ボールミ
ル等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥し
た後、必要に応じ、１０００〜１２００℃の範囲で数時
間仮焼成する。この仮焼成は必ずしも行う必要はないが
、これを行うことにより組成がより均一化され、誘電特
性が向上する傾向がある。仮焼成を行った場合には、仮
焼成物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、ポリ
ビニルアルコールなどの適当なバインダを加えて、顆粒
を作り、これを所定の形状にプレス成形した後、本焼成
を行う。この本焼成は、中性ないし還元性雰囲気中にて
、１２００〜１５００℃、好ましくは１３００〜１４０
０℃の温度範囲で数時間行う。
次いで、得られた焼結体の表面にＣｕＯ１Ｂ Ｉ ２０
ａ 、Ｍ ｎ Ｏ２、Ｐ ｂ Ｏ及びＢ２Ｏ３のうち
の少なくとも１種（ただしＢ２Ｏ３単独の場合を除く）
を塗布等により付着させ、これを酸化雰囲気中で、９０
０〜１１００℃で１〜数時間、熱処理して絶縁層を形成
する。
ａ 、Ｍ ｎ Ｏ２、Ｐ ｂ Ｏ及びＢ２Ｏ３のうち
の少なくとも１種（ただしＢ２Ｏ３単独の場合を除く）
を塗布等により付着させ、これを酸化雰囲気中で、９０
０〜１１００℃で１〜数時間、熱処理して絶縁層を形成
する。
このようにして得られる本発明の半導体磁器誘電体は、
通常、温度係数が０〜−６００ｐｐｍ／℃と極めて小さ
く、しかも面積容量は２００ｐＦ／ ｃ ｍ’以上と極
めて高く、誘電損失が小さく、かつ絶縁抵抗及び破壊電
圧の大きい、著しく高特性の誘電体である。
通常、温度係数が０〜−６００ｐｐｍ／℃と極めて小さ
く、しかも面積容量は２００ｐＦ／ ｃ ｍ’以上と極
めて高く、誘電損失が小さく、かつ絶縁抵抗及び破壊電
圧の大きい、著しく高特性の誘電体である。
［実施例コ
以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
ＭｇＣＯ５、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５，Ｌａ２０３、Ｔ
ａ ２０５、Ｓ ｉＯ２を第１表に示す組成となるよう
に正確に秤量したのち湿式混合を行い、まず、１０５０
〜１１００℃で４時間仮焼した。次いで、仮焼した原料
をボールミルを用いて湿式粉砕後乾燥し、この原料粉末
にポリビニルアルコール水溶液を添加して造粒し、４８
メツシユのふるいを通して整粒した。この整粒した粉末
を、焼成後の直径約１４ｍｍ、厚さが１ｍｍの円板にな
るようにプレス成形した。得られた成形体を９００℃で
４時間焼成してバインダーを除去したのち、中性雰囲気
ないし還元性τ囲気中、１３００〜１４００℃で焼成し
半導体化させた。
ａ ２０５、Ｓ ｉＯ２を第１表に示す組成となるよう
に正確に秤量したのち湿式混合を行い、まず、１０５０
〜１１００℃で４時間仮焼した。次いで、仮焼した原料
をボールミルを用いて湿式粉砕後乾燥し、この原料粉末
にポリビニルアルコール水溶液を添加して造粒し、４８
メツシユのふるいを通して整粒した。この整粒した粉末
を、焼成後の直径約１４ｍｍ、厚さが１ｍｍの円板にな
るようにプレス成形した。得られた成形体を９００℃で
４時間焼成してバインダーを除去したのち、中性雰囲気
ないし還元性τ囲気中、１３００〜１４００℃で焼成し
半導体化させた。
得られた半導体磁器の表面に、第１表に示すＣｕｂ、Ｂ
ｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２，ＰｂＯのうちの少なくとも１ｆ！
の酸化物を半導体磁器重量の０．５〜３重量％塗布して
、酸化雰囲気中にて９００〜１１００℃で１時間熱処理
して絶縁化した。更に得られた磁器の表面に、銀ペース
トを塗布、焼き付けをし、銀電極を形成した。
ｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２，ＰｂＯのうちの少なくとも１ｆ！
の酸化物を半導体磁器重量の０．５〜３重量％塗布して
、酸化雰囲気中にて９００〜１１００℃で１時間熱処理
して絶縁化した。更に得られた磁器の表面に、銀ペース
トを塗布、焼き付けをし、銀電極を形成した。
このようにして作製した誘電体試料について電気的特性
を測定した結果を第１表に示す。
を測定した結果を第１表に示す。
なお、面積容量（静電容量）及び誘電損失は２５℃にお
いて測定周波数ＩＫＨｚ又はＩＭＨｚ、測定電圧ＩＶで
測定し、温度係数は測定周波数ＩＭ）ｌｚで２５℃と８
５℃との間の容量変化率をｐｐｍ／℃単位で示した。ま
た、絶縁抵抗については、直流電圧１００ｖ印加１分後
の値を示し、破壊電圧は直流電圧を連続的に昇圧し絶縁
破壊したときの電圧を測定した。
いて測定周波数ＩＫＨｚ又はＩＭＨｚ、測定電圧ＩＶで
測定し、温度係数は測定周波数ＩＭ）ｌｚで２５℃と８
５℃との間の容量変化率をｐｐｍ／℃単位で示した。ま
た、絶縁抵抗については、直流電圧１００ｖ印加１分後
の値を示し、破壊電圧は直流電圧を連続的に昇圧し絶縁
破壊したときの電圧を測定した。
第１表より明らかなように、ＴｉＯ２−ＭｇＯ組成系（
ｘ ＝ Ｍ １１０ ／ Ｔ ｉ Ｏ２としたとき０≦
Ｘ≦１．００の範囲）で半導体磁器誘電体を作製す１す ることか可能である。しかして、０．０１≦Ｘ≦０．４
０の範囲及び半導体化剤０，０２〜０．３モル％、５ｉ
Ｏ２０，２モル％以下の添加では面積容量２００ ｐ
Ｆ ／ ｃ ｒｎ’以上、誘電損失０．５％以下で静電
容量の温度係数が−２００〜−６００ｐｐｍ／ｌの高特
性半導体磁器誘電体を得ることができる。これに対し、
ｘ＜０．０１及び０．４０＜ｘの範囲では誘電損失が０
．５％を超える場合もあり、また、半導体化剤を０．５
モル％添加した試料２０あるいは５ｉ０２を０．３０モ
ル％添加した試料２４でも誘電損失が０，５％を超えて
しまう。
ｘ ＝ Ｍ １１０ ／ Ｔ ｉ Ｏ２としたとき０≦
Ｘ≦１．００の範囲）で半導体磁器誘電体を作製す１す ることか可能である。しかして、０．０１≦Ｘ≦０．４
０の範囲及び半導体化剤０，０２〜０．３モル％、５ｉ
Ｏ２０，２モル％以下の添加では面積容量２００ ｐ
Ｆ ／ ｃ ｒｎ’以上、誘電損失０．５％以下で静電
容量の温度係数が−２００〜−６００ｐｐｍ／ｌの高特
性半導体磁器誘電体を得ることができる。これに対し、
ｘ＜０．０１及び０．４０＜ｘの範囲では誘電損失が０
．５％を超える場合もあり、また、半導体化剤を０．５
モル％添加した試料２０あるいは５ｉ０２を０．３０モ
ル％添加した試料２４でも誘電損失が０，５％を超えて
しまう。
なお、半導体化剤としてＬａ２０３ 、Ｔａ２ｏ５を用
いてＸの値を種々変化させた場合において同様に特性を
調べたところ、この場合においてもＮｂ２Ｏ５の場合と
同等の特性傾向がみられることが確認された。
いてＸの値を種々変化させた場合において同様に特性を
調べたところ、この場合においてもＮｂ２Ｏ５の場合と
同等の特性傾向がみられることが確認された。
り０／）
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の半導体磁器誘電体組成物の
焼結体に特定の絶縁層を形成してなる本発明の半導体磁
器誘電体は、温度係数が小さく、しかも面積容量は極め
て高く、一方、誘電損失が小さく、かつ絶縁抵抗及び破
壊電圧の大きな高特性半導体磁器誘電体である。
焼結体に特定の絶縁層を形成してなる本発明の半導体磁
器誘電体は、温度係数が小さく、しかも面積容量は極め
て高く、一方、誘電損失が小さく、かつ絶縁抵抗及び破
壊電圧の大きな高特性半導体磁器誘電体である。
しかして、このような高特性半導体磁器お電体は、本発
明の製造方法により容易に製造される。
明の製造方法により容易に製造される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ｘＭｇＯ・ＴｉＯ＿２ ［ただし、ｘはＴｉＯ＿２に対するＭｇＯのモル添加量
であって、０．０１≦ｘ≦ ０．４０である。］ を主成分とし、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｌａ＿２Ｏ＿３及びＴ
ａ＿２Ｏ＿５よりなる群から選ばれる少なくとも１種を
０．０２〜０．３モル％、並びに、ＳｉＯ＿２を０．２
モル％以下含有することを特徴とする半導体磁器誘電体
組成物。 （２）ｘＭｇＯ・ＴｉＯ＿２ ［ただし、ｘはＴｉＯ＿２に対するＭｇＯのモル添加量
であって、０．０１≦ｘ≦ ０．４０である。］ を主成分とし、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｌａ＿２Ｏ＿３及びＴ
ａ＿２Ｏ＿５よりなる群から選ばれる少なくとも１種を
０．０２〜０．３モル％、並びに、ＳｉＯ＿２を０．２
モル％以下含有する組成物の焼結体の表面に、ＣｕＯ、
Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＭｎＯ＿２、ＰｂＯ及びＢ＿２Ｏ＿３
よりなる群から選ばれる少なくとも１種以上（ただし、
Ｂ＿２Ｏ＿３単独の場合を除く）を含む絶縁層を形成し
たことを特徴とする半導体磁器誘電体。 （３）ｘＭｇＯ・ＴｉＯ＿２ ［ただし、ｘはＴｉＯ＿２に対するＭｇＯのモル添加量
であって、０．０１≦ｘ≦ ０．４０である。］ を主成分とし、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｌａ＿２Ｏ＿３及びＴ
ａ＿２Ｏ＿５よりなる群から選ばれる少なくとも１種を
０．０２〜０．３モル％、並びに、ＳｉＯ＿２を０．２
モル％以下含有する組成物を中性ないし還元性雰囲気中
で焼成し、得られた焼結体の表面に、ＣｕＯ、Ｂｉ＿２
Ｏ＿３、ＭｎＯ＿２、ＰｂＯ及びＢ＿２Ｏ＿３よりなる
群から選ばれる少なくとも１種以上（ただし、Ｂ＿２Ｏ
＿３単独の場合を除く）を付着させた後、該焼結体を酸
化雰囲気中で熱処理して絶縁層を形成することを特徴と
する半導体磁器誘電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112122A JPH0672046B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112122A JPH0672046B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270462A true JPS62270462A (ja) | 1987-11-24 |
| JPH0672046B2 JPH0672046B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=14578739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112122A Expired - Lifetime JPH0672046B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672046B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010120847A (ja) * | 2009-12-11 | 2010-06-03 | Kyocera Corp | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61112122A patent/JPH0672046B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010120847A (ja) * | 2009-12-11 | 2010-06-03 | Kyocera Corp | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672046B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| JPH0414442B2 (ja) | ||
| JPS62270462A (ja) | 半導体磁器誘電体組成物、半導体磁器誘電体及び該誘電体の製造方法 | |
| JPS5820133B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 | |
| JPH058524B2 (ja) | ||
| JPS623569B2 (ja) | ||
| JPS6126208B2 (ja) | ||
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6242368B2 (ja) | ||
| JPS6057213B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6217368B2 (ja) | ||
| JPS6312373B2 (ja) | ||
| JP2506286B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法 | |
| JPH03218964A (ja) | 半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPS6242365B2 (ja) | ||
| JPH03285870A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6242366B2 (ja) | ||
| JPH0426545A (ja) | 半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPS6242367B2 (ja) | ||
| JPS6328323B2 (ja) | ||
| JP2002222705A (ja) | 電圧非直線性抵抗体素子及びその製造方法 | |
| JPS6242363B2 (ja) | ||
| JPH05345663A (ja) | 半導体セラミックスおよびその製造方法 | |
| JPS61253812A (ja) | 半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPS6312374B2 (ja) |