JPS62269370A - 光プリンタ−用発光ダイオ−ド - Google Patents
光プリンタ−用発光ダイオ−ドInfo
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- JPS62269370A JPS62269370A JP61114144A JP11414486A JPS62269370A JP S62269370 A JPS62269370 A JP S62269370A JP 61114144 A JP61114144 A JP 61114144A JP 11414486 A JP11414486 A JP 11414486A JP S62269370 A JPS62269370 A JP S62269370A
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- Japan
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- diffusion
- junction
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- emitting diode
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Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 40
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は選択拡散によってＰＮ接合を分離する元プリン
ター用発光ダイオードに関する。
ター用発光ダイオードに関する。
口）従来の技術
選択拡散法により高密度の発光領ｔＲヲ形成した発光ダ
イオードとして、例えば特開昭６０−６６２７３号公報
等があり、元プリンターヘッド用の光源として商品化が
始まっている。そしてＮ−ＧａＡｓＰ基板上に選択拡散
法によりＺｎ ２拡散し、Ｐ型発元部を形成し７ｊＧａ
ＡｓＰモノリシック発元ダイオードが最もよく用いられ
ている。
イオードとして、例えば特開昭６０−６６２７３号公報
等があり、元プリンターヘッド用の光源として商品化が
始まっている。そしてＮ−ＧａＡｓＰ基板上に選択拡散
法によりＺｎ ２拡散し、Ｐ型発元部を形成し７ｊＧａ
ＡｓＰモノリシック発元ダイオードが最もよく用いられ
ている。
しかし最近でば、特開昭６０−７６１７７号公報の様に
高輝度化が可能なＧａＡｌＡｓモノリシ、ｙり発光ダイ
オードも検討されはじめた０これは液相エピタキシャル
法により形成されたＰ−ＣａＡＩＡｓ及びＮ−Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓカラｌるＰＮ接合全拡散法により細かく
分離するものである。１．かじ液相エピタキシャル法に
よると各層に厚くなるので拡散において概ね１０〜４０
μｍと深く拡散しなければＰＮ接合に達しないので、深
く安定に拡散することは困難であった。
高輝度化が可能なＧａＡｌＡｓモノリシ、ｙり発光ダイ
オードも検討されはじめた０これは液相エピタキシャル
法により形成されたＰ−ＣａＡＩＡｓ及びＮ−Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓカラｌるＰＮ接合全拡散法により細かく
分離するものである。１．かじ液相エピタキシャル法に
よると各層に厚くなるので拡散において概ね１０〜４０
μｍと深く拡散しなければＰＮ接合に達しないので、深
く安定に拡散することは困難であった。
具体的に説明すると、拡散層を深くする為には拡赦温変
を高く拡散時間全長くしなければならず、これによりウ
ェハーに与えるダメージが多くなってしまう。さらには
拡散層全閉く形成する際に横方向の拡散も同時に進行し
てしまい饋細パターンの形成が難しくなってしまう□ま
た充分に深く拡赦しようとすると深さ方向に対し濃度分
布にばらつきがでやすい。これらは発光特性全劣悪化さ
せたり、高解像度用元プリンタに対応できないなど不都
庁である。
を高く拡散時間全長くしなければならず、これによりウ
ェハーに与えるダメージが多くなってしまう。さらには
拡散層全閉く形成する際に横方向の拡散も同時に進行し
てしまい饋細パターンの形成が難しくなってしまう□ま
た充分に深く拡赦しようとすると深さ方向に対し濃度分
布にばらつきがでやすい。これらは発光特性全劣悪化さ
せたり、高解像度用元プリンタに対応できないなど不都
庁である。
ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は拡散全制御することによって、安定なＧａＡｌ
Ａｓモノリシック型の元プリンター用発光ダイオードを
提供するものである。
Ａｓモノリシック型の元プリンター用発光ダイオードを
提供するものである。
二）問題点全解決する定めの手段
本発明はＰＮ接合分膚の為の拡散層全格Ｗ字状に、さら
にはＰＮ接合よＱも浅く形成するものである。
にはＰＮ接合よＱも浅く形成するものである。
ホ）作 用
拡散１−全略Ｗ字状に形成することにより電流の流れ？
挟叩現象の様に押さえることができ、拡散層がＰＮ接合
よりも浅くても電気的光学的特性上でげＰＮ接合全分＃
ｆることができる。
挟叩現象の様に押さえることができ、拡散層がＰＮ接合
よりも浅くても電気的光学的特性上でげＰＮ接合全分＃
ｆることができる。
勺実施例
第１図及び第２図は本発明実施例の元プリンター用発光
ダイオードの要部平面図と断面図である。
ダイオードの要部平面図と断面図である。
山ａ化合物半導体基板で、Ｐ型ＧａＡＳ基台旧１上にＰ
−ＧａｎｚＡｌｎｓＡｓ層１１２１トＮ Ｇ ａＱ４
Ａ ｌ［１６Ａｓ層（１３１と葡液相エピタキシャル
成長させて設けであるワこれによりＰＮ接合（２）は表
面に略平行な面として形成されている。＋３＋１：（ｌ
・・・は亜鉛の選択拡散により形成された拡散層で、発
光夕“イオード分離領域の役目をするものである。この
拡散層１３１１３１・・・は従来のよう［ＰＮ接合（２
）に至る必要はないが断面略Ｗ字になるように拡散する
。この拡散は後述するように広い開口面積に対して比較
的高温で行うことによって得られる。＋４１ｆ４１・・
・ぼ非拡散領域にオーミリク接触がとられ、窒化硅素等
の絶Ｒ膜１５＋ ｉ５＋・・・を介して基板表面に設け
られた（個別）電極で、（６１は基板裏面に設けられた
裏面電極である。
−ＧａｎｚＡｌｎｓＡｓ層１１２１トＮ Ｇ ａＱ４
Ａ ｌ［１６Ａｓ層（１３１と葡液相エピタキシャル
成長させて設けであるワこれによりＰＮ接合（２）は表
面に略平行な面として形成されている。＋３＋１：（ｌ
・・・は亜鉛の選択拡散により形成された拡散層で、発
光夕“イオード分離領域の役目をするものである。この
拡散層１３１１３１・・・は従来のよう［ＰＮ接合（２
）に至る必要はないが断面略Ｗ字になるように拡散する
。この拡散は後述するように広い開口面積に対して比較
的高温で行うことによって得られる。＋４１ｆ４１・・
・ぼ非拡散領域にオーミリク接触がとられ、窒化硅素等
の絶Ｒ膜１５＋ ｉ５＋・・・を介して基板表面に設け
られた（個別）電極で、（６１は基板裏面に設けられた
裏面電極である。
より具体的に説明するならば、化合物半導体基板（１１
は厚みが５００μｍで、表面からＰＮ接合（２１までの
深さは２０〜３０μｍである。拡散層ｔ３ｕ３＋・・・
の拡散マスクは印字ドツトとなる非拡散領域ヲ除く部分
に設けられるので、拡散窓は狭い部分でも９５μｍ程度
である。石英アンプルケ用い友封管法にｊ Ｏ７５０’
ｃ ４時間の拡散処理？行うと中央部が７〜１０μｍ、
＠縁部ぼ深さ１３〜１８μｍの断面略異字状の拡散領域
？得ることができる。
は厚みが５００μｍで、表面からＰＮ接合（２１までの
深さは２０〜３０μｍである。拡散層ｔ３ｕ３＋・・・
の拡散マスクは印字ドツトとなる非拡散領域ヲ除く部分
に設けられるので、拡散窓は狭い部分でも９５μｍ程度
である。石英アンプルケ用い友封管法にｊ Ｏ７５０’
ｃ ４時間の拡散処理？行うと中央部が７〜１０μｍ、
＠縁部ぼ深さ１３〜１８μｍの断面略異字状の拡散領域
？得ることができる。
拡散窓は６５μｍ以上で拡散温度が７１０′ｃ以上であ
れば深さ２５μｍ以下の略Ｗ字状拡散層葡得ることがで
きるが、そうでなければ略Ｕ字状となる。尚部分的にＰ
Ｎ接合１２１が５μｍ等浅かったり、拡散が深くなった
りして、拡散層１３＋１３＋・・がＰＮＷ合より深くな
っても、従来通り分離できるのでＰＮ接合（２）での発
光効率が所定の大きさあれば問題ない。
れば深さ２５μｍ以下の略Ｗ字状拡散層葡得ることがで
きるが、そうでなければ略Ｕ字状となる。尚部分的にＰ
Ｎ接合１２１が５μｍ等浅かったり、拡散が深くなった
りして、拡散層１３＋１３＋・・がＰＮＷ合より深くな
っても、従来通り分離できるのでＰＮ接合（２）での発
光効率が所定の大きさあれば問題ない。
ト）発明の効果
本発明により従来ＰＮ接合を分離する為にぼ７２０ ’
ｃ ９時間の拡散処理が必要であったもの全４時間に短
縮することができ、ＰＮ接合は分離されて囚ないにもか
かわらず１ドツト分の発光が隣接ドツトに及ばない０こ
れはＷ字状の拡散領域が電界効果素子の如くに働いて電
流挟帛現象を生じているためと考えられるっ事実電流の
流れは非拡散領域の下部のみに進み′電気的光学的特性
上では素子分＃ｌＩ’に行うことができる。
ｃ ９時間の拡散処理が必要であったもの全４時間に短
縮することができ、ＰＮ接合は分離されて囚ないにもか
かわらず１ドツト分の発光が隣接ドツトに及ばない０こ
れはＷ字状の拡散領域が電界効果素子の如くに働いて電
流挟帛現象を生じているためと考えられるっ事実電流の
流れは非拡散領域の下部のみに進み′電気的光学的特性
上では素子分＃ｌＩ’に行うことができる。
第１図及び第２図は本発明により形成された元プリンタ
ー用発光ダイオードの平面図と断面図である。
ー用発光ダイオードの平面図と断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）化合物半導体の表面に略平行に設けられたＰＮ接合
と、表面からＰＮ接合より浅く断面略Ｗ字状に拡散され
た複数の拡散層と、表面の非拡散領域にオーミック接触
がとられた複数の電極とを具備した事を特徴とする光プ
リンター用発光ダイオード。 ２）前記化合物半導体はＧａＡｌＡｓ層を具備している
事を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の光プリ
ンター用発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114144A JPS62269370A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光プリンタ−用発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114144A JPS62269370A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光プリンタ−用発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269370A true JPS62269370A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14630245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61114144A Pending JPS62269370A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光プリンタ−用発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269370A (ja) |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP61114144A patent/JPS62269370A/ja active Pending
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