JPS592382A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS592382A JPS592382A JP57111211A JP11121182A JPS592382A JP S592382 A JPS592382 A JP S592382A JP 57111211 A JP57111211 A JP 57111211A JP 11121182 A JP11121182 A JP 11121182A JP S592382 A JPS592382 A JP S592382A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、Ｇ ａ Ａ ａ系の化合物半導体を基板と
する半導体発光装置に係わり、特に光プリンタ等に用い
られる半導体発光装置に関するものである。
する半導体発光装置に係わり、特に光プリンタ等に用い
られる半導体発光装置に関するものである。
光プリンタ用光源としては、従来よりＧａＡｌＡｓを活
性層とする半導体レーザが提案され開発されてきたが、
最近これに代わるものとして、発光ダイオードを高密度
に集積して使用する方法が提案され、開発が行なわれて
いる。このような発光ダイオードアレイは例えば第１図
（Ａ） 、 ｆＥ９に示すようにして形成する。まず、
第１図囚のようにｎ型Ｇａ Ａｓ 基板５上に第１の
ｎ型層ａＡｓＰ層６を気相成長し、さらにこの第１のｎ
型層ａＡｓＰ層・６上に第２のＧｊＩＡＩＩＰ層７を気
相成長して気相成長ウェー八８を形成する。上記第１の
ｎ型層ａＡｓＰ層６および第２ （７） ｎ型層ａＡｓ
Ｐ層７はそれぞれＧａ Ａ ｓ ｙ Ｐ １ ｙ 、Ｇ
ａＡｓｘＰＬ−ｘ （ｘ＜ｙ＜１ ）となるもので、第
２のＧａＡｓＰ層７が活性層となっている。
性層とする半導体レーザが提案され開発されてきたが、
最近これに代わるものとして、発光ダイオードを高密度
に集積して使用する方法が提案され、開発が行なわれて
いる。このような発光ダイオードアレイは例えば第１図
（Ａ） 、 ｆＥ９に示すようにして形成する。まず、
第１図囚のようにｎ型Ｇａ Ａｓ 基板５上に第１の
ｎ型層ａＡｓＰ層６を気相成長し、さらにこの第１のｎ
型層ａＡｓＰ層・６上に第２のＧｊＩＡＩＩＰ層７を気
相成長して気相成長ウェー八８を形成する。上記第１の
ｎ型層ａＡｓＰ層６および第２ （７） ｎ型層ａＡｓ
Ｐ層７はそれぞれＧａ Ａ ｓ ｙ Ｐ １ ｙ 、Ｇ
ａＡｓｘＰＬ−ｘ （ｘ＜ｙ＜１ ）となるもので、第
２のＧａＡｓＰ層７が活性層となっている。
次に、上記気相成長ウェー八８表面に８１０１膜等を被
着１２、拡散窓をパターニングして、このパターニング
された膜をマスクとして亜鉛等の不純物をＬ記つェー゛
ハ８に拡散させ、第１図（ハ）に示すように複数のｐ型
領域９，９・・・を形成する。この後、適宜このウェー
八８をダイシングし、カソード電極およびアノード電極
をパターニングして適当な外囲器に組み製品とする。
着１２、拡散窓をパターニングして、このパターニング
された膜をマスクとして亜鉛等の不純物をＬ記つェー゛
ハ８に拡散させ、第１図（ハ）に示すように複数のｐ型
領域９，９・・・を形成する。この後、適宜このウェー
八８をダイシングし、カソード電極およびアノード電極
をパターニングして適当な外囲器に組み製品とする。
しかし、上記のようにして形成した発光ダイオードアレ
イは、発光パターンの微細化は可能であるが発光出力が
小さいことと、ウェー八８内に形成された各発光領域の
発光出力のばらつきが非常に大きいこと等の欠点がある
。
イは、発光パターンの微細化は可能であるが発光出力が
小さいことと、ウェー八８内に形成された各発光領域の
発光出力のばらつきが非常に大きいこと等の欠点がある
。
このような発光出力の悪さやばらつきは。
ＧａＡｇ 基板５上に格子定数の異なるＧａＡａＦを
成長させるためにどうしても、ＧａＡｓＰ結晶内に結晶
欠陥が発生し、それがウェー八８内で大きくばらついて
いるためで、本質的に避は得ないものである。加えて、
不純物を活性領域に拡散させると、活性領域の結晶構造
が傷つけられ発光出力およびそのばらつきは更に悪化１
．ていた。
成長させるためにどうしても、ＧａＡｓＰ結晶内に結晶
欠陥が発生し、それがウェー八８内で大きくばらついて
いるためで、本質的に避は得ないものである。加えて、
不純物を活性領域に拡散させると、活性領域の結晶構造
が傷つけられ発光出力およびそのばらつきは更に悪化１
．ていた。
特に、複数の発光素子を備えた光プリンタ用発光ダイオ
ードアレイでは、各素子の発光出力のばらり永が大きい
と製品としては成り立たず、発光出力のばらつきの低減
が大きな課題となっていた。
ードアレイでは、各素子の発光出力のばらり永が大きい
と製品としては成り立たず、発光出力のばらつきの低減
が大きな課題となっていた。
この発明は、上記のような点に鑑みなされたもので、Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐ系の発光ダイオードと近い波長領域で
発光し、活性層にｐｎ接合を得るための拡散工程を行な
う必要がなく、高い発光出力を有し、発光出力のばらつ
きが小さく、比較的微細化も可能な半導体発光装置を提
供するものである。
ａ Ａ ｓ Ｐ系の発光ダイオードと近い波長領域で
発光し、活性層にｐｎ接合を得るための拡散工程を行な
う必要がなく、高い発光出力を有し、発光出力のばらつ
きが小さく、比較的微細化も可能な半導体発光装置を提
供するものである。
すなわち、この発明に係る半導体発光装置は、ＧａＡｓ
表面にこのＧａＡｓ 基板と同一導電型の第１の
ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を活性層として形成し、
この第１のＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓエピタキシャル層ト
にダイオードとなるよう上記ＧａＡｓ＋基板と逆導電型
の厚さが１０μｍ 以下の第２のＧ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓエピタキシャル層を液相成長したものである。
表面にこのＧａＡｓ 基板と同一導電型の第１の
ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を活性層として形成し、
この第１のＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓエピタキシャル層ト
にダイオードとなるよう上記ＧａＡｓ＋基板と逆導電型
の厚さが１０μｍ 以下の第２のＧ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓエピタキシャル層を液相成長したものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。第２図は液相成長装置１０の断面を示すもので、面方
位（１００）±０．５°なる亜鉛を添加したＰ型のＧａ
Ａｓ 基板１１を、液相成長装置１０のグラファイト
製スライドボート１２に設けられた凹部１３内に設置す
る。
。第２図は液相成長装置１０の断面を示すもので、面方
位（１００）±０．５°なる亜鉛を添加したＰ型のＧａ
Ａｓ 基板１１を、液相成長装置１０のグラファイト
製スライドボート１２に設けられた凹部１３内に設置す
る。
このグラファイト製スライドボート１２上には第１およ
び第２の融液溜１４．１５を備えた摺動可能なグラファ
イト製スライダー１６が設置されている。そして、この
第１および第２の融液溜１４．ＩＢには、金属ガリウム
、ＧａＡａ 多結晶、金属アルミニメラムおよび金属
亜鉛を溶融混合したｔ゛型液相成長層を形成すべき第１
の融液１７、およびｎ型液相成長層を形成すべき金属ガ
リウム、Ｇ ａ Ａ ｓ 多結晶、金属アルミニウム
および金属テルリウムを溶融混合した第２の融液１８を
それぞれ入れておく。
び第２の融液溜１４．１５を備えた摺動可能なグラファ
イト製スライダー１６が設置されている。そして、この
第１および第２の融液溜１４．ＩＢには、金属ガリウム
、ＧａＡａ 多結晶、金属アルミニメラムおよび金属
亜鉛を溶融混合したｔ゛型液相成長層を形成すべき第１
の融液１７、およびｎ型液相成長層を形成すべき金属ガ
リウム、Ｇ ａ Ａ ｓ 多結晶、金属アルミニウム
および金属テルリウムを溶融混合した第２の融液１８を
それぞれ入れておく。
このような状態の液相成長装置１０を図示しない気密封
止可能な石英管内の水素雰囲気中に設置する。そして、
まず、融液を８００〜９００℃に昇温し、スライダー１
６を矢印方向に移動させ、第１の融液溜１４が凹部１３
に開口した状態に設定してから冷却速度０，５℃／分で
徐冷して、ＧａＡｓ 基板１１上にＶ型ＧａＡＩＡ、
ｓｚビタキシャル層を成長させる。
止可能な石英管内の水素雰囲気中に設置する。そして、
まず、融液を８００〜９００℃に昇温し、スライダー１
６を矢印方向に移動させ、第１の融液溜１４が凹部１３
に開口した状態に設定してから冷却速度０，５℃／分で
徐冷して、ＧａＡｓ 基板１１上にＶ型ＧａＡＩＡ、
ｓｚビタキシャル層を成長させる。
次にスライダー１６をさらに矢印方向に動かし、第２の
融液溜１５をＧａＡｓ 基板１１の載置された凹部１
３に開口し、Ｐ型層ａＡｌＡｓエビタキンヤル層七に１
０μｍ以下の厚さのｎ型層ａλＩＡｓエピタキシャル層
を液相成長させる。
融液溜１５をＧａＡｓ 基板１１の載置された凹部１
３に開口し、Ｐ型層ａＡｌＡｓエビタキンヤル層七に１
０μｍ以下の厚さのｎ型層ａλＩＡｓエピタキシャル層
を液相成長させる。
このようにして、例えば２ｃｍ角の（１００）面を有す
るＧ ａ Ａ ｓ 基板上に順に７．５±１．５μｍ
のｐ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓエピタキシャル層およ
び６０±１μｎ１のｎ型層ａＡｌＡｓエビタキＶヤル層
の成長したウェーハを形成する。この場合のＡＩλ魯混
晶比の変化は、第３図に示すようになる。
るＧ ａ Ａ ｓ 基板上に順に７．５±１．５μｍ
のｐ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓエピタキシャル層およ
び６０±１μｎ１のｎ型層ａＡｌＡｓエビタキＶヤル層
の成長したウェーハを形成する。この場合のＡＩλ魯混
晶比の変化は、第３図に示すようになる。
次にこのようなエピタキシャルウェーハを用いて第４図
ｆＡｉ〜（ｎに示すような工程によりダイオードアレイ
を形成した。
ｆＡｉ〜（ｎに示すような工程によりダイオードアレイ
を形成した。
まず、第４図ＧＡ）に示す２ｏは紳型ＧａＡｓ 基板
２０で、この基板２ｏ上には前記のようにして順にＰ°
型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層２１および。型ＧａＡｌＡ
１層２２を液相成長させ、半導体ウェーハｌｓを形成す
る。そして、このウェーハ２３の上表面に例えば８１０
□による絶縁膜な被着させ、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２２の
発光領域とずべき部分に対応した所の絶縁膜２４を残す
ように写真蝕刻する。
２０で、この基板２ｏ上には前記のようにして順にＰ°
型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層２１および。型ＧａＡｌＡ
１層２２を液相成長させ、半導体ウェーハｌｓを形成す
る。そして、このウェーハ２３の上表面に例えば８１０
□による絶縁膜な被着させ、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２２の
発光領域とずべき部分に対応した所の絶縁膜２４を残す
ように写真蝕刻する。
次に第４図（Ｂｌに示すように上記絶縁膜２４をマスク
としてウェーハ２３表面から亜鉛を拡散させ、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡ１層２１に達するν型分離領域２５を形成する。
としてウェーハ２３表面から亜鉛を拡散させ、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡ１層２１に達するν型分離領域２５を形成する。
このとき、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２２はｐ型分離領域２５
により分割され、独立したｎ型島領域２６ａ、２６ｂ・
・・ を形成する。
により分割され、独立したｎ型島領域２６ａ、２６ｂ・
・・ を形成する。
このｎ型島領域２６ａ、２６ｂ−とρ型ＧａＡｌＡ１層
２）との埴ｎ接合面が発光領域となる。
２）との埴ｎ接合面が発光領域となる。
この場合、ｎ型ＧａＡｌＡ１層２２は充分に薄いために
（１０μｍ以下）、亜鉛を深く拡散する必要がなく、そ
のため、この拡散工程では戸型分離領域２５の横方向の
拡がりは非常に小さいもので済む。
（１０μｍ以下）、亜鉛を深く拡散する必要がなく、そ
のため、この拡散工程では戸型分離領域２５の横方向の
拡がりは非常に小さいもので済む。
次に、上記絶縁膜２４を除去し、第４図（Ａｌの場合と
同様にＳｉＯ□等による第２の絶縁膜をウェーハ２３．
Ｌに再び被着させ、第４図（ｑに示すように、この絶縁
膜２７によりＰ型分離領域２５が覆われ、ｎ型島領域２
６ａ、２６ｂ・・・ が露出するように、絶縁膜２７を
写真蝕刻する。
同様にＳｉＯ□等による第２の絶縁膜をウェーハ２３．
Ｌに再び被着させ、第４図（ｑに示すように、この絶縁
膜２７によりＰ型分離領域２５が覆われ、ｎ型島領域２
６ａ、２６ｂ・・・ が露出するように、絶縁膜２７を
写真蝕刻する。
その後、第４図（０に示すように、金にベリリウムを微
量添加した電極薄膜２８をｅ°型ＧａＡｓ基板２０裏面
に形成する。また、ウェー／、２．９の表面には、各ｎ
型島領域２６ｍ、２６ｂ・・・ の縁部にそれぞれ接続
する金にゲルマニウムを微量添加した金属電極２９ａ、
２９ｂ・・・ をパターニング形成し、発光ダイオード
アレイとする。
量添加した電極薄膜２８をｅ°型ＧａＡｓ基板２０裏面
に形成する。また、ウェー／、２．９の表面には、各ｎ
型島領域２６ｍ、２６ｂ・・・ の縁部にそれぞれ接続
する金にゲルマニウムを微量添加した金属電極２９ａ、
２９ｂ・・・ をパターニング形成し、発光ダイオード
アレイとする。
この第４図（ｌに示す装置の電極薄膜２８および金属電
極２９ｃ 間に順電圧を印加すると、ｎ型島領域２６
ｃ のｐｎ接合部付近が発光し、金属電極２９ｃ
の開口部３ｏより光が外部に放射される。
極２９ｃ 間に順電圧を印加すると、ｎ型島領域２６
ｃ のｐｎ接合部付近が発光し、金属電極２９ｃ
の開口部３ｏより光が外部に放射される。
このようにしてダイオードアレイを形成し、ｎ型Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ、 ａ層２２の厚さを１０μｍ 以下にし
た場合、・白°型分離領域２５の横方向拡散は１０μｍ
程度を見込めばよく、ト型分離領域２５の間隔、すな
わち発光領域となるｎ型島領域２６ａ、２６ｂ・・・
の間隔は充分に３９ｐｍ 以下にすることができる。
Ａ Ｉ Ａ、 ａ層２２の厚さを１０μｍ 以下にし
た場合、・白°型分離領域２５の横方向拡散は１０μｍ
程度を見込めばよく、ト型分離領域２５の間隔、すな
わち発光領域となるｎ型島領域２６ａ、２６ｂ・・・
の間隔は充分に３９ｐｍ 以下にすることができる。
さらに例えばｎ型ＧａＡ、ＩＡｓＡｓ層内２厚な６μｍ
以下にした場合には１発光領域の間隔を少なくとも２０
μｍ 以下にすることがでとる。
以下にした場合には１発光領域の間隔を少なくとも２０
μｍ 以下にすることがでとる。
次に、この実施例による発光ダイオードアレイと第１図
に示した発光ダイオードアレイにつき素子の特性を比較
する。この場合、発光波長はいずれも７０００ｍとした
。
に示した発光ダイオードアレイにつき素子の特性を比較
する。この場合、発光波長はいずれも７０００ｍとした
。
まず発光効率は、従来のものでは０，０５％ であるの
に対しこの実施例によるものでは０．５％に向上した。
に対しこの実施例によるものでは０．５％に向上した。
また、発光領域の面積を８０μｍ×８０μｍ とし、各
発光領域間の間隔を４０μｍ に設定１２て１２８ 個
の発光領域を一列に集積した発光装菅を多数形成した場
合、同一発光装置内における全ての発光領域の出力のば
らつきが１２倍以内に抑えられている装置の割合は、従
来５％程度であったのに対し、この実施例によるもので
は５０％に改善された。
発光領域間の間隔を４０μｍ に設定１２て１２８ 個
の発光領域を一列に集積した発光装菅を多数形成した場
合、同一発光装置内における全ての発光領域の出力のば
らつきが１２倍以内に抑えられている装置の割合は、従
来５％程度であったのに対し、この実施例によるもので
は５０％に改善された。
さらに、ダイオードアレイとして配列する各素子（発光
領域）の光漏話の状態は、各素子を１個お〜に点灯させ
、発光部分と非発光部分との光出力の比で見た場合、従
来のものが「１００：４」であるのに対し、この実施例
のものではｒｌｏｏ ： ５Ｊであった。これは、１素
子あたりの発光効率が約１０倍に改善されていることを
鑑みれば問題にならない。
領域）の光漏話の状態は、各素子を１個お〜に点灯させ
、発光部分と非発光部分との光出力の比で見た場合、従
来のものが「１００：４」であるのに対し、この実施例
のものではｒｌｏｏ ： ５Ｊであった。これは、１素
子あたりの発光効率が約１０倍に改善されていることを
鑑みれば問題にならない。
このように発光素子の特性が改善したのは、半導体ウェ
ーへのＧａＡｓ 基板とＧａＡｓＰ系による液相成長
層との結晶格子定数が良く一致するために、結晶欠陥が
著しく減少し、ウェーハ内の特性のばらつきが非常に小
さくなったことと、液相成長層の接合面でＰ１１接合を
形成しているため活性領域の結晶を拡散工程でいためる
ことがなく、ψれ接合面の深さもウェーへ内で一定して
いることによる。
ーへのＧａＡｓ 基板とＧａＡｓＰ系による液相成長
層との結晶格子定数が良く一致するために、結晶欠陥が
著しく減少し、ウェーハ内の特性のばらつきが非常に小
さくなったことと、液相成長層の接合面でＰ１１接合を
形成しているため活性領域の結晶を拡散工程でいためる
ことがなく、ψれ接合面の深さもウェーへ内で一定して
いることによる。
また、最上層の液相成長層（ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２２）
が１０μｎ＋Ｉ２Ｌ下と充分に薄いために、亜鉛の浅い
拡散により素子分離が可能で、亜鉛の横方向拡散の拡が
りおよびばらつきも比較的低減でき発光パターンの微細
化高集積化が可能である。
が１０μｎ＋Ｉ２Ｌ下と充分に薄いために、亜鉛の浅い
拡散により素子分離が可能で、亜鉛の横方向拡散の拡が
りおよびばらつきも比較的低減でき発光パターンの微細
化高集積化が可能である。
なお、この実施例では最り層のｎ型ＧａＡｌＡｓ層２２
に亜鉛を拡散させ累子分離を行ない発光領域パターンを
形成したが、前記炉型分離領域２５に対応して枦型層ａ
ＡＩＡａ層２１に達するまでｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層２２をエツチングして累子分離を行ない発光領域パ
ターンを形成しても良い。この場合もｎ型ＧａＡｌＡｓ
層２２が充分に薄いことから浅いエツチングで済み、そ
れに伴ないエツチングのばらつきや乱れは小さいものと
することができる。
に亜鉛を拡散させ累子分離を行ない発光領域パターンを
形成したが、前記炉型分離領域２５に対応して枦型層ａ
ＡＩＡａ層２１に達するまでｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層２２をエツチングして累子分離を行ない発光領域パ
ターンを形成しても良い。この場合もｎ型ＧａＡｌＡｓ
層２２が充分に薄いことから浅いエツチングで済み、そ
れに伴ないエツチングのばらつきや乱れは小さいものと
することができる。
また、上記実施例ではｐ型のＧａＡｓ 基板２０上に
順にＰ゛型のＧａＡｌＡｓ層２１およびｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層２２を形成する場合について述べたが、ト記導電
型はそれぞれ逆導電型のものでも構成できる。
順にＰ゛型のＧａＡｌＡｓ層２１およびｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層２２を形成する場合について述べたが、ト記導電
型はそれぞれ逆導電型のものでも構成できる。
以Ｅのようにこの発明によれば、活性層に＃／ｎ接合を
得るための拡散工程を行なわず、ＧａＡｓ 基板に格
子定数の良く一致するＧａＡｌＡｓ系のエピタキシャル
層を成長させるため、結晶欠陥が著しく減少し発光効率
が均一に高まり、最上層の第２のエピタキシャル層を極
めて薄いものとしても実用的な発光出力を得ることがで
きる。それに伴い、発光領域のパターンを微細化するこ
とができ、高い発光出力を有し、ばらつきが小さく、Ｇ
ａＡｓＰ系の発光ダイオード°と近い発光波長を有する
半導体発光装置を提供でぺ、特に光プリンタ用発光ダイ
オードアレイの製造歩留に入永く寄与する。
得るための拡散工程を行なわず、ＧａＡｓ 基板に格
子定数の良く一致するＧａＡｌＡｓ系のエピタキシャル
層を成長させるため、結晶欠陥が著しく減少し発光効率
が均一に高まり、最上層の第２のエピタキシャル層を極
めて薄いものとしても実用的な発光出力を得ることがで
きる。それに伴い、発光領域のパターンを微細化するこ
とができ、高い発光出力を有し、ばらつきが小さく、Ｇ
ａＡｓＰ系の発光ダイオード°と近い発光波長を有する
半導体発光装置を提供でぺ、特に光プリンタ用発光ダイ
オードアレイの製造歩留に入永く寄与する。
第１図（Ａ＋ 、 （１１は従来の半導体発光装置を製
造過程と共に示す断面因、第２図はこの発明の一実施例
に係る半導体発光装置をその製造装置と共に示す１図、
ｔＩｐ１３図はこの発明の一実施に係る半導体発光装置
の混晶比を示すグラフ、第４図（Ａ）７ （１）はこの
発明の一実施例に係る半導体発光装置を発光ダイオード
アレイを例として説明する図である。 １０・・・液相成長装置 １１ ・−Ｇａ１ｇ基板 ２０・・・１型ＧａＡ１基板 Ｊ Ｊ−ｐ型層ａＡＩＡａ層 ２２ ・−・ｎ型ＧａＡｌＡｓ層 ２３・・・ウェー八 ２５・・・Ｖ型分離領域 ２６ｍ、２６ｂ−−−ｎ型島領域
造過程と共に示す断面因、第２図はこの発明の一実施例
に係る半導体発光装置をその製造装置と共に示す１図、
ｔＩｐ１３図はこの発明の一実施に係る半導体発光装置
の混晶比を示すグラフ、第４図（Ａ）７ （１）はこの
発明の一実施例に係る半導体発光装置を発光ダイオード
アレイを例として説明する図である。 １０・・・液相成長装置 １１ ・−Ｇａ１ｇ基板 ２０・・・１型ＧａＡ１基板 Ｊ Ｊ−ｐ型層ａＡＩＡａ層 ２２ ・−・ｎ型ＧａＡｌＡｓ層 ２３・・・ウェー八 ２５・・・Ｖ型分離領域 ２６ｍ、２６ｂ−−−ｎ型島領域
Claims (2)
- （１）−導電型のＧａＡａ 基板と、このＧａＡａ基
板Ｅ基板酸され上記ＧａＡｓ 基板に対し同一導電型
の第１のＧａＡｌＡｓエピタキシャル層と、この第１の
ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層上に形成されＬ記Ｇ ａ
Ａ ｓ 基板に対し逆導電型の第２のＧａＡｌＡｓ
エピタキシャル層とを有し、この第２０）ＧａＡＩＡ
ｓ＋エピタキシャル層の層厚が１０μｍ 以下であるこ
とを特徴とする半導体発光装置。 - （２）Ｌ記Ｇ ａ Ａ ｓ 基板および＠１のＧａＡ
ｌＡｓエピタキシャル層は亜鉛を主たる不純物として含
むν型であり、上記第２のＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ エ
ピタキシャル層はテルリウムを主たる不純物として含む
ｎ型であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111211A JPS592382A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111211A JPS592382A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592382A true JPS592382A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14555336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111211A Pending JPS592382A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406095A (en) * | 1992-08-27 | 1995-04-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111211A patent/JPS592382A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406095A (en) * | 1992-08-27 | 1995-04-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
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