JPS62268361A - スイツチング電源回路 - Google Patents
スイツチング電源回路Info
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- JPS62268361A JPS62268361A JP10584086A JP10584086A JPS62268361A JP S62268361 A JPS62268361 A JP S62268361A JP 10584086 A JP10584086 A JP 10584086A JP 10584086 A JP10584086 A JP 10584086A JP S62268361 A JPS62268361 A JP S62268361A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
スイッチング電源回路の入力電圧が高くなった時、スイ
ッチングのオン時間の最大設定値を短くし、過負荷時に
於いても、スイッチングのオン時間が最大設定値以上と
ならないように制御して、トランスの磁気飽和を防止す
るものである。
ッチングのオン時間の最大設定値を短くし、過負荷時に
於いても、スイッチングのオン時間が最大設定値以上と
ならないように制御して、トランスの磁気飽和を防止す
るものである。
本発明は、入力電圧をスイッチングし、そのオン時間の
制御によって出力電圧を一定化するスイッチング電源回
路に関するものである。
制御によって出力電圧を一定化するスイッチング電源回
路に関するものである。
スイッチング電源回路は、その回路構成に於いて種々の
方式があるが、一般的にはトランスの一次巻線にスイッ
チング素子を介して入力電圧を印加し、そのスイッチン
グ素子のオン時間を制御して、出力電圧を一定化するも
のであり、安定化電源を必要とする各種電子機器の電源
回路として多く使用されている。
方式があるが、一般的にはトランスの一次巻線にスイッ
チング素子を介して入力電圧を印加し、そのスイッチン
グ素子のオン時間を制御して、出力電圧を一定化するも
のであり、安定化電源を必要とする各種電子機器の電源
回路として多く使用されている。
又そのスイッチング素子の制御方式としては、スイッチ
ング周波数を一定とし、スイッチング素子のオン時間を
定めるパルス幅を制御するパルス幅変調制御方式と、ス
イッチング周波数を制御する周波数変調制御方式とがあ
る。前者のパルス幅変調制御方式は、比較的大容量のス
イッチング電源回路に適用されているが、後者の周波数
変調制御方式は、スイッチング電源回路の効率を向上す
る為にスイッチング周波数を高くすると、ノイス成分が
増大するので、比較的小容量のスイッチング電源回路に
適用されている。
ング周波数を一定とし、スイッチング素子のオン時間を
定めるパルス幅を制御するパルス幅変調制御方式と、ス
イッチング周波数を制御する周波数変調制御方式とがあ
る。前者のパルス幅変調制御方式は、比較的大容量のス
イッチング電源回路に適用されているが、後者の周波数
変調制御方式は、スイッチング電源回路の効率を向上す
る為にスイッチング周波数を高くすると、ノイス成分が
増大するので、比較的小容量のスイッチング電源回路に
適用されている。
又スイッチング電源回路の負荷電流が大きくなると、ス
イッチング電源回路内のトランスが磁気飽和する場合が
ある。このトランスが磁気飽和すると、インダクタンス
成分が極端に低下するので、スイッチング素子に過大な
電流が流れて、破損する場合がある。従って、トランス
の磁気飽和を防止する為に、スイッチング素子の最大オ
ン時間を予め設定する方式が採用されている。
イッチング電源回路内のトランスが磁気飽和する場合が
ある。このトランスが磁気飽和すると、インダクタンス
成分が極端に低下するので、スイッチング素子に過大な
電流が流れて、破損する場合がある。従って、トランス
の磁気飽和を防止する為に、スイッチング素子の最大オ
ン時間を予め設定する方式が採用されている。
従来のスイッチング電源回路は、例えば、第4図に示す
2石フォワードコンバータ一方式のように、電1ffl
llからの入力端子Vinをスイッチング素子としての
トランジスタQ1.Q2を介してI・ランス12の一次
巻線に印加し、その二次巻線に誘起した電圧を整流平滑
回路13で整流平滑するものであり、又一次巻線に蓄積
されたエネルギが放出されるようにダイオードDI、D
2が接続されている。整流平滑回路13は、ダイオード
D3、D4、チョークコイル[,1、コンデンサCIに
より構成されている。
2石フォワードコンバータ一方式のように、電1ffl
llからの入力端子Vinをスイッチング素子としての
トランジスタQ1.Q2を介してI・ランス12の一次
巻線に印加し、その二次巻線に誘起した電圧を整流平滑
回路13で整流平滑するものであり、又一次巻線に蓄積
されたエネルギが放出されるようにダイオードDI、D
2が接続されている。整流平滑回路13は、ダイオード
D3、D4、チョークコイル[,1、コンデンサCIに
より構成されている。
整流平滑回路13の出力電圧は、制御部14に加えられ
、パルス幅変調制御方式によるトランジスタQl、Q2
の制御が行われる。制御部14 ill、比較器15〜
17と、NOR回路18と、鋸歯状波発生器19と、ト
ランス20と、トランジスタQ3と、比較器15.17
に加える基準電圧Vrl、Vr2を備えているものであ
る。
、パルス幅変調制御方式によるトランジスタQl、Q2
の制御が行われる。制御部14 ill、比較器15〜
17と、NOR回路18と、鋸歯状波発生器19と、ト
ランス20と、トランジスタQ3と、比較器15.17
に加える基準電圧Vrl、Vr2を備えているものであ
る。
第5図は動作説明図であり、(alは鋸歯状波発生器1
9の出力信号a、fb)は比較器16の出力信号b、(
C)は比較器17の出力信号C1+diはNOR回路1
8の出力信号d、(e+はトランス12の一次巻線に発
生ずる電圧eの波形を示す。
9の出力信号a、fb)は比較器16の出力信号b、(
C)は比較器17の出力信号C1+diはNOR回路1
8の出力信号d、(e+はトランス12の一次巻線に発
生ずる電圧eの波形を示す。
整流平滑回路13で整流平滑された出力電圧は、制御部
14の比較器15により基準電圧Vrlと比較され、第
5図の(alの鎖線fに示す出力信号fが比較器16に
加えられた場合に、比較器16の出力信号すば(blに
示すものとなる。比較器17ば、鋸歯状波発生器19の
出力信号aと基準電圧Vr2とを比較するもので、その
出力信号Cは(c+に示すものとなる。比較器16.1
7の出力信号す、cはNOR回路18に加えられるので
、その出力信号dば(dlに示すものとなる。この出力
信号dがトランジスタQ3のベースに加えられ、トラン
ス20を介してトランジスタQl、Q2が制御される。
14の比較器15により基準電圧Vrlと比較され、第
5図の(alの鎖線fに示す出力信号fが比較器16に
加えられた場合に、比較器16の出力信号すば(blに
示すものとなる。比較器17ば、鋸歯状波発生器19の
出力信号aと基準電圧Vr2とを比較するもので、その
出力信号Cは(c+に示すものとなる。比較器16.1
7の出力信号す、cはNOR回路18に加えられるので
、その出力信号dば(dlに示すものとなる。この出力
信号dがトランジスタQ3のベースに加えられ、トラン
ス20を介してトランジスタQl、Q2が制御される。
トランジスタQl、Q2が同時にオンとなることにより
、電源11からトランス12の一次巻線に電流が供給さ
れ、トランジスタQl、Q2が同時にオフとなると、ト
ランス12の一次巻線に蓄積されたエネルギによりダイ
オードDI、D2を介して電流が流れるので、一次巻線
間の電圧波形eは、第5図の(Q)に示すものとなる。
、電源11からトランス12の一次巻線に電流が供給さ
れ、トランジスタQl、Q2が同時にオフとなると、ト
ランス12の一次巻線に蓄積されたエネルギによりダイ
オードDI、D2を介して電流が流れるので、一次巻線
間の電圧波形eは、第5図の(Q)に示すものとなる。
従って、トランス12の一次巻線には、鋸歯状波発生器
19の出力信号aの周期Tに従った交番電流が流れるこ
とになり、二次巻線に電圧が誘起される。
19の出力信号aの周期Tに従った交番電流が流れるこ
とになり、二次巻線に電圧が誘起される。
二次巻線の誘起電圧は、ダイオードD3.D4によって
整流され、チョークコイルL1とコンデンサCIとによ
り平滑化されて出力される。この出力電圧が低下すると
、比較器15の出力信号fのレベルが下がることになり
、比較器16の出力信号すのパルス幅は広くなって、N
OR回路18の出力信号dのパルス幅も広くなる。従っ
て、トランジスタQl、Q2のオン時間が長くなり、出
力電圧が上昇する。
整流され、チョークコイルL1とコンデンサCIとによ
り平滑化されて出力される。この出力電圧が低下すると
、比較器15の出力信号fのレベルが下がることになり
、比較器16の出力信号すのパルス幅は広くなって、N
OR回路18の出力信号dのパルス幅も広くなる。従っ
て、トランジスタQl、Q2のオン時間が長くなり、出
力電圧が上昇する。
しかし、出力電圧が更に低下して比較器16の出力信号
すのパルス幅が広くなった場合、NOR回路18の出力
信号dのパルス幅は、比較器17の出力信号Cのパルス
幅以上とならないことになる。即ち、比較器17の出力
信号Cのパルス幅によって、トランジスタQl、Q2の
オン時間の最大幅が設定されるごとになる。
すのパルス幅が広くなった場合、NOR回路18の出力
信号dのパルス幅は、比較器17の出力信号Cのパルス
幅以上とならないことになる。即ち、比較器17の出力
信号Cのパルス幅によって、トランジスタQl、Q2の
オン時間の最大幅が設定されるごとになる。
このような最大オン時間幅を設定する理由は、I−ラン
ジスタQl、Q2のオン時間に、トランス12に蓄積さ
れるエネルギを、トランジスタQ1、C2のオフ時間中
に放出する必要があり、このオフ時間を1周期T内に確
保する為であり、第4図の構成に於いては、最大オン時
間幅は、1周期Tの50%以下に設定されている。
ジスタQl、Q2のオン時間に、トランス12に蓄積さ
れるエネルギを、トランジスタQ1、C2のオフ時間中
に放出する必要があり、このオフ時間を1周期T内に確
保する為であり、第4図の構成に於いては、最大オン時
間幅は、1周期Tの50%以下に設定されている。
第6図は他の従来例のブロック図であり、リセット巻線
を有する1石フォワードコンバータ一方式の場合を示す
。同図に於いて21は電源、22はトランス、23は整
流平滑回路、24は制御部、25はトランス、C4はト
ランジスタ、D5〜D7はダイオード、L2はチョーク
コイル、C2はコンデンサである。制御部24は第4図
に示す制御部14とほぼ同じ構成を有し、整流平滑回路
23の出力電圧に対応して、トランジスタQ4に加える
パルス幅を制御するものである。
を有する1石フォワードコンバータ一方式の場合を示す
。同図に於いて21は電源、22はトランス、23は整
流平滑回路、24は制御部、25はトランス、C4はト
ランジスタ、D5〜D7はダイオード、L2はチョーク
コイル、C2はコンデンサである。制御部24は第4図
に示す制御部14とほぼ同じ構成を有し、整流平滑回路
23の出力電圧に対応して、トランジスタQ4に加える
パルス幅を制御するものである。
このトランジスタQ4によってトランス22の一次巻線
に電源21から印加される電圧がスイッチングされ、ト
ランジスタQ4のオン時間に蓄積されたエネルギは、ト
ランジスタQ4のオフ時間中に、トランス22の第3の
巻線であるリセット巻線に接続されたダイオードD5を
介して放出される。
に電源21から印加される電圧がスイッチングされ、ト
ランジスタQ4のオン時間に蓄積されたエネルギは、ト
ランジスタQ4のオフ時間中に、トランス22の第3の
巻線であるリセット巻線に接続されたダイオードD5を
介して放出される。
この従来例に於いては、リセット巻線の巻数の設定によ
り、蓄積エネルギの放出時間を短縮して、トランジスタ
Q4の最大オン時間幅を、スイッチング周期の50%以
上に設定することも可能となるが、トランジスタQ4の
耐圧の関係から、リセット巻線の巻数を余り多くするこ
とは困難である。
り、蓄積エネルギの放出時間を短縮して、トランジスタ
Q4の最大オン時間幅を、スイッチング周期の50%以
上に設定することも可能となるが、トランジスタQ4の
耐圧の関係から、リセット巻線の巻数を余り多くするこ
とは困難である。
第4図に示す従来例に於いて、例えば、1周期Tを5μ
s、設定最大オン時間幅T onを2.3μs(<2.
5μs)とし、電源11の入力電圧vinを200V、
トランス12のコアをフェライトにより構成して、その
断面積Sを111mm2、一次巻線の巻数Nを23とす
ると、トランス12の磁束密度Bは、 Vin’Ton 200X2.3X10−6B =
−= □ N−323X111X10−6 =0.18(テスラ) となる。
s、設定最大オン時間幅T onを2.3μs(<2.
5μs)とし、電源11の入力電圧vinを200V、
トランス12のコアをフェライトにより構成して、その
断面積Sを111mm2、一次巻線の巻数Nを23とす
ると、トランス12の磁束密度Bは、 Vin’Ton 200X2.3X10−6B =
−= □ N−323X111X10−6 =0.18(テスラ) となる。
入力電圧Vinを高くして、出力電圧を一定となるよう
に制御する場合は、トランジスタQl。
に制御する場合は、トランジスタQl。
C2のオン時間幅を短くなるように制御すれば良いこと
になり、例えば、入力電圧Vinを400Vとした場合
、トランジスタQl、Q2のオン時間幅を1.15μs
とすれば、トランス12のコアの磁束密度は、0.18
テスラを維持することになる。
になり、例えば、入力電圧Vinを400Vとした場合
、トランジスタQl、Q2のオン時間幅を1.15μs
とすれば、トランス12のコアの磁束密度は、0.18
テスラを維持することになる。
しかし、入力電圧を高くした時に、負荷短絡のような過
渡状態が発生すると、出力電圧の低下によって比較器1
6の出力信号すのパルス幅が、比較器17の出力信号C
のパルス幅、即ち、最大オン時間幅となり、トランジス
タQl、Q2はその最大オン時間幅T。7のオン時間に
制御される。その場合、入力電圧Vinを500Vとし
た場合に、前述の最大オン時間幅T。、=2.3μsに
トランジスタQl、Q2が制御されたとすると、トラン
ス12のコアの磁束密度Blは、 一〇、45(テスラ〕 となる。このトランス12のコアは、前述のように、フ
ェライトを用いるのが一般的であり、その最大磁束密度
Bmは、約0.4テスラであるから、前述の場合には、
トランス12のコアが磁気飽和することになる。
渡状態が発生すると、出力電圧の低下によって比較器1
6の出力信号すのパルス幅が、比較器17の出力信号C
のパルス幅、即ち、最大オン時間幅となり、トランジス
タQl、Q2はその最大オン時間幅T。7のオン時間に
制御される。その場合、入力電圧Vinを500Vとし
た場合に、前述の最大オン時間幅T。、=2.3μsに
トランジスタQl、Q2が制御されたとすると、トラン
ス12のコアの磁束密度Blは、 一〇、45(テスラ〕 となる。このトランス12のコアは、前述のように、フ
ェライトを用いるのが一般的であり、その最大磁束密度
Bmは、約0.4テスラであるから、前述の場合には、
トランス12のコアが磁気飽和することになる。
このようにトランス12のコアが磁気飽和すると、トラ
ンス12の一次巻線のインダクタンスが極端に低下する
ので、トランジスタQl、Q2に過大な電流が流れて、
トランジスタQl、Q2が破損することになる。磁気飽
和を防止する為には、コアを大型として、定常時の磁束
密度を低く設定すれば良いことになるが、トランス12
が大型化する欠点がある。
ンス12の一次巻線のインダクタンスが極端に低下する
ので、トランジスタQl、Q2に過大な電流が流れて、
トランジスタQl、Q2が破損することになる。磁気飽
和を防止する為には、コアを大型として、定常時の磁束
密度を低く設定すれば良いことになるが、トランス12
が大型化する欠点がある。
本発明は、前述のように、入力電圧を高くした時の過渡
状態に於けるオン時間幅の増加を抑制しく10) て、トランスを大型化することなく、磁気飽和を防止す
ることを目的とするものである。
状態に於けるオン時間幅の増加を抑制しく10) て、トランスを大型化することなく、磁気飽和を防止す
ることを目的とするものである。
本発明のスイッチング電源回路は、入力電圧に対応して
スイッチング素子の最大オン時間幅を自動的に設定する
ものであり、第1図を参照して説明する。入力電圧をス
イッチングしてトランス2の一次巻線に印加するトラン
ジスタ等のスイッチング素子1と、トランス2の二次巻
線に誘起した電圧をダイオード等により整流し、チョー
クコイルやコンデンサ等により平滑化する整流平滑回路
3と、この整流平滑回路3の出力電圧と基準電圧とを比
較して、出力電圧が一定値となるようにスイッチング素
子1のオン時間を制御する制御部4とを備え、その制御
部4には、スイッチング素子1の最大オン時間幅を、入
力電圧が高くなる程、短くなるように設定する設定部5
を設けたものである。
スイッチング素子の最大オン時間幅を自動的に設定する
ものであり、第1図を参照して説明する。入力電圧をス
イッチングしてトランス2の一次巻線に印加するトラン
ジスタ等のスイッチング素子1と、トランス2の二次巻
線に誘起した電圧をダイオード等により整流し、チョー
クコイルやコンデンサ等により平滑化する整流平滑回路
3と、この整流平滑回路3の出力電圧と基準電圧とを比
較して、出力電圧が一定値となるようにスイッチング素
子1のオン時間を制御する制御部4とを備え、その制御
部4には、スイッチング素子1の最大オン時間幅を、入
力電圧が高くなる程、短くなるように設定する設定部5
を設けたものである。
設定部5ば、入力電圧が高くなる程、最大オン時間幅を
短くなるように設定するものであるから、入力電圧を高
くした時に、負荷短絡等の過渡状態が発生しても、その
最大オン時間幅に制限されて、スイッチング素子1のオ
ン時間幅が大きくなり過ぎることがなくなる。即ち、ト
ランス2の磁気飽和を防止することができる。
短くなるように設定するものであるから、入力電圧を高
くした時に、負荷短絡等の過渡状態が発生しても、その
最大オン時間幅に制限されて、スイッチング素子1のオ
ン時間幅が大きくなり過ぎることがなくなる。即ち、ト
ランス2の磁気飽和を防止することができる。
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第2図は本発明の実施例のブロック図であり、入力電圧
Vinの電源11からスイッチング素子としてのトラン
ジスタQ1.Q2を介してトランス12の一次巻線に電
流が供給される。又トランジスタQl、Q2のオン時間
にトランス12に蓄積されたエネルギは、オフ時間中に
ダイオードDI、D2を介して放出される。その場合に
トランジスタQl、Q2に印加される電圧は、電源11
の電圧Vinにクランプされることになる。
Vinの電源11からスイッチング素子としてのトラン
ジスタQ1.Q2を介してトランス12の一次巻線に電
流が供給される。又トランジスタQl、Q2のオン時間
にトランス12に蓄積されたエネルギは、オフ時間中に
ダイオードDI、D2を介して放出される。その場合に
トランジスタQl、Q2に印加される電圧は、電源11
の電圧Vinにクランプされることになる。
トランス12の二次巻線には整流平滑回路13が接続さ
れ、ダイオードD3.D4によって整流されて、チョー
クコイルL1とコンデンサC1とにより平滑される。そ
の出力電圧は、制御部14の比較器15に加えられて、
基準電圧Vrlと比較される。又鋸歯状波発生器19か
らの鋸歯状波信号は、比較器16.17に加えられ、比
較器15の出力信号は比較器16により鋸歯状波信号と
比較され、又入力電圧Vinは抵抗R1,R2により分
圧され、その分圧電圧は比較器17により鋸歯状波信号
と比較される。この入力電圧Vinを分圧する抵抗R1
,R2と、その分圧電圧と鋸歯状波信号とを比較する比
較器17とにより、第1図に於ける設定部5が構成され
ている。
れ、ダイオードD3.D4によって整流されて、チョー
クコイルL1とコンデンサC1とにより平滑される。そ
の出力電圧は、制御部14の比較器15に加えられて、
基準電圧Vrlと比較される。又鋸歯状波発生器19か
らの鋸歯状波信号は、比較器16.17に加えられ、比
較器15の出力信号は比較器16により鋸歯状波信号と
比較され、又入力電圧Vinは抵抗R1,R2により分
圧され、その分圧電圧は比較器17により鋸歯状波信号
と比較される。この入力電圧Vinを分圧する抵抗R1
,R2と、その分圧電圧と鋸歯状波信号とを比較する比
較器17とにより、第1図に於ける設定部5が構成され
ている。
比較器1617の出力信号はNOR回路18に加えられ
、その出力信号はトランジスタQ3のヘースに加えられ
る。このトランジスタQ3のコレクタは、補助電源電圧
+■が印加されたトランス20の一次巻線に接続されて
いる。このトランス20の一対の二次巻線は、各々トラ
ンジスタQ1、Q2のヘース、エミッタ間に接続され、
トランジスタQ1.Q2は同時にオン、オフ制御される
。
、その出力信号はトランジスタQ3のヘースに加えられ
る。このトランジスタQ3のコレクタは、補助電源電圧
+■が印加されたトランス20の一次巻線に接続されて
いる。このトランス20の一対の二次巻線は、各々トラ
ンジスタQ1、Q2のヘース、エミッタ間に接続され、
トランジスタQ1.Q2は同時にオン、オフ制御される
。
従来例と同様に、出力電圧が低下すると、比較器15の
出力信号レベルが低くなり、比較器16の出力信号のパ
ルス幅が広くなる。又比較器17の子端子には、抵抗R
1,R2で分圧された入力電圧Vinが加えられるから
、入力電圧Vinが高くなると、比較器17の出力信号
のパルス幅は短くなる。
出力信号レベルが低くなり、比較器16の出力信号のパ
ルス幅が広くなる。又比較器17の子端子には、抵抗R
1,R2で分圧された入力電圧Vinが加えられるから
、入力電圧Vinが高くなると、比較器17の出力信号
のパルス幅は短くなる。
第3図は動作説明図であり、(alは鋸歯状波発生器1
9の出力の周期Tの鋸歯状波信号の波形を示し、入力電
圧がVinlの時に、比較器17の出力信号はtb)に
示すように、最大オン時間幅t1となり、入力電圧が’
Jin2のように高くなると、比較器17の出力信号は
(C)に示すように、最大オン時間幅はt2(<tl)
となる。従って、入力電圧がVinの時に、負荷短絡等
の過渡状態が発生しても、I・ランジスタQ1.Q2の
オン時間は、最大オン時間t2以上となることはなく、
l・ランス12の磁気飽和を防止することができる。
9の出力の周期Tの鋸歯状波信号の波形を示し、入力電
圧がVinlの時に、比較器17の出力信号はtb)に
示すように、最大オン時間幅t1となり、入力電圧が’
Jin2のように高くなると、比較器17の出力信号は
(C)に示すように、最大オン時間幅はt2(<tl)
となる。従って、入力電圧がVinの時に、負荷短絡等
の過渡状態が発生しても、I・ランジスタQ1.Q2の
オン時間は、最大オン時間t2以上となることはなく、
l・ランス12の磁気飽和を防止することができる。
前述の磁束密度の計算例に於いて、入力電圧が200V
の時に、トランジスタQl、Q2のオン時間を2.3μ
sとして動作している場合に、入力電圧を500Vとす
ると、0.92μsのオン時間で良いことになる。従っ
て、入力電圧が200■の時のオフ時間幅を2.7μs
1入力端子が500Vの時のオフ時間幅を4.08μs
となるように、入力電圧Vinを分圧する抵抗R1,R
2の比を設定することにより、入力電圧を500■とし
た時の負荷短絡時に、トランス12のコアの磁束密度は
0.18テスラを維持することになり、磁気飽和は発生
しないことになる。
の時に、トランジスタQl、Q2のオン時間を2.3μ
sとして動作している場合に、入力電圧を500Vとす
ると、0.92μsのオン時間で良いことになる。従っ
て、入力電圧が200■の時のオフ時間幅を2.7μs
1入力端子が500Vの時のオフ時間幅を4.08μs
となるように、入力電圧Vinを分圧する抵抗R1,R
2の比を設定することにより、入力電圧を500■とし
た時の負荷短絡時に、トランス12のコアの磁束密度は
0.18テスラを維持することになり、磁気飽和は発生
しないことになる。
又本発明は、前述の第2図に示す実施例の構成に限定さ
れるものではなく、例えば、第6図に示すようなリセッ
ト巻線を有する1石フォワードコンバータ一方式のスイ
ッチング電源回路或いは他の方式のスイッチング電源回
路にも適用することができる。
れるものではなく、例えば、第6図に示すようなリセッ
ト巻線を有する1石フォワードコンバータ一方式のスイ
ッチング電源回路或いは他の方式のスイッチング電源回
路にも適用することができる。
以上説明したように、本発明は、スイッチング素子lを
制御する制御部4に、入力電圧Vinを高くする程、最
大オン時間幅が狭くなるように設定する設定部5を設け
たものであり、その入力電圧Vinを高くした時に、負
荷短絡等が発生してもスイッチング素子1の最大オン時
間幅が短く設定されているから、トランス2を大型化し
なくても、そのコアの磁気飽和が生じないようにするこ
とができる。従って、トランス2のコアの磁気飽和に基
づくスイッチング素子1の破損も生じないことになる。
制御する制御部4に、入力電圧Vinを高くする程、最
大オン時間幅が狭くなるように設定する設定部5を設け
たものであり、その入力電圧Vinを高くした時に、負
荷短絡等が発生してもスイッチング素子1の最大オン時
間幅が短く設定されているから、トランス2を大型化し
なくても、そのコアの磁気飽和が生じないようにするこ
とができる。従って、トランス2のコアの磁気飽和に基
づくスイッチング素子1の破損も生じないことになる。
第1図は本発明の原理ブロック図、第2図は本発明の実
施例のブロック図、第3図は本発明の実施例の動作説明
図、第4図は従来例のブロック図、第5図は従来例の動
作説明図、第6図は従来例のブロック図である。 ■はスイッチング素子、2はトランス、3は整流平滑回
路、4は制御部、5は設定部、11は電源、12はトラ
ンス、13は整流平滑回路、14は制御部、15〜17
は比較器、1日はNOR回路、19は鋸歯状波発生器、
20はトランス、Q1〜Q3はトランジスタ、D1〜D
4はダイオード、Llはチョークコイル、C1はコンデ
ンサ、R1,R2は入力電圧Vinを分圧する抵抗であ
る。
施例のブロック図、第3図は本発明の実施例の動作説明
図、第4図は従来例のブロック図、第5図は従来例の動
作説明図、第6図は従来例のブロック図である。 ■はスイッチング素子、2はトランス、3は整流平滑回
路、4は制御部、5は設定部、11は電源、12はトラ
ンス、13は整流平滑回路、14は制御部、15〜17
は比較器、1日はNOR回路、19は鋸歯状波発生器、
20はトランス、Q1〜Q3はトランジスタ、D1〜D
4はダイオード、Llはチョークコイル、C1はコンデ
ンサ、R1,R2は入力電圧Vinを分圧する抵抗であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力電圧をスイッチングしてトランス(2)の一次巻線
に印加するスイッチング素子(1)と、前記トランス(
2)の二次巻線に誘起した電圧を整流平滑する整流平滑
回路(3)と、 該整流平滑回路(3)の出力電圧と基準電圧とを比較し
て、該出力電圧が一定値となるように前記スイッチング
素子(1)のオン時間を制御する制御部(4)とを備え
、 該制御部(4)に、前記出力電圧と基準電圧との比較に
よる前記スイッチング素子(1)のオン時間制御の最大
オン時間を、前記入力電圧が高くなる程短くなるように
設定する設定部(5)を設けた ことを特徴とするスイッチング電源回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10584086A JPS62268361A (ja) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | スイツチング電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10584086A JPS62268361A (ja) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | スイツチング電源回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62268361A true JPS62268361A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14418218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10584086A Pending JPS62268361A (ja) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | スイツチング電源回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62268361A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1361651A2 (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dc-to-dc converter |
JP2019533980A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-11-21 | シランナ・アジア・プライベート・リミテッドSilanna Asiapte Ltd | スイッチモード電源コントローラ |
US11418105B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-08-16 | Appulse Power Inc. | Fractional valley switching controller |
US11522444B2 (en) | 2019-12-18 | 2022-12-06 | Silanna Asia Pte Ltd | Frequency jitter utilizing a fractional valley switching controller |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54156123A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-08 | Tdk Corp | Dc power source of the switching type |
JPS5725166A (en) * | 1980-07-22 | 1982-02-09 | Toshiba Corp | Transformer saturation preventing circuit for switching regulator |
JPS57202873A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Sanken Electric Co Ltd | Dc converter |
-
1986
- 1986-05-10 JP JP10584086A patent/JPS62268361A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS54156123A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-08 | Tdk Corp | Dc power source of the switching type |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1361651A3 (en) * | 2002-05-09 | 2005-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dc-to-dc converter |
JP2019533980A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-11-21 | シランナ・アジア・プライベート・リミテッドSilanna Asiapte Ltd | スイッチモード電源コントローラ |
US11418105B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-08-16 | Appulse Power Inc. | Fractional valley switching controller |
US11522444B2 (en) | 2019-12-18 | 2022-12-06 | Silanna Asia Pte Ltd | Frequency jitter utilizing a fractional valley switching controller |
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