JPS62267649A - パタ−ン欠陥検出装置 - Google Patents

パタ−ン欠陥検出装置

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JPS62267649A
JPS62267649A JP61110719A JP11071986A JPS62267649A JP S62267649 A JPS62267649 A JP S62267649A JP 61110719 A JP61110719 A JP 61110719A JP 11071986 A JP11071986 A JP 11071986A JP S62267649 A JPS62267649 A JP S62267649A
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Takanori Ninomiya
隆典 二宮
Hiroshi Makihira
牧平 坦
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中川 泰夫
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    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像情報の2値化を再現性よく高精度に行う技
術に関連し、例えばLSIウェハ等の半導体素子上に形
成されたパターンの外観を自動的に検査する方法及び装
置に関する。
〔従来の技術〕
LSIなどの集積回路は高集積化と小形化の傾向にある
。かかる微細な配線パターンの形成にあっては欠陥の検
出が当該形成の良否を判定する上で重要である。
欠陥の検出は最早、多数の人員を配置して目視で行う段
階では困難となり、欠陥検出の自動化が急務となってい
る。
そこで光学顕微鏡又は電子顕微鏡等から得られた半導体
素子表面の画像情報を、撮像管や撮像素子等により電気
情報に変換した後、所定の信号処理を施して欠陥の検出
が行われるべく構成された装置並びに方法が公開されて
いる。例えば特開昭57−196377号公報、特開昭
58−46636号公報2%開昭57−34402号公
報に詳述されている。
これらの技術に共通し、かつ必須の構成要素は、第20
図で示される従来装置を参照すれば、半導体のチップz
上に形成されたパターンを、定位置から2次元パターン
として再現性良く電気信号に変換することである。
従来装置を用いて動作を簡単に説明する。
リニアイメージセンサ5a、5bは自己走査機能をもっ
ており、1次元にパターンを検出する。そしてXYテー
ブル7によりLSIウエノ\1をリニアイメージセンサ
走査と直角方向に移動させることにより、チップ2の2
次元パターンを検出する構成となっている。4α、4A
は照明光36.3Aをチップ上に集光させ、かつチップ
のパターンを拡大してイメージセンサ上に結像する対物
レンズであり、イメージセンサからの電気信号はA/D
コンノく一タ11α、11hによりディジタル信号に変
換される。
更にディジタル信号は2値化回路12α、12bにより
バイナリ信号に変換されて判定回路13に至る。
このような従来装置では、イメージセンサ5α。
5bでそれぞれ検出される回路パターン等が所定の座標
に対して位置ずれが無いことが理想であるが、少くとも
イメージセンサ5a、5Aで検出される2箇所の回路パ
ターンに位置ずれが無いことが要求される。
しかし、実際には検査対象を載置したxy子テーブル精
度、チップ配列精度、光学系・機械系の熱変形等により
入カバターン間に位置ずれが生ずることは免れ得ないめ
で位置ずれを測定して入カバターン間の位置ずれを補正
して欠陥判定を行っていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来技術には次のような問題があった。即ち、第21図
(al、 (A)に示すように、検討対象多層パターン
の例えば第1層と第2層のパターン間に位置ずれ(アラ
イメント誤差)があるとき、従来技術による位置合せを
行った後、不一致検出を行うと第21図(1)に示すよ
うになり欠陥のみを検出することは不可能であった。即
ち、アライメント誤差が存在する場合には、層間アライ
メント誤差より小さな欠陥はそれが致命的な欠陥であっ
ても欠陥だけを弁別して検出することはできない。層間
アライメント誤差はパターンを形成する場合、避けるこ
とができない位置ずれであり、従来の方法で不一致検出
を行うと層間アライメント誤差に覆われてしまい微細な
欠陥検出は不可能である。また、パターンには微小な凹
凸や幅の偏差がある場合もあり、これらを許容して欠陥
のみを検出しなければならない。
更に、2次元パターンを撮像する際に、イメージセンサ
からのアナログ信号をサンプリングしてAρ変換を行う
が、サンプリングに伴う量子化誤差の対策が成されて2
らす、同一のアナログ信号について2回以上サンプリン
グを行う時lこ誤差が発生していた。
本発明の目的は、自動化に適した多層パターンの外観検
査方法及び装置を提供することである。
より具体的には上記した従来技術の課題をなくし、比較
する2組の多層パターン間番ζ層間アライメント誤差、
微小な凹凸やパターンの線幅の違いがあっても高精度に
検出できる方法及び装置を提供することである。
また撮像素子から入力された同一のアナログ信号につい
て、2回以上サンプリングを行う時に誤差の発生を激減
させる方法及び装置を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的は下記の技術的要素を組合せることにより達
成される。即ち、多層パターンの外観検査技術において
、 fil  コントラストが小さい多層パターンを2値化
せず濃淡の多値として隣接チップと比較する。
(2)  層間アライメント誤差を許容するため各層ご
とに位置合せを行い、一層ずつ2チップ間を比較する。
(31検査済みのチップ間で一致した部分を不感帯化(
don’t eafg )することでマスキングを行い
、一層ずつ直列的に(シリアルに)検査し、全層を検査
する。
(41不一致部分についてはウィンドを設定し、ウィン
ド内の複数の画素につい・て明暗の勾配を比較する。
(6)  入力した濃淡のアナ口 グ信号をデジタル化
し、単位画素相互間の補間を行い、補間した画素間で比
較を行う。
〔作用〕
(1)  撮像素子からのアナログ信号を直接サンプリ
ングしてデジタル化し、かつ、デジタル化した画素デー
タの補間結果を比較するので、1画素未満の位置ずれが
無視でき、比較の精度が極めて向上する。
(2)2チップ間を各層ごとに位置合せをしては比較し
、不一致部分について位置合せと比較をくり返すことに
なるので、一層ずつパターンを剥ぐようにして欠陥判定
ができる。この結果、眉間アライメント誤差による支障
が発生しない。1またパターンの微小凹凸、線幅の違い
を克服して欠陥のみを検出できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。多層
パターンの光学像を電気信号に変換する光電変換器とし
てはリニアイメージセンサ、TV左カメラいかなるもの
でも使用可能であるが、本実施例ではリニアイメージセ
ンサを用いており、当該リニアイメージセンサの自己走
査及びそれと直角方向に移動するXYテーブルによりL
SIウェハの2次元パターンを検出する。第1図はパタ
ーン外観検査装置のブロック図である。リニアイメージ
センサ5の出力はA/D変換器11によりディジタル信
号に変換され、エツジ検出回路15αに入力される。ル
Φ変換器出力は画像メモリ14にも入力され、入力され
ると同時に画像メモリに記憶されている隣接チップの対
応するパターンを画像メモリから読み出し、エツジ検出
回路15 h jこ入力する。画像メモリを用いること
により1つのイメージセンサで隣接チップのパターンを
比較検査できる。エツジ検出回路15g、15Aでは、
パターンのエツジが検出される。
位置ずれ検出回路18では、エツジ検出回路15α。
15 Aの出力である2値化パターンをシフトし、シフ
トした位置での不一致画素数をカウントし2つの2値化
パターン間の不一致量を検出し、直交する2方向の移動
量を最小とする2つのカウント値を出力する。
またリニアイメージセンサ5のA/D変換されたディジ
タル信号出力及び画像メモリの出力は遅延回路19g、
19bにより遅延させる。遅延時間はリニアイメージセ
ンサ画素数M(例えば1024 )と位置合せに要する
イメージセンサ自己走査回数N(例えば256)により
決定され、遅延回j!!2!19α。
19 hは各々MxNのビット数のシフトレジスタによ
り構成される。
位置合せ回路加では、位置ずれ検出回路18で決定した
最適な位置合せ状態、即ち不一致量が最小となるように
遅延回路19α、19Aの出力を位置合せ回路加でシフ
トし位置合せを行う。そして、−敷部消去回路21で位
置合せされた検出画像の明るさの比較を行い、実質的筈
こ一致する領域を消去する。
一致部消去回j13i21では、明るさの一致しない領
域について、ルω変換器出力が画像メモリ出力よりも暗
い領域である6暗欠陥”候補と明るい領域である”明欠
陥”候補を出力し、勾配比較回路Jに入力する。勾配比
較回路30では、−敷部消去回路21で不一致となった
これらの領域について明るさの勾配を比較し、欠陥判定
を行い不一致を出力する。また−敷部消去回路21の出
力は、2段目以降の位置ずれ検出回路18及び遅延回路
31a、31Aを通して2段目以降の一致部消去回路2
1に入力される。
位置ずれ検出回路18では前段の一致部消去回路21の
出力でエツジ検出回路15α、15bの出力のEXOR
をマスキングし、また−敷部消去回路21では前段の一
致部消去回路の出力で現在の一致部消去回路出力をマス
キングする。
以上が一層分のパターンiζついての不一致検出回路で
あり、これと同一構成の回路がパターン層数だけシリア
ルに接続される。そして、最終段の勾配比較回路30の
出力が真の欠陥として採用される。第1図は2つの層パ
ターンからなる多層パターンを対象とするものであり、
2組の−1パターン用不一致検出回路によって構成され
る。なお遅延回路31a、31Aは遅延回路19α、1
9bと同一の時間だけ遅延させる回路であり、同一のハ
ード構成である。
また第1図の構成で1層パターン或いは眉間アライメン
ト誤差のない2層パターンを検査対象としたときは、第
1段目の勾配比較回路出力の不一致が欠陥として採用さ
れる。
次に各部の詳細を説明する。
第2図(α)を参照して第1図のエツジ検出回路15α
、15Aとして用いることができる構成例を説明する。
四回において参照符号150はA/D変換器11または
画像メモリ14からの、例えば8ハtのディジタル映像
信号を受ける3段のシフトレジスタで、初段および第3
段の出力は加算器151に、第2段の出力は利得2の増
幅器152にそれぞれ供給される。加算器151の出力
および増幅器152の出力は減算器153に加えられ、
その差信号出力は2値化回路154において2値化され
、エツジ検出信号として位置ずれ検出回路18に供給さ
れる。シフトレラスタ150.加算器151.増幅器1
52および減算器153で’ 1.−2.1  ″オペ
レータが構成されている。
第2図(A)は縦、横、斜めの8方向でエツジを検出す
るためのエツジ検出回路で、ルΦ変換器11または画像
メモリ14の出力を3×3切出し回路スにカロエ、エツ
ジオペレージ璽ンを4つのエツジオペレータOP1〜O
P4により行う。各エツジオペレータは第2図(α)に
図示したものと同一でよい。
オペレータOP1〜OP4の出力は2値化回路154−
1〜154−4で2値化され、論理和回路5にすべて供
給される。回路四の出力は位置ずれ検出回路18のシフ
トレジスタ181g  、  180g  またはシフ
トレジスタ182α (第3図)に加えられる。
第1図の位置ずれ検出回路18として用いる構成例を第
3図に示す。2値化回路154の出力から、リニアイメ
ージセンサ5のルω変換出力を1走査分遅延させるシフ
トレジスタ180α 〜180f  及びシリアルイン
・パラレルアウトのシフトレジスタ181α 〜181
!I  からなる7×7画素(他の例:9×9画素でも
よい)の2次元局部メモリにより7×7画素を切出す。
一方、他の2値化回路154の出力は同様のシフトレジ
スタ182α 〜182C,及び183を用いて遅延さ
せ、出力を上記局部メモリの中心位置と同期させる。
シフトレジスタ183の出力と局部メモリ各ピット出力
をEXOR回路184α 〜184ル  で排他的論理
和をとり、不一致画素数を検出する。ただし、2段目以
降の位置ずれ検出回路ではEXOR回路184と次に説
明するカウンタ185の間にマスキング回路189を設
け、これにより前段の一致部消去回路21(第1図)に
おいて不一致となった領域についてのみ不一致画素数を
検出する。カウンタ185eL  〜185?&  で
この不一致画素数の個数を計数する。カウンタ185a
  〜185指  は、リニアイメージセンサN走査毎
にゼロクリアし、その直前に値を読出してやれば、M画
素xN@査のエリア内の不一致画素数がわかる。局部メ
モリの各ビット出力は、シフトレジスタ183の出力に
対してXY方向(直交する2方向)に±3画素の範囲で
、1画素毎にシフトされたものであるので、カウンタ1
85α〜185ルではXY方向による画素入カバターン
をシフトしたときの各シフト量における不一致画素数が
カウントされる。従って、最小値をもつカウンタがどれ
かを調べれば、不一致画素数が最小となるX及びY方向
のシフト量がわかり、各層に最適な位置合せが可能とな
る。
最小値検出回路186(例えば比較回路で構成される)
ではカウンタ185α〜1853の値を読出し、最小値
をもつカウンタを選択して、リニアイメージセンサ走査
方向(Y方向)のシフト量188とそれと直角方向(X
方向)のシフト量187を出力する。
第4図に8g1図の位置合せ回路20として用いられる
構成例を示す。選択回路201では、シフト量187に
より遅延回路19 a及び−走査分遅延させるシフトレ
ジスタ200α〜200fの出力から最適なシフト位置
を選択し、シフトレジスタ202に入力する。
また、選択回路203ではシフト量188により走査方
向の最適なシフト位置を選択する。従って、選択回路2
03の出力には、不一致量が最小となるシフト位置の局
部メモリが抽出される。
一方、遅延回路19 bの出力からも一走査分遅延させ
るシフトレジスタ204α−204c及びシフトレジス
タ205を用いて、第3図のシフトレジスタ183の出
力と同じ量だけ遅延させた位置の局部メモリの画素を抽
出する。この状態で選択回路203から出力される局部
メモリの画素出力はシフトレジスタ205から出力され
る局部メモリの画素出力に対し、位置ずれのない最適な
シフト位置になっている。
第1図の一致部消去回路21は、位置合せ回路20の出
力に対し差の21[化を行う回路であり、第5図にその
構成例を示す。位置合せされたパターン信号の差を引算
器210で発生し、差信号211を2値化回路212α
により閾値−tA。で2値化し、−4A0より犬ならば
実質的に一致し欠陥かないので不感信号(doJt c
α71信号)を出力する。同様に2値化回路212Aに
より閾値t^。で2値化し、tkoより小ならば実質的
に一致し欠陥がないので不感信号(don’t cαr
e 信号)を出力する。一致しない場合は前者が6暗欠
陥”候補、後者が9明欠陥候補”となる。たたし、2段
目以降の一致部消去回路では、2値化回路212α、 
212b  の後にマスキング回路214g 、  2
14Aを設け、前段の一致部消去回路で一致したと判断
された領域については2値化回路212a 、  21
2Aの出力に拘らず不感(don’t cart )と
する。
第6図に第1図の勾配比較回路(9)の詳細ブロック図
、第7図に勾配比較回路(9)として用いられる具体的
構成例を示す。第6図において、論理和回路32により
一致部消去回路の出力である暗欠陥候補302と明欠陥
候補303の論理和をとることによって位置合せされた
ディジタル信号300 、 301の差の絶対値の2値
化画像を得る。検出した欠陥候補から、3×3ウインド
処理回路おにより、3画素未満の欠陥候補は除去する。
ウィンド処理回路羽の出力は、信号300. 301の
不一致量が大きく、かつ3×3画素以上のものとなる。
次に、これら令 の欠陥候補について信号300 、 301のウィンド
内勾配を勾配検出口jif!i34,35により求める
。こうして求めた勾配を比較回路あにより互いに比較す
ることにより、勾配が大きく異なる場合には欠陥として
検出する。
次に第6図の各部に用いることができる構成例を第7図
により説明する。リニアイメージセンサの1走査分遅延
させるシフトレジスタ330. 331と、シリアルイ
ンパラレルアウトのシフトレジスタ332とにより構成
した3×3画素の切出し回路、及びAND回路334に
より、3×3のウィンド内の画素の明るさの差がいずれ
もtho(第5図の2値化閾値)以上ならば、AND回
路出力335を可能(enable )に、そうでなけ
れば不可能(disable)にする。一方、シフトレ
ジスタ340. 341.シリアルインパラレルアウト
のシフトレジスタ342Iこより構成した3×3画素の
切出し回路により、信号300. 301からAND回
路出力335と同期して3×3画素を切出す。AND回
路出力335は、信号300 、 301の差の絶対値
が3×3画素にわたり、tん。以上ならば可能(ena
ble )となり、3×3画素の切出し回路を有効にす
る。3×3画素の切出し回路から明るさを取り出し、引
算器343に入力し、勾配(明るさの傾き)を検出する
。検出した勾配は、比較回路36により信号300. 
301に対応する勾配を比較し、勾配が大きく異なる場
合には欠陥として検出する。比較回路36の内部は、引
算器とコンパレータで構成されている。
勾配の1例を第8図(a)、 Cb)に示す。3×3画
素の切出し回路のそれぞれの画素をA、B、・・・、I
とすると、第8図<h>に示すような差の列挙から成る
勾配テーブルを作ることができる。勾配テーブルの値を
比較し、その値が信号300と301の間で1つでも大
きく異なれば、そこには信号300と301に差を生ぜ
しめた欠陥が存在する。
勾配の他の例を第8図(c)に示すような勾配テーブル
で示すことができる。勾配テーブルの値を比較し、その
値が信号300と301の間で実質的に一致しなければ
、そこには信号300と301に差を生ぜしめた欠陥が
存在する。勾配テーブルの比較は次のように行う。
Δ1=I (A−2E+I )−(、(/ −2E/ 
+I/ ) 1Δ2=I (B−2E+H)−(E’ 
−zE’ +H’ ) 1Δ3=l (C−2E+G)
−(C’ −2E’ +G/ ) 1Δ4=l(D−2
E十F)−(D’−2E’+F’ )1とすると mμ(Δ1.Δ2.Δ3.Δ4)≧thO・・・・・・
■により欠陥が存在するかどうか判定する。ここで、A
′〜I′のようにダッシュを付したのは、信号301の
画素信号であることを表わし、A、Iは信号300の画
素信号であることを表わす。式■は、信号300と30
1の間に、勾配(2次微分)が1つでも近い値をとれば
欠陥とみなさず、これを許容するものであり、逆に勾配
が1つも近い値をとらないならば、欠陥が存在すると判
定する。
式■は次のようにも書ける。
π(Δi > t A。)が真ならば欠陥。
を鴛1 偽ならば正常。
ただし ここで、nはANDを表わす。
勿論、式■は、勾配テーブル第8図(A)にも適用でき
る。この場合、 Δ1=+ (#−ff)−(fl’ −H’ ) 1Δ
2=+ (1)−F)−(D/ −F/ ) 1Δ3=
l (G−(:’)−(G/ −CI ) 1Δ4=1
 (1−,0−(1’ −A’ ) 1とすればよい。
勾配の他の例を第8図(d)の画素間の補間(内挿)に
示す。同図に示すように画素Eと画素Aとを補間し新た
に画素AEを作る。同様に画素BE、CE、・・・、D
Hを作る。これらの画素を用いて欠陥判定を行う。即ち
、 Δ1=lE−E’ 1 Δ2=、1AE−E’ 1 Δ3=lJAニーE’ 1 Δ4==ICE−E’ 1 Δ521FE−E′1 Δ6=l IE−E’ 1 Δ7=jHE−E’ 1 Δ927GB−El 1 Δ9=IDE−El 1 wln(Δ1.  Δ2.  、、、 、  J9)’
2  ”’        ”””  ■ここで、画素
の補間は例えば次のように行う。
、4A’==(A十E+D+E)/4 CEg(B+C+E+F )/4 IE=(B+F+H+1 )/4 az=(D+g+G+H)/4 BE=(B+E )/2 FE=(F+E )/2 EE=:(B+E )/2 DB=(B+E)/2 式■によれば、第1図のイメージセンサ5及びA/D変
換器11に止るサンプリング誤差を許容して、極めて厳
密な欠陥判定を行うことができる。
第8図(1)に示すように、画像信号して得られる値は
、サンプリングされディジタル化された明るさであり、
画素り、E、/・・・である。従って、画素りとEの間
の位置の明るさ情報は失われている。
そして、サンプリング点はたとえ同一の検出系で同一の
ウェハを撮像しても、同一になることはなく、2回目の
サンプリング点は1回目とは異なる。
従ってW、8図(−)に示すようlζ1回目のサンプリ
ング点は○印となり、2回目のサンプリング点はX印と
なる。即ち、±11画素内の誤差が生じることになる。
このように、サンプリングのタイミングは微妙にずれる
ため、第1図の位置ずれ検出回路18及び位置合せ回路
四で画像信号を位置合せしでも、サンプリングの時間間
隔T(画素間隔)の1/2以下の位置ずれは原理1免れ
られない。従って、信号300の画素E′と信号301
の画素Eを位置合せし比較する場合、E′を更に補間画
素DE、FEと比較してやれば正しく1画素未満(サブ
ビクセル)の単位で位置合せが行える。従って、式■ζ
こよれば、サンプリングによって生ずる位置合せ誤差を
完全に排除した状態で欠陥判定を行うことができ、検査
の信頼性を格段に向上させるこ−とができる。
第8図(d)の補間勾配を用いない勾配検出回路あ。
35(第6図)の構成例を第9図(α)に示す。同図は
3×3画素の明るさ勾配を、対応するパターン上の対応
点の周囲2画素を拡大した範囲内で比較するものである
。同図では例えば斜線の部分の明るさ勾配を比較した様
子を表わしているが、7×7画素の範囲内で最も明るさ
勾配の近い箇所を探し、そのとき局所的位置合せがなさ
れるとみなし、その勾配の値を比較することによって欠
陥かどうか判定するものである。参照符号351 、 
354はシフトレジスタであり、その他の部材は第7図
と同じでよい。
また、第9図(α)の特別な場合として、ウィンド35
1、 354をそれぞれ1×1画素、3×3画素とし、
ウィンド351内の画素の明るさがウィンド354内の
3x3画素の範囲内の明るさに近い箇所を探し、そのと
き局所的位置合せがなされるとみなし、その明るさを比
較することによって欠陥力・どうか判定することもでき
る。
このことは微小欠陥を検出したい場合に、1×1画素の
ウィンドでも本発明が適用できることを示すものであり
、3×3画素のウィンドによって定義した明るさ勾配を
1×1画素のウィンドに適用した例に該当する。
第9図(邊)に第8図(d)の補間勾配を用いる勾配検
出回路の構成例を示す。同図では積算回路により補間画
素を得、この補間画素A E、、、D E及びEと、E
に対応する画素E′との差の絶対値を検出する。
そして、これらの差の絶対値から最小値を検出し、この
最小値を2値化回路で2値化している。
第10因に、異なる閾値、例えばtAlで2値化して得
た不一致領域について勾配比較を行う例を示す。第6図
では第1図の一致部消去回路21で検出された不一致領
域について勾配比較が行われた。
即ち、信号300. 301の差を閾値thoで2値化
し、得られる暗欠陥候補と明欠陥候補の論理和をとった
が、異なるrI14値で2値化して得た不一致領域につ
いて勾配比較を行ってもよい。位置合せかされた信号3
00. 301 (ここでは8ビツト)は、引算器31
1に入力され、EXOR回路312により、300と3
01の差の絶対値が検出される。差の絶対値は、コンパ
レータ320により、閾値tA1で2値化され、ウィン
ド処理回路羽に入力される。
第10図では、2つの信号300. 301の差の絶対
値を2値化回1i115320で2値化したが、第11
図に示すように、300と301の差の絶対値からシフ
トレジスタ321、シリアルインパラレルアウトのシフ
トレジスタ322により構成した3×3画素の切出し回
路、及び加算回路323により、3×3画素の明るさの
差の絶対値の和を求め、これをコンパし・−夕324で
2値化してもよい。
以上、第1図を実現する構成例を具体的に説明した。こ
れらのうち、位置ずれ検出回路18と一致部消去回路2
1は1段目と2段目以降ではマスキング回路189(第
3図)及び214(第5図)の有無により異なる。これ
らは、マスキング回路189では21からの出力(暗欠
陥候補302)を、214では317!、31Aからの
出力を1段目だけそれぞれ1強制的にLeHIIとする
ことによっても実現できる。
なお、第3図の位置ずれ検出回路において、2次元局部
メモリにより7×7画素を切出し、位置ずれ検出に用い
た。これは一般的にはル×霞画素でよく、検出画像の位
置ずれの状態、層間アライメント誤差の大小から決めて
よい。
次に、本発明により多層パターンが実際にどのように検
査されるかを具体的に説明する。
近接した2チツプを比較する場合、第12図(α)。
(A)に示すように、2つのチップ上の対応する第1層
パターン及び@2層パターンからなる二層パターンft
e、qtが検出される。パターン7tと六の間には、眉
間アライメント誤差が存在する。第1図の位置合せ回路
20により、第1層パターン同志の位置合せを行い、第
12図(1)を得る。
次に一致部消去回路21により明るさの一致した領域即
ち第1層パターンを消去するが、この第11パターン消
去を検出パターン!、につぃて行う。
検出パターン!、については手を加えない。そして第1
2図(d)のようにパターンftにおける第1層パター
ン消去に伴ない、第2層パターンも一部消去される。第
1層パターン位置合せ後消去した領域を不感帯(don
’t care )  としてマスキング回路番こより
マスクし、消去した第2層パターンの一部が第2層パタ
ーンの位置合せ時に不一致として検出されるごとを避け
る。従って、第12図(d)の場合、実線以外はマスク
される。そして、2段目の位置合せ回路加、−敷部消去
回路21によりこれらのパターンと検出パターンハ(第
12図(−))の位置合せを行い、残された第2層パタ
ーンの検査を行う。これにより第12図Q)に示すよう
に欠陥だけが検出できる。
このように多層パターンを構成する層パターンごとに位
置合せを行い、明るさを比較して一致している領域を消
去することを層パターン数だけシリアルに繰返すことに
より、欠陥だけを検出することが可能になる。
次に第13図及び第14図を用いて、−敷部消去回路2
1の動作をさらに詳しく説明する。第13図(α)。
<h>は2つの半導体IC構造体の多層パターンf、及
び!、の多値信号波形の一例である。これを位置合せし
重ね合せて(位置合せは第15図、第16図を参照して
後で説明する)表示すると、第13図(c)の状態とな
る。例えば、欠陥は正常部より暗いのでf。
−Im >−thoならばf、を消去すると第13図(
d)を得る。ここで、斜線部はis −ys > −t
hoを満たす領域を表わし、f、とgsが実質的に一致
したとみなして不感帯(don’t care )とし
た領域である。thoはパターンfと!が一致するかど
うかを判定する閾値である。第13図(d)から第1層
パターンについては欠陥が存在しなかつたことがわかる
。しかし、第2層パターンについては層間アライメント
誤差のために位置合せが不完全となり消去することがで
きない。
次に第14図(a)(第13図(d)と同じ)と第14
図(b)(第一13図(j)と同じ)を位置合せし重ね
合せて表示すると、第2層パターンの位置合せがなされ
第14図(1)となる。再びfs −ys >−tho
の判定を行うと、第1層パターン間に不一致が発生する
が第5図のマスキング回路214aによりこれらの不一
致はマスクされ、第14図(d)のように求める欠陥だ
けが検出される。第13図、第14図では暗欠陥候補を
例にとり説明したが、73−13 <t〜なる判定も可
能であり、これは第5図の2値化回路212A、マスキ
ング回路214bにより実行される。このようにしてパ
ターンf、とgmから欠陥候補が抽出される。
次に、第15図及び第16図を用いて、エツジ検出回路
L5a、15b、位置ずれ検出回路18(いずれも第1
図参照)の動作を説明する。第15図(α)、 (d)
はパターンf4及びハの信号波形である。これらの信号
波形に詔2図(、)で示した回路番こより1−21なる
オペレータを適用すると、暗い低レベルのエツジだけを
検出でき、第15図(b)、 (#)を得、これをある
2値化閾(FL thBで2値化するとパターンのエツ
ジの最も暗くなる点を61″に、それ以外を60”にす
ることができ、第15図(1)、 (7)を得る。従っ
て、これらのエツジパターンを表わす2値化パターンを
用いて、パターンマツチングの手法により位置合せがで
きる。第3図の位置ずれ検出回路は、これを実現するも
ので、z値化エツジパターンをf61、とすると、 s(t、)= Σ、CfmC1*  j ) EXOR
ymci−s  j−u):)′瞥ノ なるS(鉢、1+)を測定し、S(鉢、v)が最小とな
るu、vの量を求めるものである。ただし、−敷部消去
回路21と同様に、第13図、第14図で示した斜線部
は、第3図のマスキング回路1g9r−%により7スキ
ングし・前段までの一致部消去回路21において不一致
となった領域についてのみ、S(u、、)を算出する。
ここで、(=、j)はパターンの画素の座標を表わす。
パターンf4及び!4は本来2次元の信号であるから、
第16図に示すような2次元的広がりを持ったパターン
のエツジを検出するためのオペレータを用いる。これは
第2図(A)に示した回路構成により実現できる。
次ζこ第17図〜第19図を用いて、勾配比較回路間が
どのように欠陥候補から真の欠陥のみ抽出するかを説明
する。第17図及び第18図において、2つのチップ上
の対応する多層パターンfangsを位置合せしく第1
7図体))、−敷部消去回路21で明るさの差をとると
(第17図(h))、明るさの差の絶対値が2値化閾値
thnより大きい所では、次のようになる。即ち、層間
アライメント誤差が小さい場合や、パターンの微小凹凸
が存在する場合、またはパターンの線幅がチップによっ
て若干具なる場合には、第17図(c)に示すようにも
とのパターン7s−!、の明るさ勾配はほぼ同じ値をも
つか、同じ値をもたない場合でも大きな差はないという
傾向がある。しかし、これらが大きい場合には第18図
(α)〜(1)に示すようにパターンf!と卯の明るさ
勾配(1)はまったく異なる値化なる。
層間アライメント誤差、パターンの凹凸、線幅の違いは
、それがある基準値より大きければ欠陥と見なし検出し
なければならないが、ある基準値より小さければ正常と
見なし許容しなければならない。このうち、眉間アライ
メント誤差の大小は第1図の位置ずれ検出回路18の出
力μ、Vから判断でき、しかも層間アライメント誤差は
各層ごとに位置合せ、一致部消去を繰返すことから許容
できるものである。
パターンの凹凸、線幅の違いが勾配比較回路30で許容
できることを次に示す。第19図に示すように、パター
ンfapleを位置合せした場合、パターンの微小凹凸
(あるいは線幅の違い)により、位置合せが完全になさ
れず、第19図(b)のように1画素の位置合せ誤差、
第19図(1)のように2画素の位置合せ誤差、第19
図(d)のように3画素の位置合せ誤差がそれぞれある
とき、不一致量の大きな領域に第6図のウィンド処理回
路33番こより3×3のウィンドを当てはめる。
このウィンドは2次元であるが、説明の都合上、1次元
で以下説明する。このウィンドにより3×3画素の大き
さの不一致の欠陥を検出する。第19図(Alの場合番
こけ、パターンの不一致量が小さいため問題はない。第
19図(、lの場合は、図示の画素の不一致量が大きく
なり、欠陥候補となる。曲線により囲まれた領域の形状
に注目すれば、この欠陥候補に3×3のウィンドを当て
はめ、第6図の勾配検出回路34.35によりウィンド
内の2つのパターンの明るさ勾配を求め、比較回路あに
より明るさ勾配を比較すると、それらはほぼ一致し、従
って局所的な小さな位置ずれであることがわかる。
第19図(dlの場合は、図示の画素の不一致量が大き
くなり欠陥候補となる。そして3×3のウィンド内の明
るさ勾配は互いに値が若干具なり、位置すれがg 19
図(1)の場合よりも大きいことがわかる。
この勾配の値によって、欠陥かどうか判断できる。
以上説明したように、第1図の実施例によれば層間アラ
イメント誤差、パターンの微小凹凸、線幅の微小な寸法
差によらず欠陥だけを確実に検出することができる。
なお第1図は2つの層パターンからなる多層パターンを
対象とするものであり、2組の一層パ4−ン用不一致検
出回路によって構成した。しかし、実際には多層パター
ンといえども眉間アライメント誤差が全ての層パターン
について存在するわりではなく、不一致検出回路を層数
以下の個数シリアルに接続することによりて欠陥判定を
行うこともできる。また、一層パターンが検査できるこ
とは言うまでもない。
また第12図の説明において、位置合せが第1層パター
ンから行われるとしたが、実際には第xffpパターン
から行われるのか第2層パターンから行われるかの選択
はできない。エツジ画像の不一致画素数を最小とする制
約から、太いエツジをもつ層パターンから位置合せがな
されるはずであるが、これらの順序は欠陥判定の原理上
どちらが先でも構わない。
また、第1図は1つのイメージセンサと画像メモリによ
り比較検査を実現したが、第四図に示すような2つのイ
メージセンサを用いて比較検査を行う装置にも本発明が
適用できることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、コントラストの低い検査対象から欠陥
を検出することが可能になる。具体的には、眉間アライ
メントの誤差、パターンの微小な凹凸、線幅の微小な差
によらず、欠陥だけを検出することが可能である。従っ
て、パターン検査の自動化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
第1囚は本発明の一実施例のブロック図、第2図(α)
は第1図のエツジ検出回路の一構成例を示す図、第2図
(b)は第2図(、)のエツジ検出回路を用いて構成し
た8方向のエツジを検出する回路の一構成例を示す図、
第3図は第1図の位置ずれ検出回路の一構成例を示す図
、第4図は第1図の位置合せ回路の一構成例を示す図、
第5図は第1図の一致部消去回路の一構成例を示す図、
第6図は第1図の勾配比較回路の詳細なブロック図、第
7図は第1図の勾配比較回路の一構成例を示す図、第8
図(α)は3画素×3画素の検出ウィンドを示す図、第
8図(b)は2画素の差から成る勾配テーブルを丞す図
、第8図(1)は3画素を用いて2次微分を成分とする
勾配テーブルを示す図、第8図(d)は2画素間を補間
した値を検出ウィンドとする補間を示す図、第8図(#
)はサンプリングの相違により1画素未満の誤差が生じ
ることを示す図、第9図(、)は第8図(d)の補間勾
配を用いない第6図の勾配検出回路の一構成例を示す図
、第9図(b)は第8図(4)の補間勾配を用いる第6
図の勾配検出回路の一構成例を示す図、第10図は異な
る閾値で2値化をして不一致領域を得るための第5図の
一部分を示す図、第11図は第1θ図に対応する他の構
成例を示す図、第12図は多層パターンの比較平原の1
例を示す図でありて、(α)は比較の一方の対象である
検出パターンf2を示す図、(b)は比較の他方の対象
である検出パターンハを示す図、(1)は第1図の位置
合せ回路により第1層のパターン相互の位置合せが行わ
れた結果を示す図、(d)は(α)の一致した領域を消
去した結果を示す図、(1)は説明の便宜のため描かれ
た(b)と同じパターンを示す図、<t>は第2層のパ
ターンである(d)と(1)の位置合せを行った結果を
示す図、第13図は多層パターンの比較手順の1例を多
値信号波形を用いて示す図であって、(a)は比較の一
方の対象である検出パターンの信号波形f、を示す図、
<b>は比較の他方の対象である検出パターンの信号波
形!、を示す図、(C)は第1層パターンの位置合せを
行った結果を示す図、(d)は第1層パターンの一致部
を消去した結果を示す図、第14図は多層パターンの比
較手順の1例を多値信号波形を用いて示す図であって、
(a)は第13図(d)と同様、第1層パターンの一致
部を消去した結果を示す図、(b)は第13図(A)と
同様、比較の他方の対象である検出パターンの信号波形
、qsを示す図、(C)は第2層パターンの位置合せを
行った結果を示す図、(d)はマスキング回路が不一致
をマスクするため欠陥のみを検出した結果を示す図、第
15図はエツジ検出の手順の1例°を示す図であって、
(α)及び(d)は各々、比較の一方及び他方の対象で
ある検出パターンの信号波形f4及び!、を示す図、(
A)及び(1)は各々、エツジ検出オペレータを適用し
た結果を示す図、(1)及び(1)は各々、2値化閾値
を用いて2値化した結果を示す図、第16図はエツジ検
出オペレータが2次元的に適用されることを示す図、第
17図は許容できる不一致パターンが第1図の勾配比較
回路によって処理される1例を示す図であって、侮)は
比較の対象である2つの多層パターンの位置合せを行っ
た結果を信号波形fs*ysで示す図、(A)は第1図
の一致部消去回路で(α)の差の絶対値をとった結果を
示す図、(1)は(α)の信号波形f、及びハ各々の傾
きを示す図、第18図は許容できない不一致パターンが
第1図の勾配比較回路によって処理される1例を示す図
であって、(α)は比較の対象である2つの多層パター
ンの位置合せを行った結果を信号波形fs*ymで示す
図、(A)は第1図の一致部消去回路で(α)の差の絶
対値をとった結果を示す図、(C)は(α)の信号波形
f、及び!!、各々の傾きを示す図、第19図は第1図
の勾配比較回路によってパターンの凹凸。 線幅の違いが許容できることを示す図であって、(α)
は比較の対象である2つのパターンの平面図、(A)は
1画素の位置合せ誤差が生じている場合を信号波形fs
e!1aで示す図、(1)は2画素の位置合せ誤差が生
じている場合を信号波形fa*yaで示す図、(d)は
3画素の位置合せ誤差が生じている場合を信号波形fo
rgeで示す図、第加図は2つのイメージセンサを用い
て比較を行う装置の概略を示す図、第21図はアライメ
ント誤差がある比較対象を従来技術で位置合せを行った
場合に欠陥の検出精度が低下することを示す図であって
、(α)は比較の一方の対象である多層パターンf1の
平面図、(b)は比較の他方の対象である多層パターン
!!1の平面図、(1)は第2層のパターンを相互に位
置合せした結果を示す図である。 5・・・イメージセンサ、11・・・A/D変換器14
・・・画像メモリー8・・・位置ずれ検出回路。 21・・・−敷部消去回路  30・・・勾配比較回路
。 第6図 し−− wA8図 も10図 tkl 第11 図 第72図 (λ)イ側出べ9−Jテ2(b)検出バフ−42−m−
」 皐/j図 第14図 踊 第tS図 市!6図 ′I         II ↓ 2値化−・ソ迦句−ソ も17図 第18図 弔19 U 第20記

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、同一となるように形成された回路パターンであって
    該パターン面に垂直に複数層の重ね合せから成るものを
    、該パターン面に沿う2次元平面に複数個有する試料に
    ついて、2つの前記回路パターンの相互に対応する部分
    の画像信号を入力して、位置ずれ検出、位置合せ及び比
    較を行うことで前記回路パターンの欠陥を検出するパタ
    ーン欠陥検出装置において、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号か
    ら前記パターンのエッジを検出して2値化した信号を入
    力し、位置ずれ量を出力する位置ずれ検出回路、及び、
    該デジタル信号を遅延させた後、該位置ずれ量に基づい
    て位置合せを行う回路を少くとも2組有するパターン欠
    陥検出装置。 2、同一となるように形成された回路パターンを複数有
    する試料について、2つの前記回路パターンの相互に対
    応する部分の画像信号を入力して、位置ずれ検出、位置
    合せ及び比較を行うことで前記回路パターンの欠陥を検
    出するパターン欠陥検出装置において、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号か
    ら前記パターンのエッジを検出して2値化する回路であ
    って、該デジタル信号に該エッジを顕在化させる演算子
    を作用させる回路構成を採るエッジ検出回路を有するパ
    ターン欠陥検出装置。 3、同一となるように形成された回路パターンを複数有
    する試料について、2つの前記回路パターンの相互に対
    応する部分の画像信号を入力して、位置ずれ検出、位置
    合せ及び比較を行うことで前記回路パターンの欠陥を検
    出するパターン欠陥検出装置において、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号を
    遅延させて位置合せを行った後、前記2つの回路パター
    ンの相互に対応する画素の差の絶対値を採り、該絶対値
    を比較する領域で論理和を採った後、2値化する回路を
    有するパターン欠陥検出装置。 4、同一となるように形成された回路パターンを複数有
    する試料について、2つの前記回路パターンの相互に対
    応する部分の画像信号を入力して、位置ずれ検出、位置
    合せ及び比較を行うことで前記回路パターンの欠陥を検
    出するパターン欠陥検出装置において、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号か
    ら検出された前記パターンのエッジを2値化した信号を
    入力し、位置ずれ量を出力する位置ずれ検出回路、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号を
    遅延させた後、前記位置ずれ量に基づいて位置合せを行
    う回路、 前記位置合せ後の多値のデジタル信号と、該デジタル信
    号を2値化した信号とを入力し、前記2つの回路パター
    ンの相互に対応する画素の近傍を補間して比較する回路
    を有するパターン欠陥検出装置。 5、同一となるように形成された回路パターンを複数有
    する試料について、2つの前記回路パターンの相互に対
    応する部分の画像信号を入力して、位置ずれ検出、位置
    合せ及び比較を行うことで前記回路パターンの欠陥を検
    出するパターン欠陥検出装置において、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号か
    ら検出された前記パターンのエッジを2値化した信号を
    入力し、位置ずれ量を出力する位置ずれ検出回路、 前記画像信号を変換して得られた多値のデジタル信号を
    遅延させた後、前記位置ずれ量に基づいて位置合せを行
    う回路、 前記位置合せ後の多値のデジタル信号と、該デジタル信
    号を2値化した信号とを入力し、前記2つの回路パター
    ンの相互に対応する画素の近傍の勾配を比較する回路を
    有するパターン欠陥検出装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01205382A (ja) * 1988-02-12 1989-08-17 Fujitsu Ltd パターン検査方法及び装置
JPH01224881A (ja) * 1988-03-04 1989-09-07 Toshiba Mach Co Ltd パターン検査装置
JP2000040485A (ja) * 1991-05-30 2000-02-08 Kla Instr Corp 電子ビ―ム検査方法
JP2003083910A (ja) * 2001-09-17 2003-03-19 Ibiden Co Ltd 回路パターン検査装置および回路パターン検査方法
JP2009047458A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Toray Ind Inc 回路パターン検査装置および検査方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6012655B2 (ja) * 2014-03-28 2016-10-25 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ検査装置の検査条件データ生成方法及び検査条件データ生成システム
JP7071074B2 (ja) * 2017-08-10 2022-05-18 キヤノン株式会社 画像処理方法、画像処理装置、プログラム、記録媒体、物品の製造方法、およびロボット装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01205382A (ja) * 1988-02-12 1989-08-17 Fujitsu Ltd パターン検査方法及び装置
JPH01224881A (ja) * 1988-03-04 1989-09-07 Toshiba Mach Co Ltd パターン検査装置
JP2000040485A (ja) * 1991-05-30 2000-02-08 Kla Instr Corp 電子ビ―ム検査方法
JP2003083910A (ja) * 2001-09-17 2003-03-19 Ibiden Co Ltd 回路パターン検査装置および回路パターン検査方法
JP2009047458A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Toray Ind Inc 回路パターン検査装置および検査方法

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