JPS62264676A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS62264676A JPS62264676A JP61107608A JP10760886A JPS62264676A JP S62264676 A JPS62264676 A JP S62264676A JP 61107608 A JP61107608 A JP 61107608A JP 10760886 A JP10760886 A JP 10760886A JP S62264676 A JPS62264676 A JP S62264676A
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Links
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は光導電型光電変換装置に関する。
（従来の技術）
光導電型光電変換装置としてはすでに第２図から第４図
に示すものが知られている。まず第２図について説明す
ると、１１は透明基板、１２は光電変換膜１３は電極で
ある。この構造では透明基板側から光４０を入射させ光
電変換を行なうが、基板が透明物質に限られること、基
板の表面で反射があること、基板を傷つけると直接素子
特性に影響すること等の欠点がある。次に第３図につい
て説明すると２１は絶縁基板、２２は光電変換膜、２３
は電極である。この構造では電極端部に残留応力が集中
し、膜はがれを起こしやすいという欠点がある。次に第
４図について説明すると、３１は絶縁基板、３２は光電
変換膜、３３は不透明な電極である。この構造では光４
０が入射した場合でも３３の下の光電変換膜には光４０
が入射しないため高抵抗のままで明電流が小さいという
欠点がある。
に示すものが知られている。まず第２図について説明す
ると、１１は透明基板、１２は光電変換膜１３は電極で
ある。この構造では透明基板側から光４０を入射させ光
電変換を行なうが、基板が透明物質に限られること、基
板の表面で反射があること、基板を傷つけると直接素子
特性に影響すること等の欠点がある。次に第３図につい
て説明すると２１は絶縁基板、２２は光電変換膜、２３
は電極である。この構造では電極端部に残留応力が集中
し、膜はがれを起こしやすいという欠点がある。次に第
４図について説明すると、３１は絶縁基板、３２は光電
変換膜、３３は不透明な電極である。この構造では光４
０が入射した場合でも３３の下の光電変換膜には光４０
が入射しないため高抵抗のままで明電流が小さいという
欠点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は上述した従来装置の欠点を改良したもので、
基板は透明物質である必要がなく、基板の表面の反射の
影響もなく、基板を搗つけても直接素子特性に影響する
こともなく、膜はがれも起こりにくく、明電流が大きく
とれる光導電型光電変換装置を提供することを目的とす
る。
基板は透明物質である必要がなく、基板の表面の反射の
影響もなく、基板を搗つけても直接素子特性に影響する
こともなく、膜はがれも起こりにくく、明電流が大きく
とれる光導電型光電変換装置を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
この発明は光電変換膜上に透明電極を設けた光電変換装
置である。
置である。
（作用）
この発明によれば光が入射した場合には電極下部の光電
変換膜にも光が入射するため低抵抗となり大きな明電流
が得られる。
変換膜にも光が入射するため低抵抗となり大きな明電流
が得られる。
（実施例）
第１図に従って説明すると、絶縁基板１として耐熱ガラ
スコーニング７０５９（商品名）を用いた。
スコーニング７０５９（商品名）を用いた。
次に光電変換膜２として水素化アモルファスシリコンを
シランガスをグロー放電分解することによって堆積させ
、次にシランガスにホスフィンガスを混合し、グロー放
電分解することによってｎ水素化アモルファスシリコン
膜を堆積させた。次にスパッタによりインジウム、スズ
、は化＃（工ＴＯ）を堆積させ、最後に電極となる部分
以外のｎ水素化アモルファスシリコン膜と、■ＴＯ膜を
リアクティブイオンエツチング（ＲＩＢ）により除去し
、透明電極パターンを形成した。このようにして１次元
イメージセンサを得た。尚、矢印４０は光の入射方向を
示す。
シランガスをグロー放電分解することによって堆積させ
、次にシランガスにホスフィンガスを混合し、グロー放
電分解することによってｎ水素化アモルファスシリコン
膜を堆積させた。次にスパッタによりインジウム、スズ
、は化＃（工ＴＯ）を堆積させ、最後に電極となる部分
以外のｎ水素化アモルファスシリコン膜と、■ＴＯ膜を
リアクティブイオンエツチング（ＲＩＢ）により除去し
、透明電極パターンを形成した。このようにして１次元
イメージセンサを得た。尚、矢印４０は光の入射方向を
示す。
この発明によれば、大きな明電流が得られるので、高感
度なイメージセンサが構成できる。
度なイメージセンサが構成できる。
１．２１，３１・・・絶縁基板、１１・・・透明基板、
１２．２２．３２・・・光電変換膜、１３．２３・・・
電極、３３・・・不透明電極、２・・・水素化アモルフ
ァスシリコン膜、３・・・ｎ水素化アモルファスシリコ
ン膜、４・・・透明電極、４０・・・光。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 薔久男 第 １ 図 心へ４゜ 第 ２ 図 第３図 ｆＪ４図
１２．２２．３２・・・光電変換膜、１３．２３・・・
電極、３３・・・不透明電極、２・・・水素化アモルフ
ァスシリコン膜、３・・・ｎ水素化アモルファスシリコ
ン膜、４・・・透明電極、４０・・・光。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 薔久男 第 １ 図 心へ４゜ 第 ２ 図 第３図 ｆＪ４図
Claims (3)
- （１）光電変換膜上に一対の電極を設けたプレーナ構造
の光電変換装置において、前記電極を透明電極としたこ
とを特徴とする光電変換装置。 - （２）光電変換膜を水素化アモルファスシリコンとした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換
装置。 - （３）透明電極に接する部分はｎ＾＋水素化アモルファ
スシリコンであることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61107608A JPS62264676A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61107608A JPS62264676A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264676A true JPS62264676A (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14463482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61107608A Pending JPS62264676A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621645A1 (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical switching element and optical scanning display using it |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP61107608A patent/JPS62264676A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621645A1 (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical switching element and optical scanning display using it |
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